WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Влияние олова на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в облученном кремнии ¶ © Л.И. Хируненко, О.А. Кобзарь, Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин, Н.А. Трипачко Институт физики Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина (Получена 6 августа 2002 г. Принята к печати 6 сентября 2002 г.) Проведено исследование влияния легирования оловом на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в кремнии. Показано, что Sn в кремнии является эффективным стоком для межузельного углерода, в результате чего в кремнии, легированном оловом, не наблюдается образования центров CIOI и CICS, характерных для кремния, а возникают центры CISnS. ЦентрыCIOI и CICS образуются в Si : Sn после отжига обнаруженных комплексов CISnS. Установлено, что атомы CI могут располагаться в двух различных положениях относительно атомов олова. Проведено рассмотрение процесса радиационного дефектообразования в Si : Sn в приближении квазихимических реакций. Получены выражения для зависимостей концентраций основных радиационных дефектов от содержания олова, проведено сопоставление с экспериментальными результатами.

1. Введение введения центров CIOI. В работах [15,16] при исследовании Si : Sn методом DLTS обнаружены новые полосы, Как известно, и олово (Sn), и углерод (C) в кремнии которые авторы связывают с центрами, возникающими являются изовалентными примесями замещения. Легивследствие взаимодействия узловых атомов олова SnS рование этими элементами приводит к значительному с атомами CI.

локальному возмущению решетки, однако знак создаВ настоящей работе приводятся полученные нами ваемых деформаций в случае олова и углерода протиновые данные о влиянии легирования кремния оловом воположный (ковалентный радиус олова RSn = 1.44, на процессы образования радиационных дефектов, проуглерода RC = 0.77, а кремния RSi = 1.17 ). Олово текающие с участием атомов межузельного углерода.

в кремнии при облучении эффективно взаимодействует с вакансиями (V ) с образованием центра SnV [1,2], что приводит к снижению эффективности образования 2. Образцы и методика эксперимента радиационных дефектов, содержащих вакансии [3–5].

В работе исследовались монокристаллические образУзловой углерод (CS), согласно обменному механизму Воткинса [6], при облучении выталкивается собствен- цы кремния, выращенные методом Чохральского, n-типа проводимости (легированные фосфором). Концентраными межузельными атомами кремния (SiI) из узла ция фосфора составляла (3-4) · 1014 см-3. Содержание в межузельное положение в соответствии с реакцией CS + SiI CI + SiS [6,7]. Отжигается CI вблизи ком- олова определялось нейтронно-активационным анализом и с помощью рентгеновского микроанализатора натной температуры путем диффузии. При диффузии значительная часть CI в кремнии, полученном методом JCXA-733 и изменялось от 2 · 1018 до 2 · 1019 см-3. КонЧохральского, локализуется вблизи межузельного кис- центрация углерода оценивалась по полосе поглощения лорода OI с образованием центров C3 (CIOI) [8,9]. CI 607 см-1 и составляла от 2.3 · 1016 до 2.9 · 1017 см-3.

также эффективно взаимодействуют с узловым углеро- Все исследуемые образцы содержали сравнимые кондом с образованием центров CICS, с элементами III центрации кислорода (5-6) · 1017 см-3. Для выявления и V групп и др. [10–12]. Эффективность образования тех особенностей влияния легирования оловом на процессы или иных центров, содержащих CI, зависит от примес- радиационного дефектообразования для сравнения исного состава исходных кристаллов и от концентрации пользовались образцы кремния, не содержащие олова, компонент, входящих в состав дефекта. Повлиять на но со сравнимым содержанием углерода и кислорода.

вероятности реакций можно, создавая конкурирующие Образцы облучались на микротроне электронами реакции захвата межузельного углерода.

с энергией 5 МэВ при температуре 80 K. Доза облуВлияние олова на параметры кремния исследовалось чения составляла (2-5) · 1017 см-2. Образцы без нагрева довольно широко. Однако в литературе практически от- перегружались в криостат для измерений или в специсутствуют данные об исследовании влияния легирования альное устройство для отжигов. Исследовались спектры оловом на реакции, связанные с участием междоузлий в поглощения образцов сразу после облучения и после облученном кремнии. В работах [13,14] отмечается, что последующего изохронного отжига (20 мин) в интервале олово не влияет на реакции, связанные с участием меж- температур Ta = 80-550 K с шагом 5-20 K с помощью узельного углерода в кремнии, в частности на скорость фурье-спектрометра IFS-113v. Спектры поглощения из¶ мерялись при температурах T = 300 и 10 K в области E-mail: lukh@iop.kiev.ua Fax: 380 44 265 55 88 8000-500 см-1 со спектральным разрешением 0.5см-1.

