WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 |
Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Спиновая поляризация и андреевское отражение носителей заряда в точечных контактах (LaCa)MnO/сверхпроводник © А.И. Дьяченко, В.А. Дьяченко, В.Ю. Таренков, В.Н. Криворучко Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины, 83114 Донецк, Украина Email: krivoruc@krivoruc.ffi.ac.donetsk.ua (Поступила в Редакцию 9 марта 2005 г.

В окончательной редакции 25 июля 2005 г.) Методом точечной андреевской спектроскопии исследована спиновая поляризация носителей заряда в La0.65Ca0.35MnO3 (LCMO). В качестве сверхпроводящих электродов использованы материалы Pb и MgB2. Во всех случаях восстановленная по проводимости точечных контактов LCMO/сверхпроводник спиновая поляризация транспорта не превышала 80–85%. Рассмотрены различные модели протекания тока в контактах сверхпроводник/ферромагнетик и возможные причины неполной спиновой поляризации тока в манганитах. Наблюдаемая в контактах Шарвина (площадь контакта 104 2) степень спиновой поляризации носителей заряда наиболее естественно объясняется в модели расслоения кристалла на магнитные фазы наноразмерного масштаба, из которых только одна соответствует состоянию ферромагнитного металла с полной поляризацией носителей заряда по спину.

PACS: 74.45.+c, 74.50.+r, 74.81.-g 1. Введение щепление зоны проводимости по спину. Конкретная величина расщепления зависит от состава, но расщепление Ферромагнитные половинные металлы (half-metals) — всегда достаточно велико, чтобы в ферромагнитной фазе металлы с полной поляризацией носителей заряда по приводить к почти полной спиновой поляризации тока.

спину — вызывают в настоящее время повышенный В то же время, поскольку ион Mn3+ в кубическом криинтерес (см. например, [1]). В таких соединениях на сталле является ян-теллеровским ионом, электронная уровне Ферми ненулевую плотность состояний имеют конфигурация Mn3+–O2-–Mn4+ характеризуется налитолько носители заряда одной ориентации спина. В ре- чием локализованных решеточных искажений. Иными зультате при низких температурах половинный металл словами, в кристалле носитель заряда есть заряженный фактически является металлом только для электронов магнитоупругий полярон. Проводящие свойства системы с одной проекцией спина (spin majority), в то время в целом определяются конкуренцией между самолокакак для электронов с противоположной проекцией спина лизацией электронов в поляроны малого радиуса и их (spin minority) — это диэлектрик. Материалы с таки- делокализацией при переходе в ферромагнитное состоми характеристиками крайне необходимы для нового яние. Вместе с тем полная спиновая поляризация тока направления в современной электронике — спиновой в этих соединениях экспериментально почти никогда не электронике — как природные „источники“ и „прием- наблюдалась и вопрос о степени спиновой поляризации ники“ поляризованных по спину носителей заряда [1].

носителей заряда PC для манганитов нельзя считать Отметим также, что половинные металлы интересны окончательно решенным.

и с точки зрения фундаментальных исследований как La1-xCaxMnO3 является типичным и одним из наисистемы, для которых не применимы, например такие более изученных представителей семейства материастандартные представления теории Ферми-жидкости как лов, обладающих гигантским магниторезистивным эфквазичастицы (см., например, [12] и ссылки там). Одним фектом. В то же время величина PC в La1-xCaxMnOиз результатов интенсивных исследований манганитов определялась только методами туннельного спиноволантана с колоссальным магниторезистивным эффектом го клапана [8]; косвенно о возможности полной постал вывод о том, что манганиты в ферромагнитной ляризации носителей заряда в La1-xCaxMnO3 свидеметаллической фазе следует относить к половинным тельствуют также измерения туннельной плотности металлам [3–6]. состояний манганита [9]. В настоящей работе для Согласно современным представлениям [4] (см., так- измерения спиновой поляризации в La0.65Ca0.35MnOже обсуждение в [7]), ферромагнитное упорядочение (LCMO) использован метод андреевской спектросков манганитах лантана возникает благодаря „двойно- пии. Идея эксперимента основана на специфике анму обмену“ между ионами марганца Mn3+ и Mn4+, дреевского отражения электронов от границы ферронаходящимися в эквивалентных кристаллографических магнитный металл/сверхпроводник (F/S) [10–13]. Как позициях, через ион кислорода. Поскольку носитель известно [14], при обычном отражении от границы заряда есть „коллективизированный“ электрон (дырка) сверхпроводник/нормальный (N) металл, проникающий связи Mn3+–O2-–Mn4+, прямым следствием двойного из N металла электрон со спином, например, образует обмена и взаимодействия Хунда является сильное рас- в сверхпроводнике куперовскую пару (два электрона 408 А.И. Дьяченко, В.А. Дьяченко, В.Ю. Таренков, В.Н. Криворучко со спинами ). Необходимый для этого электронв со 2. Эксперимент спином изымается из N металла; в результате в N металле образуется дырка с противоположным импульсом Для получения образцов, керамический порошок и ориентацией спина. Такой механизм прохождения La0.65Ca0.35MnO3, изготовленный по стандартной техтока реализуется, если в N металле имеются занятые нологии, прессовался в виде пластинок размером электронные состояния со спином. Для идеального 0.1 1 10 mm под давлением P = 20 kbar. Последуполовинного металла с полной поляризацией (PC = 1) ющий отжиг при T = 1250C в течение восьми чатаких состояний нет. Носители заряда с энергией, сов приводил к росту в пластинке микрокристаллов с меньшей величины сверхпроводящей энергетической размером 5-10 µm. Согласно рентгеновскому анализу, щели, не могут участвовать в образовании куперовполученные образцы были однофазными с параметраской пары и полностью отражаются от F/S границы в ми решетки, соответствующими данным [3,4]. Переход ферромагнитный металл. Соответственно проводимость диэлектрик–металл наблюдался в окрестности перехода контакта близка к нулю. Если же поляризация ферров магнитно-упорядоченное состояние с температурой магнитного металла не полная, то ток через контакт Кюри 260–270 K. Пример зависимости сопротивления разделяется на поляризованную и неполяризованную пластины LCMO от температуры R(T ) приведен на компоненты. Неполяризованная компонента участвует в рис. 1.

