WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Дрейфовые потенциальные барьеры малы по сравнеЧисленный расчет n(I) для интенсивностей нию с рекомбинационными, следовательно, дрейфовая излучения из используемого диапазона значений подвижность неравновесных носителей заряда, опреде(5 · 1020 квант/см2 · с < I < I ), удовлетворяющих ляющая ФП, пренебрежительно слабо изменяется при условию (8), показывает, что ЛАХ JPH n(I) Ia, освещении [9,11,12]. В этом случае непосредственно теоретически описываемая формулой (9), близка к измеряемую в эксперименте величину — сигнал ФП корневой зависимости и становится более крутой при JPH можно считать пропорциональным концентрации интенсивностях, близких к I. Удовлетворительное фотогенерируемых неравновесных носителей. С учетом совпадение теоретически рассчитанной зависимости ФП выражения (5) явный вид ЛАХ описывается линейной от интенсивности импульсов лазера и ЛАХ, измеренной зависимостью от интенсивности импульсов излучения при I < I, свидетельствует в пользу предложенной лазера модели потенциальных барьеров на границах зерен для JPH n I. (6) объяснения особенностей фотоэлектрических свойств поликристаллических слоев КРТ.

Такой ход ЛАХ (с единичным коэффициентом наклона a = 1) при T = 300 K наблюдается при интенсивности I > I (рис. 2, a, кривая 2). Понижение амплитуды баСписок литературы рьера V(r) до величины kT при I I является причиной изменения коэффициента наклона ЛАХ со значения 0.5, [1] А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические обусловленного квадратичной рекомбинацией неравно- основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлеквесных носителей в зерне, на значение 1, характерное троники (Киев, Наук. думка, 1984).

[2] В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводдля однородного полупроводника, когда рекомбинация ников (М., Наука, 1990).

происходит как в зерне, так и на межзеренной границе.

[3] Б.И. Шкловский. ФТП, 7, 112 (1973).

При I < I потенциальные барьеры существенно [4] Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их влияют на поведение ФП, о чем свидетельствует ход исследования (М., Радио и связь, 1990).

ЛАХ и аномально большое время жизни неравновесных [5] W. Beyer, H. Overhof. Semicond. Semimet., 21C, 257 (1984).

носителей заряда (рис. 2, a, кривая 2, кинетика ФП, [6] Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Шредин. Полупроводрис. 2, b). В [9] показано, что когда выполняется условие никовые твердые растворы и их применение (М., для потенциального барьера Воениздат, 1982).

[7] C.F. Freeman. J. Vac. Sci. Technol. B, 9(3), 1613 (1991).

e2N2/3 [8] Б.Г. Гирич, В.М. Лакеенков. В сб.: Новости науки и E (7) техники (М., 1990) вып. 3.

(n)1/Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Фотоэлектрические и электрические свойства поликристаллических слоев CdxHg1-xTe... [9] А.Я. Шик. ЖЭТФ, 68, 1859 (1975).

[10] Г.Н. Галкин. Тр. физ. ин-та им. П.Н. Лебедева АН СССР, 128(3) (1981).

[11] В.Б. Сандомирский, А.Г. Ждан, М.А. Мессерер, И.Б. Гуляев. ФТП, 7, 1314 (1973).

[12] С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963).

Редактор В.В. Чалдышев Photoelectric and electrical properties of polycrystalline CdxHg1-xTe films on GaAs substrates V.A. Gnatyuk, O.S. Gorodnychenko, P.E. Mozol, O.I. Vlasenko Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of the Ukraine 252028 Kyiv, Ukraine

Abstract

A study has been made of the temperature dependences of the conductivity, concentration, mobility of electrons, nonequilibrium charge carrier lifetime as well as of the photoconductivity spectra and lux-ampere characteristics of polycrystalline CdxHg1-xTe films grown on GaAs substrates. The peculiarities of the current transfer and photoconductivity of obtained CdxHg1-xTe/CdTe/GaAs structures are being discussed. It is established that a high photosensitivity at T = 300 K and the jump in the lux-ampere characteristic at high excitation rates occur due to the influence of electrically active intergrain boundaries which create potential barriers for the drift and recombination of charge carriers. It is shown within the framework of a model of an inhomogeneous semiconductor, the energy bands of which are modulated by a random potential, that at high rates of excitation with ruby or neodymium laser pulses the amplitude of potential barriers diminishes because of the screening by nonequilibrium carriers.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.