WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


 

На правах рукописи

СМИРНОВ Дмитрий Юрьевич

Диагностика полупроводниковых изделий

на основе параметров

низкочастотного шума

Специальность: 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты,

микро- и наноэлектроника,

приборы на квантовых эффектах

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени  доктора технических наук

Воронеж – 2012

Работа выполнена в ФГБОУВПО ,,Воронежский государственный технический университет”

Научный консультант

доктор технических наук,

профессор

Горлов Митрофан Иванович

Официальные оппоненты:

доктор технических наук,

профессор

Данилин Николай Семенович;

доктор технических наук,

профессор

Сергеев Вячеслав Андреевич;

доктор технических наук,

профессор

Булгаков Олег Митрофанович

Ведущая организация

НИУ ,,Московский энергетический институт”

       Защита состоится ,,13” марта 2012 г. в 1400 часов в конференц-зале на заседании диссертационного совета Д 212.037.06 ФГБОУВПО ,,Воронежский государственный технический университет” по адресу: 394026, г. Воронеж, Московский просп., 14.

       С диссертацией можно ознакомиться в научно-технической библиотеке ФГБОУВПО ,,Воронежский государственный технический университет”.

Ученый секретарь

диссертационного совета                                Горлов М.И.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

       

Актуальность проблемы. Развитие микроэлектроники и повышение требований к качеству и надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов и интегральных схем (ИС)) потребовало создания диагностических методов отбраковки потенциально ненадежных изделий в дополнение к существующим технологическим отбраковочным испытаниям.

       Особенно это стало востребованным после выпуска отраслевого документа ,,Интегральные схемы. Методы неразрушающего контроля диагностических параметров” РД 11 0682-89, что позволяет предприятиям потребителям ППИ применять эти методы на входном контроле, а производителям изделий даже заменять ряд трудоемких технологических отбраковочных испытаний, например электротермотренировку, на диагностический контроль.

       Среди диагностических методов (контроль параметров ИС при пониженном напряжении питания, контроль электрических параметров ИС в микротоковых режимах; контроль качества ИС по критической величине дополнительного сопротивления в цепи питания; выявление потенциально ненадежных ИС анализом формы динамического тока потребления в цепи питания; контроль качества поверхности полупроводниковых структур при помощи наведенного заряда; отбраковка потенциально ненадежных ИС на биполярных структурах  с помощью вольтамперной характеристики (ВАХ)) за последнее время получили широкое распространение методы на основе измерения параметров низкочастотного шума (НЧШ) особенно с использованием при этом внешних воздействий (электростатических разрядов (ЭСР), температуры, радиационного воздействия и др.).

       В ряде работ отечественных авторов (А.С. Врачев, А.М. Гуляев, Г.П. Жигальский, Н.Б. Лукьянчикова и др.) показано, что с помощью параметров низкочастотного шума возможно проводить оценку уровня дефектности структуры изделий.

Несмотря на значительный объем экспериментальных и теоретических работ, опубликованных к настоящему времени по исследованиям параметров НЧ шума в различных полупроводниковых структурах, недостаточно разработаны способы  диагностики качества и надежности ППИ по параметрам НЧ шума, поэтому тема диссертации в настоящее время является актуальной.

Работа выполнялась по теме ГБ2004-34 ”Исследование полупро­водниковых материалов, приборов и технологии их изготовления” и по теме ГБ 2010.34 ,,Физические основы технологии и проектирования полупроводниковой микроэлектроники” раздела ,,Исследование надежности полупроводниковых изделий”.

