WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Следует заметить, что области образца, дающие наибольший вклад в сигнал полного излучения IR, — а именно: а) область эксклюзии с максимальным полем у положительного контакта, б) область эксклюзии, в которой происходит обращение биполярного дрейфа и в) область возникновения автосолитона — часто разнесены в пространстве, что зависит от используемого режима концентрации ЭДП и реализующегося распределения поля в образце. Поэтому величина сигнала излучения IR, соответствующая вкладам трех указанных процессов, будет зависеть от области образца, на которую настроен ФП. В случае, если ФП настроен на область образования АС в образце с ориентацией вдоль оси 111, то появляется ступенчатый сигнал излучения IR. Если ФП настроен на область, удаленную от контакта и от области образования АС, то сигнал излучения IR появляется скачком, когда АС приходит в выбранную точку образца. Таким образом, из-за сильной локализации электрического поля в биполярной плазме, во-первых, ИК излучение из образца резко неоднородно вдоль образца, и максимум сигнала излучения смещается со временем. Во-вторых, в отличие от однородного излучения горячей монополярной плазмы в электрическом поле в n- и p-Ge [15,16] в наших экспериментах, благо- Рис. 5. Образование и движение АС к отрицательному контакту при неизменном освещении (I) и высоком приложендаря достижению более высоких локальных напряженном напряжении (U = 200 В). Ступенчатый спад сигналов ностей электрического поля в области АС, наблюдалось излучения IR и IRglass из области расположения автосолитона ИК излучение и с меньшими длинами волн ( 2мкм).

в образце после окончания импульса напряжения и распада В случае, когда прямоугольный импульс напряжения автосолитона. Образец 1. l0-1 = 0.07 мм, l1-2 = 0.07 мм, большой амплитуды (U = 190-300 В) включается на l3-4 = 0.05 мм.

полочке насыщения импульса света — в момент его максимума I Imax (рис. 5), АС образуется с самого начала импульса напряжения в области эксклюзии у положительного контакта. Об этом свидетельствует LAC 0.3мм < l0-1 = 0.7мм) и в) небольшого пика появление в начале импульса U: а) характерного узкого излучения IRglass из АС, наблюдаемого сквозь стеклянпика тока со спадом и осцилляциями; б) пика силь- ную пластинку, частично попадающего на ФП (который ного поля E0-1 2000 В/см у положительного контакта в данном измерении сфокусирован в основном на область (при этом поле в АС наверняка значительно выше, l3-4) и свидетельствующего о высокой температуре ночем поле E0-1, так как в данном случае ширина АС сителей (Te 1000 K) в АС. При этом, с одной Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Излучение горячих носителей при образовании высокополевых автосолитонов... стороны, под действием биполярного дрейфа в образце [11] M.N. Vinoslavskiy, O.G. Sarbei. Proc. 23rd Int. Conf. ”The Physics of Semiconductors”, ed. by M. Scheffler, R. Zimmerс ориентацией поля E 111 АС начинает двигаться с mann (Berlin, Germany, July, 1996) p. 117.

отрицательному контакту [11,12] и уходит из области [12] О.Г. Сарбей, М.М. Винославский, А.В. Кравченко. УФЖ, l0-1, что приводит к уменьшению поля E0-1 (рис. 5).

44 (1–2), 190 (1999).

С другой стороны, в АС сразу выделяется большая [13] A.C. Prior. Proc. Phys. Soc., 76, 465 (1960).

мощность: W = J · E 3000 (Вт/см), которая приводит [14] А.А. Акопян, З.С. Грибников. ФТП, 9 (8), 1485 (1975).

к быстрому джоулеву разогреву кристалла в области АС [15] Л.Е. Воробьев, В.Н. Стафеев. ФТП, 1 (8), 1429 (1967).

до температур, превышающих 400 K. Это в свою оче[16] Л.Е. Воробьев, В.Н. Стафеев. ФТП, 2 (7), 1045 (1968).

редь вызывает сильную термогенерацию неравновесных Редактор В.В. Чалдышев электронов и дырок и приводит к дополнительному уменьшению электрического поля в области эксклюзии Hot carrier emission during high-field l0-1 и возрастанию тока (рис. 5). Резкое возрастание сигналов излучения IR и IRglass из АС появляется, когда АС autosolitons formation in electron–hole приходит в область l3-4, на которую настроен ФП.

plasma in n-Ge После окончания импульса напряжения большой амM.N. Vinoslavskiy, A.V. Kravchenko плитуды (U 200 В) наблюдался двухступенчатый спад сигнала излучения IR и одноступенчатый спад Institute of Physics, National Academy сигнала IRglass из области АС в освещенном образце of Sciences of Ukraine, (рис. 5). Первый резкий спад сигналов IR и IRglass связан 03028 Kiev, Ukraine с распадом АС. Длительность последующих полочек составляла порядка 5–10 мкс, и их появление может быть

Abstract

Dynamics of space distribution reconstruction of phoсвязано с сильным джоулевым разогревом области АС togenerated electron–hole plasma in n-Ge has been investigated и распространением излучающей горячей зоны на всю under carrier heating by an electric field at T = 77 K. Processes of область, воспринимаемую ФП, на которой рассеиваютthe contact exclusion, a reverse of an ambipolar drift direction of ся фотогенерированные электроны и дырки. Детальную electron–hole plasma, and occurrence of the high-field thermodiffuприроду появления ступенек на спаде сигнала IR еще sional autosolitons as well as a lattice Joule heating were identified предстоит выяснить.

by usind a many-probe system and making measurements of an infrared emission from the sample within the wavelength range Авторы выражают глубокую признательность = 1.65-10 µm.

О.Г. Сарбею за плодотворное обсуждение работы, а также приносят благодарность В.Н. Порошину и В.М. Васецкому за помощь в подготовке экспериментов.

Работа выполнена при поддержке Государственного фонда фундаментальных исследований (грант № 2.4/816), Международного научного фонда CRDF (грант № UP1-368) и Украинско-израильского научного проекта (грант № 2M/1807-97).

Список литературы [1] В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, А.Г. Миронов. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках (М., Наука, 1972).

[2] Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ФТТ, 21 (3), 2342 (1979).

[3] Б.С. Кернер, В.В. Осипов. УФН, 157 (2), 201 (1989).

[4] Б.С. Кернер, В.Ф. Синкевич. Письма ЖЭТФ, 36 (10), (1982).

[5] В.В. Гафийчук, Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ФТП, 15 (11), 2171 (1981).

[6] Б.С. Кернер, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 13, 819 (1987).

[7] И.А. Ващенко, Б.С. Кернер, В.В. Осипов, В.Ф. Синкевич.

ФТП, 23 (8), 1378 (1989).

[8] И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.С. Ковалев. ФТП, 34 (4), 433 (2000).

[9] М.Н. Винославский. ФТТ, 31 (8), 315 (1989).

[10] M.N. Vinoslavskiy, B.S. Kerner, V.V. Osipov, O.G. Sarbei.

J. Phys.: Cond. Matter, 2, 2863 (1990).

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.