WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

достигали j = 29-30.7 мА/см2 в пересчете на активную поверхность, облученную неконцентрированным солнеч4. Заключение ным излучением со спектром AM0, в диапазоне длин волн = 900-1820 нм. Эти величины практически равПоказано, что термофотоэлементы на основе гетероны лучшим значениям фототока, опубликованным для структуры InGaAs/InP, сформированные на проводящих ТФЭП на узкозонных соединениях AIIIBV с шириной заподложках n-типа проводимости с тыльным зеркалом прещенной зоны 0.7-0.75 эВ. [8]. Тыльный полосковый MgF2/Au, имеют коэффициент отражения до 80% для контакт Cr/Au занимал 5% площади элемента. Величина длин волн >1860 нм. Коэффициент отражения ТФЭП коэффициента отражения для ТФЭП с тыльным зеркаслабо зависит от толщины и концентрации носителей в лом составила R = 80% на длине волны = 1980 нм подложках фосфида индия. Это позволяет использовать (рис. 5, кривая 2).

подложки с относительно высокой концентрацией носиВыбор полярности (p-n или n-p) термофотоэлетелей, n =(0.1-3) · 1018 см-3, обеспечивающей возможмента, в частности MIM-структур, определяется осоность уменьшения площади контактов без увеличения бенностями конструкции прибора и балансом между их омического сопротивления.

оптическими и электрофизическими свойствами p- и Термофотоэлементы, выращенные на проводящих подn-областей твердого раствора InGaAs. Необходимость ложках n-InP, могут быть как p-n, n-p-полярности.

присутствия сильно легированного проводящего проВыбор полярности определяется только конструкцией зрачного слоя между полуизолирующей подложкой фостермофотоэлектрического генератора, в котором эти фида индия и самим термофотоэлементом обусловила элементы используются. Дальнейшее уменьшение повыбор p-n-полярности MIM-структуры [3].

терь на отражение для термофотоэлементов InGaAs/InP Наши более ранние исследования узкозонных солнечпредполагает уменьшение толщины и уровня легироных элементов показали, что для преобразования извания слоев InGaAs p-типа проводимости, а также лучения в спектральном диапазоне 1–1.6 мкм возможно уменьшение площади омических контактов.

успешное использование n-p-полярности фотоэлемента [9,10]. В этом случае проводящая n-подложка фосфида В завершение авторы выражают благодарность индия служит широкозонным окном, а область базы фор- В.М. Андрееву за проявленный интерес и обсуждение мируется либо методом жидкофазной эпитаксии, либо результатов этой работы, М.З. Шварцу за полезные диффузией, как и в настоящей работе. Лучшие значения замечания. Авторы признательны Н.В. Ковальчук и фототока для такого фотоэлемента (30.6 мА/см2, AM0) О.В. Ковальчук за нанесение просветляющих покрытий были получены при использовании слабо легированной и зеркал.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, грант № 03-02-17603, и Европейской Комиссии, проект „FULLSPECTRUM“ № SES6-ST-2003-502620.

Список литературы [1] A. Gombert. 5 th Conf. Thermophotovolt. Generation of Electricity [AIP Conf. Proc., 653, 123 (2003)].

[2] K.W. Stone, N.S. Fatemi, L. Garverick. Proc. 25 th IEEE PVSC (Washington DC, 1996) p. 1421.

[3] D.M. Wilt, R. Wehrer, M. Palmisiano, M. Wanlass, Ch. Murray, Semicond. Sci. Technol., 18, S209 (2003).

[4] L.B. Karlina, B.Ya. Ber, P.A. Blagnov, M.M. Kulagina, A.S. Vlasov. 5 th Conf. Thermophotovolt. Generation of Electricity [AIP Conf. Proc., 653, 373 (2003)].

[5] K. Kurishima T. Kobayashi, H. Ito. J. Appl. Phys., 79, (1996).

[6] G.W. Charache, D.M. DePoy, P.E. Baldasaro, B.C. Campbell.

2 th Conf. Thermophotovolt. Generation of Electricity [AIP Conf. Proc., 358, 339 (1996)].

[7] M. Bugajski, W. Levandowski. J. Appl. Phys., 57, 521 (1985).

[8] V.M. Andreev. 5 th Conf. Thermophotovolt. Generation of Electricity [AIP Conf. Proc., 653, 289 (2003)].

[9] В.М. Андреев, И.А. Жебулев, Л.Б. Карлина, И.А. Мокина, В.Д. Румянцев. Письма ЖТФ, 19 (7), 13 (1993) [V.M. Andreev, I.A. Zhebulev, L.B. Karlina, I.A. Mokina, V.D. Rumyantsev. Tech. Phys. Lett., 19 (4), 194 (1993)].

[10] L.B. Karlina, A.V. Kazantsev, M.Z. Shvarts. Proc. First WCPEC (Hawaii, 1994). p. 1918.

Редактор Л.В. Шаронова In0.53Ga0.47As/InP thermophotovoltaic cells L.B. Karlina, A.S. Vlasov, M.M. Kulagina, N.H. Timoshina Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

The results of ifrared reflection investigation of InP substrates with a backside MgF2/Au mirror in the range of 1000–2200 nm are presented. Substrates with doping level in the range of (0.1-6) · 1018 cm-3 show a very weak dependence of reflection coefficient both on their thickness and doping. Thermophotovoltaic converters based on lattice matched InP–In0.53Ga0.47As heterostructures of p-n and n-p polarity have been obtained by means of liquid phase epitaxy and diffusion of zinc and phosphorous from gas phase. It is shown, that p-n and n-p thermophotovoltaic 1 1cm2 square cells with identical contacts reveal similar behavior: open circuit voltage Uoc = 0.465 V and fill-factor FF = 64% at 1 A/cm2 current density and reflection coefficient R = 76-80% for wavelengths longer than 1.86 µm.

7 Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.