Цели и задачи исследования. Целью диссертации является разработка на основе экспериментальных и теоретических исследований параметров НЧ шума  новых диагно­стических способов отбраковки потенциально ненадежных полупроводниковых изделий по парамет­рам НЧ шума при различных внешних воздействиях, способных заменять дорогостоящие и длительные от­браковочные испытания как при производстве изделий, так и на входном кон­троле предприятий - из­готовителей радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), а также выделять из партии группу более высоконадежных изделий. Для достижения этой цели в работе поставлены следующие задачи:

  1. Спроектировать и изготовить установки для измерения параметров НЧ шу­мов ППИ и для воздействия ЭСР со счетчиком количества воздействий ЭСР.
  2. Экспериментально исследовать зависимость параметров НЧ шума от тока и напряжения смещения, подаваемых на различные выводы интегральных схем. Разработать новые способы диагностирования потенциально ненадеж­ных ППИ, основанные на измерении параметров НЧ шума при двух различных значениях тока и напряжения смещения.
  3. Разработать способы диагностирования потенциально ненадежных ППИ и выде­ления из партии групп повышенной надежности с использованием измерения па­раметров НЧ шумов до и после внешних воздействий: температуры, термоциклирования, ЭСР, рентгеновского облучения.
  4. Предложить модель прогнозирования среднеквадратичных значений напряжения НЧ шума с помощью  разложения в ряд Ньютона функции изменения НЧ шума от частоты на основе эмпирических данных.
  5. Сравнить на примере партии ИС типа КР142ЕН5А достоверность разработанных диагностических способов с результатами испытаний на надежность.

       Научная новизна работы

1. Показано, что по измерению среднеквадратичного значения напряжения НЧ шума изделия при заданном токе смещения в одной точке вольт-шумовой характеристики нельзя с необходимой достоверностью диагностировать потенциально ненадежные ППИ.

2. Экспериментально обоснована разработка новых эффектив­ных диагностических методов на основе измерений среднеквадра­тичных значений напряжения или тока НЧ шума в окрестности раз­личных частот в двух и более точках ампер–шумовой характери­стики при различных внешних воздействий  (температуры, ЭСР, термоциклирования, рентгеновского излучения).

3. Для биполярных и МДП ИС различной степени интеграции разработаны новые способы разделения ИС по надежности:

а) с использованием напряжения НЧ шума, измеренного в цепи ,,вход – общая точка” при двух значениях тока между этими выводами;

б) с использованием одного рабочего тока и разных температур;

в) на основе измерения шума в цепи ,,питание – общая точка” при двух напряжениях питания при нормальной температуре.

4. Разработаны два новых способа разделения ИС по надежности на основе измерений показателя формы спектра низкочастотного шума :

а) по выводам ,,питание – общая точка” на двух частотах при нормальной температуре;

б) по выводам ,,питание – общая точка” на двух частотах при трех температурах (0 °С, 25 °С и 100 °С).

5. Разработаны новые способы разделения ППИ по надежности с использованием дополнительных воздействий: термоциклирования, ЭСР с последующим отжигом и рентгеновского облучения:

       а) путем контроля среднеквадратичного значения напряжения НЧ шума на выводах ,,питание – общая точка” до и после десяти термоциклов в диапазоне температур 0 100 °С;

       б) на основе измерения среднеквадратичного значения напряжения НЧ шума на выводах ,,питание – общая точка” до и после воздействия ЭСР на вход ИС и последующего отжига;

       в) по измерению среднеквадратичного значения напряжения НЧ шума на выводах ,,питание – общая точка” до и после воздействия ЭСР на выводы ,,питание – общая точка” и последующего отжига;

       г) с помощью измерения среднеквадратичного значения напряжения НЧ шума на выводах ,,вход – общая точка” до и после воздействия ЭСР на выводы ,,вход – общая точка” и последующего отжига;

       д) путем контроля основных параметров по ТУ и параметра НЧ шума до и после рентгеновского облучения.

6. Предложена модель прогнозирования среднеквадратичного уровня низкочастотного шума на основе эмпирических данных с помощью разложения в ряд Ньютона функции изменения НЧ шума от частоты.

7. Экспериментально показано на партии ИС типа КР142ЕН5А, что разработанные способы диагностирования имеют высокую достоверность и могут быть использованы для замены электротермотренировки.

