WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 6 | 7 || 9 |

Лазерная генерация через состояния самоорганизован- [10] П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов. ФТП, 22, 1729 (1988).

[11] S.V. Ivanov, P.S. Kop’ev, N.N. Ledentsov. J. Cryst. Growth, ных КТ впервые наблюдалась в 1993 г. в работе [130].

104, 345 (1990).

За прошедшие годы достигнут впечатляющий прогресс [12] S.V. Ivanov, P.S. Kop’ev, N.N. Ledentsov. In: Proc. 6th Int.

как в области получения массивов квантовых точек Conf. on MBE, San Diego, USA, 1990 [J. Cryst. Growth, 111, высокой плотности, упорядоченных по форме, размеру 151 (1991)].

и относительному расположению и пригодных для ис[13] S.V. Ivanov, P.S. Kop’ev, N.N. Ledentsov. J. Cryst. Growth, пользования в качестве активной области инжекционных 108, 661 (1991).

гетеролазеров, так и в области исследования свойств [14] S.V. Ivanov, P.D. Altukhov, T.S. Argunova, A.A. Bakun, лазеров на КТ. Дальнейший прогресс в области геV.V. Chaldyshev, Yu.A. Kovalenko, P.S. Kop’ev, R.N. Kyutt, тероструктур с КТ связан с расширением их области B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, S.V. Shaposhnikov, L.M. Sorokin, применений в различных приборах микро- и оптоэлек- V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol. 8, 347 (1993).

[15] J.W. Cahn. Trans. Met. Soc., 242, 166 (1968).

троники и получением все более однородных КТ, что [16] А.Г. Хачатурян. Теория фазовых превращений и струкпозволит качественно улучшить рабочие характеристики тура твердых растворов, (М., Наука, 1974).

большинства современных приборов.

[17] G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth. 65, 454 (1983).

Оригинальные работы авторов, упомянутые в дан[18] I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., 74, ном обзоре, были поддержаны Российским фондом 7198 (1993).

фундаментальных исследований, фондом Фольксвагена [19] I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. Phil. Mag. B, 70, 557 (1994).

(Volkswagen Foundation), INTAS, фондом Сороса, Мини[20] C. Herring. Phys. Rev., 82, 87 (1951).

стерствами науки России и Германии.

[21] В.И. Марченко, А.Я. Паршин. ЖЭТФ, 79, 257 (1980).

Авторы выражают глубокую признательность этим [22] А.Ф. Андреев, Ю.А. Косевич. ЖЭТФ, 81, 1435 (1981).

организациям. Один из авторов (Н.Н. Леденцов) до- [23] А.Ф. Андреев. ЖЭТФ, 80, 2042 (1981).

полнительно выражает благодарность Фонду Алексан- [24] В.И. Марченко. ЖЭТФ, 81, 1141 (1981).

[25] V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev.

дра фон Гумбольдта (Alexander von Humboldt Stiftung).

Phys. Rev. B, 51, 17 767 (1995).

[26] M. Kasu, N. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 62, 1262 (1993).

Список литературы [27] Н.Н. Леденцов, Г.М. Гурьянов, Г.Е. Цирлин, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, А.О. Голубок, С.Я. Типисев. ФТП, 28, [1] Исторический обзор и основные современные тенденции 903 (1994).

в области полупроводниковых гетероструктур представле[28] R. Ntzel, N.N. Ledentsov, L. Dweritz, M. Hohenstein, ны в работе: Zh.I. Alferov. Proc. of Nobel Symposium 99, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 67, 3812 (1991).

Arild, Sweden, June4–8, 1996 [Physica Scripta 68, [29] M. Higashiwaki, M. Yamamoto, T. Higuchi, S. Shimomura, (1996)]; Ж.И. Алферов. ФТП, 32, 1 (1998).

A. Adachi, Y. Okamoto, N. Sano, S. Hiyamizu. Jpn. J. Appl.

[2] C.M. Sotomayor Torres, F.D. Wang, N.N. Ledentsov, Y.Phys., 35, L606 (1996).

