WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||
пренебрежимо мало) полнения которых электронами растет с уменьшением при F = 105 В/см и = 0.1 нм, но при такой же напрятемпературы. Центры освобождаются от электронов в женности электрического поля и = 10 нм уменьшение области пространственного заряда (ОПЗ) в результате барьера составляет E = 0.1 эВ, т. е. существенно.

совместного действия тепловых колебаний кристалличе- Как отмечалось выше, представления о наличии в ской решетки и электрического поля. Влияние на кон- (111)-Si(Er,O)-диодах высокой плотности ГУ в запрецентрацию заполненных электронами ГУ может также щенной зоне Si ранее уже привлекались для объяснения Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 334 А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, А.Н. Якименко эффекта температурного возгорания интенсивности ЭЛ Capacitance-voltage characteristics эрбия в режиме пробоя диода. Полученные в настоящей of the p-n-structures based on (111)Si работе результаты, таким образом, являются еще одним doped with erbium and oxygen подтверждением образования высокой концентрации ГУ A.M. Emel’yanov, N.A. Sobolev, A.N. Yakimenko в таких структурах. В работе [6] было установлено формирование различных структурных дефектов в диодах Ioffe Physicotechnical Institute, (111)-Si(Er,O) и (100)-Si(Er,O), которые, по-видимому, Russian Academy of Sciences, и обусловливают различия как их электролюминесцент194021 St.Petersburg, Russia ных, так и емкостных свойств.

St.Petersburg State Technical University, 195251 St.Petersburg, Russia Заключение

Abstract

The capacitance-voltage characteristics of tunneling diodes prepared by erbium and oxygen ion co-implantation into В (111)-Si(Er,O)-диодах в определенных, зависящих от single crystal (111)Si have been studied. An anomalous enhanceдозы имплантации эрбия и кислорода, интервалах темment of the p-n junction capacitance with increasing the reverse ператур наблюдались участки роста емкости p-n-переbias has been observed at certain temperatures depending on the ходов с ростом приложенного обратного напряжения.

implantation dose. The increase in capacitance (the decrease of Рост емкости связывается с наличием в n-слое p-n-переthe space charge region width) in associated with formation of хода высокой плотности глубоких уровней в запреdeep levels having high density in the n-layer of p-n junction and щенной зоне Si, которые в области пространственного also with the electron emission from the levels in the space charge заряда освобождаются от электронов при увеличении region as voltage increases. The results show that parameters of напряжения. Экспериментальные результаты указывают the defects responsible for the level formation may depend on the на то, что параметры дефектов, ответственных за поerbium and the oxygen implantation dose.

явление уровней, зависят от дозы имплантации эрбия и кислорода.

Авторы благодарны Т.М. Мельниковой, Е.О. Паршину и А.В. Шестакову за помощь при изготовлении образцов.

Работа частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант № 99-02-17750) и INTAS (грант № 99-01872).

Список литературы [1] G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81, 2784 (1997).

[2] А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, П.Е. Хакуашев, М.А. Тришенков. ФТП, 34, 965 (2000).

[3] Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 34, 1069 (2000).

[4] N.A. Sobolev, A.M. Emel’yanov, K.F. Shtel’makh. Appl. Phys.

Lett., 71, 1930 (1997).

[5] A.M. Emel’yanov, N.A. Sobolev, A.N. Yakimenko. Appl. Phys.

Lett., 72, 1223 (1998).

[6] Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, В.И. Вдовин. ФТП, 33, 660 (1999).

[7] N.A. Sobolev, Yu.A. Nikolaev, A.M. Emel’yanov, K.F. Shtel’makh, P.E. Khakuashev, M.A. Trishenkov.

J. Luminesc., 80, 315 (1999).

[8] Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты Пер. с англ. под ред. В.Л. Гуревича (М., Мир, 1985).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.