Практическая значимость работы

  1. Разработаны устройства по измерению ам­пер-шумовых характеристик ППИ и измерения показателя формы спектра НЧ шума .
  2. Разработанные новые способы диагностики ППИ по надежности могут быть использованы для замены электротермотренировки изделий при их изготовлении и на входном контроле предприятий–потребителей изделий, а также для сравнительных испытаний по оценке потенциальной надежности двух и более партий изделий.
  3. Ряд новых разработанных способов используется предприятиями, например Ульяновским филиалом института радиоэлектроники и электроники, ОАО ,,Воронежский завод полупроводниковых приборов - сборка”, Минским научно-техническим объединением ,,Интеграл”. Акты внедрения приложены к диссертации.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

1. Экспериментальное обоснование разработки новых диагно­стических методов на основе измерения параметров НЧ шума в двух и более точках ампер-шумовой характеристики  при различных внешних воздействиях.

2. Способы разделения ИС по надежности с использованием среднеквадратичного значения напряжения НЧ шума, измеренного:

а) в цепи ,,вход – общая точка” при двух значениях тока между этими выводами;

б) в цепи ,,вход – общая точка” с использованием одного тока и разных температур;

в) в цепи ,,питание – общая точка” при двух напряжениях питания при нормальной температуре.

3. Два новых способа разделения ИС по надежности на основе измерений показателя формы спектра низкочастотного шума :

а) на выводах ,,питание – общая точка” на двух частотах;

б) на выводах ,,питание – общая точка” на двух частотах при трех температурах (0 °С, 25 °С и 100 °С).

4. Способы разделения ППИ по надежности с использованием внешних воздействий: термоциклирования, ЭСР с последующим отжигом и рентгеновского облучения:

       а) путем контроля среднеквадратичного напряжения НЧ шума по выводам ,,питание – общая точка” до и после десяти термоциклов диапазоне 0 100 °С;

       б) на основе измерения среднеквадратичного напряжения НЧ шума по выводам ,,питание – общая точка” до и после воздействия ЭСР на вход ИС и последующего отжига;

       в) по измерению среднеквадратичного напряжения НЧ шума по выводам ,,питание – общая точка” до и после воздействия ЭСР на выводы ,,питание – общая точка” и последующего отжига;

       г) с помощью измерения среднеквадратичного напряжения НЧ шума по выводам ,,вход – общая точка” до и после воздействия ЭСР на выводы ,,вход – общая точка” и последующего отжига;

       д) путем контроля основных параметров ППИ по ТУ и параметра НЧ шума до и после рентгеновского облучения.

5. Модель прогнозирования уровня низкочастотного шума с помощью разложения в ряд Ньютона функции изменения НЧ шума от частоты на основе эмпирических данных.

6. Сравнение достоверности разработанных способов диагностирования на примере партии ИС типа КР142ЕН5А с результатами испытаний на надежность.

       Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах: международных научно-технических семинарах ”Шумовые и деградацион­ные процессы в полупроводниковых приборах ” (Москва, 2002, 2003, 2005, 2009, 2011г.); X, XV, XVI и XVII  международной научно - технической конференции ,,Радиолокация, навигация, связь“ (Воронеж, 2004, 2009, 2010, 2011); X международной научно-технической конференции студентов и аспирантов ,,Радиоэлектро­ника,  электротехника и энергетика“  (Москва, 2004); XIII всероссийской межвузовской научно-технической конференции ,,Микро­электро­ника и информатика - 2006“ (Зеленоград, 2006); XVII международной научно-практической конференции студентов и молодых ученых "Современные техника и технологии" (Томск, 2011);  научных конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов Воронежского государственного технического университета (Воронеж, 2003 - 2011);

Публикации. По материалам диссертации опубликованы  54 научные работы, в том числе 15 – в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, 2 монографии и 16 патентов РФ.

В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [1 - 15] - постановка задачи, определение направлений исследований, анализ и изложение основных результатов и выводов, написание статей; [16, 17] - критиче­ский обзор литературы, теоретическое и экспериментальное обосно­вание применимости альтернативных способов разделения полупро­водниковых изделий по надежности; [18 - 38] - определение направлений исследований, анализ и изложение основных результатов и выводов, написание статей; [39 – 54] - поиск известных способов разделения полупроводниковых приборов по надежности, выявление их недостатков, разработка новых эффективных способов разделения полупроводниковых приборов по надежности.

       Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения и списка литературы из 202 наименований. Основная часть работы изложена на 203 страницах, включает 51 рисунок, 51 таблицу.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

       Во введении описано современное состояние диагностиче­ских методов отбра­ковки ППИ, обос­нована актуальность темы дис­сертации, постав­лены цели и за­дачи исследо­вания, их научная но­визна и практиче­ская значимость. Сфор­мулиро­ваны основ­ные по­ложения, выноси­мые на защиту, приведены све­дения о публикациях по теме диссер­тации, о личном вкладе автора в совме­стных ра­ботах, структуре и объ­еме диссертации.

       В первой главе проведен анализ отечественной и зарубежной литера­туры по основным видам шумов в ППИ.

       Основной причиной наличия НЧ шума в ППИ являются про­цессы генера­ции и рекомбинации носителей, обусловленные про­явлением дефек­тов структуры материалов, т.к. реальные полупро­водниковые материалы, используемые для ППИ, не обладают иде­альной с физической точки зрения структурой и обычно имеют раз­личные нарушения кристаллической ре­шетки (примесные атомы, дис­локации, вакансии, дефекты внедрения и др.).

       Внешние воздействия увеличивают дефекты в структуре ППИ и, следовательно, значение НЧ шумов.

       В работе* показано, что являются ненадежными в процессе производства ИС и имеют связь с НЧ шумами следующие дефекты:

       растравливание оксида под металлизацией;

       растравливание оксида по дефектам фотошаблонов (локальная неравномерность);

       дырки в оксиде, расположенные на и вблизи p-n-переходов, приводящие к возникновению паразитных утечек или ухудшению изоляции схемы;

       

* Некрасов В.А., Горлов М.И., Дурнин И.Д. Выборочный неразру­шающий контроль качества схем ТТЛ-логики в ходе серийного изго­товления // Электронная техника. Сер. 8. 1977. Вып. 2. С. 66 – 69.

дефекты включения в оксид, расположенные в элементах схемы или на границе p-n- переходов.

Показано, что оценка ППИ по потенциальной надежности с измерением значения НЧ шума в одной точке имеет малую достоверность, и в то же время до 15 % надежных ППИ оценивается как ненадежные, то есть измерение НЧ шума в одной точке малоэффективно для оценки надежности изделий.        

В настоящее время известно множество диагностических мето­дов оценки качества и надежности полупроводниковых приборов, но ме­тоды диагностики ИС с ис­пользованием значения параметров НЧ шума в двух и более точках практически отсутствуют.

Во второй главе описаны методы измерения параметров НЧ шу­мов ППИ и устройства на их основе. Практическое измерение НЧ шума ППИ проводилось на разработанной автором уста­новке (рис. 1).

Рис. 1. Схема измерения НЧ шумов

Далее описана конструкция установки для автоматической раз­бра­ковки ППИ по ампер-шумовым характеристикам. Приведено разработан­ное устройство для из­мерения параметра низкочастот­ного шума . Основу данного устройства состав­ляют два канала прямого усиления НЧ шума с разными полосами пропускания, кото­рые под­ключены к усилителю посто­янного тока (УПТ).  Логариф­мическая шкала на выходе УПТ позволяет непосредственно изме­рять параметр НЧ спектра (рис. 2).

Для повышения точности измерений параметра низкочастот­ного шума приведена схема разработанного измерителя, позволяющего контролировать напряжение шума на нескольких частотах (рис. 3).

Рис. 2. Блок схема измерителя

       

       

Рис. 3. Блок-схема измерителя на нескольких частотах

В этой же главе описаны электронные компоненты для реализа­ции изме­ри­тельных устройств и приведена схема разрабо­танной установки для имитации воздействия электростатиче­ских разрядов с автоматическим счетом количества ЭСР воздействий.

       Третья глава посвящена описанию разработанных способов определе­ния потенциально нена­дежных ППИ, выпол­ненных по бипо­лярной и МОП техноло­гии, по пара­метрам низкочастотного шума.

Ранее известные способы выделения потенциально ненадежных ППИ, основанные на единичном измерении величины НЧ шума, имеют низкую достоверность. Предложены новые способы разделения ППИ по надежности с использованием значений НЧ шума, измеренных не менее двух раз.

