WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||
Главными параметрами модели являются, сле сгона окисного слоя при температуре 630C и таким образом, равновесная толщина CC heq, равновес- роста буферного слоя GaAs выращивалась активная ная температура Te и диффузионная температура TD. область, состоящая из слоя InAs КТ с эффективной Знание heq и Te требует точного определения энергети- толщиной 2 МС. Активная область ограничивалась ческих параметров системы с учетом перенормировок, Al0.3Ga0.7As / GaAs короткопериодными сверхрешетками вызванных рассогласованием решеток, а также значения (25 / 25, 10 пар) с целью предотвращения транспорта контактного угла. Знание TD требует детального иссле- неравновесных носителей при проведении оптических дования процесса диффузии атомов из СС в островок, исследований в приповерхностную область и в область индуцированной упругими напряжениями. Основным ка- подложки. Сверху структура покрывалась слоем GaAs чественным выводом, следующим из выражений (3), толщиной 50 непосредственно после выключения по(7), (9), является возрастание размера островков при тока In при той же температуре подложки. Далее уменьшении скорости роста и увеличении температуры, температура подложки повышалась и остальная часть сопровождающееся соответственным уменьшением их структуры выращивалась при 600C. Для исследования плотности. Данный вывод подтверждается эксперимен- зависимости в системе InAs / GaAs были выращены тальными данными, полученными для двух систем — серии образцов при температурах роста активной облаInAs / GaAs(100) [7] и Ge / Si(100) [14]. сти T = 440C и T = 485C. Скорость роста InAs варьировалась от 0.01 Мс / с до 0.1 Мс / с для обеих серий.

Вычисления проводились для следующих значений Остаточное давление паров As4 в ростовой камере для параметров модели: h0 = 0.303 нм, l0 = 0.429 нм, всех экспериментов было на уровне 1.8 · 10-6 Па.

= 1.82 const, Q0 = 600 при T0 = 440C и V0 = 0.1МС/ с, TD = 4700 K, H0 = 2МС, tex p = 0, Процесс осаждения InAs КТ контролировался с помозначения heq и Te варьировались с учетом heq 1МС щью системы регистрации и анализа картин ДБЭО. Наи hc 1.7-1.8 МС. Скорость роста изменялась в диа- блюдение за динамикой изменения картин ДБЭО показало, что характерный для механизма роста Странского– пазоне 0.01-0.1 МС / с для двух значений температуры Крастанова резкий переход от линейчатой картины диT = 440C и T = 485C. Численные характеристики фракции, соответствующей планарному росту, к точечпроцесса формирования ансамблей островков и их ной, при которой происходит трехмерный рост, наблюструктурных свойств для данных значений параметров, дался после напыления слоя InAs толщиной 1.7-1.8МС моделирующих гетероэпитаксильную систему для всего исследуемого диапазона температур и скороInAs / GaAs(100), представлены в таблице. Численные стей роста.

результаты показывают сильную зависимость среднего размера и поверхностной плотности островков от ско- Фотолюминесценция возбуждалась Ar+-лазером рости роста и температуры подложки. Иерархия времен ( = 514.5 нм, плотность возбуждения 100 Вт / см2).

стадий нуклеации, релаксации островков по размерам и Излучение детектировалось охлаждаемым Ge фотодиформирования СС критической толщины имеет место одом. Из результатов измерений спектров ФЛ следует, для всего исследованного диапазона температур и что при уменьшении скорости осаждения InAs с 0.скоростей роста. Во всех случаях островки не успевают до 0.01 МС / с пик ФЛ, соответствующий рекомбинации достичь своего максимального размера LR при нулевой через квантовые точки, монотонно смещается в длинэкспозиции, так что наблюдаемый размер L(t0) < LR. новолновую область от 1126 до 1196 нм при T = 485C Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 346 В.Г. Дубровский, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко...

падении электронного пучка перпендикулярно ростовой поверхности (рис. 3, a и 4, a).

Результаты ПЭМ исследований показали сильную зависимость морфологии массивов КТ как от температуры подложки, так и от скорости осаждения InAs. Плотность массива КТ в однослойной структуре увеличивается от 3.5 · 1010 до 1.2 · 1011 см-2 при увеличении скорости осаждения от 0.01 до 0.1 МС / с при температуре подложки 440C и от 7 · 109 до 3 · 1010 см-2 при 485C (рис. 5).