S. Tang. Proc. SPIE — The International Society for Optical [30] M. Kasu, N. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 62, 1262 (1993).

Engineering (1994) v. 2141, p. 2 и ссылки в этой работе.

[31] R. Ntzel, N.N. Ledentsov, L. Dweritz, M. Hohenstein, [3] Обзоры работ в этой области представлены в: Optical K. Ploog. Phys. Rev. B, 45, 3507 (1992).

properties of Low Dimensional Semiconductors, ed. by [32] Ж.И. Алфёров, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Иванов, G. Abstreiter, A. Aydinli, J.-P. Leburton, NATO ASI Series.

П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, Б.Я. Мельцер, В.М. Устинов.

Series E: Applied Sciences (Kluwer Academic Publishers, ФТП, 26, 1715 (1992).

Dordrecht, The Netherlands, 1997) v. 344.

[33] V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg.

[4] А.И. Екимов, А.А. Онущенко. Письма ЖЭТФ, 34, Phys. Rev. B, 51, 10 104 (1995).

(1981).

[34] V.A. Shchukin, A.I. Borovkov. Abstracts Int. Symp.

[5] H. Haken. Synergetics (Springer, Berlin–Heidelberg, 1997).

”Nanostructures: Physics and Technology”, St. Petersburg, [6] N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, Russia, June 20–24, 1994; p. 227.

R. Heitz, J. Bhrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, [35] А.Ф. Андреев. Письма ЖЭТФ, 32, 2654 (1980).

P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, [36] В.И. Марченко. Письма ЖЭТФ, 33, 397 (1981).

P. Werner, U. Richter, U. Gsele, J. Heydenreich. Proc. 7th [37] Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Int Conf. Modulated Semicond. Struct., Madrid, July, 10–14, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, С.С. Рувимов, В.М. Устинов, 1995 [Sol. St. Electron., 40, 785 (1996)].

И. Хейденрайх. УФН, 165, 224 (1995).

[7] V.A. Shchukin. Proc. 23rd Int. Conf. Phys. Semicond., [38] P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, July 22–26, 1996, Berlin, Germany, ed. by M. Scheffler, P.S. Kop’ev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 64, 1526 (1994).

R. Zimmermann (World Scientific, Singapore) v. 2, p. 1261.

[39] P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, [8] V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg.

P.S. Kop’ev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 66, 112 (1995).

In: Optical properties of Low Dimensional Semiconductors, [40] V. Bressler-Hill, A. Lorke, S. Varma, P.M. Petroff, K. Pond, ed. by G. Abstreiter, A. Aydinli, J.-P. Leburton. NATO W.H. Weinberg. Phys. Rev. B, 50, 8479 (1994).

ASI Series. Series E: Applied Sciences (Kluwer Academic [41] N.N. Ledentsov, P.D. Wang, M. Sotomayor Torres, A.Yu. EgoPublishers, Dordrecht, The Netherlands, 1997) v. 344, p. 257.

rov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop’ev.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 408 Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг Phys. Rev. B, 50, 12 171 (1994). D. Bimberg. Surf. Sci., 352–354, 117 (1996).

[42] C. Ratsch, A. Zangwill, P. Smilauer, D.D. Vvedensky. Phys. [65] V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, V.G. Malyshkin, I.P. IpaRev. Lett., 72, 3194 (1994). tova, P.S. Kop’ev, D. Bimberg. Abstracts Int. Symp.

[43] G.M. Guryanov, G.E. Cirlin, A.O. Golubok, S.Ta. Tipissev, ”Nanostructures: Physics and Technology”, St. Petersburg, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, D. Bimberg, Russia, June 24–28, 1996; p. 439.

Zh.I. Alferov. Surf. Sci., 352–354, 646 (1996). [66] J.D. Eshelby. Proc. R. Soc. London, Ser. A, 241, 376 (1957).

[44] L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. [67] G.X. Qian, R.M. Martin, D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 38, Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985). (1988).

