WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ации заселенности уровней, образующих экспоненциаль[6] M.A. Khan, M.S. Shur, J.N. Kuznia, J. Burn, W. Shaff. Appl.

но спадающий в глубь запрещенной зоны хвост плотноPhys. Lett., 66, 283 (1995).

сти состояний, теория [23] (см. также [8]) предсказывает [7] L.K.J. Vandamme, S. Oosterhoff. J. Appl. Phys., 59. немонотонную зависимость уровня шума от интенсивно(1986).

сти подсветки. На каждой частоте анализа шум по мере [8] Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, увеличения интенсивности вначале растет, затем дости25, 2065 (1991).

гает максимума, а затем, с дальнейшим увеличением [9] L.K.J. Vandamme. IEEE Trans. Electron. Dev., 41, интенсивности, падает до уровня ниже темнового. При(1994).

чем, чем ниже частота анализа, тем при более слабых [10] D. Ursutiu, B.K. Jones. Semicond. Sci. Technol., 11, интенсивностях подсветки шум достигает максимума и (1996).

начинает уменьшаться. Это предсказание теории хорошо [11] F.A. Ponce. MRS Bulletin (February, 1997) p. 51.

[12] D.B. Ingerly, J.A. Chang, N.R. Perkins, T.F. Kuech. Appl. Phys.

совпадает с экспериментальными результатами для Si Lett., 70, 108 (1996).

и GaAs [8].

[13] D.K. Gaskill, L.B. Rowland, K. Doverprike. In: Properties of На вставке к рис. 3 показаны экспериментальные Group III Nitrides, ed. by J.H. Edgar [EMIS Datareviews ser.

результаты для GaAs, полученные в работе [24]. Влияние (INSPEC publication, 1994) N11].

подсветки на шум при высокой температуре в GaN [14] Ю.А. Гольдберг. ФТП, 28, 1681 (1994).

(рис. 3, кривая 2 ) качественно сходно с аналогичным [15] R.D. Black, M.B. Weissman, P.J. Restle. Appl. Phys. Lett., 53, влиянием зона-зонной подсветки в GaAs (ср. с кривой c 6280 (1982).

вставки). То обстоятельство, что подавления шума при [16] R.F. Voss, J. Clark. Phys. Rev. B, 13, 556 (1976).

подсветке в GaN при T = 370 K не наблюдается, объяс[17] F.N. Hooge, T.G.M. Kleinpenning, L.K.J. Vandamme. Rep.

няется, вероятно, просто тем, что интенсивность потока Progr. Phys., 44, 479 (1981).

квантов с Eph Eg слишком мала. [18] F.N. Hooge, M. Tacano. Physica B, 190, 145 (1993).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Низкочастотный шум в n-GaN [19] S. Tehrani, L.L. Hench, C.M. Van Vliet, G.S. Bosman. J. Appl.

Phys., 58, 1571 (1985).

[20] J.V. Palmour, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, G.S. Simin.

Appl. Phys. Lett., 68, 2669 (1996).

[21] H.C. Casey, D.D. Sell, K.W. Weight. J. Appl. Phys., 46, (1975).

[22] O. Ambacher, W. Rieger, M. Stutzman.

Abstract

Book Topical Workshop on III–V Nitrides (Nagoya, Sept., 1995) p. F-5.

[23] Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн. ФТП, 23, 283 (1989).

[24] Н.В. Дьяконова. ФТП, 25, 358 (1991).

Редактор Л.В. Шаронова Low frequency noise in n-GaN N.V. Dyakonova, M.E. Levinshtein, S. Contreras, W. Knap, B. Beaumont†, P. Gibart† A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia G.E.S., UMR-CNRS 5650, cc074, Universite Montpellier II, F-34095 Montpellier, France † CRHEA, rue Bernard Gregory, F-06560 Valbonne, France Abstract Low frequence noise has been investigated in hexagonal polytype of gallium nitride (GaN) of n-type with equlibrium electron concentration at 300 K n0 7 · 1017 cm-3. The frequency and temperature dependences of spectral density of noise SI/Iwere studied in the range of the analysis frequency f from 20 Hz to 20 kHz in the temperature range from 80 to 400 K. Over the whole temperature range the slope of SI/I2 versus f dependence is very close to the 1/ f (flicker noise). The temperature dependence of the noise is rather weak. The value of Hooge constant is very large: 5 7. These large values indicate rather low level of the structural quality of the material. The effects of the infrared and band-to-band illumination on the low frequence noise in GaN have been studied for the first time. The noise level is unaffected by illumination with photon energy Eph < Eg (Eg is the band gap) even at a relatively high photoconductivity value / 50%.

Band-to-band illumination (Eph Eg) has influence on the low frequence noise level over the whole temperature range investigted.

At relatively high temperatures the influence of the illumination is qualitatively similar to the effect of band-to-band illumination on the low frequency noise in Si and GaAs. At relatively low temperatures the influence of the illumination on the noise in GaN differs qualitatively from the results obtained earlier for Si and GaAs.

E-mail: melev@nimis.ioffe.rssi.ru E-mail: sylvie.jarrix@cem2.univ-montp2.fr † E-mail: bb@crheal.unice.fr 3 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.