WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Действительно, в результате подобной перестройки в подсистеме атомов олова часть узлов в подрешетке Авторы признательны Л.В. Прокофьевой за предостаметалла должна оказаться свободной. Учитывая разли- вленные для исследований образцы и данные рентгеноструктурного анализа, О.Е. Квятковскому — за полезную чия в электрической активности катионных вакансий дискуссию.

(двухзарядные акцепторы [18–21]) и атомов металла в междоузлиях (однозарядные доноры [18]), можно было бы ожидать, что в результате перехода части атомов Список литературы олова в междоузлия произойдет существенное возрастание концентрации дырок. Однако в действительности [1] Л.В. Прокофьева, М.Н. Виноградова, С.В. Зарубо. ФТП, 14, этого не происходит. По данным [2,7] величины pH в 2201 (1980).

Pb1-xSnxSe (x 0.02), не содержащем акцепторных [2] Л.В. Прокофьева, Е.А. Гуриева, К.Г. Гарцман, Ш.М. Жумаксанов, С.В. Зарубо, Х.Р. Майлина, К.Т. Уразбаева.

примесей, не превосходят 5 · 1018 см-3. Подобная Препринт № 1049, ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН (Л., 1986).

ситуация может иметь место, если в процессе измене[3] Ю.А. Дегтярев, П.П. Константинов, Х.Р. Майлина, ния структурной позиции олова, наряду с катионными, Л.В. Прокофьева. ФТП, 23, 1576 (1989).

возникают и анионные вакансии, которые обладают в [4] Л.В. Прокофьева, С.В. Зарубо, Ф.С. Насрединов, П.П. Сехалькогенидах свинца донорным действием [18–21] и регин. Письма ЖЭТФ, 33, 14 (1981).

компенсируют акцепторное действие вакансий металла.

[5] Ф.С. Насрединов, Л.В. Прокофьева, П.П. Серегин, ЖЭТФ, Таким образом, одной из возможных причин появления 87, 951 (1984).

достаточно высоких концентраций Vch в разбавленных [6] А.Н. Вейс, Н.А. Суворова. ФТП, 29, 278 (1995).

твердых растворах Pb1-xSnxSe может быть самокомпен[7] А.Н. Вейс, Е.А. Гуриева, О.Г. Нефедов, Л.В. Прокофьева.

сация.

ФТП, 18, 1723 (1984).

Предположение в переходе части атомов олова в [8] Г.Т. Алексеева, Е.А. Гуриева, П.П. Константинов, Н.В. Максимова, Л.В. Прокофьева. ФТП, 29, 1388 (1995).

междоузлия согласуется и с данными мессбауэровской [9] А.Н. Вейс, Н.А. Суворова. ФТП, 30, 2089 (1996).

спектроскопии [4,5]. Экспериментально наблюдаемое [10] Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, С.А. Немов, изменение величины изомерного сдвига линии Sn Ю.И. Равич. ФТП, 14, 74 (1980).

может быть следствием различия в типе химической [11] Т.Г. Поташевская, Н.С. Целищева. Тр. ЛПИ, 325, связи олова, находящегося в узельной (на p-орбиталях) (1971).

и межузельной (на sp3-гибридных орбиталях) позициях.

[12] А.Н. Вейс, Р.Ф. Кутейников, С.А. Кумзеров, Ю.И. Уханов.

Отметим также, что высказанное предположение не ФТП, 10, 2218 (1976).

противоречит основным положениям кристаллохимии [13] А.Н. Вейс, А.Ю. Рыданов, Н.А. Суворова. ФТП, 27, соединений AIVBVI (см., например, [22]). Это обсто(1993).

ятельство следует рассматривать как аргумент в его [14] А.Н. Вейс. ДАН СССР, 289, 1355 (1986).

пользу. [15] А.Н. Вейс, Ю.И. Уханов. ФТП, 10, 1315 (1976).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Особенности процесса дефектообразования в Pb1-xSnxSe (x 0.06) [16] И.А. Драбкин, Ю.Я. Елисеева, Г.Ф. Захарюгина, И.В. Нельсон, Ю.И. Равич. ФТП 8, 1947 (1974).

[17] G. Nimtz, B. Schliht. Narrow Gap Semiconductors (Springer Verlag, Berlin e. a., 1983) v. 98, p. [18] H. Heinrich. Proc. Int. Summer School on Narrow Gap Semicond. Physics and Applications (Nimes, France, 1979;

Springer Verlag, Berlin, 1980) p. 407.

[19] Г.А. Калюжная, К.В. Киселева. Тр. ФИАН, 177, 5 (1987).

[20] N.J. Panda, G.W. Pratt. Phys. Rev. Lett., 22, 180 (1969).

[21] Б.А. Волков, О.А. Панкратов. ЖЭТФ, 88, 280 (1985).

[22] Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI (М., Наука, 1975).

[23] R.F. Brebrick. J. Phys. Chem. Sol., 18, 116 (1961).

Редактор В.В. Чалдышев Peculiarities of defects formation process in Pb1-xSnxSe (x 0.06) A.N. Veis, N.A. Suvorova St. Petersburg State Technical University, 195251 St. Petersburg, Russia

Abstract

Spectral dependences of the absorption coefficient of undoped p-Pb1-xSnxSe (x = 0.00-0.06) were investigated at T = 300 K. The quasilocal level connected with chalcogen vacancy was obtained in all samples under tests. It has been shown that the concentration of the chalcogen vacancies measurably differs in samples with and without tin and increases with increasing x. The nature of this phenomenon is discussed.

5 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.