WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

 

На правах рукописи

Мустафаев Арслан Гасанович

научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки

Специальность: 05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени

доктора технических наук

Новочеркасск 2011

Работа выполнена в ГОУ ВПО «Дагестанский государственный технический университет» Министерства образования и науки РФ.

Научный консультант:

доктор технических наук, профессор

Козырев Евгений Николаевич

Официальные оппоненты:

       доктор технических наук, профессор

Шерченков Алексей Анатольевич

доктор технических наук, профессор

Каргин Николай Иванович

доктор технических наук, профессор

Хасцаев Борис Дзамбулатович

       

Ведущая организация:

ФГОУ ВПО Национальный исследовательский технологический университет «Московский институт стали и сплавов» (г. Москва)

Защита состоится «27» октября 2011 г. в 1000 часов на заседании диссертационного совета Д 212.304.09 в ГОУ ВПО “Южно-Российский государственный технический университет» по адресу: ул. Просвещения, 132, г. Новочеркасск, Ростовская область, 346428.

С диссертационной работой можно ознакомиться в библиотеке университета.

Автореферат разослан “___” __________ 2011 г.

Ученый секретарь

диссертационного совета,

к.т.н., доцент                                                       Устименко В.И.

Общая характеристика работы

Актуальность темы

Повышенный интерес к технологии изготовления структур кремний на изоляторе (КНИ) обусловлен возможностью улучшить такие характеристики интегральных схем, как быстродействие, предельная рабочая температура, радиационная стойкость. Благодаря уменьшению геометрических размеров, утечек, паразитных емкостей и повышению изоляционных параметров элементов также можно снизить потребление энергии. Кроме того, приборы на структурах КНИ можно применять в экстремальных условиях эксплуатации. Необходимо отметить, что КНИ- технология является одним из наиболее динамично развивающихся направлений полупроводникового материаловедения. Однако проблема обеспечения высоких электрофизических и функциональных параметров приборов, а также их радиационной стойкости и надежности в существенной мере определяется высокой дефектностью приборных слоев кремния. Для структур «кремний на сапфире» эта дефектность обусловлена, в частности, различием кристаллографического строения кремния и сапфира, а также автолегированием кремниевой пленки алюминием из сапфировой подложки до концентраций 1018- 1020 см-3. При формировании скрытого изолирующего слоя имплантацией в кремний ионов кислорода, высокая дефектность приборного и изолирующего слоев обусловлена повреждениями кристаллической решетки и различием температурных коэффициентов линейного расширения кремния и оксида.

В связи с этим особую актуальность приобретает решение проблемы по разработки  способов и технологии получения качественных слоев кремния, обеспечивающих возможность формирования структур на изолирующих подложках с требуемым набором структурных и электрофизических параметров и позволяющих расширить область применения КНИ-структур и повысить надежность приборов на их основе.

Работа выполнена в соответствии с федеральными целевыми программами: «Электронная Россия» на 2002- 2006 годы; «Национальная технологическая база» на 2007- 2011 годы».

Цель работы состоит в выявлении закономерностей применения воздействия ионов и ионизирующих излучений, и разработке научно обоснованных принципов управления электрофизическими параметрами тонких слоев кремния на изолирующих подложках и границ раздела пленка-подложка.

Для достижения этой цели были сформулированы и решены следующие научно-технические задачи:

  1. Исследовать влияние ионизирующего облучения на гетеро- и полупроводниковые структуры, изготовленные по различным конструктивно-технологическим вариантам.
  2. Установить эффективность использования имплантации ионов для управления зарядовым состоянием и параметрами структур на подложках сапфира.
  3. Определить возможность управления параметрами тонких кремниевых пленок на подложках сапфира, обработкой подложки ионами Si+, O+ и Ar+.
  4. Установить взаимосвязь между параметрами процесса роста и характеристиками эпитаксиального слоя и определить возможность получения пленок кремния на сапфире заданного состава.
  5. Определить технологические режимы воспроизводимого получения качественных пленок кремния на сапфировых подложках.
  6. Разработать новые технологические способы изготовления структур на подложках сапфира с улучшенными параметрами.
  7. Исследовать возможность получения КНИ-структур на основе окисленного пористого кремния.
  8. Исследовать возможность разработки технологии формирования КНИ-структур с применением скрытого изолирующего слоя на основе Si3N4.
  9. На основе проведенных исследований разработать технологические режимы формирования скрытых изолирующих диэлектрических слоев SiO2 и Si3N4, для создания КНИ-структур с высокими электрофизическими параметрами.
  10. Исследовать пути совершенствования и оптимизации технологических процессов изготовления полупроводниковых приборов.

Научная новизна

  1. Впервые установлены закономерности и принципы управления электрофизическими параметрами тонких слоев кремния на изолирующих подложках и границ раздела пленка-подложка, отличающиеся тем, что они основаны на создании условий, обеспечивающих получение структур кремния на изоляторе с пониженной дефектностью путем воздействия ионов и ионизирующих излучений.
  2. Разработаны способы предэпитаксиальной подготовки подложек сапфира, отличающиеся от известных тем, что для получения пленок кремния на сапфире с пониженной дефектностью проводится обработка сапфировой подложки ионами Si+, O+, Ar+, режимы которой обеспечивают уменьшение несоответствия решеток между эпитаксиальной пленкой кремния и подложкой, и улучшение структуры пленок кремния за счет образования тонкой слабо разупорядоченной переходной области в поверхностном слое подложки.
  3. Предложен способ изготовления КНС-структуры, отличающийся от известных трехступенчатым процессом эпитаксиального выращивания пленок кремния, включающим осаждение тонкого (0.1- 0.2 мкм) слоя кремния из газовой фазы, частичную аморфизацию начального слоя кремния ионной имплантацией, рекристаллизацию кремния в твердой фазе и последующее наращивание кремния до необходимой толщины методом газовой эпитаксии, режимы которого обеспечивают улучшение качества КНС-структуры.
  4. Разработан способ изготовления КНИ-структуры, отличающийся от известных формированием под слоем кремниевой пленки слоя диоксида кремния, имплантацией ионов кислорода с последовательным набором интегральной дозы в три этапа, режимы которого обеспечивают снижение дефектности приборного слоя кремния и получение КНИ-структуры с высокими электрофизическими параметрами за счет снижения механических напряжений.
  5. Предложены и защищены патентами России способы снижения дефектности и токов утечки в полупроводниковых структурах на изолирующих подложках.
  6. Предложены и защищены патентами России способы повышения быстродействия и радиационной стойкости полупроводниковых приборов.

Практическая ценность. Установленные теоретические и экспериментальные закономерности улучшения свойств тонких полупроводниковых пленок кремния на изолирующих подложках и структур на их основе открывают возможности их использования при разработке новых и оптимизации существующих технологических процессов создания изделий микроэлектроники. Полученные экспериментальные и теоретические результаты используются в учебном процессе при чтении лекций и проведении лабораторных занятий по дисциплинам специальностей: 210104.65 - Микроэлектроника и твердотельная электроника, 210803.65 - Микроэлектроника и полупроводниковые приборы, и направления: 210100.68 и 210100.62 - Электроника и микроэлектроника в ГОУ ВПО «Кабардино-Балкарский государственный университет».

Ниже приводятся конкретные результаты и их применение.

  1. Полученные результаты по влиянию ионизирующего облучения на параметры и характеристики полупроводниковых структур на основе кремния расширяют возможность создания радиационно-стойких приборов электроники. Результаты внедрены в ОАО СКБ «Элькор».
  2. Разработаны способы обработки ионами и ионизирующим излучением обеспечивающие снижение зарядового состояния и повышение стабильности параметров полупроводниковых приборов. Результаты внедрены в ОАО «НЗПП».
  3. Разработаны способы создания скрытых изолирующих слоев на основе SiO2, Si3N4, SiO2+Si3N4 обеспечивающие снижение дефектности структур кремний на изоляторе. Результаты внедрены в ОАО «НЗПП».
  4. Разработан способ формирования слоя диоксида кремния в хлорсодержащей среде обеспечивающий снижение дефектности и повышение стабильности параметров полупроводниковых приборов. Результаты внедрены в ОАО «НЗПП».
  5. Полученные результаты по влиянию ионной имплантации и воздействию ионизирующих излучений на границу раздела диэлектрик-полупроводник расширяют возможность создания полупроводниковых приборов на основе МДП-структур. Результаты внедрены в ЗАО «ЭПЛ».
  6. Разработаны способы изготовления транзисторных n-p-n-структур методом самосовмещения, с применением поликристаллического кремния, с минимальным отклонением линейных размеров (< 0.1 мкм). Результаты внедрены в ОАО СКБ «Элькор».
  7. Разработаны оптимизированные конструктивно-технологические варианты формирования транзисторных n-p-n-структур с применением межкомпонентной диэлектрической изоляции диоксидом кремния, обеспечивающие повышение радиационной стойкости. Результаты внедрены в ОАО СКБ «Элькор».
  8. Разработанные способы изготовления структур кремний на изоляторе с пониженной дефектностью могут быть использованы для оптимизации типовой структуры и получения полупроводниковых приборов с улучшенными параметрами и характеристиками. Патенты РФ № 2210141, №2284611, №2330349, №2356125.
  9. Разработаны способы формирования пленок кремния на сапфире обеспечивающие уменьшение рассогласования кристаллических решеток между эпитаксиальной пленкой кремния и подложкой с применением обработки ионами Si+, O+, Ar+, B+ и оптимизацией скорости роста пленки кремния на сапфире. Результаты внедрены в ЗАО «ЭПЛ».
  10. Разработаны способы формирования структур кремний на изоляторе на основе окисленного пористого кремния, селективным анодированием скрытого n+ слоя. Результаты внедрены в ЗАО «ЭПЛ».
  11. Разработаны и предложены для практического применения способы изготовления структур на изолирующих подложках. Патенты РФ №2256980, №2275712, №2280915, №2292607, №2298250, №2302055, №2340038, №2344511.