процессе обычного андреевского отражения, тогда как Токовые и потенциальные контакты на пластинках поляризованная, при eV <, не вносит вклад в ток были приготовлены нанесением серебряной пасты с (здесь V — напряжение смещения на контакте, e — последующим нагревом до 450C, обеспечивающим дифзаряд электрона). При отсутствии барьера на границе фузию серебра в поверхностный слой образца. Контакрезультирующая проводимость контакта стремится к ты имели переходное сопротивление R = 10-4 · cm2.

пределу G(eV 0)/(2GN) =1 - PC [10]. Таким обраМагниторезистивный эффект (относительное изменение зом, измерение проводимости S/F контакта позволяет сопротивления в магнитном поле R/R(H)) при азотной непосредственно определить поляризацию PC носителей заряда в ферромагнитном металле. температуре и H = 300 Oe составлял всего 0.3%, что Теория рассматривает различные режимы проводимо- указывает на несущественный вклад контактов между сти точечного S/F контакта: баллистический, диффуз- гранулами в проводимость образцов [16]. Ряд измерений ный, тепловой и возможное дополнительное рассеяние также был проведен на эпитаксиальных пленках, полув области интерфейса ферромагнетик — сверхпроводик.

ченных лазерным испарением, где в качестве мишени К сожалению, в реальном эксперименте характер происпользовалась полученная нами шихта LCMO.

водимости исследуемых микроконтактов часто является Контакты для спектроскопических исследований припромежуточным и не может быть однозначно идентифиготавливались как на отдельных микрокристаллах, так и цирован. Например, в большинстве случаев контакты с на эпитаксиальных пленках прижимом острия сверхпроманганитами находятся на границе диффузного, l d, водника к поверхности образца. Сопротивление контаки баллистического, l d, режимов (здесь l — длина тов регулировалось деформацией пластинки из бериллисвободного пробега носителей заряда, d — диаметр контакта). Это делает анализ экспериментальных результатов нетривиальным [11,12].

Для повышения достоверности результатов в качестве инжекторов использовались разные сверхпроводящие материалы: свинец и диборид магния. Обработка результатов измерений и, в частности, расчеты величины PC проводились в рамках различных моделей контактов, в том числе и рассмотренных в [11,13].

Во всех случаях наблюдаемый коэффициент поляризации носителей заряда в La0.65Ca0.35MnO3 составлял PC = 0.8-0.85. Обсуждаются различные причины, из-за которых найденная методом андреевской микроконтактной спектроскопии спиновая поляризация тока в манганитах не является полной. Одна из возможностей — выход на уровень Ферми минорной энергетической зоны электронов со спином. Альтернативное объяснение основано на современных представлениях о фазовой сепарации в манганитах в нанометрическом масштабе (см. например, [4,7,5]). Согласно такой модели, в объеме микрокристаллов La0.65Ca0.35MnO3 имеются антиферромагнитные вкрапления размером 10 с плохой, но металлической проводимостью, что и проявляется при Рис. 1. Зависимость сопротивления пластины андреевском отражении носителей заряда. La0.65Ca0.35MnO3 от температуры.

Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. Спиновая поляризация и андреевское отражение носителей заряда в точечных контактах... Для контактов металлического типа (контакты Шарвина [17]) наблюдались близкие к линейной зависимости проводимости контакта от напряжения смещения.

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) таких контактов (рис. 2) имела избыточное напряжение (рис. 3), т. е.

постоянный сдвиг I–V зависимости на величину V относительно ВАХ в нормальном состоянии контакта VN = IRN.

Для определения степени спиновой поляризации тока выбирались контакты с минимальным значением параметра „туннельности“ — Z в теории ВТК [18].

