WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Для правильной оценки роли описанного механизма Данное обстоятельство делает выводы настоящей работы следует отметить, что слабая неустойчивость, как прави- применимыми и к диодам на основе GaAs. Условие (13) ло, реализуется для фронтом, которые при постоянном имеет смысл критерия квазиустойчивого распространенапряжении источника питания V(t) двигались бы с ния фронта. Существенно, что этот критерий непременно замедлением. Действительно, согласно уравнению (6) нарушается при приближении ФИ к n+-эмиттеру. В силу фронт замедляется при выполнении условия d/d > vn/vf этого завершающая стадия распространения ФИ всегда (см. рис. 2). Развитие неустойчивости в этом случае содержит поперечно-неустойчивую фазу.

означает не ускорение лидирующих участков, а лишь Критерий (13) находится в тесном родстве с эмпиуменьшение темпа их замедления.

рическим критерием безаварийного функционирования Условием сильной неустойчивости является соотнокремниевых диодных обострителей [2,11], требующим шение d < 0. Ее механизм связан с ускорением наличия в n-базе нейтральной области в начальный собственно ФИ и полностью аналогичен механизму, опимомент распространения волны:

санному для подобных TRAPATT-диоду структур в [5].

1/Действительно, при lf /x > 0 локальное перемещение 20u W >. (14) участка волны вперед при заданном напряжении на приqNd боре приводит к расширению размера области ионизации Нарушения критерия (14) в случае Si-диодов приводит lf, что влечет увеличение скорости лидирующего участка и дальнейший рост неоднородности. Характерные вре- к локальному тепловому разрушению [2,11]. Та же мена в данном случае совпадают с временем пробега причина обусловливает, по-видимому, локальное перефронтом своей длины. ключение GaAs-диодов, наблюдавлееся в [12].

4 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 436 А.М. Минарский, П.Б. Родин Полученное нами условие (13) дает теоретическое On transverse stability of impact ionization обоснование критерия (14). Действительно, его выполfront in Si p+-n-n+-structure нение обеспечивает квазиустойчивость начальной фазы A.M. Minarsky, P.B. Rodin распространения волны. В то же время наличие завершающей поперечно-неустойчивой фазы не позволяет A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, рассматривать данный эмпирический критерий надежноRussian Academy of Sciences, сти как достаточное условие однородности модуляции 194021 St. Petersburg, Russia объема структуры после переключения.

Institute for Theoretical Physics, TU Berlin, Обратимся теперь к результатам одномерного численD-10623, Hardenbergstr. 36, Berlin, Germany ного моделирования распространения ФИ, проведенного в [13] для Si-структуры с параметрами W = 200 мкм,

Abstract

We consider the transverse stability of impact ionizaNd = 1014 см-3. По результатам расчета время переtion front in a long-base large area Si p+-n-n+-structure. An ключения составляет 600 пс [13]. Оценки инкрементов analytical model which describes the ionization front propagation нарастания поперечного возмущения, выполненные по together with the process of displacing major carriers from the формулам (10), (11) для полученных в [13] профилей non-depleted n-base region is suggested. Stability of the plane front электрического поля E(x, t), показывают, что движеhas been studied, perturbation increments are calculated and the ние плоского ФИ становится неустойчивым уже при instability mechanisms are suggested. A criterion of quasistable t = 200 пс. Имеет место также отчетливый переход wave propagation is presented.

между устойчивой и неустойчивой фазами. Из проведенного рассмотрения следует вывод о непригодности одномерного численного моделирования для количественного описания процесса переключения.

Авторы признательны А.В. Горбатюку, И.В. Грехову, А.Ф. Кардо-Сысоеву и М.Е. Левинштейну за стимулирующие дискуссии. Финансовая поддержка работы была частично осуществлена Институтом теоретической физики Университета г. Уппсала.

Список литературы [1] В.И. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев. Письма в ЖТФ, 5, (1979).

[2] В.М. Туркевич, И.В. Грехов. Новые методы коммуникации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988).

[3] I.V. Grekhov. Sol. St. Electron., 32, 923 (1989).

[4] B.C. Deloach, D.L. Scharfetter. IEEE Trans. Electron. Dev., 20, 9 (1970).

[5] А.М. Минарский, П.Б. Родин. Письма ЖТФ, 20, вып. 12, 38 (1994).

[6] А.М. Минарский, П.Б. Родин. ФТП, 29, 1506 (1995).

[7] A.M. Minarsky, P.B. Rodin. Proc. of the 1995 International Semiconductor Device Research Symposium (Charlottesville, USA. Dec., 1995).

[8] А.М. Минарский, П.Б. Родин. Прептинт № 1639, ФТИ им.

А.Ф. Иоффе РАН (СПб., 1995).

[9] М.И. Дьяконов, В.Ю. Качаровский. ЖЭТФ, 95, (1989).

[10] C. Jacobini, C. Canali, G. Ottaviani, A. Alberigi. Sol. St.

Electron., 20, 77 (1977).

[11] В.И. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев, Л.С. Костина, С.В. Шендерей. ЖТФ, 51, 1709 (1981).

[12] С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма в ЖТФ, 14, 1526 (1989).

[13] Ю.Д. Биленко, М.Е. Левинштейн, М.В. Попова, В.С. Юферев. ФТП, 17, 1812 (1983).

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.