Обоснованность и достоверность научных положений и выводов, сформулированных в диссертации, подтверждаются согласованностью полученных результатов и следствий из них с известными литературными, теоретическими и экспериментальными данными, результатами апробирования и внедрения при изготовлении полупроводниковых приборов и ИС.

Личный вклад автора. Автором лично определена идеология всей работы, сформулированы цель и задачи работы, осуществлена постановка теоретических и экспериментальных исследований, проведено обобщение полученных лично им результатов, а также в соавторстве с сотрудниками ДагГТУ, КБГУ и ОАО СКБ «Элькор». В цитируемых автором работах ему принадлежит выбор основных направлений и методов решения задач, трактовка и обобщение полученных результатов.

Основные положения, выносимые на защиту

  1. Технология получения полупроводниковых слоев кремния на сапфировой подложке с заданными электрофизическими параметрами воздействием ионов на диэлектрическую подложку.
  2. Воздействие облучения высокоэнергетичными электронами полупроводниковых структур изготовленных по различным конструктивно-технологическим вариантам изоляции элементов, позволяющее оптимизировать технологию изготовления и структуру элементов ИС и уменьшить влияние излучения на параметры полупроводниковых структур.
  3. Технологические режимы получения пленок кремния на сапфире с улучшенной структурой.
  4. Влияние температуры подложки и дозы внедряемого кислорода, при имплантации ионов, на параметры слоя кремния в КНИ-структуре.
  5. Технология формирования скрытого изолирующего слоя в КНИ-структурах имплантацией ионов кислорода.
  6. Технология получения приборного слоя кремния на изолирующих подложках для формирования полупроводниковых приборов на КНИ-структурах с высокими электрофизическими параметрами.
  7. Новые технологические способы формирования пленок кремния и изготовления полупроводниковых структур на изолирующих подложках обладающих улучшенными параметрами.

Апробация работы. Основные результаты докладывались на: 5, 6, 7 и 10 международных научно-технических конференциях "Актуальные проблемы твёрдотельной электроники" (Таганрог 1998г, Таганрог 1999г, Таганрог 2000г, Таганрог 2006г); Международном научно-техническом семинаре "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва 1999г, Москва 2000г, Москва 2001г, Москва 2007г, Москва 2008г, Москва 2009г); 8, 9, 10 и 12 международных совещаниях "Радиационная физика твёрдого тела"' (Севастополь 1998г, Севастополь 1999г, Севастополь 2000г, Севастополь 2002г); 2 и 3 Российских школах ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов кремния (Москва 2001г, Москва 2005г); 3, 4 и 6 Российских конференциях по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Москва 2003г, Москва 2007г, Новосибирск 2009); Северо-Кавказской региональной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых "Перспектива" (Нальчик 1999г, Нальчик 2000г); Всероссийской научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Перспектива» (Нальчик 2005г, Нальчик 2006г); Международном симпозиуме "Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах" (Сочи 2002г); Второй Всероссийской научной internet- конференции «Компьютерное и математическое моделирование в естественных и технических науках» (Тамбов 2001г); 6 и 7 Российско-Китайском симпозиумах «Новые материалы и технологии» (Пекин 2001г, Москва 2003г); Международном симпозиуме «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» (Сочи 2003г); 5, 6, 7 и 8 международных научных конференциях «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск 2005г, Кисловодск 2006г, Кисловодск 2007г, Кисловодск 2008г); Международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике» (Нальчик 2009г).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 85 научных работ, из них 67 приведенные в конце автореферата отражают основные результаты диссертации, в том числе 35 работ в центральной печати (19 патентов и 16 научных статей).

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Работа содержит 285 страниц машинописного текста, 109 рисунков, 13 таблиц и список литературы из 374 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертационной работы, сформулированы цель и задачи исследовании, научная новизна и практическая значимость полученных результатов, приведены основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе систематизированы данные по различным подходам и методам формирования тонких пленок на изолирующих подложках.

Анализ характеристик КНИ-структур полученных методом сращивания кремниевых пластин, гетероэпитаксией кремния на сапфире и рекристаллизацией кремниевых пленок на аморфной подложке показывает, что широкое использование этих структур в технологии БИС и СБИС сдерживается в связи с низким качеством границы раздела кремний- изолятор, приводящий к существенным токам утечки через структуры. Низкое качество границ гетероэпитаксиальных структур (КНС), обусловлено влиянием повышенной плотности дефектов, генерируемых в процессе роста пленок кремния из-за несоответствия кристаллографических параметров подложки и пленки.

Несмотря на значительные успехи в технологии КНИ-структур, получаемых зонной рекристаллизацией кремниевых пленок на аморфных подложках, приборы и элементы БИС также характеризуются повышенными токами утечки, обусловленными наличием встроенного заряда на границе Si-SiO2. Поэтому применение в технологии КНИ-структур операций, направленных на компенсацию образующегося встроенного заряда, существенно расширило бы возможности этого метода.

Одним из ключевых моментов технологии сращивания пластин является целостность границ раздела, ее нарушение связано с образованием локально несвязанных областей (пор) между сращиваемыми пластинами. Для устранения этих нарушений достаточно эффективно повышение температуры процесса сращивания. Однако увеличение температуры ведет к возникновению в структуре механических напряжений, наличие которых приводит к генерации структурных дефектов, отрицательно сказывающихся на ВАХ приборов и элементов интегральных схем.

Показано, что пленки кремния на изолирующих слоях, полученные имплантацией ионов кислорода или азота, позволяют обеспечить формирование структур транзисторов с улучшенными характеристиками по сравнению с аналогичными приборами, изготовленными на объемных кремниевых пластинах.

Во второй главе приведены использованные в работе методы исследования и анализа свойств и параметров диэлектрических пленок, МДП- и КНИ- структур.

Описаны метрологические особенности вольт-фарадного метода определения параметров МДП-структур в части измерения диэлектрической проницаемости, эффективного встроенного заряда, пороговых напряжений и плотности поверхностных состояний. В работе измерение проведено на лабораторном стенде автоматического измерения C- V- характеристик.

Описан инжекционный метод комплексного контроля параметров диэлектрика в системе МДП путем подачи на структуру прямоугольного импульса тока заданного уровня. Метод позволяет измерять емкость МДП-структуры, ВАХ, напряжение микропробоя, временную зависимость изменения напряжения на структуре, характеризующую процесс зарядовой деградации, а также величину заряда, инжектированного в диэлектрик вплоть до пробоя образца.

Для определения качества и структурного совершен­ства кремниевых структур с заглубленным изолирующим слоем SiO2 сформированным с помощью ионной имплантации кислорода, использован метод измерения времени жизни по затуханию фотопроводимости после окончания короткого импульса излучения с бесконтактным считыванием сигнала.

В процессе контроля качества верхнего слоя структуры необходимо учитывать глубину проникновения излучения, генерирующего но­сителя заряда. При этом требуется использовать излучение с длиной волны менее 0.4 мкм, поглощаемого в кремнии на глубине не более 0.1 мкм. В качестве источника излучения использована импульсная ксеноновая лампа с колбой, прозрачной для УФ- излучения, в комбинации с фильтрами с высоким коэффициентом пропускания коротковолно­вого (менее 0.4 мкм) излучения и блокировкой прохождения длинноволнового излучения.

