WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

silicon layers in activating free charge carriers under adsorption of acceptor 4. Заключение molecules L.A. Osminkina, E.A. Konstantinova, C.S. Sharov, Адсорбция молекул NO2 наиболее эффективно приP.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko водит к появлению свободных носителей заряда в ПК при давлениях PNO 0.1 Торр. Связанное с адсорбцией Physics Department, дефектообразование при этом практически отсутствует, Moscow State M.V. Lomonosov University, и концентрация дырок определяется уровнем легирова119992 Moscow, Russia ния бором подложек, использованных при формировании ПК. Полученные данные объясняются возникнове

Abstract

The role of boron dopant in porous silicon layers for нием на поверхности nc-Si, составляющих ПК, донорноthe activation of free charge carries under acceptor nitrogen dioxide акцепторных пар P+-NO-, в результате чего дефекты b 2 adsorption has been studied by FTIR and EPR spectroscopy. The перестают быть центрами захвата дырок, обусловленных concentration of free holes induced by the adsorption is found термической ионизацией примеси бора.

to be higher for the laeyrs with higher boron doping lever. The experimental results are explained by formation of donor-acceptor Работа была поддержана грантами Министерства РФ pairs like anion-radical (NO2)- and positively charge defects — и выполнена на оборудовании ЦКП МГУ.

silicon dangling bonds, which prevents holes from being trapped Е.А. Константинова выражает благодарность за финанby silicon dangling bonds.

совую поддержку работы по гранту Президента Российской Федерации (грант № МК-2036.2003.02).

Список литературы [1] R. Herino, G. Bomchil, K. Barla, C. Bertrand, J.L. Ginoux.

J. Electrochem. Soc., 134, 1994 (1987).

[2] П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко.

ФТП, 30, 1479 (1996).

[3] L. Boarino, C. Baratto, F. Geobaldo, G. Amato, E. Comini, A.M. Rossi, G. Faglia, G. Lerondel, G. Sberveglieri. Mater.

Sci. Engin. B, 69–70, 210 (2000).

[4] V.Yu. Timoshenko, Th. Dittrich, F. Koch. Phys. Status Solidi B, 222, R1 (2000).

[5] A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997).

[6] V.Yu. Timoshenko, Th. Dittrich, V. Lysenko, M.G. Lisachenko, F. Koch. Phys. Rev. B, 64, 085 314 (2001).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.