При этом средний латеральный размер КТ уменьшается от 12 до 10 нм при температуре подложки 440Cи от до 13 нм при 485C (рис. 6). На рис. 3, a и b приведены ПЭМ изображения 2 МС массива КТ, выращенного при Рис. 2. Зависимости положения максимума пика ФЛ от InAs КТ от скорости осаждения InAs при двух различных температурах поверхности Tsub, C: 1 — 440, 2 — 485.

и от 1104 до 1155 нм при T = 440C. Результаты ФЛ измерений в зависимости от скорости роста при двух температурах поверхности приведены на рис. 2.

Длинноволновый сдвиг пика фотолюминесценции связан с увеличением латеральных размеров InAs КТ, происходящим при увеличении времени осаждения арсенида индия на пониженных скоростях роста. Подобный эффект сдвига пика ФЛ в красную область ярко выражен при использовании метода субмонослойной миграционностимулированной эпитаксии [15], где используется выдержка в течение некоторого времени в потоке мышьяка при прерывании потока атомов металла с целью увеличения поверхностной миграции адатомов и, следовательно, увеличения латеральных размеров наноостровков.

Таким образом, длинноволновый сдвиг длины волны излучения находится в качественном соответствии с тенденциями, вытекающими из теоретической модели.

Для количественного исследования зависимости структурных свойств ансамблей InAs КТ от температуры поверхности и скорости роста нами были проведены исследования выращенных образцов методом ПЭМ.

Изучение морфологии массивов КТ проводилось на просвечивающем электронном микроскопе Philips EM420, работающем при ускоряющем напряжении 100 кВ. Плотность массива и латеральные КТ определялись из анализа электронно-микроскопических изображений, полученных в планарной геометрии. Образцы для исследований были подготовлены механической шлифовкой и полировкой на установке Dimple Grindere Gatan с последующим химическим травлением в растворе H2SO4 : H2O2 : H2O (5: 1: 1). Плотность массива КТ была определена из анализа ПЭМ изображений, полученных в двухлучевых условиях в режиме светлого поля (BF), при Рис. 3. ПЭМ изображение двухмонослойных InAs КТ при действующем дифракционном векторе g = 220 (рис. 3, b T = 485C, V = 0.03 МС / с, полученное в многолучевых услои4, b). Латеральные размеры оценивались по ПЭМ изоб- виях при падении пучка вдоль направления [001] (a) и в ражениям, полученным в многолучевых условиях, при режиме светлого поля BF(g = 220) (b).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Зависимость структурных и оптических свойств ансамблей квантовых точек в системе InAs / GaAs... скорости роста InAs 0.03 МС / с и температуре 485C, полученные в многолучевых условиях и режиме BF(220) соответственно. На рис. 4, a и b представлены аналогичные изображения для структуры, выращенной при температуре подложки 440C и скорости роста InAs 0.05 МС / с. Отметим достаточно хорошее совпадение экспериментальных результатов с теоретическими расчетами из первой части работы (рис. 5 и 6).

Таким образом, нами проведены теоретические и экспериментальные исследования зависимостей структурных и оптических свойств ансамблей КТ в системе InAs / GaAs от скорости роста InAs и температуры поверхности. Развита кинетическая модель формироваРис. 5. Теоретическая и экспериментальная зависимость плотности InAs КТ от скорости роста InAs при двух различных температурах поверхности Tsub, C: 1, 3 — 440, 2, 4 — 485;

3, 4 — теория.

Рис. 6. Теоретическая и экспериментальная зависимость среднего размера InAs КТ от скорости роста InAs при двух различных температурах поверхности Tsub, C: 1, 3 — 440, 2, 4 — 485; 3, 4 — теория.

