WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

родных облаков не учитывается, что и может служить [11] Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец, М.И. Клингер. ФТП, 24, причиной возникновения указанного парадокса.

(1990).

Предложенная трактовка справедлива при условии, [12] В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, Б.В. Зубов, В.П. Калинушчто длина свободного пробега LV радиационной вакансии кин, Е.А. Климанов и др. ФТП, 13, 846 (1979).

соизмерима со средним расстоянием между кислород[13] В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, В.П. Калинушкин, Т. Муными облаками r. Действительно, описанное поведение рина, Т. Назаров и др. ФТП, 17, 2137 (1983).

МВ наблюдается уже при NA 1016 см-3, когда образо[14] Д.И. Бринкевич, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, В.В. Петров.

вание комплексов V–O определяется поведением менее ФТП, 26, 682 (1992).

численной компоненты. Мы использовали однородное [15] В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. ФТП, 18, 362 (1984).

облучение, поэтому при LV r и NV NO (где Редактор Т.А. Полянская NV — суммарная концентрация вакансий при облучении) пространственная неоднородность в локализации A-центров не зависит от неоднородности локализации кислорода. Неоднородность распределения NO скажется на локализации комплексов V–O (при таких флюенсах облучения, когда NV < NO) лишь при LV r. Из этого условия можно оценить концентрацию скоплений A-центров Nagg, используя соотношение Nagg r-3. В литературе нет единого мнения о величине параметра LV. В частности, по оценкам работы [15] в тигельном Si LV (10-4-10-3) см, и соответственно получаем Nagg (109-1012) см-3.

Таким образом, в работе получены следующие результаты.

1. Обнаружена нелинейная полевая зависимость магнитной восприимчивости (МВ) в облученном Si, что интерпретируется магнитным упорядочением A-центров асперомагнитного типа.

2. Анализ экспериментальных данных по МВ в облученном Si позволяет сделать вывод о существовании скоплений A-центров с локальной концентрацией NA 1021 см-3.

3. Предложено объяснение диффузионного парадокса при образовании термодоноров (ТД), основанное на учете микронеоднородностей пространственной локализации ТД и атомов межузельного кислорода Oi в Si.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.