WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Investigations were made for the first time of both optiния кристаллов Zn1-xFexTe в области относительно неcal (4.2 K) and photoelectric (77 K)properties of a new Van Vleck больших коэффициентов поглощения (k < 250 см-1), а semimagnetic semiconductors Zn1-xFexTe (x 0.0046). It также проявление его структуры в виде ступенек связано was shown, that the structure of longwave edge absorption as well as the spectra of photogalvanic current are determined by с фотоионизационными процессами, в которых приниphotoionization transitions with participation of different charge мают участие различные зарядовые состояния ионов Fe (Fe+, Fe2+ и Fe3+). При этом в случае ионов Fe2+ states of Fe atoms (Fe+, Fe2+ and Fe3+). Found were the impurityconcentration dependence of the energy position of a free exciton наблюдаются фотоионизационные переходы с участием and the positions of the ground states of Fe2+ (Ev + 0.44 eV) and как основного, так и возбужденных состояний примесFe+ (Ec - 0.28 eV) ions. It has been noted, that the solubility of ных ионов. Определены энергетические положения уровiron in ZnTe crystals is limited by formation of FeTe clusters.

ней ионов Fe+ и Fe2+ в запрещенной зоне кристаллов Fax: 380 (44) 265 30 22 (Gnatenko) Zn1-xFexTe.

E-mail: gnatenko@iop.kiev.ua (Gnatenko) Список литературы [1] A. Mycielski. Acta Phys. Polon., A73, 839 (1988).

[2] Ю.П. Гнатенко, И.А. Фарина, Р.В. Гамерник, А.С. Крочук, П.И. Бабий. ФТП, 27, 1639 (1993).

[3] C. Testelin, A. Mauger, C. Rigaux, M. Gnillot, A. Mycielski.

Sol. St. Commun., 71, 923 (1989).

[4] A. Saren, B.A. Orlowski, S. Kuzminski. Acta Phys. Polon., A79, 183 (1991).

[5] В.Г. Абрамишвили, А.В. Комаров, С.М. Рябченко, В.И. Погорелый. ФТП, 23, 575 (1989).

[6] Б.М. Вул, В.С. Иванов, В.А. Рукавишников и др. ФТП, 6, 1264 (1972).

[7] Ю.П. Гнатенко, А.И. Жмурко, И.А. Фарина. УФЖ, 33, (1988).

[8] Ю.П. Гнатенко, А.И. Жмурко. УФЖ, 30, 843 (1985).

[9] Ю.П. Гнатенко. Автореф. докт. дис. (Киев, ИФ НАН Украины, 1992).

[10] G.A. Slack, F.S. Ham, R.M. Chrenko. Phys. Rev., 152, (1966).

[11] T.L. Estle, W.C. Holton. Phys. Rev., 150, 159 (1966).

[12] В.С. Блажкив, Р.В. Гамерник, Ю.П. Гнатенко, А.С. Крочук, Е.В. Смишко. УФЖ, 33, 714 (1988).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.