WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

позволила более детально описать изменение кинетичеИз таблицы видно, насколько концентрация носитеских коэффициентов в зависимости от флюенса быстрых лей в проводящей матрице и в кластерах дефектов нейтронов. Предложенная модель уточнила не только изменяется в процессе облучения. Так, концентрация размеры кластеров дефектов, но и концентрацию дефекэлектрически активного фосфора в проводящей матрице тов в них.

образца n-Si0.7Ge0.3 при нейтронном облучении уменьшается на 30 % за счет преципитации на кластерах, а концентрация дырок в кластерах p-Si0.7Ge0.3 возрастает Список литературы приблизительно в 3 раза от первоначального значения.

Расчеты показали, что радиус объема захвата кластеров [1] A.P. Dolgolenko, N.D. Marchuk. Proc. XII Int. Conf. on для бора меньше, чем для фосфора. На наш взгляд, это Thermoelectrics (Yokohama, Japan, 1993) p. 66.

[2] А.П. Долголенко, Н.Д. Марчук. Весцi АН БССР. Сер. физ.обусловлено тем, что бор, сохраняя свой электрический мат. наук, 3, 35 (1991).

заряд (отрицательный), удерживается электрическим по[3] Н.Д. Марчук, А.П. Долголенко, Н.Н. Колычев. Proc. Int.

лем кластера, тогда как фосфор, по-видимому, удерживаConf. on Radiation Materials Science, Alushta, May 22–25, ется его деформационным полем.

1990 (Kharkov, Ukraine, 1991) v. 9, p. 113.

Как и в случае описания дозовой зависимости удель[4] В.Д. Ахметов, В.В. Болотов. ФТП, 22, 1556 (1988).

ного сопротивления, учет перераспределения легиру[5] L.C. Kimerling, P.D. Drevinsky. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-18, ющих примесей в образцах n-, p-Si0.7Ge0.3, согласно 60 (1971).

уравнениям (3)–(5), позволил более детально описать [6] L.C. Kimerling. Defects and Radiation Effects in экспериментальные данные термоэдс в зависимости от Semiconductors, Ser. 46 (Bristol–London, 1979) ch. 1, p. 56.

флюенса быстрых нейтронов. Так, для зависимости тер- [7] В.А. Артемьев, В.В. Михнович, С.Г. Титаренко. ФТП, 22, 750 (1988).

моэдс дырок в p-Si0.7Ge0.3 (рис. 2) от флюенса нейтронов [8] Morrel H. Coher, J. Jortner. Phys. Rev. Lett., 30, 15, удалось описать не только выход на максимальное зна(1973).

чение ее при флюенсе около 1019 см2, но и снижение до [9] А.П. Долголенко. Радиационные эффекты в кремнии.

значений, близких к величинам термоэдс для электронов Препринт КИЯИ-76-23. (Киев, 1976) с. 12.

при флюенсе порядка 2 · 1020 см2 в n-Si0.7Ge0.3. Параме[10] R.S. Walker, D.A. Thompson. Rad. Eff., 37, 113 (1978).

тры, используемые при вычислении значений термоэдс Редактор Т.А. Полянская в рамках теории эффективной среды, представлены в таблице.

Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. Влияние кластеров дефектов на перераспределение легирующей примеси в n, p-Si0.7Ge0.3... The influence of defect clusters on redistribution of doping impurities in nand p-Si0.7Ge0.3 under reactor irradiation A.P. Dolgolenko Institute for Nuclear Reasearch, Akademy of Sciences of Ukraine, 252028 Kiev, the Ukraine.

Abstract

P- and n-type samples of the silicon–germanium solid alloy with resistivity (1-2) · 10-3 · см doped with natural phosphorus and boron isotope was researched in active zone of reactor within temperature range (200–500)C. The doze dependence on resistivity and thermo-EMF were calculated and interpeted in terms of the effective medium theory. Detail description of experimental data is only possible under condition that clusters represent effective centers for precipitation of dopants.

It has been shown that capture volume is smaller than the effective volume of cluster defects for boron and larger than that for phosphorus. While phosphorus precipitation leads to carrier concentration decrease in conducting matrix after irradiation, the boron capture changes carrier concentration in clusters.

Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.