Анализ поверхности проведен методами ионной и электронной спектроскопии. При анализе поверхности методом электронной Оже-спектроскопии очень важно свести к ми­нимуму повреждения поверхности, обусловленные электронным облу­чением, которое может сопровождаться электронно-стимулированны­ми процессами и адсорбции, десорбции, диффузии и химическими ре­акциями, вплоть до диссоциации поверхностного слоя. Для пре­дотвращения этих эффектов снижают плотность тока первичного пучка, и электронный пучок сканируют по поверхности.

В третьей главе рассмотрены результаты исследований по влиянию облучения на параметры гетероструктур и полупроводниковых приборов, проведен анализ радиацион­ных процессов в них с точки зрения генерации и накопления дефектов, с учетом геометрических особенностей приборных структур и де­градации их параметров.

Показано, что воздействие радиации на гетероструктуру диэлектрик-полупроводник приводит к образованию поверхностных электроактивных центров за счет разрыва напряженных связей между атомами, как в объёме диэлектрика, так и вблизи границы диэлектрик-полупроводник. Изменение плотности поверхностных состояний в процессе облучения зависит от ее первоначальной величины и типа диэлектрика. Более совершенная граница раздела диэлектрик-полупроводник обладает более высокой радиационной стойкостью.

Рис. 1. Зависимость плотности поверхностных состояний в МДП-структуре от дозы электронов: 1- сухой SiO2, 2- влажный SiO2, 3- Si3N4

Облучение МДП-структур электронами с энергией 4 МэВ приводит к увеличению плотности поверхностных состояний, и снижению подвижности свободных носителей заряда вследствие роста общей потен­циальной разупорядоченности границы раздела Si-SiO2. При положительном смещении на затворе электроны дрейфуют в сторону затвора, оставляя область положительного объемного заряда, обусловленную захваченными дырками и вакантными электронными ловушками. Когда все дырочные ловушки заполнены, а элек­тронные опустошены, наступает насыщение объемного заряда. С увеличением дозы ионизирующих частиц, плотность поверхностных состояний в диоксиде растёт, достигая насыщения при дозе 108 -109 рад (рис. 1).

Величина заряда, накапливаемого в нитриде кремния при γ- облучении, также меньше, чем в диоксиде кремния (рис. 2). При облучении в двухслойных системах SiO2-Si3N4 происходит уменьшение встроенного заряда за счёт компенсации положительного заряда в диоксиде кремния отрицательным зарядом, накопленным в нитриде кремния. Основной эффект влияния слоя нитрида кремния на параметры полупроводниковых структур заключается в уменьшении механических напряжений на границе Si-SiO2.

Рис. 2. Зависимость плотности заряда в пленках от дозы γ-облучения

У двухслойных диэлектриков наблюдаемые зависимости объясняются образованием промежуточного заряда на границе раздела двух пленок и наличием потенциального барьера между диэлектриками.

Проведено исследование влияния содержания хлора в кислороде при окислении кремния на генерационное время жизни, скорость поверхностной генерации, плотность поверхностных состояний и термополевую стабильность МДП-структур методами высокочастотных ВФХ и релаксации емкости.

Показано, что введение в поток кислорода добавок хлора при окислении кремния приводит к увеличению времени жизни и снижении скорости поверхностной генерации неосновных носителей, повышению термополевой стабильности МДП-структур. Способ защищен патентом РФ.

Исследованы биполярные полупроводниковые структуры, изготовленные по различным конструктивно-технологическим вариантам и воздействие на них ионизирующих излучений. Показано, что надежность биполярных полупроводниковых структур определяется конструктивно-технологическими особенностями формирования интегральных транзисторов, а именно глубиной залегания эмиттерного и коллекторного p-n переходов, временем жизни неосновных носителей заряда в активных областях структуры, а также уровнем инжекции.

Показано, что основное отличие влияния облучения на биполярные структуры с боковой диэлектрической изоляцией от структур с изоляцией p-n-переходом связано с процессами, протекающими на границе кремния с боковым диоксидом кремния.

Захват дырок в диоксиде на границе Si-SiO2 и генерация быстрых поверхностных состояний при воздействии ионизирующего излучения вызывает:

  • образование канала между скрытыми n+-слоями, вследствие инверсии слоя под дном диэлектрической изоляции;
  • каналирование между эмиттером и коллектором n-p-n транзистора за счет инверсии в области p-базы вдоль боковой стенки диэлектрической изоляции;
  • рост токов в области p-базы, определяемых процессами генерации- рекомбинации у боковой стенки диэлектрической изоляции.

Рис. 3. Зависимость относительного изменения статического коэффициента передачи тока базы от дозы электронов для транзисторов изготовленных: а- с изоляцией p-n-переходом; б- с комбинированной изоляцией; в- методом самосовмещения

Преимущественное проявление того или иного эффекта зависит от соотношения между уровнями легирования области под дном изолирующего диоксида и области базы около боковой стенки диоксида.

С учетом результатов исследования для уменьшения токов утечек, устранения канала между скрытыми слоями, повышения радиационной стойкости биполярных полупроводниковых структур с оксидной изоляцией, разработана усовершенствованная конструкция интегральной полупроводниковой структуры. Соседние скрытые n+-области разделяются сильнолегированными областями р+-типа. Изготовленные по данной типовой структуре приборы имеют более высокую устойчивость к воздействию ионизирующих излучений. Результаты исследования представлены на рис. 3.

Из рис. 3 следует, что величина дозы электронов, при которой значение статического коэффициента передачи тока базы снижается до 0.5 от исходного значения, составляет 2⋅1015 см-2 для транзисторной структуры, изготовленной по планарно-эпитаксиальной технологии с изоляцией p-n-переходом (рис. 3а), и 1016 см-2 для структур, изготовленных по изопланарной технологии (рис. 3б). Т.е. радиационная стойкость при переходе от изоляции элементов p-n-переходом к изоляции элементов диоксидом увеличивается почти на порядок.

Показано, что предварительное облучение кремниевых транзисторов γ- квантами 60Co повышает их устойчивость к импульсным видам излучений и приводит к заметному уменьшению амплитуды импульсов ио­низационных токов (рис. 4). Это обусловлено тем, что процессы генерации избыточных носителей заряда в облученных структурах проходят с мень­шей скоростью, чем в необлученных. Это подтверждается и тем, что дли­тельности импульсов ионизационных токов в облученных транзисторах поч­ти в два раза меньше, чем в необлученных. Снизить величину ионизационно­го тока можно за счет уменьшения геометрических размеров переходов, путем уменьшения объема собирания неравновесных носителей, гене­рируемых излучением, т.е. уменьшением диффузионной длины заряда, что равносильно уменьшению времени жизни носителей. Способ защищен патентом РФ.

Рис. 4. Зависимости ионизационных токов в биполярных транзисторных структурах от мощности импульса ионизирующего излучения (пунктир – предварительно облученные γ-квантами потоком 3⋅108 рад)

Из результатов исследований влияния облучения на биполярные структуры следует, что основными радиационными центрами являются А (вакансия + кислород) и Е (вакансия + атом донора) центры. Регулируя концентрации этих центров, можно получить необхо­димые изменения параметров приборов, однако для приборов с малыми размерами элементов учитывают и радиационные эффекты в периферийных и граничных областях. Это особенно важно для БИС размеры элементов, в которых существенно уменьшены с целью повышения быстродействия и увеличения степени интеграции.

Выявлено, что для уменьшения влияния положительного заряда в диоксиде на работу биполярных полупроводниковых структур, сформированных по изопланарной техноло­гии, изолирующий диоксид целесообразно отдалить от активных об­ластей структур. Для выяснения роли изолирующего диоксида на параметры полупроводниковых структур были изготовлены образцы с различными расстоя­ниями активных областей от изолирующего диоксида (0- 15 мкм). В пристеноч­ном варианте А-центров обнаружено не было, что связано с утечками тока по стенке локального диоксида. Для образцов, в которых расстояние от границы перехода до локального диоксида составляло 15 мкм, концентрация А-центров оказалась типичной. А в образцах, в которых расстояние от активных облас­тей до изолирующего диоксида составляло 3 мкм, концентрация А-центров было почти в 4 раза меньше. Вакансии, образующиеся при облучении, диффундируют в сторону локального диоксида, создавая сток вакансий. Поэтому концентрация вторичных радиационных дефектов, связанных с вакансиями, будет выше у границы локального диоксида. В связи с нелинейным распределением механических напряжений преимущественная диффузия вакансии в сторону локального диоксида менее существенна для образцов, в которых расстояние между активной областью структуры до изолирующего диоксида больше.

