WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

induced kinetics of a-Si : H преимущественно D- в области I, D0 для собственноphotoconductivity го материала (c - F = 0.70 эВ), преимущественно O.A. Golikova D+ в области II. Вследствие этого в области I даже сравнительно небольшое увеличение ND при засветке A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, приводит к значительному увеличению эффективного Russian Academy of Sciences сечения захвата электронов, а для собстенного a-Si : H 194021 St. Petersburg, Russia и в области II этого не происходит. Поскольку пленки собстенного a-Si : H и пленки из области II отличаются

Abstract

The investigations of photoconductivity and deболее высокой стабильностью ph. Было установлено fect density in undoped a-Si : H films under light–soaking также, что на индуцированную светом кинетику фото(W = 114 µW/cm-2; < 0.9 µm, 5h.) have been carried out.

проводимости a-Si : H влияет не только зарядовое соIt was showh that ph t-, ND t and > or стояние дефектов до засветки, но и его изменение в depending on Fermi level position before the light–soaking i. e.

процессе засветки и в результате сдвигов уровня Ферми, depending on defect charge states: D- and D0 or D+ and D0. It происходящих так, что в конечном счете он находится в was also showh that the defect transitions to the D0 charge state точке c - F = 0.70 эВ. При учете этого обстоятельства due to the Fermi level shifts under light soaking affect light induced было показано, что фотопроводимость и плотность деkinetics of ph.

фектов при засветке связаны следующим соотношением:

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.