WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

налюдаемого разными авторами [4,10,17–19] разброса в Наиболее вероятной причиной увеличения F с ростом пределах от 10 до 250 отношения V P/V O является концентрации кислорода в интервале от NO 1015 см-3 наличие в бездислокационных кристаллах, в отличие от до NO 3·1016 см-3 является увеличение объема и(или) малодислокационных, примесно-дефектных скоплений, концентрации образующихся при кристаллизации ПДС, геттерирующие свойства которых определяются условиа тем самым и площади границы раздела включение– ями выращивания.

матрица кристалла, что увеличивает способность захвата свободных вакансий. Кроме того, при повышении NO вблизи ПДС возможно образование так называемых заЗаключение родышей, взаимодействие вакансий с которыми приводит к формированию электрически неактивных комплексов.

Таким образом, наблюдаемые особенности образоваПри концентрациях кислорода NO > 3 · 1017 см-3 ния РД в бездислокационном кремнии с различным соуменьшается градиент величины упругости полей, созда- держанием кислорода обусловлены присутствием в криваемых ПДС в матрице кристалла, за счет аккомодации сталлах примесно-дефектных скоплений межузельного скоплений и наличия в матрице кристалла в значи- типа, вызывающих посредством упругих полей перерастельных концентрациях точечных источников (атомов пределение и захват генерируемых облучением вакансий.

кислорода) полей упругих напряжений того же знака, что Установлено, что геттерирующие свойства примеснои у ПДС. В результате этого эффект перераспределения дефектных скоплений немонотонным образом зависят вакансий между матрицей кристалла и ПДС ослабевает от концентрации кислорода, достигая максимального и, следовательно, для захваченных на ПДС вакансий проявления при NO 1 · 1016 1 · 1017 см-3.

уменьшается.

В пользу развиваемых представлений о влиянии киСписок литературы слорода на геттерирующие свойства ПДС свидетельствуют данные по отжигу рекомбинационных центров в [1] В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекоблученном бездислокационном материале (см. вставку ты в полупроводниках (М., 1981).

на рис. 2, кривые A, B, C на вставке соответствуют [2] G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 121, 1001 (1961).

точкам A, B, C на зависимости F от NO). Видно, что [3] L.I. Murin. Phys. St. Sol. (a), 93, K147 (1986); 101, Kизменение доли неотожженных рекомбинационных цен(1987).

-1 -1 -1 -тров f =( -0 )/( -0 ) (0,, — времена [4] Н.В. Кузнецов, Г.Г. Соловьев. Радиационная стойкость жизни неравновесных носителей заряда до облучения, кремния (М., 1989).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Особенности накопления радиационных дефектов вакансионного и межузельного типов... [5] Р.Ф. Витман, Н.А. Витовский, А.А. Лебедев, Т.В. Машовец, Л.В. Налбандян. ФТП, 24, 45 (1990).

[6] В.В. Емцев, Г.А. Оганесян, К. Шмальц. ФТП, 27, (1993).

[7] I.I. Kolkovskii, P.F. Lugakov, V.V. Lukjanitsa, V.V. Shusha.

Phys. St. Sol. (a). 118, 65 (1990).

[8] H.I. Hoffman. Appl. Phys., 19, 307 (1979).

[9] В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, 1979).

[10] Z. Su, A. Husain, J.W. Farmer. J. Appl. Phys., 67, 1903 (1990).

[11] Ф.П. Коршунов, В.П. Маркевич, И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин. ФТП, 26, 2006 (1992).

[12] Ю.В. Трубицын, К.Н. Неймарк, И.Ф. Червоный. Высокочистые вещества, вып. 3, 129 (1989).

[13] B.O. Kolbsen, A. Muhlbener. Sol. St. Electron., 25, 759 (1982).

[14] I.I. Kolkovskii, P.F. Lugakov, V.V. Shusha. Phys. St. Sol. (a), 127, 103 (1991).

[15] П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 17, 1601 (1983).

[16] И.И. Колковский, П.Ф. Лугаков, В.В. Шуша. Изв. вузов.

Физика, 31, 128 (1988).

[17] И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, 1974).

[18] В.С. Вавилов, В.Б. Глазман, Н.У. Исаев, Б.Н. Мукашев.

ФТП, 3, 471 (1974).

[19] А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. ФТП, 25, 1332 (1991).

Редактор Л.В. Шаронова Peculiarities of interstitial and vacancy-type radiation defect acculumation in dislocation-free silicon with different content of oxygen I.I. Kolkovskii, V.V. Lukjanitsa Belarussian State University, 220064 Minsk, Belarus Belarussian State Medical Institute, 220116 Minsk, Belarus

Abstract

Processes of the main radiation defect (A-, E-centers, Ci - Cs and Ci - Oi complexes) formation in dislocationfree crystals and crystals with low density of dislocations (ND 1 · 104 cm-2) are studied as a function of oxygen concentration NO. The peculiarities of radiation defect accumulation and annealing observed in dislocation-free silicon are interpreted by taking into account the presence of interstitial inclusions in the bulk of such crystals. It is established that gettering properties of inclusions are compex functions of oxygen concentration with a maximum at NO 3 · 1016 cm-3.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.