WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[10] D. Hon, W. Fost, W.G. Spitzer, F. Williams. Phys. Rev. Lett., Таким образом, проведенные в работе исследова25, 1184 (1970).

ния низкотемпературной катодолюминесценции эпитак[11] С.П. Козырев, В.Н. Пырков, Л.К. Водопьянов. ФТТ, 34 (12), сиальных слоев Ga1-xAlxP в диапазоне составов, соот- 3695 (1992).

[12] S.P. Kozyrev, L.K. Vodopyanov, R. Triboulet. Phys. Rev. B, ветствующих 0 x 0.8, свидетельсвуют о нелинейной 58 (3), 1374 (1998).

зависимости ширины непрямой запрещенной зоны от состава твердого раствора с параметром прогиба 0.13.

Редактор Л.В. Шаронова Исследования комбинационного рассеяния света показали, что фононный спектр Ga1-xAlxP состоит из одной колебательной моды Al–P и трех мод Ga–P.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 424 Л.К. Водопьянов, В.И. Козловский, Н.Н. Мельник Cathodoluminescence and Raman scattering in Ga1-xAlxP epitaxial films L.K. Vodopianov, V.I. Kozlovsky, N.N. Mel’nik P.N. Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, 117924 Moscow, Russia

Abstract

A low temperature cathodoluminescence and Raman scattering of Ga1-xAlxP layers grown by liquid phase epitaxy on GaP (100) were studied. Obtained cathodoluminescence spectra are an evidence in favour of the nonlinear dependence of indirect energy gap on the composition parameter x. The dependence can be described by means of a parabolic function with a bowing parameter b = 0.13. The scattering data have shown that the phonon spectra of Ga1-xAlxP consists of one (Al–P)-like phonon mode and three (Ga–P)-like ones.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.