WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

приближается к Ai и резко уменьшается, eff v Ai [7] Н.Н. Григорьев, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 34, (см. рис. 1, вставку на рис. 2 (T > 130 K)). Следует 1088 (1989).

отметить, что при некоторых концентрациях (превыша[8] А.И. Власенко, Ю.Н. Гаврилюк, А.В. Любченко, Е.А. Сальющих критические) и размерах включений, обусловленков. ФТП, 13, 2180 (1979).

ных флуктуациями состава, зависимости vAi(T ) и eff(T ) [9] А.И. Власенко, К.Р. Курбанов, А.В. Любченко, Е.А. Сальв этой области могут не совпадать, а eff будет опредеков. УФЖ, 27, 1392 (1982).

ляться рекомбинационными параметрами не матрицы, а [10] А.И. Власенко, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 25, включений.

434 (1980).

Из указанного становится ясным относительное вы- [11] M.D. Blue. Phys. Rev., 134, 226 (1964).

равнивание, как правило, немонотонных в области силь- [12] J.L. Shmit. J. Appl. Phys., 42, 803 (1971).

[13] М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976).

ного поглощения спектральных характеристик ФП при нагревании (рис. 2). Действительно, в отсутствие варизонности Редактор Л.В. Шаронова 2 2 v ni + 1 ni - nv n0i = = 1 + ; ni =. (5) 2 i nv + 1 nv + 1 ni С повышением T и переходом в область собственной проводимости (ni, nv 1) величины v и i сближаются, что обусловливает эффект относительного коротковолнового очувствления при нагревании. Небольшие флуктуации спектральной характеристики сохраняются, Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. Температурные зависимости фотопроводимости кристаллов CdHgTe с фотоактивными включениями Temperature dependencies of photoconductivity of CdHgTe crystals with photoactive inclusions A.I. Vlasenko, Z.K. Vlasenko Institute of Physics of Semiconductors, National Academy of Sciences of Ukraine, 252028 Kiev, Ukraine

Abstract

Temperature dependencies of life time and spectral characteristics of photoconductivity for CdxHg1-xTe crystals (x = 0.2) with photoactive inclusions were investigated. It was shown, that the N-type character of effective life time temperature dependencies in nonhomogeneous crystals, in particular, its sharp temperature activation in the region of transition from the impurity to the intrinsic conductivity is determined by not the Shockley–Read mechanism, but by the interband impact (collision) mechanism with changing effective geometrical sizes of recombination active regions under temperature increase. Within the frames of this model one can account for the smoothing of the non-monotone character of the photoconductivity spectral characteristics in the region of fundamental absorption under the heating. The calculation results that are in qualitative agreement with the experimental data are presented.

Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.