WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

лия и галлий на месте сурьмы) с энергиями активации [15] А.Н. Баранова. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. ИофEA2 = 0.035 эВ и EA3 = 0.07 эВ.

фе РАН, 1984).

2. Показано, что число структурных дефектов VGaGaSb Редактор Л.В. Шаронова в твердых растворах GaInxAsSb, GaAlxSb и GaAlxAsSb уменьшается при росте x по мере замещения атомов Electrical properties of solid solutions Ga соответственно индием или алюминием, концентраbased on GaSb (GaInAsSb, GaAlSb, ция дырок при этом падает, подвижность растет. При x > 0.22 в GaInxAsSb и x > 0.1 в GaAlxSb и GaAlxAsSb GaAlAsSb) and their dependence наблюдается скопление точечных дефектов, уменьшаюon composition щих подвижность.

T.I. Voronina, B.E. Dgurtanov, T.S. Lagunova, 3. Концентрацию структурных дефектов в GaSb удаM.A. Sipovskaya, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev лось понизить на 2 порядка (от 2.8 · 1017 до 2 · 1015 см-3) путем введения в раствор–расплав нейтрального рас- A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, творителя — свинца, изменяющего в растворе–расплаве Russian Academy of Sciences, соотношение элементов III и V группы. 194021 St.Petersburg, Russia 4. Концентрация мелких акцепторных примесей в твердых растворах обусловлена чистотой исходных ма-

Abstract

Electrical properties of GaSb and GaSb-based solid териалов и значительно меньше в твердых растворах, solutions (GaInAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) were investigated. It полученных из бинарных соединений. has been shown, that the concentration and mobility of charge 5. Легирование GaSb и твердых растворов GaInAsSb carriers in all these materials is mainly determined by structural редкоземельными примесями (Gd, Yb) позволило по- deffects VGaGaSb, their concentration almost linearly lessening with высить подвижность носителей тока путем уменьшения decrease of GaSb content in the solid solution. The dependence концентрации природных структурных дефектов: VGaGaSb of the solution parameters on the structural defect concentration в GaSb и акцепторных структурных дефектов VGaTe, was revealed. The possibility of decreasing their concentration by образующихся в твердом растворе GaInAsSb при диф- making use of the neutral solvent Pb and rare-earth elements is фузии Te из подложки GaSb : Te. shown.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.