WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

В теории дислокаций величина = abl имеет смысл µUS =(µUS - µ0) =(e/m)(US - 0) активационного объема, где a и l — амплитуда смещения и длина колеблющегося сегмента дислокации соответ= µ0(2USµ/E). (7) ственно, b — вектор Бюргерса [14]. Отметим, что при анализе колебательного АС движения дислокаций в кри- Если считать, что для наших образцов при T = 100 K сталлах CdxHg1-xTe предполагается термоактивацион- доминирующим механизмом рассеяния является сплавный характер их движения, определяемый при темпера- ной механизм, то используя выражение (7) и экспетурах T < 300C примесной атмосферой [17]. Поэтому риментальные данные рис. 2, можно оценить величис учетом (4) для анализа амплитудных зависимостей ну µ/E. Данные приведены в таблице. Интересно n(US) можно записать: оценить величину E. Предположив, что µ n, получаем, что E 0.1 эВ. Для сравнения заметим, что nb(US) =n(Ti, US) - n0(Ti, 0) ”нулевым” приближением в теории сплавного механизма рассеяния принимается разница ширины запрещенной b = N0 exp [-(U0 - nUS)/kTi]. (5) зоны для компонент сплава [16].

Поскольку µH определяется несколькими механизмаИз наклона экспериментальных кривых ми рассеяния электронов CdxHg1-xTe, при АС уменьшеlg[nb(US)] = f (US) при фиксированных значениях нии вклада рассеяния на неоднородностях должна возратемпературы Ti (см. рис. 2) по формуле (5) рассчитаны стать роль иного механизма рассеяния, который, возможзначения n (данные сведены в таблице). Наблюдаемое но, слабо (или, сравнивая кривые 1 и 2 при T > 150 K, с ростом температуры увеличение n подтверждает рис. 1 — по-другому) зависит от УЗ. По-видимому, термоактивируемый характер колебания дислокаций в с этим связано наблюдаемое насыщение зависимости кристаллах типа AIIBVI [15].

µH(US). Последний вывод подтверждается также тем, что в более совершенных кристаллах CdxHg1-xTe, для 4.2. Влияние ультразвука на подвижность которых µH(T ) близка к кривой 4 (рис. 1), эффект УЗ электронов увеличения подвижности в примесной области уменьшается (см. таблицу, образец 4).

Переходя к анализу влияния УЗ на зависимость µH(T ), напомним, что для кристаллов CdxHg1-xTe наряду с рассеянием носителей на колебаниях решетки в области 5. Заключение температур T 100 K, во многом определяющим величину µH, таким же считается и рассеяние на неоднород- В данной работе впервые методом эффекта Холла в ностях сплава [1,10,16]. Ясно, что рассмотренный выше присутствии динамического УЗ нагружения исследованы процесс УЗ активации связанных доноров не является ЭФ параметры в кристаллах CdxHg1-xTe. Показано, что Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 414 А.И. Власенко, Я.М. Олих, Р.К. Савкина УЗ нагружение интенсивностью WUS 0.5 · 104 Вт/м2 Acoustostimulated activation of bond приводит к увеличению эффективной концентрации элекdefects in CdHgTe alloys тронов и их подвижности. Наблюдаемые эффекты объO.I. Vlasenko, Ya.M. Olikh, R.K. Savkina ясняются в рамках дислокационной модели акустостимулированного термоактивируемого освобождения свяInstitute of Semiconductor Physics, занных дефектов донорного типа и соответствующего National Academy of Sciences of Ukraine, понижения рассеивающего потенциала на неоднородно- 252028 Kyjiv, Ukraine стях сплава. Из сравнения экспериментальных данных с теоретическими в рамках предложенной модели оценены

Abstract

The results are presented of investigation of electroхарактерные параметры акустоэлектрического взаимо- physical parameters (effective electron concentration n = 1/eRH and Hall mobility µH = RH/) for n-CdxHg1-xTe (x 0.22) действия, значения которых могут быть использованы crystals by an acoustodynamic Hall method. It has been found для предварительных оценок структурного качества исthat in a region of the impurity conductivity (T 100 K) under ходных полупроводниковых образцов CdxHg1-xTe.

highfrequency intensive ultrasound load (W < 0.5 104 W/m2) Таким образом, интенсивный звук, активизируя часть the n and µH values increased. The model of thermoacoustic связанных дефектов, приводит к заметным кратковреactivation of bond defects of the donor type with subsequent менным изменениям электрофизических параметров маdownsizing the scattering potential accounts for experimental териала и для кристаллов CdxHg1-xTe действительно results.

является ”активным” [18].

Ph: (044)265-62-Fax: (044)E-mail: olikh@class.semicond.kiev.ua Список литературы [1] Л.А. Карачевцева, А.В. Любченко, К.А. Мысливец, Я.М. Олих. УФЖ, 35, 468 (1990).

[2] К.А. Мысливец, Я.М. Олих. ФТТ, 32, 682 (1990).

[3] И.В. Островский. Акустолюминесценция и дефекты в кристаллах (Киев. Выща шк., 1995) гл. 4, гл 6.

[4] Я.М. Олих, Ю.И. Шавлюк. ФТТ, 38, 468 (1996).

[5] А.В. Любченко, Я.М. Олих. ФТТ, 27, 2505 (1985).

[6] В.А. Калитенко, Я.М. Олих, В.М. Перга. УФЖ, 33, (1988).

[7] Я.М. Олих, Р.К. Савкина. УФЖ, 42, 1385 (1997).

[8] G. Nimtz, G. Bauer, R. Dornhaus. Phys. Rev. B10, (1974).

[9] А.И. Власенко, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 25, 1318 (1980).

[10] H.R. Vydynat. J. Electrochem. Soc., 128, 2609 (1981).

[11] П.И. Баранский, А.Е. Беляев, С.М. Комиренко, Н.В. Шевченко. ФТТ, 32, 2159 (1990).

[12] А.И. Власенко, А.В. Любченко, В.Г. Чалая. ФТП, 30, (1996).

[13] Ф.А. Заитов, Ф.К. Исаев, А.В. Горшков. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах (Баку, Азернешр, 1984) с. 81.

[14] Д. Хирт, И. Лоттэ. Теория дислокаций (М., Наука, 1972) гл. 16.

[15] Ю.А. Осипьян, В.Ф. Петренко. В кн.: Физика соединений AIIBVI (М., Наука, 1986) с. 35.

[16] D. Chattopadhyay, B.R. Nag. Phys. Rev., 12, 5676 (1975).

[17] Б.П. Коман. УФЖ, 32, 908 (1987).

[18] Я.М. Олих. Тез. докл. XII Всес. конф. по физике полупроводников; Киев, 1990 (Киев, Наук. думка, 1990) ч. 2, с. 87.

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.