WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Влияние импульсного лазерного излучения на морфологию и фотоэлектрические свойства кристаллов InSb © В.А. Гнатюк¶, Е.С. Городниченко Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, 01033 Киев, Украина Research Institute of Electronics, Shizuoka University 432-8011 Hamamatsu, Japan (Получена 10 сентября 2002 г. Принята к печати 11 сентября 2002 г.) Изучается влияние наносекундных импульсов излучения рубинового лазера на морфологию поверхности и фотоэлектрические свойства кристаллов InSb. Установлено значение пороговой плотности энергии 0.14 Дж/см2, при котором начинается плавление поверхности кристаллов. Анализируется модификация спектров и вида кинетики фотопроводимости образцов после облучения. Показано, что обработка InSb импульсами рубинового лазера в определенном диапазоне плотности энергии приводит к уменьшению скорости поверхностной рекомбинации, росту времени жизни неравновесных носителей и, как следствие, к увеличению фоточувствительности кристаллов.

Фотоприемники на основе полупроводникового со- при облучении антимонида индия наносекундными имединения InSb широко используются для детектиро- пульсами рубинового лазера, полученные из косвенных вания, измерения и контроля параметров излучения наблюдений (0.14–0.22 Дж/см2 [2,6]), ощутимо превысредней инфракрасной области спектра (0.2–1.24 эВ). шают расчетную для подобного воздействия величиПри изготовлении чувствительных элементов приемни- ну Eth 0.08 Дж/cм2 [7].

ков поверхность полупроводника подвергается различЦель настоящей работы состоит в экспериментальном ным видам обработки для модификации его электроопределении порога плавления InSb и режимов лазерной физических свойств. Одним из способов оптимизации обработки монокристаллов наносекундными импульсафотоэлектрических параметров полупроводников являми излучения рубинового лазера, позволяющих модифиется импульсное лазерное облучение, эффективность цировать и оптимизировать фотоэлектрические характеприменения которого обеспечивается локальностью и ристики полупроводника. Объектами исследования были кратковременностью воздействия, высокой плотностью монокристаллы n-InSb с ориентацией поверхности (112), энергии, технологичностью и воспроизводимостью ревыращенные методом Чохральского. Образцы подвержимов обработки. Лазерное облучение InSb использугались обработке одиночными импульсами рубинового ется для отжига структурных несовершенств и мехалазера (h = 1.78 эВ) с длительностью 20 нс. Для гонических напряжений, десорбции окисного слоя [1,2], могенизации излучения использовалась линза с матосоздания приповерхностных областей, обогащенных или вой поверхностью. Плотность энергии импульсов лазеобедненных основными носителями, вплоть до конверра регулировалась нейтрально-серыми светофильтрами.

сии типа проводимости и образования p-n-переходов, В процессе лазерного воздействия контролировалась как следствие модификации системы точечных дефектов кинетика ФП и после каждой серии облучения образцов полупроводника [3].

измерялись спектры фотопроводимости (ФП) при 77 K.

