WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

цессы перераспределения фотовозбужденных носителей 1. Photoluminescence из барьерных слоев GaAs в КЯ в данной структуре происходят в целом достаточно эффективно и зависят от Yu.V. Khabarov параметров неоднородности образца. Достижение таким Institute of Radio Engineering and Electronics, путем минимального уровня ФЛ слоев GaAs может быть Russian Academy of Sciences, полезно при исследовании особенностей ФЛ различных 101999 Moscow, Russia полупроводниковых структур в спектральной области краевого излучения GaAs, когда излучение буферного

Abstract

A new spectrum-correlative research method for semiслоя является фоновым и затрудняет измерения ФЛ conductor structures based on using planar non-uniform layers исследуемой структуры, как, например, при исследоваhas been offered and experimentally demonstrated. A sample нии ФЛ -легированных слоев [3].

Изложенное дает основания считать, что исследова- grown by molecular beam epitaxy containing AlGaAs-GaAs ние планарно-неоднородных структур при помощи пред- and InGaAs-GaAs quantum wells and modulation doped ставленного здесь подхода может быть весьма информа- AlGaAs-GaAs heterojunction has been investigated by methods тивно также при изучении процессов перераспределения of photoluminescence spectroscopy at 77 K. The dependencies носителей в условиях внутреннего электрического поля of photoluminescence spectra on non-uniformity parameters have кристалла и, в частности, процессов заполнения КЯ permitted to characterize the carrier redistribution processes in the носителями.

structure and to reveal a number of photoluminescence spectra features of narrow GaAs quantum wells. Experimental values of the optical transition energy are in good agreement with theoretical 5. Заключение evaluations in all the range of parameter variation determined by the non-uniformity and can be taken as a basis for estimating Проведенное в настоящей работе исследование фоsemiconductor structure parameters. The investigation has shown толюминесценции на одном неоднородном образце на a high informative ability of the approach due to possibility of основе спектрально-корреляционного метода показало precise variation of technologically formed structural parameters возможность многопараметрической характеристики поwithin the sample.

лупроводниковой структуры образца, продемонтрироФизика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.