WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ратуры, соответствующей стадии изохронного отжига Лучшее согласие с экспериментом было получено при E-центров в облученном n-Si, от концентрации доиспользовании представления о вакансии как системе норной примеси. С привлечением модели вакансии {V0, V-, V--}, обладающей отрицательной корреляцикак двойного акцепторного центра с отрицательной онной энергией (см. [9]). В этом случае fV корреляционной энергией объяснен двухстадийный оти значение уровня энергии в запрещенной зоне, при жиг E-центров в низкоомном кремнии. Определены прохождении уровня Ферми через который изменяется значения некоторых параметров E-центра и вакан- -eff величина Ua, составляет (V + V )/2 = 0.24 эВ.

сии в n-Si, легированном фосфором: энергия диссоeff Изменение энергии активации Ua при этом составит циации E-центра Ua0 0.96 эВ, фактор вырождения - -величину (V + V )/2 = 0.48 эВ. Если положить g-/g0 = 1/16, EV (0/-) = Ec - V = Ec - 0.09 эВ, E E - -V = Ec - EV (0/-) = 0.09 эВ, то получим, что EV (-/ --) =Ec - V = Ec - 0.39 эВ.

-V = Ec-EV (-/--) =0.39 эВ. На рис. 2 изображены Удовлетворительное согласие расчетных данных с eff зависимости Ua от положения уровня Ферми F, опре- экспериментальными свидетельствует в пользу предлоделенные формулой (25) при T = 390 K для случаев: женного механизма участия электронной подсистемы кристалла в реакциях распада комплексов дефектов в (a) вакансия представляет собой двойной акцепторный полупроводниках.

центр Автор выражает признательность С.С. Шаймееву, EV (0/-) =Ec - V = Ec - 0.24 эВ, Л.Н. Сафронову и А.В. Васильеву за полезные дискуссии.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда -EV (-/ --) =Ec - V = Ec - 0.09 эВ; (26) фундаментальных исследований (грант № 96-15-97272).

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Участие электронной подсистемы кристалла в реакциях распада комплексов... Список литературы [1] L.C. Kimerling, H.M. DeAngelis, C.P. Carnes. Phys. Rev. B, 3, 427 (1971).

[2] А.И. Баранов, А.В. Васильев, Л.С. Смирнов. ФТП, 20, (1986).

[3] А.И. Баранов, А.В. Васильев, В.Ф. Кулешов, А.Ф. Вяткин, Л.С. Смирнов. Константы скорости реакций между многозарядными центрами в полупроводниках (Препринт, Черноголовка, 1985).

[4] G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 134, A1359 (1954).

[5] M. Hirata, M. Hirata, H. Saito. J. Appl. Phys., 37, 1867 (1966).

[6] A.O. Evwaray. J. Appl. Phys., 48, 1840 (1977).

[7] A.O. Evwaray. Appl. Phys. Lett., 29, 476 (1976).

[8] L.C. Kimerling, C.P. Carnes. J. Appl. Phys., 42, 3548 (1971).

[9] G.A. Baraff, E.O. Kane, M. Shluter. Phys. Rev. B, 21, (1980).

Редактор Т.А. Полянская Participation of the electron subsystem in the defect complex breakdown reactions in semiconductors N.I. Boyarkina Institute of Physics of Semiconductors, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia

Abstract

The defect complex breakdown reactions in semiconductors have been considerated. The contribution made by the crystal electron subsystem into the reaction rate is taken into account by adding a change in the electron subsystem energy.

The comparison of the calculated results against experimental data is carried out on the example of annealing radiation-induced E-centers in phosphorus-doped silicon. The dependence of the isochronal annealing stage temperature on the donor impurity concentration was explaned. From the comparison of theoretical and experimental data were obtained the E-center dissociation energy Ua0 0.96 eV and degeneracy factor g-/g0 = 1/16. The E E first (T 400 K) annealing stage in the low-resistance silicon has been caused by the E-center decay and can be explained by employing the vacancy model as a double-acceptor center with the negative correlation energy and the values of vacancy recharge levels EV (0/-) =Ec - 0.09 eV, EV (-/ --) =Ec - 0.39 eV.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.