WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ED-29, 955 (1982).

Ионизация КТ в канале затвор–исток имеет место при [6] K. Lee, M. Shur, T.J. Drummond, H. Morkoc. IEEE Trans.

токе IR 0.3 мА. При больших токах уменьшение RS Electron. Dev., ED-30, 207 (1983).

в 0 раз приводит к увеличению крутизны, что также Редактор Л.В. Шаронова соответствует эксперименту.

Насыщение тока стока экспериментально наблюдается S в случае VG = -2В при VD = 5 В. Расчетное значение S VD = 2.2В при V0 =(vS/µ0)Lg = 4В, где vS = 108 см/с, в 2 раза меньше экспериментального значения. Расчетный ток насыщения при ns 1012 см-2 и vS = 108 см/с Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Гетероструктурный транзистор на квантовых точках с повышенной максимальной дрейфовой... Heterostructure quantum dot transistor with an increased maximum electron drift velocity V. Mokerov, J. Pozla, K. Poela, V. Juciene Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, 117105 Moscow, Russia Semiconductor Rhysics Institute, 01108 Vilnius, Lithuania

Abstract

A new type of the unipolar AlGaAs/GaAs/InAs/ GaAs/InAs-heterostructure transistor with an InAs quantum dot (QD) layer in a GaAs channel is produced. The high values of maximum saturation current up to 35 A/cm and transconductance up to 1300 mS/mm are observed experimentally. A model for the explaining specific properties of the current–voltage characteristics of the transistor is presented. The ionization of QDs and the tenfold increase of the electron maximum drift velocity in high electric fields in the structure containing InAs layers with QDs at the AlGaAs/GaAs interface are responsible for these specific properties.

8 Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.