Важную роль при изучении механизмов лазерно-стиУстановлено, что при воздействии на монокристаллы мулированной трансформации дефектной структуры поInSb импульсами рубинового лазера, начиная с плотлупроводников играет определение лучевой стойкости ности энергии E = 0.15 Дж/см2, наблюдаются различия полупроводникового кристалла [4]. Изучение этой харакв морфологии поверхности образцов до и после облутеристики позволяет получить необходимые данные для чения. Сначала эти изменения имеют вид „островков“ определения оптимальных режимов лезерного воздейс характерным металлическим блеском. С увеличениствия и представляет интерес для разработки прикладем плотности энергии E они занимают всю область ных методов в технологии полупроводниковой фотовоздействия лазерного излучения (рис. 1). Причиной электроники. Количественной характеристикой лучевой наблюдаемых эффектов может быть сначала локальстойкости является порог разрушения, под которым ное, а затем и полное плавление поверхностного слоя в технологических процессах лазерной обработки поантимонида индия [2,6]. Известно, что необратимые нимают плотность энергии импульсов лазера Eth, при нарушения морфологии поверхности сложных полупрокоторой, как правило, начинается плавление поверхводников при наносекундном лазерном отжиге могут ности материала [5]. По вопросу величины Eth при быть обусловлены также выносом вещества в результате облучении InSb в литературе не существует единоинтенсивного испарения [8] и декомпозицией материала го мнения [2,3,6,7]. Экспериментальные значения Eth при лучевом нагреве до T < Tm [9]. В случае InSb ¶ E-mail: gnatyuk@mailcity.com подобный процесс сопровождается потерей более леВлияние импульсного лазерного излучения на морфологию и фотоэлектрические свойства... Рис. 1. Морфология полированной поверхности монокристаллов InSb до (a) ипосле (b, c) облучения наносекундными импульсами рубинового лазера с плотностью энергии E, Дж/см2: b — 0.15, c — 0.18.

тучей компоненты — Sb и плавлением легкоплавкой предварительно нанесенного поверхностного микрорекомпоненты — In. Поэтому для определения значения льефа [10]. На поверхность исследуемых образцов InSb плотности энергии Eth, при котором начинается плавле- после финишной химико-динамической полировки наноние поверхности InSb, использовалась методика прямого силась сетка микроцарапин глубиной 0.04–0.06 мкм. Занаблюдения, суть которой заключается в заплавлении плавление такого микрорельефа в нашем случае наблюдается при Eth 0.14 Дж/см2. Таким образом, можно сделать вывод, что изменение морфологии поверхности монокристаллов InSb при облучении с плотностью энергии импульсов E Eth (рис. 1) происходит вследствие плавления и диссоциации материала на стадии расплава.

На рис. 2 приведены спектры ФП исходного кристалла InSb (кривая 1) и образцов (кривые 2–5), облученных импульсами рубинового лазера с возрастающей дозой D = E · N (где N — количество импульсов) при допороговой плотности энергии импульса E < Eth. Максимумы спектров приведены к 1 умножением на коэффициенты, указанные у каждой кривой 2–5. Кривые 2–5 на рис. 2, b получены путем нормирования спектральных зависимостей ФП облученных образцов (рис. 2, a, кривые 2–5) к исходному спектру (кривая 1).

После облучения кристаллов InSb наблюдается рост сигнала ФП во всем спектральном диапазоне и особенно в коротковолновой области спектра (кривые 2–5).

Наибольшее увеличение фоточувствительности образцов наблюдалось при дозе облучения D = 0.7 Дж/см(кривая 5). Дальнейшее увеличение дозы облучения или облучение с плотностью энергии импульсов лазера E Eth приводит к снижению ФП монокристаллов InSb во всем диапазоне спектра фоточувствительности h = 0.2-1.24 эВ.

Анализ формы спектров ФП кристаллов InSb и вида кривых релаксации сигнала ФП при возбуждении наносекундными импульсами лазера позволяет сделать вывод, что рост ФП в облученных образцах обусловлен уменьшением скорости поверхностной рекомбинации S (рис. 3, a) и увеличением времени жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ) (рис. 3, b). Предполагается, что лазерная обработка поверхности InSb приводит к отРис. 2. Cпектральные зависимости (a) и сравнительные спекжигу остаточных структурных несовершенств и вызыватры (b) фотопроводимости монокристаллов InSb до (кривая 1) ет уменьшение количества рекомбинационных центров и после облучения лазерными импульсами с дозой D, Дж/см2:

2 — 0.03, 3 — 0.22, 4 — 0.39, 5 — 0.70. в приповерхностном слое кристалла. На это указывает Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 416 В.А. Гнатюк, Е.С. Городниченко [3] Е.А. Горин, А.И. Бережная, Г.И. Янко. Поверхность. Физика, химия, механика, № 9, 47 (1982).