[45] D.E. Eaglesham, M. Cerullo. Phys. Rev. Lett., 64, 1943 (1990). [68] E. Tourni, A. Trampert, K. Ploog. Europhysics Lett., 25, [46] J.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. (1994).

Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990). [69] В.Г. Малышкин, В.А. Щукин. ФТП, 27, 1932 (1993).

[47] D. Vanderbilt, L.K. Wickham. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., [70] V.A. Shchukin. Abstracts Int. Symp. ”Nanostructures:

202, 555 (1991). Physics and Technology”, St. Petersburg, Russia, June 24–28, [48] C. Ratsch, A. Zangwill. Surf. Sci., 293, 123 (1993). 1996; p. 175.

[49] И.М. Лифшиц, В.В. Слезов. ЖЭТФ, 35, 479 (1958). [71] Ж.И. Алфёров, Н.А. Берт, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, [50] F. Glas, C. Guille, P. Hnoc, F. Houzay. Inst. Phys. Conf. Ser., П.С. Копьев, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, 87, 71 (1987). М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацуль[51] J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, ников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, 351 (1996).

O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994). [72] N.N. Ledentsov, J. Bhrer, D. Bimberg, S.V. Zaitsev, V.M. Usti[52] D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbaars, nov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, P.S. Kop’ev, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993). Zh.I. Alferov, O.A. Kosogov, U. Gsele, S.S. Ruvimov. Mater.

[53] N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirsraedter, J. Christen, Res. Soc. Symp. Proc., 421, 133 (1996).

R. Heitz, J. Bhrer, F. Heinrichsdorf, D. Bimberg, S.S. Ru- [73] N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirsvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gsele, J. Heydenreich, taedter, J. Bhrer, O. Schmidt, D. Bimberg, S.V. Zaitsev, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop’ev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, Zh.I. Alferov. Proc. 22nd Int. Conf. Phys. Semicond, O.A. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gsele, J. HeyVancouver, Canada, August 1994, ed. by D.J. Lockwood denreich. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996).

(World Scientific, Singapore) v. 3, p. 1855. [74] N.N. Ledentsov. Proc. 23rd Int. Conf. on the Physics of [54] G. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, Semiconductors, Berlin, Germany, July 21–26, 1996, ed.by N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, M. Grundmann, D. Bimberg. M. Scheffler, R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, Appl. Phys. Lett., 67, 97 (1995). 1996), v. 1. p. 19.

[55] M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bhrer, [75] N.N. Ledentsov, D. Bimberg, I.V. Kochnev, M.V. Maximov, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gsele, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, O.A. Kosogov, S.S. Ruvimov, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P. Werner, U. Gsele. Appl. Phys. Lett., 69, 1095 (1996).

P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995). [76] V.V. Lutskii. Phys. St. Sol. (a), 1, 199 (1970).

[56] D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, S.S. Ruvimov, [77] Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982);

P. Werner, U. Richter, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, M.Asada, M. Miyamoto, Y. Suematsu. IEEE J. Quant. ElecP.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov. Thin Sol. Films, 267, 32 (1995). tron., QE-22, 1915 (1986).

[57] S.S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Richter, [78] K.J. Vahala. IEEE J. Quant. Electron., QE-24, 523 (1988).

U. Gsele, J. Heydenreich, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, [79] J.-Y. Marzin, J.M. Gerard, A. Izral, D. Barrier, G. Bastard.

D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop’ev, Phys. Rev. Lett., 73, 716 (1994).

Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 51, 14 766 (1995). [80] H. Benisty, C.M. Sotomayor Torres, C. Weisbuch. Phys. Rev.

[58] M. Grundmann, N.N. Ledentsov, R. Heitz, L. Eckey, B, 44, 10 945 (1991).

J. Christen, J. Brer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, [81] M.V. Belousov, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, P.D. Wang, U. Richter, U. Gsele, J. Heydenreich, J. Heydenreich, I.N. Yassievich, N.N. Faleev, I.A. Kozin, V.M. Ustinov, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop’ev, P.S. Kop’ev, C.M. Sotomayor Torres. Phys. Rev. B, 51, 14 Zh.I. Alferov. Phys. St. Sol. (b), 188, 249 (1995). (1995).