Аналогичная зависимость наблюдается и для поверхностных состоя­ний на границе полупроводника с маскирующим диоксидом. С учетом результатов, проведенных исследований, разработана оптимизированная биполярная полупроводнико­вая структура с изоляцией диэлектриком и стойкая к воздействию радиации, где расстояние от изолирующего диоксида до активных областей структур составляет 5- 6 мкм.

В результате проведенных исследований по влиянию ионизирующих излучений на типовые структуры полупроводниковых приборов, с учетом их геометрии разработаны конструкция и технология формирования радиационно-стойких биполярных транзисторных структур методом самосовмещения. Данная технология обеспечивает уменьшение площади p-n- переходов, величины барьерных емкостей эмиттера, коллектора и подложки, а также размеров областей транзисторов.

Уменьшение площади перехода коллектор-база снижает величину накопленного заряда, а это, в свою очередь, приводит к уменьшению времени рассасывания избыточных носителей и времени переключения транзисторной структуры. Разработанная структура по самосовмещенной технологии обладает улучшенными параметрами и повышенной радиационной стойкостью по сравнению с биполярными транзи­сторными структурами, изготовленными с изоляцией обратносмещенным p-n-переходом и ком­бинированной изоляцией (рис. 3в).

Так как параметры приборов и их надежность определяются конструктивно-технологическими особенностями формирования полупроводниковой структуры и геометрическими размерами переходов то для дальнейшего улучшения параметров приборов и повышения уровня интеграции ИС необходим переход к технологии кремний на изоляторе.

В четвертой главе проведено исследование влияния технологических факторов на электрофизические параметры КНС-структур, определены условия и режимы получения структурно совершенных эпитаксиальных пленок кремния на сапфировой подложке.

Выращивание пленок кремния (100) толщиной 0.5 мкм проведено на подложках сапфира при температуре 800- 1000 С. Кристаллическая структура и качество пленок кремния исследованы методами дифракции электронов высокой энергии на отражение и обратного рассеяния ионов Н+ с энергией 400 кэВ. Доля деканалированных ионов определялась по спектрам обратного рассеяния. Профили распределения Al в легированных пленках определены методом масс-спектрометрии ионов. Концентрация носителей заряда и подвижность электронов измерялись методом Ван дер Пау при последовательном стравливании слоев после анодного окисления.

Показано, что сильно разупорядоченная область находится вблизи внутренней границы раздела пленки кремния, качество кристаллической структуры пленки кремния определяется величиной доли деканалированных ионов, которая равна отношению выхода каналированных и деканалированных ионов водорода.

Рис. 5. Зависимость плотности дефектов в кремнии от расстояния до границы раздела Si-Al2O3

С использованием метода, основанного на эффекте каналирования быстрых ионов, определено, что концентрация дефектов и время жизни в кремнии в направлении ортогональном к плоскости сапфира убывает с характеристической постоянной, определяемой технологией изготовления структуры (рис. 5а).

Исследование спектров обратного рассеяния проведено для пленок кремния, необработанной и обработанной ионной (Si+, Ar+, O+) бомбардировкой сапфировой подложки. Показано, что уменьшение выхода каналированных ионов происходит значительно быстрее в пленке, выращенной на обработанной ионами подложке.

Показано, что переход кремний-сапфир является областью переменного состава, состоит преимущественно из алюмосиликатов и представляет в целом сильно неупорядоченную систему, обладает высокой плотностью локализованных состояний, оказывает сильное влияние на электрофизические процессы в КНС-структурах. Перераспределение носителей заряда между локализованными состояниями и зонами в кремнии при термодинамическом равновесии приводит к появлению в кремнии области пространственного заряда, эквивалентной наличию на границе раздела сосредоточенного заряда.

Показано, что величина заряда на границе раздела кремний-сапфир зависит от температуры термообработки и для образцов n- и p-типа начальные заряды имеют противоположный знак: положительный у структуры p-типа и отрицательный у структуры n-типа.

На границе кремний-сапфир накапливается высокая концентрация ловушек и поверхностных состояний. В процессе отжига атомы Al встраиваются в узлы кристаллической решётки кремния и служат дополнительными акцепторами. Все это ухудшает структуру пленки Si. Улучшить границу раздела кремний-сапфир и кристаллическую структуру пленки Si на сапфире можно путем ионной имплантации и термообработки.

Исследованы электронные свойства пленок КНС при термообработке в интервале температур 900- 1100 C. Для этого изготовлены образцы двух типов: без имплантации и с имплантацией ионов бора (доза 1012 см-2, энергия 150 кэВ). После имплантации пленки КНС окислялись в потоке О2 при 900 C в течение 20 мин. Исследование образцов проведено методом фотонапряжения. Наибольшие различия в величине фотонапряжения на различных пленках КНС наблюдаются в области собственного возбуждения при h> Eg. Наименьшее значение фотонапряжения получено в не подвергнутых термообработке образцах, наибольшее – в пленках, подвергнутых термообработке. Такая же ситуация имеет место для ионно-имплантированных и нелегированных пленок. В результате термообработки увеличивается время жизни избыточных носителей заряда. В области высоких температур фотонапряжение спадает с характеристической энергией активации 0.5 эВ (рис. 6).

Относительное изменение величины фотонапряжения используется для количественных оценок неоднородности кремния на сапфире. Для лучших пленок КНС относительное изменение величины фотонапряжения составило < 3%. Эта же величина для нелегированных пленок составляет ~15%. В результате ионной имплантации однородность пленки повышается. Наблюдается улучшение времени жизни носителей заряда, уменьшение концентрации глубоких центров и уменьшение неоднородностей, как в исходных, так и в ионно-имплантированных КНС пленках после отжига. Наилучшие результаты получены на пленках после отжига при 1100 C в течение 3 часов. Предполагается, что уменьшение концентрации глубоких центров происходит в результате геттерирующего действия границы раздела между кремнием и сапфиром. При высокотемпературном отжиге происходит перераспределение Al вблизи границы кремний-сапфир, что отражается на уменьшении степени аморфизации и неоднородностей на границе.

Рис. 6. Зависимость величины фотонапряжения структуры КНС от температуры

В зависимости от скорости роста пленки кремния на границе раздела изменяется плотность заряда, величину которого задают, варьируя условия роста системы КНС. Плотность заряда на поверхности раздела равна 2⋅1012 см-2 с положительным знаком в случае быстрого роста и 0.8⋅1012 см-2 с отрицательным знаком в случае медленного роста.

Образцы с большой скоростью роста характеризуются более совершенной структурой, в том числе в области поверхности раздела. При медленном росте пленки кремния характеризуются более высоким содержанием Al, так как время слияния растущих островков кремния оказывается большим и продолжительное воздействие газовой среды реактора (H2+ SiH4) ведет к вытравливанию Al из сапфира и последующему его встраиванию в слой кремния. Исследование технологических режимов создания КНС-структур показывает, что проведение отжига сапфировой подложки в водороде непосредственно перед наращиванием кремния от 980 °С до 1150 °С приводит к уменьшению тока утечки в n-канальных МДП-транзисторах.

По результатам исследований определенны оптимальные режимы выращивания пленок Si, которые обеспечивает получение пленок наилучшего качества. Пределы оптимальных температур составляют 945± 15 C, а скорость выращивания 5.3- 6.0 мкм/мин. Способ защищен патентом РФ.

Для улучшения качества КНС-структуры разработана также технология трехступенчатого процесса эпитаксиального выращивания пленок кремния. На первом этапе из газовой фазы (SiH4+ H2) осаждают тонкий (0.1- 0.22 мкм) слой Si, частично аморфизированный путем ионной имплантации Si+. Затем проводят рекристаллизацию Si в твердой фазе путем термического нагрева до 950 C в течение 1 часа в H2. На заключительном этапе методом газовой эпитаксии толщину слоя Si доводят до заданной величины. Способ защищен патентом РФ. Энергия ионов Si+ выбирается так, чтобы избежать проникновения в сапфировую подложку. Последнее влечет за собой генерацию дополнительной акцепторной примеси (Al), образование заряженных дефектов в сапфире и как следствие появление избыточных токов утечки в МДП-транзисторах.

Показано, что степень нарушения кристаллографической структуры сапфира пропорциональна произведению плотности внедренных атомов Si, достигших поверхности сапфира (NА), и их остаточной энергии (Ев), если последняя превышает энергетический порог повреждения сапфира. Результаты расчета и данные экспериментов по обратному рассеянию ионов показывают, что для структур КНС с начальной толщиной Si 0.22 мкм при энергии имплантации 125 кэВ и дозе 3⋅1015 см-2, (Ев= 12,6 кэВ, NА= 1.5⋅1015 см-2) в сапфире возникают значительные повреждения кристаллографической структуры. При начальной толщине Si 0.1 мкм, энергии 55 кэВ и дозе 1015 см-2 характерна полная аморфизация Si и отсутствие повреждений сапфира.

