WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

исследуемой в нашем эксперименте, с допустимой погрешностью.

Редактор Л.В. Беляков Отношение I2/I1 определяется из эксперимента. Как уже отмечалось выше, несмотря на визуальную выборку, Determination of the optical loss наличие сколов и неровностей привело к различию в coefficient in thin layers of light-emitting интенсивностях света, выходящих через противоположdiodes ные торцы исследуемого образца, и вследствие этого к двум различным значениям отношения I2/I1. В наA.A. Efremov, D.V. Tarkhin, N.I. Bochkareva, шем случае эти значения лежат в пределе 0.23-0.32.

R.I. Gorbunov, Y.T. Rebane, Y.G. Shreter Из этого следует, что коэффициент ослабления для St. Petersburg State Polytechnical University, света с длиной волны 465 нм, распространяющегося 194251 St. Petersburg, Russia вдоль слоя исследуемой светодиодной структуры, равен 90 ± 15 см-1. Полученное значение лежит в пределах Ioffe Physicotechnical Institute, значений, приведенных в работах [3–6]. Стоит добавить, Russian Academy of Sciences, что погрешность эксперимента, возникающая из-за ско- 194021 St. Petersburg, Russia лов и неровностей, может быть полностью устранена полировкой торцов. В этом случае точность представ

Abstract

The technique for determination of optical loss coeffiленного выше метода значительно увеличивается.

cient in thin layers of light-emitting structures has been developed.

The technique based on measurements of the light intensity along and across to the layer. The coefficient of optical loss 90 ± 15 cm-5. Заключение has been measured in GaN-layer of light-emitting structure.

В данной работе описана методика определения коэффициента ослабления света в светодиодной структуре на основе измерений интенсивности электролюминесценции вдоль и поперек слоя. Измеренный коэффициент ослабления света на длине волны 465нм в GaN-слое InGaN/GaN-структуры составил 90 ± 15 см-1.

Работа частично поддержана грантом Президента РФ НШ-2223.2003.2.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.