WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

in E0-photoreflectance spectra Также вызывает большой интерес тот факт, что приof direct-band-gap semiconductor GaAs месные компоненты ФО, как правило, не наблюдаютR.V. Kusmenko, E.P. Domashevskaya ся одновременно с экситонными компонентами. Таким образом, можно предположить, что модуляционные проVoronezh State University, цессы, ответственные за возникновение экситонных и 394693 Voronezh, Russia примесных компонент, являются конкурирующими процессами.

Abstract

Spectral components related to electronoptical transiВ заключение при помощи проведенной в работе tions with participation of impurity states have been measured in комбинированной методики исследований в спектре ФО photoreflectance spectra on the medium-doped crystalline GaAs GaAs была идентифицирована примесная компонента, substrates within the range of the E0 fundamental transition at определена ее спектральная форма, определена фаза room temperature. For their identification the phase analysis of запаздывания и исследована зависимость амплитуды и experimental spectra as well as the spectra measurements for фазы запаздывания этой компоненты от плотности ла- various density of the laser excitation were used. In the frames of зерного возбуждения. Меньшее по сравнению с электро- the latter technique, the dependence of the impurity component модуляционной компонентой значение фазы примесной contribution on the density of laser excitation was determined.

компоненты и ее более слабая зависимость от ПЛВ по- Experimental data treatment proved that the appearance of this зволяют предположить, что за возникновение примесной component was strongly affected by the state of the sample surface.

компоненты ответствен процесс, напрямую связанный с генерацией больших плотностей неравновесных носителей заряда. Проведенные исследования показывают, что состояние поверхности имеет решающее значение для наблюдения примесной компоненты.

Список литературы [1] E. Gutsche, H. Lange. Phys. Stat. Sol., 22, 229 (1967).

[2] D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973).

[3] S.K. Brierley, D.S. Lehr. J. Appl. Phys., 67, 3878 (1990).

[4] C. Durbin, J.P. Estrera, R. Glosser, W. Duncan, R.L. Henry, P. Nordquist, N. Bottka, D.K. Gaskill. Appl. Phys. Lett., 61, 1549 (1992).

[5] M. Gal, R. Shi, J. Tann. J. Appl. Phys., 66, 6196 (1989).

[6] O.J. Glembocki, N. Bottka, J.E. Furneaux. J. Appl. Phys., 57, 432 (1985).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.