Проведено исследование влияния имплантированных к границе раздела ионов бора на ток утечки. Ионная имплантация бора проведена таким образом, чтобы пик концентрации пришелся на границу раздела кремний-сапфир. Результаты исследования показывают, что при имплантации ионов бора ток утечки снижается и достигает насыщения при дозе (2.5- 3)⋅1012 см-2. Способ защищен патентом РФ.

Различие температурных коэффициентов линейного расширения кремния и сапфира приводит к появлению значительных внутренних напряжений в КНС-структурах и увеличению токов утечки.

Для уменьшения токов утечки, снижения напряжений в КНС-структурах и улучшения параметров приборов разработан способ создания полупроводникового прибора, основанный на формировании под слоем кремниевой пленки слоя диоксида кремния, толщиной 0.2- 0.4 мкм при температуре подложки 700- 1080 С. При этом на границе раздела кремниевая пленка-диоксид кремния происходит снижение плотности структурных дефектов из-за уменьшения несоответствия решеток. Способ защищен патентом РФ.

Имплантация ионов (Si+, Ar+ и O+) в поверхностный слой подложки приводит к образованию тонкой и слабо разупорядоченной переходной области в пленке, которая уменьшает несоответствие решеток между эпитаксиальной пленкой Si и подложкой. Показано, что относительное содержание Al в пленке Si, обработанной ионами Ar+, O+, Si+ уменьшается вследствие стабилизации Al, и на ранних стадиях эпитаксиального роста атомы Al в свободном состоянии на границе раздела Si-Al2O3 отсутствуют.

По результатам исследования свойств и профилей распределения Al в пленках, выращенных на сапфировых подложках, предварительно обработанных ионами кислорода в диапазоне доз (5⋅1012- 4⋅1014 см-2) с энергией (10- 65) кэВ, оптимизированы технологические процессы формирования КНС-структур с пониженной дефектностью (рис. 5б). Способ защищен патентом РФ.

В пятой главе рассмотрены технология формирования диэлектрических пленок на основе пористого кремния (ПК) и возможность получения КНИ-структур окислением пористого кремния.

Показано, что ПК может быть использован как в качестве полупроводниковых, так и диэлектрических слоев в приборах и интегральных схемах. В рамках одного процесса травления варьированием режимов (плотностью тока анодирования, освещенностью) можно получать многослойные структуры, когда каждый слой обладает заданной пористостью и геометрией пор.

Для минимизации механических напряжений, возникающих при окислении, оптимальными являются слои с пористостью около 50%, так как при этом происходит увеличение объема твердой фазы приблизительно на 56%, которое компенсируется за счет пространства пор. Процесс формирования диэлектрических пленок с использованием пористых слоев происходит при температурах более низких, чем при термическом окислении кремния.

В основе FIPOS-технологии (полная изоляция пористым окисленным кремнием) лежит выращивание на монокристаллической подложке p-типа слоя нитрида кремния толщиной 0.1 мкм. Этот слой травится, и в нем остаются только отдельные защитные участки, маскирующие кремниевые островки, в которых будут изготавливаться элементы ИС. В защищенные области кремния имплантируются ионы бора, в результате чего в них образуется кремний p-типа, а под маску Si3N4 в кремниевые островки, на глубину до 0.5 мкм внедряются ионы водорода. Последующий отжиг при температуре 300- 500 °С приводит к тому, что области, где имплантирован водород, приобретают электронную проводимость. С помощью электрохимической обработки области кремния с дырочной проводимостью, расположенные между островками n-типа и непосредственно под ними, превращаются в ПК, для чего пластину помещают в электролит и через нее в направлении снизу вверх пропускают электрический ток. Этот ток течет через всю пластину за исключением лишь островков n-типа, которые он обтекает по краям, попадая в промежуток между соседними островками. При этом сначала происходит переход в пористое состояние областей p+-типа между островками n-типа, а затем областей p-типа, лежащих под этими островками. Последующее окисление пластины осуществляется во влажном кислороде при температуре 1000 °С. При окислении также происходит удаление ионов водорода, ранее имплантированных в области n-типа, в результате чего эти монокристаллические области возвращаются в исходное состояние с проводимостью p-типа. В конце процесса с пластины удаляются участки пленки Si3N4 над островками, после чего осуществляется изготовление n- и p-канальных МДП-транзисторов.

Свойства пористой анодной пленки определяются состоянием подложки и режимов проведения электрохимического процесса. Исследование режимов получения оксидной пленки проведено на пластинах кремния КДБ-0.3 со скрытым n+-слоем и эпитаксиальным слоем n-типа толщиной 0.2 мкм. Анодирование осуществлено в концентрированном растворе плавиковой кислоты в ячейке из винипласта с серебряным катодом в гальваностатическом режиме. Области создания разделительной изоляции предварительно легировали бором до различной концентрации. Это связанно с тем, что образование пористого анодного слоя на кремнии протекает с участием дырок и поэтому зависит от их содержания в полупроводнике. Все это приводит к изменению свойств пористого анодного диоксида.

Исследование глубины пористого анодного слоя, полученного в областях с разным уровнем легирования, показывает, что наилучшее качество имеют слои, полученные на базе пористого кремния, сформированного в областях, предварительно легированных бором до величины поверхностного сопротивления 40 Ом/. Эти слои образуют минимальный провал на границе окисленного и монокристаллического кремния, имеют низкую скорость травления по диоксиду в области формирования активных компонентов схемы.

Важными параметрами, влияющими на электрохимический процесс, являются плотность тока и время проведения эксперимента. Увеличение продолжительности анодирования при заданном токовом режиме приводит к линейному возрастанию глубины анодного слоя. Подбор режимов анодирования кремниевых n- и p-эпитаксиальных структур позволяет с наилучшей воспроизводимостью получать оксидные слои с минимальной ступенькой на границе Si-SiO2.

Большое влияние на свойства, окисленного пористого кремния, оказывают условия подготовки его к окислению и проведения высокотемпературных процессов. Предварительное окисление пористого кремния позволяет свести к минимуму возникающие при термообработке напряжения.

Показано, что начальный этап окисления необходимо проводить в среде сухого кислорода, для получения тонкого диоксида на поверхности образца, предотвращающего многоразовое травление при последующем введении влаги. Ступенька на границе Si-SiO2 в этом случае составляет 0.1 мкм, в то время как при использовании влажного кислорода на начальном этапе окисления поверхность пористого анодного слоя приобретает рыхлый рельеф, и величина ступенек достигает 0.5 мкм.

Так как процесс окисления пористого кремния кратковременный, окисление боковых стенок кремния незначительно, поэтому бокового расширения областей изоляции не происходит, их ширина определяется только воспроизводимостью формирования маски и анодной обработки.

Снижение температуры и длительности температурных воздействий на кремниевые эпитаксиальные структуры при формировании межэлементной изоляции по IPOS-технологии уменьшает эффекты «размытия» ранее сформированных p-n-переходов.

Технологический процесс получения КНИ-структур на основе окисленного ПК включает формирование на подложке кремния сплошного слоя n+-типа проводимости, легированного сурьмой, наращивание эпитаксиального слоя n-типа толщиной 0.3- 0.5 мкм, формирование маскирующего слоя нитрида кремния, создание в маскирующем слое рисунка монокристаллических областей, плазмохимическое травление эпитаксиального слоя до скрытого n+-слоя, превращение n+-скрытого слоя в пористый кремний путем его селективного анодирования на основе плавиковой кислоты. Далее проводится термическое окисление пористого кремния и в КНИ-структурах изготовляются n- и р-канальные транзисторы.

В приповерхностном слое кремния образуется обедненная область с положительным объемным зарядом, а в электролите на границе раздела - тонкий слой из отрицательно заряженных ионов. Толщина обедненного слоя в кремнии и соответствующий потенциальный барьер определяются степенью легирования полупроводника. Обедненный слой препятствует протеканию анодного тока, и поэтому без дополнительной генерации дырок анодная реакция происходить не будет. Такая генерация дырок может быть обеспечена путем электрического пробоя потенциального барьера при увеличении анодного напряжения.

Таким образом, при анодировании кремниевых структур с электронной проводимостью, содержащих области с различным уровнем легирования, в результате подбора потенциалов анодирования представляется возможным перевести в пористое состояние селективно только участки n+-слоя. Экспериментально установлено, что подобная селективная обработка возможна, если концентрация примеси в области n+-типа будет более чем на порядок превышать концентрацию примеси в области n-типа.

Показано, что момент достижения постоянного значения анодного тока соответствует выходу фронта анодирования на участок переходного слоя между областями n+- и р--типа проводимости. Слаболегированная подложка n--типа при анодных напряжениях 2- 3 В не анодируется и в этом случае играет роль стоп слоя. Время, необходимое для анодирования n+-слоев, пропорционально их толщине.

