WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

не играет заметной роли, температуру решетки T на [17] L.K. Orlov, A.V. Potapov, R.A. Rubtsova, Yu.G. Arapov, рис. 4, b можно заменить на электронную температуру Te, N.A. Gorodilov, N.G. Shelushinina, Fu Hua Yang, J. Leotin, M. Goiran. Thin Sol. Films, 294, 208 (1997).

пропорциональную эффективному электрическому полю [18] V.Ya. Aleshkin, N.A. Bekin, I.V. Erofeeva, V.I. Gavrilenko, E. Тогда данная зависимость есть не что иное, как Z.F. Krasil’nik, O.A. Kuznetsov, M.D. Moldavskaya, вольт-амперная характеристика структуры, а механизмы, V.V. Nikonorov, V.M. Tsvetkov. Lithuanian Phys. J., 35, обусловливающие ее вид, ответственны за наблюдаемые (1995).

в работе [18] осцилляции высокочастотного тока.

Редактор Л.В. Шаронова В заключение авторы благодарят Российский фонд фундаментальных исследований (грант № 96-02-19278) The problem of selective doping in the и INTAS (грант № 96-0580) за финансовую поддержку hydride epitaxy method and работы.

electrophysical properties of quantum-well Ge/Ge1-xSix : B heterostructures Список литературы L.K. Orlov, R.A. Rubtsova, N.L. Orlova [1] T.C. Chen, E. Ganin, H. Stark et al. IEEE TED, 38, 941 (1991).

Physical and Technical Reserch Institute [2] A. Gruhle, A. Schuppen. Thin Sol. Films, 294, 246 (1997).

of Nizhny Novgorod State University, [3] V.I. Kuznetsov, K. Werner, S. Redelaar, J.W. Metselaar. Thin 603600 GSP-34 Nizhny Novgorod, Russia Sol. Films, 294, 263 (1997).

[4] Y.H. Xie, E.A. Fitzgerald, D. Monroe, P.J. Silverman,

Abstract

Transport properties of different groups of charge carG.P. Watson. J. Appl. Phys., 73, 8364 (1993).

riers in conducting channels of periodic Ge/Ge1-xSix heterostruc[5] B.A. Aronzon, N.K. Chumakov, J. Leotin, J. Galiber, tures have been studied as functions of the structure parameters.

L. Essaleh, A.L. Chernov, O.A. Kuznetsov, L.K. Orlov, Results obtained were considered in connection with the problem R.A. Rubtsova, O.A. Mironov. Superlat. Microstr., 13, of selective doping nanometer layers grown by hydride epitaxy.

(1993).

[6] Ю.Г. Арапов, Н.А. Городилов, О.А. Кузнецов, В.Н. НевеFax: (831) ров, Л.К. Орлов, Р.А. Рубцова, Г.И. Харус, А.Л. Чернов, E-mail: Orlov@ipm.sci-nnov.ru Н.Г. Шелушинина, Г.Л. Штрапенин. ФТП, 27, 1165 (1993).

[7] Л.К. Орлов, Ж. Леотен, Фу Хуа Янг, Н.Л. Орлова. ФТТ, 39, 2096 (1997).

[8] L.E. Vorob’ev, L.E. Golub, D.V. Donetskii, E.A. Zibik, Yu.V. Kochegarov, D.A. Firsov, V.A. Schalygin, V.Ya. Aleshkin, O.A. Kuznetsov, L.K. Orlov, E. Towe, I.I. Saydashev, T.S. Cheng, C.T. Foxon. Proc. 23rd Int. Symp. on Compound Semicond. (St. Petersburg, 1996) (1997) p. 153.

[9] V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, N.A. Bekin, I.V. Erofeeva, V.I. Gavrilenko, O.A. Kuznetsov, E.R. Lin’kova, I.G. Malkina, M. Moldavskaya, D.G. Revin, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov. Proc. 23rd Int. Symposium on Compound Semicond. (St. Petersburg, 1996) (1997) p. 61.

Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.