WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ность выращивания PbTe из источников, легированных [7] С.В. Гапонов, Б.М. Лускин, Н.Н. Салащенко. Письма ЖТФ, примесями Mn, Eu, давление паров которых значительно 9, 516 (1979).

ниже, чем у основного материала [18]. Но Mn и Eu в [8] J.K. Klimer. J. Appl. Phys., 44, 490 (1973).

случае замещения металлической компоненты являются [9] J.T. Cheung, J.-S. Chen. Appl. Phys. Lett., 55, 2191 (1988).

псевдодонорными примесями и поэтому в электрических [10] J.T. Cheung, H. Sankur. CRC Crit. Rev. Sol. St. Mater. Sci., 15, свойствах пленок себя не проявляют [18]. Известно 63 (1988).

также, что примеси I и III групп Периодической системы [11] M. Baleva, E. Meteeva. J. Phys.: Condens. Mater., 5, проявляют свои электроактивные свойства при концен- (1993).

трациях, превышающих (1-3)·1019 см-3, поскольку име- [12] M. Baleva, E. Meteeva. J. Phys.: Condens. Mater., 5, (1993).

ют тенденцию к кластерообразованию [17], благодаря че[13] J.M. Wrobel, J.J. Dubovski. Appl. Phys. Lett., 55, 469 (1989).

му концентрация введенной примеси практически всегда [14] H. Tabata, T. Kawai, S. Kawai. Appl. Phys. Lett., 58, значительно превышает концентрацию носителей тока.

(1991).

При реализации конгруэнтного испарения это различие [15] F.F. Sizov, S.V. Plyatsko. J. Cryst. Growth, 92, 571 (1988).

должно быть устранено и концентрация носителей тока [16] А.Г. Миколайчук, Д.М. Фрейк, В.М. Шперун. Физикодолжна соответствовать концентрации введенной приметехнологические основы синтеза полупроводниковых си. Результаты по использованию в качестве источников пленок (Львов, Наук. думка, 1978).

монокристаллов, легированных примесями In, Tl, Na [17] Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. Mater. Lett., 8, и Cr, приведены в таблице. (1989).

Таким образом, применение модулированного ИК ла- [18] С.В. Пляцко, Ю.С. Громовой, Г.Е. Костюнин. ФТП, 25, (1991).

зерного излучения для распыления мишени–источника [19] Таблицы физических величин. Справочник, под ред.

PbTe с последующей конденсацией парового потока на И.К. Кикоина (М., Атомиздат, 1976).

диэлектрических подложках показало возможность по[20] Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры лучения структурно совершенных слоев PbTe в широкой (М., Мир, 1989).

области плотностей мощности лазерного излучения на [21] E. Rutner, P. Goldfinger, J.P. Hirth. Condensation and Solids мишени и температуры подложек Ts. Электрофизические (N.Y., Gordon and Breach Sci. Publ., 1964).

свойства PbTe p- и n-типа определяются собственными [22] Б.Э. Гольцман, З.М. Дашевский, В.И. Кайданов, Н.В. Колоточечными дефектами, концентрация которых зависит от моец. Пленочные термоэлементы: физика и применетехнологических условий выращивания. Пленки, полу- ние (М., Наука, 1985).

[23] R. Breschi, A. Camanzi, V. Fano. J. Cryst. Growth, 58, ченные из легированных источников, характеризуются (1982).

типом проводимости и концентрацией носителей тока, [24] V. Fano. Prog. Cryst. Growth Charact., 3, 287 (1981).

определяемой природой примеси и ее концентрацией в источнике, соответственно. Редактор Т.А. Полянская Lead telluride epitaxi modulated by laser Список литературы radiation [1] H.M. Smith, A.F. Turner. Appl. Optics, 4, 147 (1965).

S.V. Plyatsko [2] P.D. Zavitsanos, W.E. Saver. J. Electrochem. Soc., 115, Institute of Physics of Semiconductors, (1968).

National Academy of Sciences of the Ukraine, [3] H. Schwarz, H.A. Tourtellotte. J. Vac. Sci. Tech., 6, 373 (1969).

252028 Kiev, the Ukraine [4] V.S. Ban, D.A. Krumer. J. Mater, Sci., 5, 978 (1970).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.