WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

На рис. 6 представлены подгонки формы спектра, в Рис. 5. Экспериментальные спектры ФО, полученные для результате которой были идентифицированы три компоканалов X и Y на гомоэпитаксиальном образце GaAs/GaAs.

ненты. Первая выделенная составляющая соответствует среднеполевому вкладу (ФКО/FKO). Второй составляющей являются так называемые низкоэнергетические интерференционные осцилляции (НЭИО/LEIO) [9–11], представляющие собой результат интерференции сигнала ФО от границы раздела в тонком (d = 2.3мкм) гомоэпитаксиальном слое. В области энергии перехода E0 была выявлена экситонная структура (о наблюдении экситонных структур ФО при комнатной температуре сообщается также в [12–14]). Для каждой из трех спектральных составляющих может быть построена ее собственная линейная фазовая диаграмма. Из представленных в нижней части рис. 7 однокомпонентных фазовых диаграмм явно видно отличие фазовых запаздываний отдельных спектральных составляющих.

Экспериментальная фазовая диаграмма, изображенная в верхней половине рис. 7, представляет собой типичную Рис. 6. Результаты спектрального анализа спектра X(E) ФО из рис. 5. Для сравнения представлена изображенная штриховой линией лучшая подгонка экспериментального спектра, составленная из трех показанных далее спектральных компонент. Параметры подгонки: a — (exciton) Eexc = 1.416 эВ, = 23.6мэВ; b — (LEIO) dlayer = 2345 нм; c — (FKO) E0 = 1.432 эВ, F = 7.31 107 В/м, =20.5мэВ.

С учетом значения частоты модуляции f = 2500 Гц и при использовании формул (4), (6) были получены представленные в таблице значения соответствующих временных постоянных. Идентифицированная наряду со среднеполевым вкладом вторая компонента ФО обладает энергией главного пика, лежащей на 17 мэВ ниже Рис. 7. Реконструкция (сплошная линия) экспериментальной значения первого вклада. Соответствующие оптические фазовой диаграммы (треугольники), построенной из предстапереходы должны быть, видимо, связаны с модуляцией вленных на рис. 6 спектров. В нижней части рисунка предстаоптических переходов на дефектах или легирующих при- влены собственные линейные фазовые диаграммы каждой из месях. трех составляющих спектральных компонент.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Фазочувствительный анализ спектров фотоотражений n-GaAs петлевую структуру, характерную для многокомпонент- Lock–in–phase analysis of ного спектра. Путем использования подгонок спектров photoreflectance spectra of GaAs фотоотражения полученных и для X, и для Y каналов A.V. Gansha†, W. Kircher†, R.V. Kusmenko†, ФЧУ была проведена реконструкция фазовой диаграмJ. Schreiber† and S. Hildebrandt† мы, хорошо совпадающия с экспериментальной.

В таблице собраны полученные экспериментальные Voronezh State University, значения фазовых задержек и определенных из них 394000 Voronezh, Russia † характеристических временных постоянных идентифи- Fachbereich Physik der Martin–Luther Universitt цированных спектральных компонент ФО. Из про- Halle-Wittenberg, веденного нами анализа обширных экспериментальных D-06108 Halle (Saale), Germany данных можно сделать вывод о том, что наименьшими временными постоянными в каждом спектре обладают

Abstract

By means of 2-channel lock–in–technique the photoreэкситонные компоненты, Напротив, компоненты ФО, со- flectance (PR) signal phase dependence of E0 transitions in GaAs ответствующие оптическим переходам с участием дефек- samples was investigated. As the result of the detailed analysis of PR spectra, the spectral components and their synchronious phases тов или легирующих примесей и низкоэнергетическим were established. Time constants of the PR signal were calculated интерференционным осцилляциям, обладают наибольfor the registered one- and multicomponent PR spectra. The time шими временными постоянными относительно других dependence R/Rj ± exp(-t/j) of PR signal was influenced компонент соответствующих спектров.

by the retarded reaction of the semiconductor surface or interface Дальнейшие исследования должны показать, каким electric fields on the photomodulation.

образом относительно большие значения временных поFax: 049-345-55-25-стоянных могут быть связаны с процессами перезаE-mail: gansha@physik.uni-halle.de рядки в приповерхностных областях рассматриваемых e5caf@mlucom.urz.uni-halle.de полупроводниковых структур. Такие исследования могут оказаться интересной областью применения фазочувствительной спектроскопии фотоотражения.

Список литературы [1] E.G. Seebauer. J. Appl. Phys., 66, 4963 (1989).

[2] H. Shen, M. Dutta, R. Lux, W. Buchwald, L. Fotiadis, R.N. Sacks. Appl. Phys. Lett., 59, 321 (1991).

[3] W. Zhou, M. Dutta, H. Shen, J. Pamulapati, B.R. Bennet, C.H. Perry, D.W. Weyburn. J. Appl. Phys., 73, 1266 (1993).

[4] V.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Sol. St. Electron., 37, 657 (1994).

[5] D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973).

[6] М. Кардона. Модуляционная спектроскопия (М.: Мир, 1972).

[7] H. Shen, Z. Hang, S.H. Pan, F.H. Pollak, J.M. Woodall. Appl.

Phys. Lett., 52, 2058 (1988).

[8] T. Kanata, M. Matsunaga, H. Takakura, Y. Hamakava, T. Nishino. J. Appl. Phys., 66, 358 (1989).

[9] D. Huang, D. Mui, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 66, 358 (1989).

[10] N. Kallergi, B. Roughani, J. Aubel, S. Sundaram. J. Appl. Phys., 68, 4656 (1990).

[11] H.K. Lipsanen, V.M. Airaksinen. Appl. Phys. Lett., 63, (1993).

[12] S. Adachi. Phys. Rev. B, 41, 1003 (1990).

[13] D. Nolte, M. Melloch. MRS Bulletin, March 1994, p. 44.

[14] R. Wang, Desheng Jiang. J. Appl. Phys., 72, 3826 (1992).

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.