       Способы разделения ИС по надежности с использованием на­пряже­ния шума, измеренного в цепи ,,вход – общая точка”.

       На ряде ИС более чувствительными к наличию дефектов в струк­туре явля­ются входные цепи  электрической  схемы. Для выяв­ления потенци­ально нена­дежных  ИС с дефектами во входных цепях было разработано два способа. Выбор рабочих режимов измерения НЧ шума основан на предварительных измерениях зависимости от тока по выводам ,,вход – общая точка” (рис. 4).

1. Способ основан на том, что измеряется интен­сив­ность шума ИС по цепи ,,вход – общая точка” на двух значениях тока. Эти значения тока находятся из измерений представительной вы­борки: первое значение выбирается равным та­кому значению, когда зависимость интенсив­ности шума от прямого тока для всех схем близка к прямой, второе значение тока – при начале резкого возрас­тания значения интенсивности шума (рис. 4). По относительной ве­личине изменения значений интенсивности шума больше установ­ленной определяется потенциаль­ная ненадежность схем.

На 20 цифровых логических ИС типа К137ЛЕ2, выполненных по бипо­лярной техноло­гии, измеря­лось значение интенсивности шума () по выводам ,,вход – общая точка”. Измерения на представитель­ной выборке для ИС данного типа прово­дили при двух значениях тока: 6 мА и 10 мА. В табл. 1 даны значения для 6 и 10 мА и вели­чины относительного изменения : K1=/. Если выбрать кри­терий для надежных схем К1 1,5, то схемы № 2, 20 будут по­тенциально не­надежными.

Рис. 4. Зависимость от тока по выводам ,,вход – общая точка” ИС типа К137ЛЕ2

       

        Данный способ был также опробован на ИС типа OP37 (аналого­вые, выпол­ненные по биполярной технологии), ИС типа OPA735 (аналого­вые, выполнен­ные по МОП технологии) и на ИС типа КР537РУ13 (логиче­ские, выполненные по МОП технологии).

Таблица 1

Значение для ИС типа К137ЛЕ2

№ ИС

Значения , мВ2, при токе, мА

K1=/

6

10

1

22

30

1,36

2

34

70

2,06

3

30

37

1,23

4

15

15

1,00

5

21

22

1,05

6

23

34

1,48

7

23

34

1,48

8

21

30

1,43

9

21

25

1,19

10

22

29

1,32

11

24

35

1,46

12

21

28

1,33

13

20

25

1,25

14

25

30

1,20

15

27

33

1,22

16

18

22

1,22

17

17

18

1,06

18

24

32

1,33

19

21

30

1,43

20

25

41

1,64

       2. Способ является способом разделения интегральных схем  по надеж­ности для выявления схем с дефектами, имеющими температурную за­виси­мость.

       Методом случайной выборки было отобрано 5 ИС типа К137ЛЕ2, у которых измерялась интенсивность шума методом прямого измере­ния по выводам ,,вход – об­щая точка” на частоте 1000 Гц при прямом токе 6 мА. Измерения проводи­лись без подачи питания при нормальной температуре, при 0 С и 100 С. Прямой рабочий ток, проходя по структуре ИС, позволяет реги­стри­ровать , порожденный дефектами структуры, имеющими темпера­турную зависи­мость. Для каждой ИС по результатам изме­рений подсчитали коэффициент К2 по формуле (1).

       Для данных схем критерий для надежных ИС будет К2 0,7.

       Испытания на безот­казность (500 ч, повышенная температура, макси­мально допустимая на­грузка) подтвердили правильность вы­бранного кри­терия:

        (1)

       

где , , - значения интенсивности шума при температу­рах, соответст­вующих нормальной, 0 С и 100 С.

Данный способ применим и для других типов ИС, так как для расчета коэффи­циента (формула (1)) берется модуль значений, учи­тывающий воз­мож­ность изменения с температурой в большую и меньшую сторону. Чем больше изменение шума с температу­рой, тем ниже надежность ИС.

