WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

состояние, изображенное на рис. 4, a, после накопления Величина Ek определялась по критическому значению дырок в n-области — переходит в состояние, показанное напряжения Uk и ширине ОПЗ активного контакта lk ра рис. 4, b и т. д. В соответствии с проведенными иссле(рис. 4):

дованиями временным интервалам T1-T4 на различных Uk Ek =. (5) участках осциллограмм, приведенных на рис. 3, соответlk ствуют следующие времена процессов: 1 — время тунЗначение lk вычислялось по измеренной барьерной емнелирования электронов с глубоких центров (ГЦ), 2 — кости АК, а для расчета глубины залегания Es использовремя рекомбинации электронов, эмиттированных из ГЦ валось соотношение, полученное в работе [12].

и металла, и накопленных в n-области дырок и связанное с этим расширение области пространственного заряда Как известно, время отклика барьерной емкости на (ОПЗ), 3 — время захвата электронов на ГЦ и восста- приложенное напряжение при наличии в области проновление барьера АК, 4 — время накопления дырок странственного заряда ГЦ существенно увеличиваетв n-области структуры до начальной предпробойной ся [15]. В связи с этим процессу зарядки барьерной концентрации и соответствующее уменьшение ширины емкости в неравновесном режиме за время 3 (рис. 3) ОПЗ. соответствует емкость Cd, которая рассчитывается по Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+-n-структурах... атомы никеля вводят в запрещенную зону кремния два Примесь Ns, см-2 Es, эВ cn, смглубоких уровня с большим сечением захвата электрона, Sn,Pb 5 · 1011-1012 0.17 5 · 10-14-10-14 что подтверждает достоверность рассмотренного метода Cd 1012 0.45 10-14 определения параметров глубоких центров.

Ni 2 · 1011 0.35 2 · 10-Ni 1012 0.95 5 · 10-Список литературы [1] А.А. Кокин. Микроэлектроника, 20, 424 (1991).

[2] М.К. Бахадырханов, Х. Азимхужаев, Н.Ф. Зикриллаев, соотношению А.Б. Сабдуллаев, Э. Арзикулов. ФТП, 34, 177 (2000).

cnunnn3Ns eSa [3] М.К. Бахадырханов, У.Х. Курбанова, Н.Ф. Зикриллаев.

Cd =, (6) ФТП, 33, 25 (1999).

[4] Б.С. Муравский, Г.П. Рубцов, Л.Р. Григорьян, О.Н. Кугде cn — сечение захвата электрона на ГЦ, un — ликов. Журнал радиоэлектроники, № 10 (2000).

тепловая скорость электронов [13,14]. Величина Cd http: // jre.cplire.ru /win /oct00 /2 /text.html.

измерялась по методике, описанной в [14], и по соот- [5] Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, А.В. Абдул, Л.И. Рябова. ФТП, 31, 2 (1997).

ношению (6) рассчитывалось значение cn.

[6] Ю.К. Пожела. Плазма и токовые неустойчивости в поНа образцах, имеющих АК с примесью Sn, Pb и Cd, лупроводниках (М., Наука, 1976).

возникала одна мода колебаний при критических на[7] Б.С. Муравский, В.И. Кузнецов, Г.И. Фризен, В.Н. Черный.

пряжениях 4-4.5В (Sn и Pb) и 8-8.5В (Cd), а на ФТП, 6, 2114 (1972).

образцах, имеющих АК с примесью никеля, наблюдалось [8] Б.С. Муравский, В.Н. Черный, И.Л. Яманов, А.Н. Потапов, две моды колебаний при Uak1 = 4.5-5В и Uak2 = 7-9В.

М.А. Жужа. Микроэлектроника, 18 (4), 304 (1989).

Колебания первой моды имели сравнительно небольшую [9] B.S. Muravskiy, O.N. Kulikov. Proc. 1999 Int. Semiconductor амплитуду колебаний тока i (4-5мА), тогда как для Devise Research Symposium (University of Virginia) p. 160.

второй моды значения i достигали величины 50 мА.

[10] Л.Р. Григорьян, Б.С. Муравский, И.Л. Яманов. Тр. межд.

Это свидетельствует о том, что атомы Ni вводят форума по проблемам науки, техники и образования (М., 1997) с. 48.

в приповерхностную область Si два типа акцепторных [11] B.S. Muravskiy, L.R. Grigorian. Proc. 1997 Int. Semiconцентров. Параметры глубоких центров, рассчитанные ductor Devise Research Symposium (University of Virginia) по описанной выше методике, приведены в таблице p. 233.

(отсчет глубины залегания уровня Es — от края зоны [12] В.Т. Долуденко, Б.С. Муравский. Поверхность. Физика, проводимости).

химия, механика, 18, 28 (1985).

[13] Б.С. Муравский. ФТТ, 7, 334 (1965).

[14] Б.С. Муравский. ФТП, 11, 1010 (1977).

3. Заключение [15] А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977).

На основе проведенных исследований установлено, что особенность электрических характеристик структур Редактор Т.А. Полянская обусловлена во многом накоплением избыточных дырок в n-области структуры. Процесс накопления большой Recombination instability of a current концентрации дырок (1016-1018) в n-области связан in epitaxial p+-n-structures с особенностью геометрии и способом включения структуры (на активный контакт площадью 10-3-10-5 см2 B.S. Muravskyi, O.N. Kulikov, V.N. Chernyi подано обратное напряжение; распределенный по всей площади образца p+-n-переход разомкнут) и определя- Kuban State University, 350040 Krasnodar, Russia ется необходимостью поддержания нулевого тока через p+-n-переход.

Накопленные в n-области структуры дырки существенно уменьшают ширину области пространственного заряда активного контакта. В результате туннельная эмиссия из глубоких центров, создающих потенциальный барьер в активном контакте и запускающая процесс колебаний, происходит при низких напряжениях. Это позволяет проводить своеобразную туннельную спектроскопию параметров глубоких центров. Приведенные в таблице значения параметров достаточно хорошо коррелируют с их известными значениями [15]. Следует особо отметить, что в активных контактах на основе никеля наблюдались две моды колебаний, поскольку Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.