WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Данные по характеристическим особенностям БТСРПДанные БТРСП и УМРЭС, использованные для опреспектров и УМРЭС для кремния и его оксидов, предделения фазового состава поверхностных слоев и энерставленные в табл. 1, показывают, что существует набор гетической структуры пористого кремния, показывают, энергетических уровней для электронных переходов что por-Si включает в себя нанокристаллические обмежду этими фазами, удовлетворяющий области видиразования кремния, покрытые аморфным кремнием и мой фотолюминесценции пористого кремния.

окислами.

3.2. Н а н о с т р у к т у р ы н а о с н о в е к р е м н и я.

Модель фотолюминесценции пористого кремния на БТСРП спектры в области Si L2,3-краев поглощения базе полученных данных позволяет объяснить появление для многослойных наноструктур, выращенных на мо- видимого свечения por-Si вследствие электронных перенокристаллических пластинах c-Si 100, представлены ходов между уровнями оксидных фаз и кристаллической на рис. 4. С помощью СИ исследовались многослой- фазы. Набор энергетических уровней, определенный ные наноструктуры двух серий. Первая серия образ- по спектрам БТСРП и УМРЭС соответствующих фаз, цов содержала эпитаксиальные слои кремния, легиро- допускает существование оптических переходов в облаванные эрбием, полученные методом сублимационной сти 1.8-2.4 eV, характеризующих фотолюминесценцию молекулярно-лучевой эпитаксии [5]. Второй тип нано- в пористом кремнии.

структур включал слои с квантовыми точками герма- Тонкая структура спектров БТСРП в области ния, полученные методом сублимационной эпитаксии L2,3-спектров кремния в наноструктурах, содержащих в среде GeH4. Все исследуемые структуры с квантовыми слои с Ge-квантовыми точками и легированных эрбием, точками были закрыты тонкой кремниевой пленкой получена впервые. Получение такой тонкой структуры толщиной 50 nm. в области 102-103 eV (E = Ec + 1-2eV) обусловлено 10 Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 340 Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, Э.Ю. Мануковский, С.Ю. Турищев, С.Л. Молодцов...

наличием напряжений в поверхностных нанослоях кремния, вызванных Ge-квантовыми точками или кластерами с внедренными атомами эрбия. Соответствующие энергетические уровни в зоне проводимости могут вносить вклад в фотолюминесценцию кремниевых наноструктур.

Авторы работы выражают благодарность администрации Берлинского синхротронного общества за предоставленную возможность проведения исследований на канале российско-германской лаборатории синхротрона BESSY II.

Список литературы [1] Т.М. Зимкина, В.А. Фомичев. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Изд-во ЛГУ, Л. (1971).

[2] А.С. Виноградов, Е.О. Филатова, Т.М. Зимкина. Письма в ЖЭТФ 15, 1, 84 (1989).

[3] R.V. Yung, S. Shin, D.L. Kwong, J. Electrochem. Soc. 140, 10, 3046 (1993).

[4] S.M. Prokes, W.E. Carlos, Lenward Seals, James L. Gole. Phys.

Rev. B 62, 3, 1878 (2000).

[5] П.С. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ПТЭ 4, 141 (2000).

[6] Е.О. Филатова. Докт. дисс. Санкт-Петербургский госуниверситет (2000).

[7] James L. Gole, Julie A. De Vincentis, Lenward Seals, Peter T. Lillehei, S.M. Prokes, David A. Dixon. Phys. Rev.

B 61, 8, 5615 (2000).

[8] V.M. Kashkarov, E.Yu. Manukovskii, A.V. Schukarev, E.P. Domashevskaya, V.A. Terekhov. J. of Electron. Spectr.

Rel. Phen. 114-116, 895 (2001).

[9] А.И. Машин, А.Ф. Хохлов, Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, Н.И. Машин. ФТП 35, 8, 995 (2001).

[10] Canham L.T. Appl. Phys. Lett. 57, 10, 1046 (1990).

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.