WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

мы не ожидаем существенного вклада отражений от [3] V. Rakovics, J. Balazs, S. Puspoki, C. Frigeri. Mater. Sci. Eng., стенок в увеличение мощности. К другим факторам, B80, 18 (2001).

которые могут изменить условия вывода излучения, [4] А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Даследует отнести суперлюминесценцию, влияние которой нилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев.

должно быть особенно заметно при низких темпераФТП, 38, 1399 (2004).

турах. Действительно, как видно из рис. 11, интенсив[5] Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именность люминесценции при 77 K значительно возрастает ков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 996 (2003).

при увеличении тока на длине волны 1.78 мкм, что [6] A. Krier, S.A. Bissit, N.J. Mason, R.J. Nicholas, S. Salesse, сопровождается увеличением квантовой эффективности P.J. Walker. Semicond. Sci. Technol., 9, 87 (1994).

(рис. 9) и уменьшением ширины полосы излучения.

[7] A. Krier, D. Chub, S.E. Krier, M. Hopkinson, G. Hill. IEE Одновременно с этим излучение в близлежащих спекProc. Optoelectron., 145, 292 (1998).

тральных областях „насыщается“, что свидетельствует [8] M. Peter, R. Kiefer, F. Fuchs, N. Herres, K. Winkler, о близости к режиму усиления. Ранее аналогичные K.-H. Bachem, J. Wagner. Appl. Phys. Lett., 74, 1951 (1999).

свойства проявляли СД на основе InAsSbP/InAs с той [9] Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Л. Закгейм, Н.Д. Ильинже, что и в исследованных, конструкцией контактов и ская, А.Н. Именков, О.Н. Сараев, М.А. Сиповская, мезы [17]. В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 239 (1999).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм [10] B. Andrews. Тезисы конференции MIOMD-VI (St. Petersburg, 2004) с. 90.

[11] R.C. Johnes. Appl. Optics, 1, 607 (1962).

[12] M.A. Remennyi, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus’, G.N. Talalakin. Sens. Actuators B: Chemical, 91, 256 (2003).

[13] B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’, G.N. Talalakin. Proc. SPIE, 4650, 173 (2002).

[14] A. Mooradian, H.Y. Fan. Phys. Rev., 148 (2), 873 (1966).

[15] H. Benistry, H. De Neve, C. Weibuch. IEEE J. Quant.

Electron., 34, 1612 (1998).

[16] T. Ashley, N.T. Gordon, T.J. Phillips. J. Mod. Optics, 46, 1677 (1999).

[17] B. Matveev, N. Zotova, N. Il’inskaya, S. Karandashev, M. Remennyi, N. Stus’. Phys. Status Solidi C, 2 (2), 927 (2005).

Редактор Л.В. Шаронова Flip-chip InGaAsSb/GaSb LEDs emitting at 1.94 µm N.V. Zotova, N.D. Il’inskaya, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’ and A.A. Shlenskii Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

We present spectral, current-voltage and light-current characteristics of InGaAsSb light emitting diodes (LEDs) (1.94 µm, 300 K) in the 77–543 K temperature range grown onto n-GaSb substrate by the liquid phase epitaxy and processed as flipchip devieces. Spectral shape, peak position and output power are discussed with respect to LED construction, substrate absorption and the Joule heating effects.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.