Влияние олова на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в облученном кремнии 3. Экспериментальные результаты Проведенные исследования показали, что легирование кремния оловом не приводит к существенным изменениям исходных электрических и оптических параметров кремния. Ранее было показано, что возмущение кислорода (квазимолекул Si2O) близлежащими атомами олова приводит к появлению дополнительных линий поглощения в области, соответствующей межузельному кислороду [17]. Аналогичный эффект обнаружен нами при исследованиях спектра поглощения углерода замещения CS в образцах Si : Sn. В спектрах поглощения в окрестности полосы 607 см-1, соответствующей колебательной моде CS, в Si : Sn нами обнаружены три новые полосы с частотами 642.8, 591.1 и 562.4см-(рис. 1). Интенсивности полос растут как с повышением содержания углерода, так и с повышением концентрации олова в образцах. Это позволяет сделать предположе- Рис. 2. Спектры поглощения Si : Sn, облученного электронами при 80 K дозой 5 · 1017 см-2, до (1) и после (2) отжига при ние, что наблюдаемые полосы соответствуют колебанию T = 255 K. Температура измерения T = 10 K, концентрация CS, возмущенному атомами олова, расположенными олова 1.9 · 1019 см-3.

в близлежащих координационных сферах. Присутствие трех полос может быть обусловлено неэквивалентным расположением атомов CS и SnS.

На рис. 2 приведены спектры поглощения, измерен- в процессе отжига CI в спектрах поглощения обнаруженые при T = 10 K, для образцов Si : Sn с концентрацией но появление 6 новых полос поглощения с волновыми олова 1.9 · 1019 см-3 сразу после облучения при тем- числами 873.5, 888.9, 985.3, 1025.3, 6915 и 6875 см-пературе T 80 K. Как видно из рис. 2, сразу после и не наблюдается появления полос, соответствующих облучения спектры поглощения для Si : Sn в исследуемой центрам CIOI и CICs (рис. 2, кривая 2). Исследования области идентичны известным спектрам для Si и в Si : Sn образцов с различным содержанием олова и углерода не наблюдается никаких дополнительных полос по показали, что интенсивности всех 6 полос поглощения сравнению с контрольным Si. Наиболее интенсивные зависят от концентрации как углерода, так и олова полосы 922 и 932 см-1 соответствуют локальным в образцах: чем выше их содержание, тем интенсивнее колебательным модам CI, а полоса 6903 см-1 соответ- полосы поглощения.

ствует электронному переходу, связанному с центром Полосы поглощения 888.9, 985.3 и 6915 см-1 одноCI [5]. При изохронном отжиге облученного кремния временно достигают максимальной интенсивности при в области температур Ta = 250-300 K в кремнии про- температуре отжига Ta 260 K и затем при Ta > 270 K исходит отжиг центров CI, сопровождающийся одновре- начинают синхронно отжигаться. Трансформация спекменным появлением комплексов CIOI и CICS [8,9,18].

тров поглощения при изохронном отжиге Si : Sn для В кристаллах, легированных оловом, в отличие от полос 888.9 и 985.3см-1 показана на рис. 3. Полный специально не легированного кремния, при Ta 250 K отжиг всех трех полос поглощения происходит одновременно при температуре Ta 280 K. В процессе отжига полос 888.9, 985.3 и 6915 см-1 не наблюдается никаких особенностей в динамике и характере отжига CI в Si : Sn по сравнению с кремнием. Идентичность поведения полос поглощения 888.9, 985.3 и 6915 см-1 во время отжига свидетельствует о принадлежности их одному и тому же центру.

Полосы поглощения 873.5, 1025.3 и 6875 см-1 растут непрерывно по интенсивности с отжигом и достигают максимума при полном отжиге CI. На рис. 3 приведены результаты изохронного отжига для полос 873.и 1025.3см-1. Как видно из рис. 3, после полного отжига CI не наблюдается появления центров CIOI и CICS.

Следует отметить, что в образцах Si : Sn температура отжига CI постепенно снижается с увеличением содержания олова в образцах. Если в кремнии CI отжигаРис. 1. Спектры поглощения Si : Sn (1) и Si (2) при T = 10 K. ются при 300 K, то в образцах Si : Sn с концентрацией 4 Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 306 Л.И. Хируненко, О.А. Кобзарь, Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин, Н.А. Трипачко олова NSn = 2 · 1018 см-3 температура отжига составляет 295 K, а при NSn = 1.9 · 1019 см-3 температура отжига снижается до 285 K. Ускорение отжига CI, повидимому, связано с упругими полями, возникающими вследствие различия ковалентных радиусов атомов матрицы и олова.

Отсутствие после отжига межузельного углерода в образцах Si : Sn полос поглощения, соответствующих центрам CIOI и CICS, и зависимость интенсивностей наблюдаемых новых дополнительных полос поглощения от содержания углерода в образцах позволяют сделать предположение, что в образцах, легированных оловом, в отличие от специально не легированного кремния, при отжиге основная часть CI уходит на образование ценРис. 4. Трансформация радиационных дефектов при отжиге тров, ответственных за наблюдаемые дополнительные облученного Si : Sn. 1 — CI, 2 — (CISnS), 3 — (CISnS)2N, полосы поглощения.

4 —CICS, 5 —CIOI.

