WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

найти незанятую ячейку во втором зерне. Это квантовоМодель, основываясь на которой мы объясняем по- механическое правило отбора приводит к уменьшению лученные результаты, представлена на рис. 4. Погло- скорости межзеренных переходов, и ток термоэлектронщаемое образцом излучение генерирует в нем допол- ной эмиссии поэтому должен быть уменьшен на некотонительные количества дырок и электронов: p = Gp рый фактор, минимальная величина которого равна 0.и n = Gn соответственно, где G — количество по- при 300 K и 0.05 при 77 K [2]. Этот фактор определяется глощаемых (в 1 см3 в 1 c) в образце фотонов, а p и в основном разориентацией кристаллографических осей n — времена жизни дырок и электронов. Заметим, что соседних зерен и поэтому при высоких температурах, в поликристаллах CdTe p

но существенно изменяет характер проводимости при На рис. 5 представлена температурная зависимость T < 160 K. Объясняется это тем, что неравновесные удельного сопротивления более высокоомного образэлектроны быстро нейтрализуют захваченные межзерен- ца, но с примерно такими же размерами зерен, что Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Транспортные явления в крупнозернистых поликристаллах CdTe В нашей работе показано, что удается определять барьеры, не прибегая к методу легирования. Более того, воздействие белым светом существенно увеличивает подвижность основных носителей зарядов, что может облегчить получение низкоомных подложек из поликристаллов CdTe.

Авторы выражают глубокую благодарность проф. В.С. Багаеву за ценные советы.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты № 02-02-17324 и № 00-02-16500).

Список литературы [1] H.J. Leamy, G.E. Pike, C.H. Seager. Crain Boundaries in Semiconductors (North Holland, N.Y., 1982).

[2] E.S. Yang. Thin Sol. Films, 93, 287 (1982).

[3] R.R. Shah, D.C. Hollingsworth, G.A. Dejong, D.L. Crosthwait.

Electron. Dev. Lett., EDL-2, 159 (1981).

[4] T.I. Kamins. Electron. Dev. Lett., EDL-3, 341 (1982).

[5] I.Y.W. Seto. J. Appl. Phys., 46, 5247 (1975).

[6] N.C.C. Lu, L. Gertzberg, C.Y. Lu, J.D. Meindl. IEEE Trans., ED-28, 818 (1981).

[7] Поликристаллические полупроводники (М., Мир, 1989) Рис. 5. Температурная зависимость удельного сопротивления ч. 2, с. 116.

высокоомного p-CdTe.

[8] H.C. de Graaff, M. Huybers, J.G. de Groot. Sol. St. Electron., 25, 67 (1982).

[9] A.L. Fripp. J. Appl. Phys., 46, 1240 (1975).

[10] I.Y.W. Seto. J. Electrochem. Soc., 122, 701 (1975).

и в образце, для которого результаты приведены на [11] G. Baccarani, B. Ricco. J. Appl. Phys., 49, 11 (1978).

рис. 3. Общий вид зависимости идентичен. Все так [12] R.L. Petritz. Phys. Rev., 110, 1265 (1958).

же основной наклон обусловлен дефектами с энергией [13] R.K. Mueller. J. Appl. Phys., 32, 635 (1961).

ионизации (0.24 ± 0.02) эВ, а вычисленная из второго [14] С.А. Медведев, Ю.В. Клевков. Патент РФ № 243014 от наклона высота межзеренного барьера оказалась равной 20.12.1999 г.

(0.07 ± 0.01) эВ. Это и понятно — в данном образце [15] Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, С.А. Медведев, А.Ф. Плотниуровень Ферми располагается существенно дальше от ков. ФТП, 35, 1192 (2001).

[16] С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривопотолка валентной зоны и, следовательно, попадает бок, А.Ф. Плотников. ФТП, 36, 937 (2002).

в область значительно меньшей плотности состояний [17] R.L. Petritz. Phys. Rev., 104, 1508 (1956).

(рис. 1).

[18] Fanying Meng, Rongqiang Cui. Jap. J. Appl. Phys., 41, (2002).

5. Заключение Редактор Л.В. Шаронова В данной работе, основываясь на модели образования Transport phenomena in coarse-grained межзеренных барьеров из-за накопления на границах polycrystals of CdTe локализованных зарядов и предполагая, что ток свободных носителей сквозь межзеренные барьеры подчиняетS.A. Kolosov, Y.V. Klevkov, A.F. Plotnikov ся законам термоэлектронной эмиссии, мы попытались P.N. Lebedev Physical Institute, объяснить транспортные явления в крупнозернистых Russian Academy of Sciences, поликристаллах CdTe.

119991 Moscow, Russia Модель эта не бесспорна. В частности, недавно появилась работа [18], в которой рассматриваются тренспорт

Abstract

Electrical characteristics of grain boundaries in polyные явления в поликристаллических пленках кремния, crystalline CdTe have been investigated. The transport properties и авторы считают, что ток через барьер — туннельof polycrystals are interpreted in terms of grain-boundary trapping ный ток. Вычисленная на основе этого предположения model. The experiments, have been performed using a light beam высота барьера равна 0.55 эВ. С этим мы не можем and indicate that it is possible to change the heights of grain согласиться, поскольку экспериментально измеренные boundaries electronic barriers and consequently the mobility of высоты барьеров в аналогичных поликристаллах кремfree charges by the brightening technique.

ния не превышают 0.03 эВ.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.