WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

В спектрах КРС монокристаллов Ga1.05Se0.95 после облучения интенсивность полосы 215 см-1 не изменя- Редактор Л.В. Беляков ется, но значительно уменьшается интенсивность полосы 211 см-1, а в области спектра 247-254 см-1 замет- Raman spectra of GaSe monocrystals ных изменений не наблюдается (рис. 2, c, кривые 1–3).

subjected action of a laser irradiation Как показано ранее, полоса 249 см-1 представA. Baidullaeva, Z.K. Vlasenko, B.K. Dauletmuratov, ляет собой смешанное колебание A(LO) 247 см-1 и L.F. Cuzan, P.E. Mozol’ E(LO) 254 см-1, а полоса 228 см-1 образована суперпозицией A2(TO) 235 см-1 и E (TO) 215 см-1 колебаний.

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor physics, Возрастание интенсивности смешанных колебаний в National Academy of Sciences, Ukraine, области 249 и 228 см-1, связанных с полярными A-E03028 Kiev, Ukraine фононами, вызвано изменением спектральной активности мод A(TO) 235 см-1 и E(LO) 254 см-1 при переходе

Abstract

Features of a crystalline structure of GaSe layered от - к -политипу [14].

crystals have been for various polytype modifications. The Таким образом, облучение кристаллов -GaSe импульopportunity of identification of the phase transitions occurring сами излучения многомодового рубинового лазера с at the change of the temperature, pressure and structure, was плотностью мощности ниже порога разрушения поверхconsidered by Raman scattering method. The influence of highности образцов приводит к следующему: 1) образованию temperature annealing and a pulse laser irradiation on Raman в кристаллах областей с другим политипным составом spectra was investigated. Formation of areas with another polytype (-политипа), о чем свидетельствуют уменьшение инstructure and areas with residual stresses after the pulse irradiation тенсивности полосы 20 см-1 (межслоевого колебания) was revealed.

и возрастание интенсивности смешанных колебаний и 228 см-1, сопровождающееся уменьшением интенсивности полосы 235 см-1; 2) созданию в образцах областей с остаточным напряжением, что подтверждается уменьшением интенсивности полосы 60 см-1.

Список литературы [1] K. Schubert, E. Dorre. Naturwissenschaften, 40, 604 (1953).

[2] F. Jellinek, H. Hahn. Z. Naturforsch., 166, 713 (1961).

[3] A. Kuhn, R. Chevalier, A. Rimsky. Acta Crystallorg., 81B, 2841 (1975).

[4] K. Schubert, E. Dorre, M. Kluge. Z. Naturforsch., 46, (1955).

[5] J.C. Terhell, R.M. Leith. Phys. Status Solidi A, 5, 719 (1971).

[6] A. Kuhn, A. Chevy, R. Chevalier. Phys. Status Solidi A, 31, 469 (1975).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.