ния когерентных островков по механизму Странского– Крастанова, позволяющая рассчитать зависимости среднего размера и поверхностной плотности островков от времени при различных температурах и скоростях роста. Исследованы оптические и структурные свойства двухмонослойных КТ InAs / GaAs, выращенных при различных скоростях роста и температурах поверхности и проведено сравнение предсказаний теоретической модели с экспериментальными результатами. Результаты исследования показывают, что с увеличением скорости роста InAs от 0.01 до 0.1 МС / с средний размер КТ Рис. 4. ПЭМ изображение двухмонослойных InAs КТ при уменьшается от 21 до 13 нм при температуре 485C T = 440C, V = 0.05 МС / с, полученное в многолучевых услои от 12 до 10 нм при температуре 440C. При виях при падении пучка вдоль направления [001] (a) и в режиме светлого поля BF(g = 220) (b). этом поверхностная плотность возрастает от 7 · Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 348 В.Г. Дубровский, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко...

до 3 · 1010 см-2 и от 3.5 · 1010 до 1.2 · 1011 со- Temperature and growth rate behavior ответственно. Максимально плотный ансамбль КТ с of structural and optical properties минимальным размером формируется при повышенных of quantum dot arrays in InAs / GaAs скоростях роста и пониженных температурах поверхsystem ности. Полученные теоретические и эксперименталь ные результаты открывают возможность управления V.G. Dubrovskii, Yu.G. Musikhin, G.E. Cirlin, свойствами ансамблей КТ на кинетическом этапе их V.A. Egorov, N.K. Polyakov, Yu.B. Samsonenko, формирования. A.A. Tonkikh, N.V. Kryzhanovskaya, N.A. Bert, V.M. Ustinov Данная работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Министерства про- Institute for Analytical Instrumentation, мышленности, науки и технологии РФ. Russian Academy of Sciences, 190083 St. Petersburg, Russia Г.Э. Цырлин выражает признательность Alexander von Ioffe Physicotechnical Institute, Humboldt Stiftung.

Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia Список литературы

Abstract

Results on theoretical and experimental studies of the [1] D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot substrate temperature and the InAs growth rate dependence of heterostructures (Wiley&Sons, Chichester, 1999).

structural and optical properties of InAs / GaAs quantum dot arrays [2] Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998).

are reported. A kinetic model of stress-driven coherent island [3] P.M. Petroff, G. Medeiros-Riberio. MRS Bull., 21, 50 (1996).

formation is developed that makes it possible to describe the [4] V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, D. Bimberg. Phys.

time evolution of mean lateral size surface density of island under Rev. Lett., 75, 2968 (1995).

different growth conditions. Optical and structural properties of [5] I. Daruka, A.-L. Barabasi. Phys. Rev. Lett., 79, 3708 (1997).

InAs / GaAs quantum dots at 2 monolayers of deposited material [6] A.V. Osipov, F. Schmitt, S.A. Kukushkin, P. Hess. Appl. Surf.

Sci., 188, 156 (2002). grown with different growth rates and at different substrate [7] В.Г. Дубровский, В.А. Егоров, Г.Э. Цырлин, Н.К. Поляков, temperatures are studied. Predictions of theoretical model are Ю.Б. Самсоненко, Н.В. Крыжановская, А.Ф. Цацульников, compared with the experimental results. It is shown that the В.М. Устинов. ФТП, 37, 883 (2003).

mean lateral size of quantum dots considerably increases and the [8] V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, surface density decreases with rising the substrate temperature and 075409 (2003).

decreasing the growth rate, respectively.

[9] F.M. Kuni. Preprint No 84-178.E (Kiev, Institute of Theoretical Physics, 1984).

[10] P. Mller, R. Kern. Appl. Surf. Sci., 102, 6 (1996).

[11] C. Ratsch, A. Zangwill. Surf. Sci., 293, 123 (1993).

[12] С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел: механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход) (СПб., Наука, 1996).

[13] A.V. Osipov, S.A. Kukushkin, F. Schmitt, P. Hess. Phys. Rev.

B, 64, 205 421 (2001).

[14] A.A. Tonkikh, V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.A. Egorov, V.M. Ustinov, P. Werner. Phys. St. Sol. B, 236, R1 (2003).

[15] Г.Э. Цырлин, А.О. Голубок, С.Я. Типисев, Н.Н. Леденцов, Г.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1697 (1995).

Редактор Л.В. Беляков Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.