       Данный способ был также опробован на ИС типа OP37 (анало­го­вые, вы­полненные по биполярной технологии), ИС типа OPA735 (аналого­вые, выполнен­ные по МОП технологии) и на ИС типа КР537РУ13 (логиче­ские, выполненные по МОП технологии).

Способ разделения ИС по надежности на основе измерения шума в цепи ,,пи­тание – общая точка”.

Результирующий вклад в НЧ шум в цепи ,,питание – общая точка” вносят отдельные элементы структуры ППИ, так как уровень дефектов влияет на параметры шума в этой цепи. Измеряя параметры шума в цепи питания, можно разделять ППИ по надежности.

       На тех же 20 ИС типа К137ЛЕ2, что и для способа 1, выпол­ненных по биполярной тех­нологии, с номинальным напряжением питания по ТУ 5 В, из­мерялось среднеквадратичное напряже­ние шума методом прямого измерения по выводам ,,питание – общая точка” на частоте 1000 Гц. Ширина полосы изме­рения частот равна f  = 200 Гц.

       Способ разделения ИС по потенциальной надежности осно­ван на зависимости значения интенсивности шума на частоте 1000 Гц от напряжения питания при нормальной температуре. Результаты измерений 20 ИС при напряжениях питания, равных 2 В (значение критического напряжения питания) и 5 В, пред­ставлены в табл. 2, где также даны вели­чины относительного изменения значений интенсивности шума при различных напряжениях питания:  K3 = /.

Если выбрать критерий K3 2, 8, то схемы № 2, 20 будут потенциально ненадежными.

Можно разделить партию по надежности на три группы: ИС повышенной надежности, имеющие значение K3 2 (схемы № 3, 4, 9, 14, 15, 16, 17); ИС с надежностью, соответствующей техническим условиям, имеющие значения 2 < K3 2,8 (схемы № 1, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 18, 19) и ИС потенциально ненадежные, имеющие значение K3 > 2, 8 (схемы № 2, 20), что и в первом способе.

Таблица 2

Значение для ИС типа К137ЛЕ2

№ ИС

, мВ2, при напряжении питания, В

K3 = /

2

5

1

52

130

2,50

2

50

190

3,80

3

77

148

1,92

4

63

95

1,51

5

52

110

2,12

6

52

142

2,73

7

55

143

2,60

8

48

128

2,67

9

59

112

1,90

10

53

129

2,43

11

58

147

2,53

12

55

122

2,22

13

53

112

2,11

14

68

127

1,87

15

78

141

1,81

16

63

111

1,76

17

59

97

1,64

18

56

140

2,50

19

50

128

2,56

20

58

164

2,83

Экспериментальное подтверждение разделения партии ИС на надежные и потенциально ненадежные было получено в результате испытаний на безотказность (500ч, повышенная температура, максимально допустимая нагрузка), когда ИС № 2, 20 имели параметрический отказ.

Данный способ разделения по надежности был также опробован на ИС типа OP37 (аналоговые, выполненные по биполярной технологии), ИС типа OPA735 (аналоговые, выполненные по МОП технологии) и на ИС типа КР537РУ13 (логические, выполненные по МОП технологии).

Способы разделения ИС по надежности на основе измерений  показа­теля формы спектра .

Разделение ППИ с использованием показателя формы спектра позволяет получить более достоверные результаты разделения изделий по надежности, так как параметр учитывает изменение всего спектра низкочастотного шума, зависящего от различных дефектов структуры, и для его получения значение НЧ шума измеряется дважды на разных частотах.

Для разделения ИС по надежности в данных способах используется  показа­тель формы спектра НЧ шума в цепи питания при f  = const, опре­деляемый из соотношения

(2)

где и - квадрат эффективного значения шума на частотах f1 и f2 при при f  = const.

       Первый способ основан на измерении значения коэффициента , характери­зующего вид спектра при нормальной температуре.

       Методом случайной выборки было отобрано 10 ИС типа КР537РУ13 (статиче­ское ОЗУ, выполненное по технологии КМОП, но­минальное на­пряжение питания по техническим условиям 5 В), у которых измерялось значение коэффи­циента по выводам ,,питание – общая точка” на частотах f1=200 Гц и f2=1000 Гц.

