WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[8] J. De-Sheng, Y. Machita, K. Ploog, H.J. Queisser. J. Appl.

на примесных дефектах и увеличение вклада рассеяния Phys., 53, 999 (1982).

на дефектах с более слабой спектральной зависимостью [9] G. Borhgs, K. Bhattacharyya, K. Deneffe, P. Van Mieghem, коэффициента поглощения. При n0 > 2 · 1018 см-3 кулоR. Mertens. J. Appl. Phys., 66, 4381 (1989).

новское и упругое взаимодействия комплексов приводят [10] T. Lideiskis, G. Treideris. Semicond. Sci. Technol., 4, к их упорядочению и образованию периодической сверх(1989).

структуры. Этот процесс приводит к снижению вклада [11] S.I. Kim, M.S. Kim, S.K. Min, C. Lee. J. Appl. Phys., 74, рассеяния на ионизированных атомах примеси. В обла(1993).

сти упорядочения доминирующим механизмом рассея- [12] N.-Y. Lee, K.Y. Lee, C. Lee, J.-E. Kim, H.Y. Park, D.-H. Kwak, H.-C. Lee, H. Lim. J. Appl. Phys., 78, 3367 (1995).

ния вновь становится рассеяние на фононах. С этим пред[13] G.C. Jiang, Y. Chang, L.-B. Chang, Y.-D. Juang, S. Lu. Jpn. J.

ставлением согласуется концентрационная зависимость Appl. Phys., 34, 42 (1995).

среднего времени релаксации импульса электронов, по[14] В.А. Вилькоцкий, Д.С. Доманевский, С.В. Жоховец, лученная на основе анализа отражения в инфракрасном М.В. Прокопеня. ФТП, 18, 2193 (1984).

диапазоне спектра [28].

[15] D.M. Szmyd, P. Porro, A. Majerfeld, S. Lagomarsino. J. Appl.

Зависимость m(n0) для наших образцов также свяPhys., 68, 2367 (1990).

зана с перераспределением комплексов: в интервале [16] H.B. Bebb, E.W. Williams. Semiconductors and Semimetals (N. Y., Academic Press, 1972) p. 276.

5 · 1017 < n0 < 1.5 · 1018 см-3 примесные комплексы, [17] M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. Handbook которые дают значительный вклад в рассеяние электроSeries on Semiconductor Parameters (London, World нов проводимости, сильно искажают закон дисперсии;

Scientific, 1996) v. 1, p. 79.

в области упорядочения комплексов уменьшаются эф[18] S.C. Jain, D.J. Roulston. Sol. St. Electron., 34, 453 (1991).

фективность рассеяния на комплексах и степень искаже[19] R.A. Abram, G.N. Childs, P.A. Saunderson. J. Phys. c, 17, ния закона дисперсии.

6105 (1984).

[20] B.E. Sernelius. Phys. Rev. B, 33, 8582 (1986).

[21] H.S. Bennett. J. Appl. Phys., 60, 2866 (1986).

Заключение [22] P. Van Mieghem. Rev. Mod. Phys., 64, 755 (1992).

[23] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства Проведено исследование спектральной зависимости легированных полупроводников (М., Наука, 1979) с. 325.

краевой фотолюминесценции серии монокристаллов ар- [24] В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977).

сенида галлия, выращенных методом Чохральского, ле[25] P.A. Wolff. Phys. Rev., 126, 405 (1962).

гированных теллуром, с концентрацией свободных но[26] A. Glodeanu. Rev. Roum. Phys., 26, 945 (1981).

сителей заряда n0 = 1017-1019 см-3. На основе анализа [27] Е.А. Балагурова, Ю.Б. Греков, А.Ф. Кравченко, И.А. Прудспектров фотолюминесценции получены концентрационникова, В.В. Прудников, Н.А. Семиколенова. ФТП, 19, ные зависимости химического потенциала и величины 1566 (1985).

сужения запрещенной зоны. Рассчитана концентраци[28] Н.А. Семиколенова. ФТП, 22, 137 (1988).

онная зависимость эффективной массы электронов на Редактор Т.А. Полянская дне зоны проводимости m(n0). Показано, что немонотонная зависимость m(n0) согласуется с данными An effective electron mass in heavily по рассеянию электронов и обусловлена в интервале doped qallium arsenide under ordering 5 · 1017 < n0 < 1.5 · 1018 см-3 значительным рассеяниimpurity complexes ем электронов проводимости примесными комплексами, которые сильно искажают закон дисперсии; в области V.A. Bogdanova, N.A. Davletkildeev, упорядочения комплексов эффективность рассеяния на N.A. Semikolenova, E.N. Sidorov них снижается и уменьшается степень искажения закона Institute of Sensor Microelectronics, Siberian дисперсии.

Branch of Russian Academy of Sciences, 644077 Omsk, Russia Список литературы

Abstract

The results of an investigation of edge photolumines[1] Н.М. Богатов, А.Л. Петров, Э.Н. Хабаров. ФТП, 16, 353 cence spectra at 300 K for series of Czochralski grown tellurium (1982).

doped gallium arsenide single crystals with free carriers concentra[2] В.А. Богданова, Н.А. Семиколенова. ФТП, 26, 818 (1992).

tion n0 = 1017-1019 cm-3 are presented. On the basis of a line[3] V.V. Prudnikov, I.A. Prudnikova, N.A. Semikolenova. Phys. St.

shape spectra analysis the concentration dependences of chemical Sol. (b), 181, 87 (1994).

potential and value of band gap narrowing are obtained. The [4] V.A. Bogdanova, N.A. Semikolenova, A.S. Semikolenov. Phys.

concentration dependence of electron effective mass at the bottom St. Sol. (a), 120, K121 (1990).

of the conduction band m(n0) is calculated. It is shown, that the [5] V.A. Bogdanova, V.I. Dubovik, V.V. Prudnikov, N.A. Seminon-monotonous dependence m(n0) is in accordance with electron kolenova. Ext. Abstracts of the Int. Conf. on Solid State scattering data in the material under study and is conditioned by Devices and Materials (Osaka, Japan, 1995) p. 1057.

ordering of impurity complexes.

[6] H.C. Casey, Jr. Stern, F. Stern. J. Appl. Phys., 47, 631 (1976).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.