[4] П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Поверхность. Физика, химия, механика, № 6, 5 (1995).

[5] Р.В. Арутюнян, В.Ю. Баранов, Л.А. Большов, А.Ю. Сербант. Воздействие лазерного излучения на материалы (М., Наука, 1983).

[6] M. Birnbaum, T.L. Stoker. J. Appl. Phys., 39, 6032 (1968).

[7] C.R. Meyer, M.R. Kruer, F.J. Bartoli. J. Appl. Phys., 51, (1980).

[8] Г.М. Гусаков, А.А. Комарницкий, А.С. Эм. Поверхность.

Физика, химия, механика, № 6, 86 (1991).

[9] К.К. Джаманбалин, А.Г. Дмитриев, Э.Н. Сокол-Номоконов, Ю.И. Уханов. Физика и химия обраб. материалов, № 2, (1990).

[10] В.Н. Абакумов, О.В. Зеленова, Ю.В. Ковальчук, Е.Л. Портной, В.Б. Смирницкий, И.А. Соколов. Письма ЖТФ, 8 (22), Рис. 3. Зависимость скорости поверхностной рекомбинации S 1365 (1982).

монокристаллов InSb от дозы облучения лазерными импульса[11] В.В. Гаврушко, О.В. Косогов. ФТП, 4, 2373 (1970).

ми D (a) и кривые релаксации фотопроводимости (b) до (кривая 1) и после (кривая 2) облучения лазерными импульсами Редактор Л.В. Беляков с дозой D = 0.4Дж/см2.

Effect of pulsing laser irradiation on morphology and photoelectric properties of InSb crystals возрастание времени жизни ННЗ, а также увеличение вклада „медленной“ компоненты в общий характер реV.A. Gnatyuk, O.S. Gorodnychenko лаксации фототока (рис. 3, b). Подобные эффекты могут Kyiv National T. Shevchenko University, быть также связаны с образованием приповерхностного 01033 Kyiv, Ukraine инверсионного слоя, который препятствует движению Research Institute of Electronics, фотоносителей к поверхности образца и, следовательно, Shizuoka University замедляет рекомбинацию ННЗ на ней. Инверсионный 432-8011 Hamamatsu, Japan слой при импульсном лазерном нагреве образцов до Tm образуется в результате „замораживания“ неравно

Abstract

The effect of the nanosecond ruby laser pulses on весной высокотемпературной концентрации термофлукmorphology of the surface and photoelectric properties of InSb туационных дефектов, которые в антимониде индия crystals was studied. It was established the existance of a value of имеют акцепторные свойства [11]. Выявлено, что облуthe threshold energy density of 0.14 J/cm2 at which melting of the чение кристаллов InSb приводило к росту их темнового crystal surface began. The modification of spectra and kinetics сопротивления более чем на 10%, что может быть of the photoconductivity of samples after the irradiation were обусловлено увеличением толщины инверсионного слоя analyzed. It was found that irradiation of InSb with laser pulses of и его влиянием на общее сопротивление образцов.

the energy density within a certain range resulted in decreasing the Таким образом, установлено, что для монокристаллов surface recombination rate and rising of the charge carrier lifetime, InSb можно выбрать такой диапазон плотности энергии which consequently, ed to increase in the photosensitivity of the наносекундных импульсов рубинового лазера E < Eth, crystals.

облучение в котором с определенной дозой D приводит к уменьшению скорости поверхностной рекомбинации и увеличению времени жизни ННЗ. При этом наблюдается значительный рост фоточувствительности облученных образцов. Эффект лазерного фотоочувствления кристаллов InSb может найти применение для оптимизации параметров рабочих элементов инфракрасных фотоприемников.

Список литературы [1] Л.Л. Федоренко, В.К. Малютенко, С.С. Болгов. Укр. физ.

журн., 20, 2041 (1975).

[2] V.A. Gnatyuk. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 2687 (1999).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.