Для предварительной оценки шума был проведен эксперимент на 5 ИС данного типа по снятию зависимости на частоте 1000 Гц от напряжения питания (рис. 5). Из рис. 5 видно, что при питании 5 В происходит более стабильный разброс значений между отдельными ИС. Именно это значение напряже­ния было выбрано для измерения шума на частотах 200 Гц и 1кГц (табл. 3).

Рис. 5. Зависимость среднеквадратичного напряжения шума на выводах ,,питание – общая точка” от напряжения питания для ИС типа КР537РУ13

Если выбрать критерий для потенциально ненадежных схем 1,3, то схемы № 5, 8 будут потенциально ненадежными.

Можно вы­делить ИС повы­шен­ной надежности со значением 1 (схемы № 3, 7). Схемы, имеющие зна­чение в пределах от 1 до 1,3, будут иметь надежность, соответствующую техническим ус­ловиям.

Таблица 3

Значение для ИС типа КР537РУ13

№ ИС

Значение шума , мкВ2, на частотах, Гц

200

1000

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

439,9

553,8

203,3

394,5

786

419,7

201,6

833,4

303,5

534,3

68

79

42

64

97

67

43

98

56

75

1,16

1,21

0,98

1,13

1,3

1,14

0,96

1,33

1,05

1,22

Данный способ разделения по надежности был успешно опробован на ИС типа OP37 (аналоговые, выполненные по биполярной технологии), ИС типа OPA735 (аналоговые, выполненные по МОП технологии) и на ИС типа К137ЛЕ2 (логические, выполненные по биполярной технологии).

       Во втором способе для выявления потенциально ненадежных тех же ИС типа КР537РУ13 с дефек­тами, имеющими температурную зависимость, исполь­зуются значе­ния показателя формы спектра , измеренные на часто­тах f1=200 Гц и f2=1000 Гц, при различных температурах: нормаль­ной, 0 С и 100 С. Резуль­таты измерений   на тех же ИС типа пред­ставлены в табл. 4 (значения для f2=1000 Гц при нормальной температура взято из табл. 3), где также рас­считаны значения (среднее значе­ние для трех темпера­тур).

Таблица 4

Значение для ИС типа КР537РУ13 при трех температурах и его сред­нее зна­чение

№ ИС

Значение при температуре

25С

100С

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

1,3

1,34

1,06

1,26

1,47

1,28

1,08

1,45

1,18

1,37

1,16

1,21

0,98

1,13

1,3

1,14

0,96

1,33

1,05

1,22

1,35

1,48

1,13

1,33

1,55

1,37

1,12

1,57

1,23

1,45

1,27

1,34

1,06

1,24

1,44

1,26

1,05

1,45

1,15

1,35

       

       Если выбрать в табл. 4 критерий значение 1,4, то схемы № 5, 8 будут потенциально ненадежными. Эти ИС имеют макси­мальное значение при всех температурах. Номера потенциально ненадежных ИС те же, что и по первому способу.

При проведении испытаний на безотказность (500ч, 85С) ИС № 5, 8 имели параметрические отказы, что подтверждает верность выбранных критериев разделения ИС по потенциальной надежности.

       Данную партию ИС можно разделить по надежности на три группы: ИС повышен­ной надежности, имеющие значение 1,1  (схемы № 3, 7); ИС с надежностью, соответствующей техническим условиям, имеющие значения < 1,4 (схемы № 9, 4, 6, 1, 2, 10) и ИС - потенциально ненадежные, имеющие значение 1,4 (схемы № 5, 8).

В третьей главе приведен способ неразрушающего контроля устойчивости к вторичному пробою мощных МДП-транзисторов. Способ основан на измерении параметра низкочастотного шума в выражении для аппроксимации НЧ шума и экспериментально определяется из соотношения напряжений исследуемого ППИ при разных значениях тока, проходящего через структуру. Способ был опробован на транзисторах типа КП723Г (мощный вертикальный n-канальный МОП транзистор) при токе лавинного пробоя 1 А с учетом времени перехода во вторичный пробой. Способ может быть применим и для разделения мощных ИС по устойчивости к вторичному пробою.