В результате пористого анодирования структур кремния n--n+-n--типа и последующего термического окисления пористого кремния получаются полностью изолированные островки кремния.

Для устранения непроанодированной прослойки окисление слоя пористого кремния необходимо проводить так, чтобы окислить не только пористый слой, но и нижнюю часть монокристаллических островков. Это достигается защитой поверхности эпитаксиальных островков пленкой нитрида кремния и выбором такого режима окисления, при котором скорость движения фронта окисления выше скорости движения диффузионного фронта сурьмы. Для реализации процесса предложен трехстадийный режим окисления: 300- 400 °С, 1ч в сухом кислороде; 800- 900 °С, 2ч в сухом кислороде; 1050- 1150 °С, 1ч во влажном кислороде. Способ защищен патентом РФ.

Для определения параметров диэлектрического слоя окисленного пористого кремния проведено измерение вольт-фарадных и вольтамперных характеристик. Установлено, что по диэлектрическим характеристикам окисленный пористый кремний соответствует образцам термического SiO2. В полученных КНИ-структурах сформированы n- и p-канальные транзисторы.

В шестой главе рассмотрены результаты исследований КНИ-структур, оптимизированные технологические режимы и разработанные типовые конструкции, которые обеспечивают получение КНИ-структур с улучшенными электрофизическими параметрами.

Для формирования слоя кремния над диэлектриком после имплантации ионов кислорода проводят отжиг. Во избежание аморфизации поверхности при имплантации больших доз необходимо увеличивать температуру подложки > 500 С. Отжиг в течение двух часов при температуре 1250 С сопровождается полным освобождением приповерхностного слоя кремния (~0.1 мкм) от кислорода. Качество слоя кремния определяется особенностями взаимодействия двух механизмов, сопровождающих отжиг имплантированных слоев: восстановление кристаллической структуры за счет отжига радиационных дефектов и миграции примеси к скрытому изолирующему слою.

Результаты исследований зависимости плотности дефектов от дозы имплантации кислорода и температуры подложки представлены на рис. 7- 8.

Рис. 7. Зависимость плотности дефектов от дозы имплантации кислорода при температуре подложки 550 С

Зависимость на рис. 7 показывает, что при дозах менее 1.21018 см-2 плотность дефектов не превышает 103 см-2, а из рис. 8 видно, что в случае проведения имплантации при температуре подложки выше 550 С плотность дефектов уменьшается от ~109 см-2 до ~102 см-2 при температуре 500 С. Проведено измерение напряжение пробоя скрытого слоя диоксида кремния на структурах n+-n-SiO2-n+ с размерами 100×100 мкм. При дозе 0.61018 см-2 обеспечивается напряжение пробоя 40 В, что вполне приемлемо для обычных БИС. Напряжение пробоя возрастает до 100 В при 1.21018 см-2 и ~400 В при 21018 см-2. Показано, что однородный сплошной слой SiО2 толщиной ~0.08 мкм образуется при дозе 0.41018 см-2.

Поверхность раздела между верхним слоем кремния и скрытым слоем SiO2 становится очень неровной при дозах 0.21018 см-2, одновременно в скрытом слое наблюдаются преципитаты. Эти факторы уменьшают эффективную толщину скрытого слоя SiO2, что и приводит к снижению напряжения пробоя. Подбор дозы имплантации ионов кислорода и температуры подложки для этого процесса воспроизводимо обеспечивает для КНИ-структур плотность дислокаций до ~102 см-2 и напряжение пробоя скрытого слоя SiO2 более 40 В.

Показано, что плотность дефектов в верхнем слое Si существенно зависит от условий проведения имплантации. При имплантации ионов кислорода с большой дозой верхний слой Si даже после отжига содержит большое количество кристаллических дефектов, ухудшающих качество структуры. При формировании скрытых слоев SiO2 важно обеспечить малую дефектность верхнего слоя Si. Для снижения плотности дефектов имплантация и отжиг проведены в несколько этапов, при 1300 С в течение 6 часов в атмосфере смеси Аr+О2. Далее на части образцов наращивали эпитаксиальный слой и проводили выявляющее травление для определения плотности дислокаций.

Рис. 8. Зависимость плотности дефектов от температуры подложки при имплантации кислорода дозой 1.2⋅1018 см-2

Многоэтапный набор полной дозы, в отличие от имплантации за один процесс, обеспечивает смещение верхней границы скрытого слоя SiO2 поверхности подложки. Это смещение можно объяснить тем, что образующийся в процессе промежуточного отжига стехиометрический слой SiO2 способствует диффузионному перераспределению избыточных атомов кислорода. Показано, что последовательный набор суммарной дозы при формировании скрытого слоя диоксида кремния при температуре подложки 550- 650 C во время проведения процесса имплантации обеспечивает снижение плотности дефектов в КНИ-структурах. Способ защищен патентом РФ.

Для определения качества кремниевого слоя измерено время жизни генерируемых носителей (по измерению емкости МДП-структур во времени). При проведении имплантации за один процесс время жизни носителей оказалось относительно небольшим, а скорость поверхностной рекомбинации высокой, последняя оказывает доминирующее влияние на скорость изменения емкости. При многократном наборе интегральной дозы, для формирования КНИ-структуры, скрытый слой не влияет на изменения емкости, и время жизни генерируемых носителей увеличивается от 22 до 120 мкс, а скорость поверхностной рекомбинации уменьшается от 0.8 до 0.1. Это свидетельствует о хорошей кристаллической структуре и малой плотности дефектов.

Методом ВИМС измерены профили распределения кислорода имплантированного в кремний. Определено, что в процессе отжига происходит постепенное перераспределение внедренных атомов кислорода из аморфизированной области начального распределения ионов в глубину к ее границе с неповрежденным монокристаллом (рис. 9).

Рис. 9. Профиль распределения кислорода, внедренного в кремний: 1- после имплантации (200 кэВ, 1.8⋅1016 см-2); 2 - после отжига при 1200 °С в течение 1 ч

С учетом проведенных исследований разработана технология и изготовлены МДП полевые транзисторы на КНИ-структурах. Для изготовления использовали Si подложку КЭФ 4.5 (100). В подложке создавали слой скрытого диоксида толщиной 0.45 мкм ионной имплантацией кислорода (200 кэВ) в три этапа с интегральной дозой (0.6+ 0.6+ 0.6)1018 см-2. Образование SiO2 и восстановление кристаллической структуры Si завершали отжигом при температуре 1300 С. После формирования диоксида кремния структуры обрабатывали электронами дозой 2⋅1014- 8⋅1016 см-2 с энергией 4 МэВ. При облучении электронами происходит переход системы диэлектрик-полупроводник в равновесное состояние за счет переориентации кремний- кислородных тетраэдров, растет количество связей Si-O, уменьшается число дефектов в пленке и тем самым обеспечивается улучшение параметров КНИ-структур. Затем формировали структуру МДП ПТ. Полагая, что примесь в канале полностью активизирована, оценена подвижность электронов в области канала, которая оказалась равной 910 см2/В⋅с. Способ защищен патентом РФ.

Для снижения плотности дефектов в структурах и уменьшения механических напряжений разработана технология и создана структура кремний на изоляторе со скрытым слоем диэлектрика на основе двухслойной системы, состоящей из диоксида кремния и нитрида кремния. Формирование слоя нитрида кремния поверх слоя диоксида кремния снижает механические напряжения и величину встроенного заряда на границе раздела кремний-диэлектрик, уменьшается дефектность, обуславливая улучшение параметров полупроводниковых приборов за счет снижения центров рекомбинации. Способ защищен патентом РФ.

КНИ-структуры со скрытым слоем диоксида кремния, созданного ионной имплантацией кислорода, даже после отжига при температуре 1200 оС содержат в поверхностном слое кремния дефекты, и поверх него приходится наращивать эпитаксиальный слой, в котором затем создают активные области приборов. Для снижения плотности дефектов в поверхностном слое кремния разработана технология замены кислорода на азот. Имплантация азота с последующим отжигом позволяет сформировать толстые изолированные слои Si, т.е. обходится без последующего эпитаксиального наращивания и упрощает технологический процесс. На пластинах Si выращивают слой термического диоксида (0.025 мкм), который в процессе имплантации азота предотвращает распыление Si и уменьшает загрязнение поверхности. Имплантация азота проведена при температуре подложки 550- 650 оС с энергией 140- 160 кэВ и дозе 7.51017 см-2, а термический отжиг при температуре 1100- 1200 С в атмосфере Ar в течении 2- 4 ч. Замена кислорода на азот позволяет снизить почти на порядок дозу имплантации ионов, соответственно снижая количество дефектов. Способ защищен патентом РФ.

