WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

измеренная в тех же условиях, чтобы показать временное [10] Pham. V. Huong. Diamond and Related Mater., 1, 33 (1991).

[11] K.G. Druijf, J.M.M. de Nijs, E. van der Drift, E.H.A. Granneразрешение системы регистрации. Видно, что на измеman, P. Bulk. J. Appl. Phys., 78, 306 (1995).

ренном интервале времени указанные зависимости ФЛ и [12] K.G. Druijf, J.M.M. de Nijs, E. van der Drift, E.H.A. GranneРС почти не различаются. Столь малые времена спада man, P. Bulk. J. Appl. Phys., 79, 1505 (1996).

импульсов ФЛ и при этом высокая интенсивность свечения указывают на близнецовый характер излучательной Редактор Л.В. Шаронова рекомбинации, что также подтверждает модель объемной рекомбинации в малых по размеру изолированных An intense photoluminescence of porous кристаллитах или мостиках между порами, но вряд ли layers in SiC films grown on silicon характерно для излучения окисла.

substrates В заключение можно отметить, что в данной работе найдена перспективная и технологически простая си- A.M. Danishevskii, V.B. Shuman, E.G. Guk, A.Yu. Rogachev стема, на которой получена весьма интенсивная ФЛ с очень широким спектром. Показано, что с точки зрения A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, излучательных характеристик она имеет преимущества Russian Academy of Sciences, по сравнению как с пористым кремнием, так и с пори194021 St. Petersburg, Russia стым карбидом кремния, полученным на монокристаллическом SiC и, скорее всего, может быть изготовлена различными технологическими способами. Поскольку пленки осаждаются на стандартные кремниевые подложки, в случае получения эффективной электролюминесценции мы будем располагать источниками, формируемыми в режимах планарной кремниевой технологии.

Авторы выражают благодарность М.П. Щеглову за проведение рентгеновских измерений на одном из исходных образцов, а также В.Е. Челнокову за обсуждение и поддержку.

Данная работа выполнялась при поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований 95-0204115 и гранта по теме ”Наноструктуры в полупроводниках”, а также при частичной поддержке Аризонского университета (США).

Список литературы [1] J.S. Shor, I. Grimberg, B.Z. Weiss, B.D. Kurtz. Appl. Phys.

Lett., 62, 2836 (1993).

[2] T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futaki, H. Mimura, Y. Kanemitsu. Appl. Phys. Lett., 64, 226 (1994).

[3] A.O. Konstantinov, C.I. Harris, E. Yanzen. Appl. Phys. Lett., 65, 2699 (1994).

[4] J.S. Shor, L. Bemis, A.D. Kurtz, M. Mcmillan, W.J. Choyke, I. Grimberg, B.Z. Weiss. In: Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asifkhan, R. Kaplan, M. Rahman [Inst. Phys. Conf. Ser, N 137 (IOP, Bristol, 1993) p. 193].

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.