[59] Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, [82] P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, М.В. Максимов, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. I.N. Yassievich, A. Pakhomov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop’ev, УФН, 166, 423 (1996). V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 50, 1604 (1994).

[60] V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, D. Bimberg. Phys. [83] E.L. Ivchenko, A.V. Kavokin, V.P. Kochereshko, P.S. Kop’ev, Rev. Lett., 75, 2968 (1995). N.N. Ledentsov. Superlat. Microstruct., 12, 317 (1992).

[61] V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, D. Bimberg. [84] A.A. Sirenko, T. Ruf, N.N. Ledentsov, A.Yu. Egorov, Abstracts Int. Symp. ”Nanostructures: Physics and P.S. Kop’ev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Sol. St. Commun., Technology”, St. Petersburg, Russia, June 26–30, 1995; p. 392. 97, 169 (1996).

[62] V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, [85] N.N. Ledentsov, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, S.V. Ivanov, M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Low-Dim. Structur., 12, S.L. Sorokin, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, C.M. So43 (1995). tomayor Torres. Appl. Phys. Lett., 69, 1343 (1996).

[63] V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, D. Bimberg. [86] I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, S.V. Ivanov, S.L. Sorokin, Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp., December 1995, S.A. Permogorov, A.N. Reznitsky, A.V. Kornievski, Charlottesville, Virginia, USA; v. 2. p. 581. N.N. Ledentsov, D. Bimberg, C.M. Sotomayor Torres.

[64] V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, P.S. Kop’ev, Proc. 23rd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. О б з о р Berlin, Germany, July 21–26, 1996, ed. by M. Scheffler, P.S. Kop’ev, V.M. Ustinov, S.V. Zaitsev, M.V. Maximov. In:

R. Zimmermann (World Scientific, Singapoure, 1996) v. 4. Optical properties of Low Dimensional Semiconductors, ed.

p. 3187. by G. Abstreiter, A. Aydinli,J.-P. Leburton. NATO ASI Series.

[87] E. Gross, S. Permogorov, A. Razbirin. J. Phys. Chem. Sol., 27, Series E: Applied Sciences (Kluwer Academic Publishers, 1647 (1966). Dordrecht, The Netherlands. 1997), v. 344. p. 315.

[88] И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.В. Са- [104] D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Spectrum der харов, С.В. Иванов, С.В. Сорокин, Л.Н. Тенишев, П.С. Ко- Wissenschaft, 63, 64 (1996).

пьев, Ж.И. Алфёров. Письма ЖТФ, 23, 33 (1997). [105] V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, N.N. Ledentsov, [89] А.В. Сахаров, С.В. Иванов, С.В. Сорокин, Б.В. Воловик, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul’nikov, P.S. Kop’ev, D. Bimberg, И.Л. Крестников, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов. Письма Zh.I. Alferov. In: Devices Based on Low-Dimensional ЖТФ, 23, N 8. 28 (1997). Semiconductor Structures, ed. by M. Balkanski. NATO [90] N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, P.S. Kop’ev, V.M. Ustinov, ASI Series, High Technology (Kluwer Academic Publishers, M.V. Belousov, B.Ya. Meltser, S.V. Ivanov, V.A. Shchukin, 1996), v. 14. p. 91.

Zh.I. Alferov, M. Grundmann, D. Bemberg, S.S. Ruvimov, [106] D. Bimberg, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, U. Richter, P. Werner, U. Gsele, U. Heidenreich, P.D. Wang, O. Schmidt, M.H. Mao, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, C.M. Sotomayor Torres. Microelectron. J., 26, 871 (1995). A.E. Zhukov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, [91] S.S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Richter, U. Gsele, J. Heydenreich. Jpn. J. Appl. Phys., 35, pt 1. U. Gsele, J. Heydenreich, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, (1996).

Pages:     | 1 |   ...   | 6 | 7 || 9 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.