WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

низких температурах отжига (не более 500C) пленок ZnO : N в атмосферах обычного кислорода и его радикалов говорит об избытке кислорода в составе пленок.

Список литературы Благодаря этому вклад собственных донорных дефектов VO и Zn1 в проводимость пленок незначителен, и прово- [1] T. Yamamoto, H. Katayama-Yoshida. Japan. J. Appl. Phys., 38, L166 (1999).

димость определяется примесными и собственными ак[2] M. Joseph, H. Tabata, T. Kawai. Japan. J. Appl. Phys., 38, цепторами NO и VZn. Именно поэтому удается получить L1205 (1999).

дырочную проводимость при отжиге в атмосфере ра[3] K. Minegishi, Y. Kowai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, дикалов кислорода (таблица). Увеличение температуры A. Shimizu. Japan. J. Appl. Phys., 36, L1453 (1997).

отжига до Ta = 600-700C приводит к появлению зеле[4] Y.R. Ryu, W.J. Kim, H.W. White. J. Cryst. Growth, 219, ного свечения при = 2.4 эВ, связанного с вакансиями (2000).

кислорода. Это означает, что возрастает концентрация [5] X. Guo, J. Choi, H. Tabata, T. Kawai. Japan. J. Appl. Phys., собственных дефектов донорного типа, компенсирующих 40, L177 (2001).

акцепторы. [6] S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 63, 205 (2001).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 288 А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, М.О. Воробьев [7] T.V. Buthuzi, T.G. Chelidze, A.N. Georgobiani. Phys. Rev. B, 58, 10 692 (1998).

[8] A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevskii. Nucl. Phys. B, 61, (1998).

[9] A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevskii, V.V. Kidalov, I.V. Rogozin. Inorg. Mater., 33, 185 (1997).

[10] W. Van Gool, A.P. Cleiren. Phil. Res. Reports, 15, 238 (1960).

[11] W. Van Gool. Phil. Res. Reports, Suppl. N 3, 61 (1963).

Редактор Л.В. Шаронова Influence of the annealing in oxygen radicals on luminescence and conductivity of ZnO films A.N. Georgobiani, A.N. Gruzintsev, V.T. Volkov, M.O. Vorobiev P.N. Lebedev Physical Institute of Russian Academy of Sciences, 117924 Moscow, Russia Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials of Russian Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, Russia

Abstract

It is shown, that doping of ZnO films by nitrogen acceptors during the growth process can result in formation of hole conductivity only after annealing them in atomic oxygen. The annealing affects both the electrical properties and luminescence of ZnO : N films. Bands that have been caused by nitrogen doping appear in the ultraviolet as well as in the visible regions of photoluminescence spectra.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.