На рис. 4 приведены типичные результаты экспериментальных измерений dI/dV (сплошная кривая) и теоретической обработки данных (точки), полученные на контактах LSMO/Pb. Некоторые аналогичные результаты для контактов LCMO/MgB2, La0.7Sr0.3MnO3/Pb и (пленка-LSMO)/Pb представлены на рис. 5 (кривые a–c соответственно). Обработка результатов измерений и, в частности, расчеты величины PC проводились в рамках Рис. 2. ВАХ андреевского контакта Pb/La0.65Ca0.35MnO3, различных моделей контактов [11–13]. Благодаря высоT = 4.2 K; показана также ВАХ контакта в нормальном сокой прозрачности исследованных контактов (Z 0.3) стоянии инжектора Pb (VN = IRN).

расхождение между величиной PC, восстановленной с использованием формул баллистического предела [11] и по более точным выражениям работы [13], не превышало 5%. В ряде случае в проводимости контактов LSMO/Pb и LCMO/MgB2 наблюдались особенности, которые, по-видимому, обусловлены фононной структурой инжектора (манганита) кривые (a и b на рис. 5).

Известно, что наиболее благоприятные условия для Рис. 3. Зависимость избыточного потенциала V = V - IRN от напряжения на контакте Pb/La0.65Ca0.35MnO3. Зависимость V (V ) выходит на асимптотику V 0.85 mV, что соответствует = 1.3meV; T = 4.2K.

Pb евой бронзы, плавно поджимающей острие сверхпроводника. В качестве сверхпроводящих электродов испольРис. 4. Нормированная проводимость (dI/dV )/(I/V) конзовались: Pb (температура сверхпроводящего перехода такта Pb/La0.65Ca0.35MnO3; сплошная линия — эксперимент;

TC = 7.2K) иMgB2 (TC = 37 K). Природа образовавшихT = 4.2 K. Расчет в баллистическом приближении по форся контактов определялась по характеру его проводимулам (4)–(8) (треугольники) дает следующие значения памости в широком интервале напряжений смещения при раметров теории: = 1.3meV, PC = 0.75, Z = 0.7. Расчет в температурах выше TC. Характеристики динамической диффузионном пределе (выражения (4) и (13)) для параметпроводимости dI/dV были получены с использованием ров теории восстанавливает следующие значения: T = 0.9, модуляционного метода. T = 0.1, PC = 0.8, Z = 0.

Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 410 А.И. Дьяченко, В.А. Дьяченко, В.Ю. Таренков, В.Н. Криворучко оценить из формулы Векслера 4 l RN +, (1) 3 d2 2d где — удельное сопротивление кристалла. В металлах длину свободного пробега l можно восстановить из известной формулы для проводимости = e2N(EF)D, D = lvF/3, (2) где D — коэффициент диффузии электронов, N(EF) — плотность состояний, а vF — скорость электронов на поверхности Ферми. Для монокристаллов и пленок LCMO (x = 0.3-0.25) характерно значение (T = 4.2K) 100-150 · 10-6 · cm [20], что, возможно, является оценкой сверху. В качестве оценки возьмем нижнее значение 10-4 · cm2. Для скорости Ферми vF и плотности состояний N(EF) используем значения, полученные в [21]: v = 7.4 · 107 cm/s и F N(EF) =0.58 eV-1 (на ион Mn; для пересчета на Рис. 5. Нормированная проводимость (dI/dV )/(I/V ) контак- единицу объема следует разделить это значение на тов (a) La0.65Ca0.35MnO3/MgB2, (b) La0.7Sr0.3MnO3/Pb и (c) объем элементарной ячейки = a3, где постоянная контакта Pb/La0.65Ca0.35MnO3-пленка (для наглядности кривые кубической решетки a = 3.86 [3,4]). Отметим, что смещены вдоль оси ординат). В случае (c) контакт находится значение N(EF), полученное методом LSDA (local spinв термическом режиме, и в обычных приближениях (разд. 3) density approximation) [21], несколько завышено, так как согласовать теоретическую зависимость (сплошная линия) с в окрестности уровня Ферми в манганитах наблюдается экспериментом (точки) не удается. Восстановленные параметбольшая псевдощель [4,20,22,23], в результате чего плотры спиновой поляризации носителей заряда равны: PC 0.83, ность состояний на уровне Ферми N(EF) подавлена по 0.78 и 0.65 соответственно; T = 4.2K.

сравнению с зонным значением. Учитывая это обстоятельство, в оценках примем эффективным значением N(EF)eff N(EF)/3. Используя указанные значения величин, из соотношения (2) для длины свободного отражения фононной структуры в проводимости S/N пробега получаем l 100. В случае контактов с харакконтактов выполняются в баллистическом пределе, котерным сопротивлением RN 100 Ohm, согласно (1), гда длина свободного пробега много больше диаметра это соответствует диаметру контакта d 100. Соотноконтакта [19] (см. далее). В проводимости некоторых шение l d означает, что исследуемые микроконтакты контактов фиксировалось также аномальное уширение, находятся на границе диффузного (l d) и баллистивызванное эффектами разогрева (кривая c на рис. 5).

ческого (l d) режимов проводимости. В частности, проводимость более низкоомных контактов близка к диффузного типу, а проводимость более высокоомных — 3. Модели контакта, анализ к баллистическому.

Pages:     || 2 | 3 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.