При температуре отжига Ta 323 K полосы 873.и 1025.3см-1 начинают уменьшаться по интенсивности и отжигаются синхронно при Ta 383 K (рис. 3, кривые 4, 5). Следует отметить, что при повыше- жания олова в образцах для всех исследуемых в работе нии температуры измерения до комнатной поло- концентраций олова. В процессе отжига полос 873.5, 1025.3 и 6875 см-1 наблюдается синхронное появлесы 873.5 и 1025.3см-1 сдвигаются в низкочастотную ние полос поглощения, соответствующих центрам CIOI область спектра, максимумы располагаются при 865.и CICS. На рис. 3 (кривые 4, 5) приведены наиболее и 1010.4см-1 соответственно. Полоса 6875 см-1 отжиинтенсивные полосы для этих центров 865.7см-1 (CIOI) гается идентично полосам 873.5 и 1025.3см-1. Картина и 7819.7см-1 (CICS).

отжига полос 873.5, 1025.3 и 6875 см-1, так же как Была проведена оценка соотношения концентраций и полос 888.9, 985.3 и 6915 см-1, не зависит от содерцентров CI и CIOI для кремния без олова и кремния, легированного оловом, имеющих сравнимые исходные концентрации углерода и кислорода. Сравнение проводилось по площади под соответствующими полосами поглощения. Результаты показали, что в случае как Si, так и Si : Sn это соотношение одинаково, т. е. результирующая концентрация центров CIOI не зависит от содержания олова в образцах.

Полная картина трансформации радиационных дефектов при отжиге в интервале температур Ta = 230-550 K для образцов с содержанием олова 1.9·1019 см-3 показана на рис. 4. Как видно из рис. 4, при отжиге полос 888.9, 985.3 и 6915 см-1 наблюдается увеличение концентрации центров, которым соответствуют полосы поглощения 873.5, 1025.3 и 6875 см-1. Увеличение концентрации центров CIOI при Ta 473 K происходит вследствие освобождения CI при отжиге комплексов CICS. Картина трансформации центров при отжиге идентична для всех исследуемых концентраций Sn в Si.

4. Обсуждение результатов Полосы поглощения 873.5, 1025.3 и 6875 см-1 наблюдались ранее в [15,16] и, согласно предложенной авторами модели, соответствуют центрам CISnS. Первые две полосы связываются с локальными колебаниями CISnS, а третья с электронным переходом. При теоретическом Рис. 3. Изохронный отжиг облученного электронами Si : Sn рассмотрении модели центров CISnS в [16] авторами с концентрацией олова 1.9 · 1019 см-3. Температура отжига Ta, K: 1 — 260, 2 — 273, 3 — 305, 4 — 353, 5 — 383. были рассмотрены различные возможные расположения Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Влияние олова на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в облученном кремнии атомов межузельного углерода относительно атомов ющие реакции:

олова: в 1, 2 и 3-й конфигурационных сферах. НаибоCI + SnS - (CISnS)2N, (3) лее устойчивой предполагается конфигурация (CISnS)2N, в которой атом CI расположен во 2-й конфигурационной CI + SnS - (CISnS). (4) сфере относительно SnS. При этом могут реализоваться два неэквивалентных расположения атомов межузельРеакции (3) и (4) описывают образование двух неэкного углерода относительно SnS, в одном из которых вивалентных типов центров CISnS, соответствующих система имеет минимальную энергию (авторы приниматройкам полос 873.5, 1025.3 и 6875 см-1 и 888.9, 985.3, ют ее равной нулю), а во втором энергия системы на 6915 см-1 соответственно.

0.25 эВ больше и эта конфигурация должна быть менее Соответствующая этим реакциям система кинетичестабильной. Расположение атомов CI в 3-й конфигураских уравнений может быть записана в следующем виде:

ционной сфере относительно олова близко по энергии ко второму случаю и дает дефект с энергией на 0.3 эВ dNC I = - k2N,Sn NC NSn - k,SnS NC NSn CI S I S CI I S выше минимальной. Наименее энергетически выгодным dt является расположение атомов межузельного углеро- kC,OI NC NO - kC,CS NC NC, (5) I I I I I S да в 1-й координационной сфере относительно олова (энергия повышается до 0.5–0.8 эВ). Полосы поглощения dN(C SnS)2N I с частотами 873.5, 1025.3 и 6875 см-1 авторы связыва= k2N,Sn NC NSn, (6) CI S I S dt ют с конфигурацией (CISnS)2N, которой соответствует минимальная энергия, и соответственно с атомами CI, dN(C SnS) I = k,SnS NC NSn, (7) CI I S расположенными во 2-й координационной сфере отноdt сительно олова. Придерживаясь модели, предложенной dNC OI I в [15,16], и учитывая наблюдаемые в эксперименте = kC,OI NC NO, (8) I I I dt особенности поведения всех 6 дополнительных полос dNC CS поглощения, новые полосы 888.9, 985.3 и 6915 см-I = kC,CS NC NC, (9) I I S можно соотнести с менее устойчивой конфигурацией dt расположения атомов межузельного углерода во 2-й где Ni обозначают концентрации соответствующих комили в 3-й конфигурационной сфере относительно олова, понент, коэффициенты ki, j характеризуют вероятности (CISnS). Наблюдаемое при отжиге полос 888.9, 985.взаимодействий между компонентами i и j.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.