Показано, что проблемы связанные с легированием частично обедненных КНИ МДП-транзисторов могут быть решены применением структур с полностью обогащенными КНИ МДП-транзисторами из-за наличия у них дополнительных регулируемых параметров (толщина пленки и скрытого слоя диоксида, легирование подложки, смещение).

В приложении представлены документы, подтверждающие использование результатов выполненных исследований, их научную и практическую значимость.

Основные выводы и результаты диссертационных исследований

В результате диссертационных исследований изложены научно обоснованные конструктивные и технологические решения для управления электрофизическими параметрами тонких слоев кремния на изоляторе, совокупность которых можно квалифицировать как новое крупное достижение в развитии технологии микро- и наноэлектроники. В процессе выполнения работы получены следующие новые научные результаты.

  1. Проведено исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур изготовленных по различным конструктивно-технологическим вариантам. Показано, что с увеличением дозы ионизирующих частиц плотность заряда в диэлектрике растет, достигает насыщения при дозе 108- 109 рад, а величина встроенного заряда и механические напряжения в двухслойных диэлектрических системах снижаются за счет образования промежуточного заряда на границе раздела диэлектриков и наличием потенциального барьера между ними.
  2. Показано, что оптимизация технологии и структуры элементов БИС с учетом воздействия ионизирующих излучений обеспечивает снижение влияния радиационных эффектов на параметры полупроводниковых структур, за счёт уменьшения геометрических размеров элементов и устранения паразитных каналов между скрытыми n+ слоями разделением их областями p+ типа.
  3. Проведено исследование влияния ионизирующих излучений на электрофизические характеристики материалов определяющих параметры полупроводниковых приборов. Показано, что свойства структур определяются технологией изготовления, а применение процесса облучения высокоэнергетичными электронами дозой 2⋅1014- 1016 см-2 способствует улучшению параметров МДП-транзисторов на КНИ-структурах. Способ защищен патентом РФ.
  4. Показано, что надежность биполярных полупроводниковых структур определяется как конструкцией транзистора, так и его геометрическими размерами, а предварительная обработка полупроводниковых структур γ-квантами обеспечивает снижение величины ионизационных токов. Способ защищен патентом РФ.
  5. Показано, что предварительная обработка ионами Si+, O+, Ar+ сапфировой подложки до эпитаксиального роста уменьшает несоответствие решеток между эпитаксиальной пленкой кремния и подложкой и улучшает структуру пленок кремния, за счет образования тонкой слабо разупорядоченной переходной области в поверхностном слое подложки. Установлено, что оптимальными технологическими параметрами, обеспечивающими получение пленок с улучшенными характеристиками, являются имплантация ионов Si+, O+, Ar+ с энергией 10- 65 кэВ и дозой 5⋅1012 см-2. Способ защищен патентом РФ.
  6. Разработана технология создания структур КНС с пониженной дефектностью, формированием на подложке сапфира под кремниевой эпитаксиальной пленкой слоя диоксида кремния толщиной 0.2- 0.4 мкм, при температуре 700- 1080 С. Способ защищен патентом РФ.
  7. Установлено влияние скорости роста пленки кремния на сапфире на совершенство структуры пленок кремния. Показано, что при медленном росте пленки кремния характеризуются высоким содержанием алюминия за счет продолжительного воздействия газовой среды реактора, которое ведет к вытравливанию алюминия из сапфира и последующему его встраиванию в слой кремния с образованием дефектов. Определены оптимальные технологические режимы роста пленок кремния на сапфире: скорость роста 5.3- 6 мкм/мин, температура 945±15 С, обеспечивающее снижение дефектов и улучшение структуры пленок кремния. Способ защищен патентом РФ.
  8. Разработан технологический процесс получения КНИ-структур, на основе окисленного пористого кремния за счет превращения n+ скрытого слоя в пористый кремний путем его селективного анодирования на основе HF. Показано, что селективная обработка обеспечивается при концентрации примеси в области n+ типа на порядок превышающей концентрацию примеси в области n-типа. Для формирования пористого кремния предложен трехстадийный режим окисления: 300- 400 С, 1 ч в сухом кислороде; 800- 900 С, 2 ч в сухом кислороде; 1050- 1150 С, 1 ч во влажном кислороде. Способ защищен патентом РФ.
  9. Показано, что плотность дефектов в верхнем слое кремния в КНИ-структурах зависит как от температуры подложки при имплантации, так и дозы внедряемого кислорода. Установлено что оптимальными технологическими параметрами, обеспечивающими получение КНИ-структур с минимальной плотностью дефектов (до 102 см-2), являются: температура подложки 550- 600 С, доза имплантации 1.2⋅1018 см-2.
  10. Показано, что плотность дефектов в КНИ-структурах при ионной имплантации снижается, если набор дозы имплантированного кислорода проводить в несколько этапов с промежуточными отжигами при 1300 С в течении 6 ч в атмосфере смеси аргона и кислорода, а подбор дозы имплантации позволяет регулировать толщину скрытого слоя SiO2 и его параметры. Способ защищен патентом РФ.
  11. Разработана технология изоляции подложки, имплантацией ионов азота, формированием скрытого диэлектрического слоя при температуре 550- 650 С с энергией 140- 160 кэВ и дозе 7.5⋅1017 см-2, с последующим термическим отжигом при температуре 1100- 1200 С в атмосфере Ar в течении 2- 4 ч, обеспечивающий снижение плотности дефектов в КНИ-структурах. Замена кислорода азотом позволяет снизить почти на порядок дозу имплантации ионов и снизить дефектность КНИ-структур. Способ защищен патентом РФ.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК РФ

  1. Мустафаев А.Г., Кумахов А.М., Мустафаев А.Г. Основные процессы происходящие при воздействии ионизирующего излучения на полупроводниковые структуры, и способы повышения их радиационной стойкости. //Вестник ДНЦ РАН, Махачкала, 2002, №13, С.22-28.
  2. Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Плёнки кремния на сапфире //Вестник ДНЦ РАН, Махачкала, 2006, №25, С.14- 16.
  3. Мустафаев А.Г. Конструктивные и технологические способы улучшения параметров КНИ МОП-транзисторов //Нано и микросистемная техника, №6, 2007, С.37- 42.
  4. Мустафаев А.Г. Технология формирования кремниевых пластин со скрытым слоем //Нано и микросистемная техника, №10, 2007, С.11- 14.
  5. Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Исследование дефектов в структурах кремния на изоляторе методом аннигиляции позитронов //Нано и микросистемная техника, №11, 2007, С.17- 19.
  6. Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Радиационная стойкость КНИ МОП транзисторов к накопленной дозе ионизирующего излучения //Нано и микросистемная техника, №12, 2007, С.47- 49.
  7. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологии //Нано и микросистемная техника, №4, 2008, С.17- 22.
  8. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы изготовленные по КНС технологии //Нано и микросистемная техника, №9, 2008, С.44-46.
  9. Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г.Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе //Нано и микросистемная техника, №1, 2009, С.30-32.
  10. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Влияние конструкции на характеристики субмикронных КНИ МОП-транзисторов //Нано и микросистемная техника, №7, 2010, С.8-13.
  11. Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способ повышения коэффициента усиления полупроводниковых приборов. Пат. РФ №2168236, Бюл. ФИПС №15, 2001 г.
  12. Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш., Способ полирования полупроводников. Пат. РФ №2170991, Бюл. ФИПС №20, 2001 г.
  13. Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способ повышения быстродействия полупроводниковых приборов. Пат. РФ №2197766, Бюл. ФИПС №3, 2003 г.
  14. Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора с низкой плотностью дефектов. Пат. РФ №2210141, Бюл. ФИПС №22, 2003 г.
  15. Мустафаев А.Г., Кумахов А.М., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ №2256980, Бюл. ФИПС №20, 2005 г.
  16. Мустафаев А.Г., Кумахов А.М., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ №2275712, Бюл. ФИПС №12, 2006 г.
  17. Мустафаев А.Г., Кумахов А.М., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Патент РФ №2280915, Бюл. ФИПС №21, 2006 г.
  18. Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ №2284611, Бюл. ФИПС №27, 2006 г.
  19. Мустафаев А.Г., Кумахов А.М., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ №2280915, Бюл. ФИПС №21, 2006 г.
  20. Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Способ изготовления полупроводниковой структуры. Пат. РФ №2292607, Бюл. ФИПС №3, 2007 г.
  21. Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Способ изготовления полупроводниковой структуры. Пат. РФ №2298250, Бюл. ФИПС №12, 2007 г.
  22. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Способ изготовления полупроводникового прибора Пат. РФ №2302055, Бюл. ФИПС №18, 2007 г.
  23. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А Способ повышения радиационной стойкости полупроводниковых приборов Пат. РФ №2308785, Бюл. ФИПС №29, 2007 г.
  24. Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора с низкой плотностью дефектов Пат. РФ №2330349, Бюл. ФИПС №21, 2008 г.
  25. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А Способ изготовления полупроводникового прибора Пат. РФ №2340038, Бюл. ФИПС №33, 2008 г.
  26. Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Способ изготовления пленок диоксида кремния. Пат. РФ №2344511, Бюл. ФИПС №2, 2009 г.
  27. Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ №2356125, Бюл. ФИПС №14, 2009 г.
  28. Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводниковой структуры. Пат. РФ №2378740, Бюл. ФИПС №1, 2010 г.
  29. Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ №2388108, Бюл. ФИПС №12, 2010 г.

