WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

The photoluminescence of Ge(Si)/Si (001) selfтипа TO-фонона, участвующего в оптической рекомassembled islands on strained Si1-xGex layers (x 20%) has been бинации, с TOGe-Ge-фонона на более коротковолновый investigated. The photoluminescence signal from dome-islands has TOSi-Ge-фонон. Обнаружено, что зависимость интенсивbeen observed to shift towards the lower energies relative to the ности сигнала ФЛ от островков при комнатной темпераphotoluminescence signal from pyramid-islands, which is coused туре от доли Ge в слое Si1-xGex имеет немонотонный by a considerable increase of the island height after transformation характер и достигает максимума при x = 10%. Предпо- of the island from the pyramidal to dome shape. We attribute the two maximums observed in the photoluminescence spectra лагается, что увеличение сигнала ФЛ от островков при from the islands grown on the Si1-x Gex layer with x 10% to повышении x до 10% связано с ростом относительной the nonphonon and TO-phonon assisted optical transitions in the площади поверхности, занятой островками. Уменьшение islands. The apperance of two maxima in the photoluminescence сигнала ФЛ от островков при дальнейшем увеличении x spectra from the islands is coaused by the change in the выше 10% связывается с уменьшением содержания Ge в TO-phonon type in radiative recombination, from TOGe–Ge phonon островках, которое приводит к ослаблению локализации to TOSi–Ge phonon with higher energy.

носителей заряда в островке и на его гетерогранице.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант № 05-02-17336), программы BRHE (проект Y1 P-01-05) и программ Российской академии наук.

Список литературы [1] O.G. Schmidt, U. Denker, K. Eberl, O. Kienzle, F. Ernst. Appl.

Phys. Lett., 77, 2509 (2000).

[2] S. Tong, J.L. Liu, J. Wan, Kang L. Wang. Appl. Phys. Lett., 80, 1189 (2002).

[3] R. Apetz, L. Vescan, H. Hartmann, C. Dieker, H. Lth. Appl.

Phys. Lett., 66, 445 (1995).

[4] M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 82, 3236 (2000).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.