WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

наблюдаться отклонения от декаэдрической формы. ются в дальнейшем пентагональные кристаллы с шестью В этих условиях преимущественный рост получают осями симметрии пятого порядка в виде бакиболов участки, растущие вдоль двойниковых границ и осей (рис. 1, c), звездчатых многогранников (рис. 1, d), а при пятого порядка. Таким путем из микрокристалла в виде более высоких перенапряжениях — кристаллов в виде декаэдра, имеющего размер порядка 1 µm, вырастает „ежей“ (рис. 1, h). На поперечном шлифе бакибола и пятилепестковое образование размером 10-15 µm звездчатого многогранника (рис. 1, c, d) наблюдается де(рис. 4, l). Каждый лепесток содержит двойниковую сять двойниковых границ, сходящихся в одном узле. При границу, но все они соорганизованы вокруг одного травлении шлифа в центре таких кристаллов появляется общего центра кристаллизации в виде пентагональной пентагональная ямка, свидетельствующая о возможном призмы (рис. 1, g). При еще более высоких перенапря- присутствии там дисклинации [5].

жениях ( 10-2 V) возможно образование дендритов, Согласно работе [9], в растущих икосаэдрических чаимеющих также пятерную симметрию (рис. 1, i).

стицах в виде бакиболов и многогранников (рис. 1, c, d) Иногда в экспериментах можно наблюдать отдельные для сохранения сплошности материала и устранения нитевидные пентагональные кристаллы в виде пяти- дефицита угла необходимо введение шести частичных гранных усов или призм, вытянутых вдоль направления дисклинаций или так называемой дисклинации Маркса– 110. Как правило, они огранены сверху пятью октаэд- Иоффе мощностью k = 0.12 [14]. Шесть осей симметрическими плоскостями, сходящимися на оси симметрии рии пятого порядка, соответственно двенадцать выходов (рис. 1, e). Длина кристаллов при поперечном размере дисклинаций на поверхность пентагонального кристал1-10 µm достигает десятков µm, а их рост происхо- ла (рис. 1, c, d), являются активными участками роста.

дит дискретным последовательным присоединением к Поскольку кристалл находится на подложке, то на кристаллу пентагональных слоев („террас“), растущих практике, особенно при повышенных перенапряжениях, параллельно подложке, особенно хорошо наблюдаемых реализуются не все направления роста, и мы наблюдаем при исследовании призм (рис. 1, e). Координированность „ежи“, состоящие из 7–10 радиальных фрагментов, сонарастания „террас“ и сохранение направления роста организованных вокруг одного центра роста (рис. 1, h).

говорят о внутренней согласованности в отложении Каждый фрагмент содержит двойниковую границу и выслоев, их структурной связи, о наличии генетической тянут вдоль направления двойникования 112, которое причины такого роста. Вероятно, такой причиной также в ГЦК-металлах является и направлением преимущеявляется частичная дисклинация мощностью = 720 ственного роста.

и пять обрывающихся на ней двойниковых границ.

Если дисклинационное происхождение всех восьми Кроме усов и призм нами были обнаружены медные видов пентагональных кристаллов не вызывает сомнепентагональные трубки (l/d 20-100), сформировав- ния, а модели их роста из двумерных зародышей и декашиеся при электроосаждении меди (рис. 1, f), и их эдрических кластеров имеют право на существование, то разновидности — пентагональные „гайки“ (l/d 1), механизм роста при электрокристаллизации кристаллов, содержащие внутри полость. Появление полости внут- имеющих шесть осей симметрии пятого порядка, до сих ри нитевидного кристалла было предсказано ранее на пор не ясен.

основе дисклинационных представлений о их строении Дальнейшее исследование кристаллов, имеющих пенв работе [13].

тагональные оси симметрии, позволит решить ряд воСледовательно, предложенную схему (рис. 4) можно просов теории прочности и пластичности, например использовать для объяснения факта формирования в изучить влияние одиночных дисклинаций на свойства процессе электрокристаллизации меди пентагональных твердых тел, проверить теоретические модели релаксакристаллов типов 2, 4, 5, 6 и 8 (рис. 1, b, e, f, g, i), ции упругой энергии, связанной с дисклинациями, выимеющих одну ось симметрии пятого порядка. явить механизмы образования и роста таких кристаллов, Еще более энергетически оправданным является обра- разработать технологии их выращивания и получить покрытия из них.

зование при электрокристаллизации на индифферентной подложке трехмерных зародышей в виде икосаэдриче- Кристаллы с пятерной симметрией обладают специских кластеров [2,9]. Вероятно, именно из них формиру- фическими свойствами. В них нарушен дальний порядок.

Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 344 А.А. Викарчук, А.П. Воленко Они содержат дисклинации и двойниковые границы раздела. В них запрещено трансляционное скольжение дислокаций, четко выражена текстура и соответственно анизотропия свойств. Можно предположить, что покрытия, пленки и фольги из таких кристаллов в силу специфических особенностей их строения будут также обладать необычными свойствами. Поэтому изучение экзотических пентагональных кристаллов и квазикристаллических структур сейчас весьма актуально и представляет не только чисто научный, но и практический интерес, поскольку открывает новые возможности для создания материалов с уникальными свойствами.

В частности, пентагональные кристаллы в виде трубок, „ежей“, дендритов (рис. 1, f, h, i), имеющие развитую свободную поверхность, можно использовать для изготовления фильтров очистки крови, сосудов для хранения сжиженного газа, катализаторов и т. п.

Список литературы [1] H. Hofmeister. Crystal Research Technology 33, 1, 3 (1998).

[2] V.G. Gryaznov, I. Heidenreich, A.M. Kaprelov, S.A. Nepijko, A.E. Romanov, I. Urban. Crystal Research Technology 34, 9, 1091 (1991).

[3] J. Segall. J. Metals 9, 50 (1957).

[4] А.А. Викарчук, А.Ю. Крылов. Тр. XXXVI Междунар. конф.

„Актуальные проблемы прочности“. Витебск (2000). Т. 2.

С. 458.

[5] А.А. Викарчук, А.П. Воленко, И.С. Ясников. Техника машиностроения 3, 29 (2003).

[6] Н.А. Пангаров. Рост кристаллов 10, 71 (1974).

[7] M. Froment, C. Mourin. J. Microscope 7, 39 (1968).

[8] S. Ino, S. Ogawa. J. Phys. Soc. Jap. 22, 1365 (1967).

[9] В.Г. Грязнов, А.М. Капрелов, А.Е. Романов. Дисклинации и ротационная деформация твердых тел. Изд-во ФТИ, Л.

(1986). С. 47.

[10] В.А. Лихачев, А.Е. Волков, В.Е. Шудегов. Континуальная теория дефектов. Изд-во ЛГУ, Л. (1986). 232 с.

[11] А.А. Викарчук. Техника машиностроения 1, 42 (2002).

[12] R. de Wit. J. Phys. C.: Solid State Phys. 5, 529 (1972).

[13] A.E. Romanov, L.A. Polonsky, V.G. Gryaznov, S.A. Nepijko, T. Junghaus, N.I. Vitrykhovski. J. Cryst. Growth 129, 3, (1993).

[14] V.G. Gryaznov, A.M. Kaprelov, A.E. Romanov, L.A. Polonskii.

Phys. Stat. Sol. (b) 167, 2, 441 (1991).

Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.