Статьи и материалы конференций

  1. Кумахов А.М., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Радиационные дефекты и параметры полупроводниковых структур// В сб. матер. VIII- Международного совещания “Радиационная физика твердого тела”. –М., 1998, C. 663-665.
  2. Кумахов А.М., Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Травление поликремния без ухода линейных размеров// В сб. матер. 6-й международной научно-технической конференции ”Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники” – Таганрог, 1999, C.8.
  3. Кумахов А.М., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш. Влияние импульсного ионизирующего излучения на биполярные транзисторы// В сб. матер. X-Международного совещания “Радиационная физика твердого тела”. - М., 2000, C. 496-498.
  4. Кумахов А.М., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Тешев Р.Ш. Технология изготовления биполярных ИС с самосовмещенными активными элементами из поликремния// В сб. матер. 7-й Международной научно-технической конференции “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники”.- Таганрог, 2000, C. 55.
  5. Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способы получения тонких диэлектрических плёнок для интегральных схем. //Зарубежная электронная техника, Москва, 2000, вып.4, C.62-91.
  6. Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Технология осаждения тонких диэлектрических слоев нитрида кремния//Вестник ДГТУ, Махачкала, 2001, C. 148-150
  7. Mustafaev G.A., Teshev P.Sh., Mustafaev A.G. Influence of processing by magnetic field on semiconductor structures parameters // New materials and technologies in 21-st century-Beijing- China oct. 2001 –p. 415.
  8. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Перестройка системы химических связей при росте окисных пленок // В сб. матер. 2-й Российской школы ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов кремния – М., 2001, C. 68-69.
  9. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г., Кумахов А.М. Воздействие ионизирующего излучения на цифровые КМОП ИС// В сб. матер. международного научно-технического семинара ”Шумовые деградационные процессы в полупроводниковых приборах” – М. 2001, C. 168-171.
  10. Мустафаев А.Г., Саркаров Т.Э., Мустафаев Г.А. Влияние излучений на МДП-структуры //Зарубежная электронная техника. Москва, 2001, вып.4, C.82-102.
  11. Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г.        Свойства тонких диэлектрических плёнок. //Зарубежная электронная техника, Москва, 2001, вып.3, C.74-104.
  12. Мустафаев А.Г. Снижение дефектности окисных пленок// В сб. матер. международного симпозиума “Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах”.- Сочи, 2002, C. 25-27.
  13. Кумахов А.М., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Тешев Р.Ш. Кинетика образования пленок SiO2// В сб. матер. XIV- Международного симпозиума “Тонкие пленки в оптике и электронике”.- Харьков, 2002, C. 88-90.
  14. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Распределение заряда в тонких диэлектрических плёнках при воздействии ионизирующих излучений //Труды СКГТУ, Владикавказ, 2002, C.129-137.
  15. Кумахов А.М., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Тешев Р.Ш. Воздействие электронного облучения на полупроводниковые гетерокомпозиции// В сб. матер. ХII- международного совещания “Радиационная физика твердого тела”. –М., 2002, C. 99-103.
  16. Mustafaev G.A., Kumakhov A.M., Mustafaev A.G. Forming and exploration of light-emitting silicic nanocrystal properties// VII Russian-Chinese symposium «New materials and technologies. - Moscow-Agoy, Sept. 2003, p. 116.
  17. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Легированные диэлектрические плёнки диоксида кремния //Труды молодых учёных, Владикавказский научный центр РАН, Владикавказ, 2003, вып. 4, С.21-26.
  18. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Ионное легирование структур металл-оксид-полупроводник //Труды молодых учёных, Владикавказский научный центр РАН, Владикавказ, 2003, вып. 3, С.11-15.
  19. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Формирование радиационно-стойких КНИ - структур //Труды молодых учёных, Владикавказский научный центр РАН, Владикавказ, 2004, вып. 3, С.18-21.
  20. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Улучшение структур кремний- на- изоляторе ионной имплантацией //Труды молодых учёных, Владикавказский научный центр РАН, Владикавказ, 2005, вып. 3, С.36-40.
  21. Мустафаев А.Г., Авакимянц А.Г., Мустафаев А.Г. Проводимость структур кремния на сапфире// В сб. матер. Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе - М. 2005, С. 190-191.
  22. Мустафаев А.Г., Авакимянц А.Г., Мустафаев А.Г. Регулирование подвижности заряда ионным легированием// В сб. матер. 5-й Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе - М. 2005, С. 154.
  23. Мустафаев Г.А., Кармоков А.М., Мустафаев А.Г. Особенности влияния технологии на дефектность и параметры КНИ-структур // В сб. матер. V-Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск, 2005, C. 235-237.
  24. Мустафаев А.Г., Авакимянц А.Г., Мустафаев А.Г. Особенности МДП-транзисторов, изготовленных по КНИ-технологии //Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета, Владикавказ, 2006, C.132-135.
  25. Мустафаев А.Г. Формирование структуры кремния на изоляторе с низкой плотностью дефектов// В сб. матер. VI- Международной научной конференции ”Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии”. Кисловодск, 2006, C. 95.
  26. Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев Г.А. КНИ-КМОП полевые транзисторы с поликремниевыми затворами// В сб. матер. VI- Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск, 2006, C. 328-329.
  27. Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г., Кармоков А.М. Мустафаев Г.А. Создание структур кремний –на – изоляторе с пониженной дефектностью //Известия ВУЗов Северо-Кавказского региона. Технические науки, 2006, Приложение №7, С.41-42.
  28. Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев Г.А. Распределение атомов кислорода в структурах кремний -на- изоляторе при имплантации и отжиге// В сб. матер. 10-й Международной научной конференции и школы- семинара “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники”. Таганрог, 2006, C. 170-171.
  29. Мустафаев А.Г. Исследование радиационной стойкости КНИ МОП транзисторов //В сб. матер. VII- Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2007, C. 81-82.
  30. Мустафаев А.Г. Радиационные эффекты в КНИ МОП транзисторах // В сб. матер. VII- Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2007, C. 82-83.
  31. Тешев Р.М., Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев Г.А. Формирование КНИ- структур на основе пористого кремния // В сб. матер. VII- Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2007, C. 117-118.
  32. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Материалы затворного диэлектрика для КМОП-технологии. Электронный журнал "Исследовано в России", 175, С.2027-2037, 2007. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2007/175.pdf
  33. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Воздействие ионизирующих излучений на биполярные структуры. Электронный журнал "Исследовано в России", 016, С.203- 208, 2008. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2008/016.pdf
  34. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Разработка структур кремний на изоляторе на основе пористого кремния. Электронный журнал "Исследовано в России", 093, С.1027-1037, 2008. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2008/093.pdf
  35. Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш. Радиационные эффекты и альтернативные затворные диэлектрики. Труды VIII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2008, С.395-396.
  36. Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Уянаева М.М. Затворные материалы для субмикронных транзисторов. Материалы международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике», 21- 27 сентября 2009 г. Нальчик: КБГУ, 2009, С. 209- 212.
  37. Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Формирование SIMOX структур имплантацией сверхстехиометрических доз кислорода VI Международная конференция и V школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе ("Кремний-2009")", Новосибирск 2009, С. 156.
  38. Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш., Мустафаев Г.А., А.М. Кармоков, Д.В. Панченко Электрические свойства наноразмерных пленок нитрида кремния Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: Материалы международного научно-методического семинара (Москва 25- 27 ноября 2008 г.)  М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, МЭИ, 2009. С. 175- 177.

Мустафаев Арслан Гасанович

Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки

       

Подписано в печать ___.____ 2011 г. Печ. л. 2. Тираж 100 экз. Заказ №

Изд-во «Терек». Подразделение оперативной полиграфии ЮРГТУ (НПИ),

г. Новочеркасск, ул. Просвещения, 123






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.