На представительной выборке мощных МДП-транзисторов одного типа проводится измерение интенсивности НЧ шума по выводам сток – исток при закороченных выводах исток – подложка в режиме прямого рабочего тока стокового перехода. Рабочий ток задается от внешнего источника. Измерение шума проводится при двух разных прямых рабочих токах на частоте 1 кГц в полосе частот f  = 200 Гц (табл. 5). После этого вычисляется коэффициент по соотношению

,

где и – значения шума при токах I1 и I2.

По результатам полученного коэффициента судят об устойчивости к вторичному пробою и надежности мощных МДП-транзисторов. Более низ­кую устойчивость и надежность будут иметь те транзисторы, у кото­рых  коэффициент имеет наименьшее значение. Величина критерия от­браковки по устанавливается по набору статистики для каждого типа при­боров.

Таблица 5

Значения параметров для транзисторов типа КП723Г

№ при­бора

Значение шума , µВ2, при рабочих то­ках, мА

Обрат­ное на­пряже­ние сток-исток

Uси max, В

Ток лавин­ного про­боя I, А

Время воздейст­вия до возник­новения тепло­вого про­боя t, с

Энер­гия источ­ника E, Дж

50

20

1

35,4

21,2

0,56

76

1

6,24

474,24

2

47,0

25,3

0,68

74

1

7,36

544,64

3

39,1

22,9

0,58

75

1

6,56

492

4

102,1

40,82

1,00

76

1

11,20

851,2

5

87,8

36,1

0,97

76

1

11,07

841,32

6

97,5

36,46

1,07

79

1

11,32

894,28

7

83,2

32,1

1,04

76

1

11,05

839,8

8

120,5

42

1,15

79

1

11,74

927,46

9

93,8

34,86

1,08

75

1

11,38

853,5

10

125,6

43,4

1,16

75

1

12,42

931,5

11

110,2

42

1,05

79

1

11,06

873,74

12

57,3

29,25

0,73

74

1

8,51

629,74

13

86,2

35

0,98

73

1

10,72

782,56

14

119,9

41,17

1,17

79

1

11,24

887,96

15

114,8

41,89

1,10

74

1

11,68

864,32

       

Рассмотренные способы разделения по надежности изделий показали перспективность использования шумовых параметров для отбраковки ненадежных ППИ. Для повышения достоверности разделения по надежности  в серийном производстве необходимо набрать статистику на более достоверной выборке с учетом различных партий, изготовленных в течение, например, месяца.

В четвертой главе приведены разработанные способы диагно­стиче­ского контроля надеж­ности ППИ, вы­полненных по биполяр­ной и КМОП технологиям, с использованием шумов и воздействия термоциклирования.

Все методы отбраковочных испытаний фактически ускоряют проявление внутренних дефектов полупроводниковых изделий и предназначаются для ,,выжигания” ранних отказов, то есть отбраковки потенциально  ненадежных изделий и повышения надежности партии с оставшимися изделиями. Следовательно, ППИ, выдержавшие отбраковочные испытания, должны иметь более низкую частоту отказов, что возможно лишь при тщательном измерении электрических параметров и правильной оценке достоверности результатов. В противном случае в процессе эксплуатации происходит отказ изделия, невыявленного на испытаниях.

В этом случае целесообразно использовать косвенные методы выявления скрытых дефек­тов при термоциклировании, среди которых большой интерес представляют методы, связанные с ана­лизом шумовых характеристик ППИ.

Способ разделения транзисторов с использованием параметров НЧ шума и  термо­цикли­рования.

В качестве примера был проведен эксперимент на 9 транзисторах КТ361Е2 (биполярные p-n-p типа, малой мощности высокой частоты). На первом этапе необходимо выбрать режим постоянного тока для измерения НЧ шума. Для этого из 9 транзисторов  КТ361Е2 были отобраны те, у которых начальный шум переходов э-б и к-б имел наименьшее и наибольшее значение. Для этих двух транзисторов снималась зависимость (I) отдельно для каждого перехода (рис. 6 и 7).

Рис. 6.  Зависимость (I) транзистора КТ361Е2 с максимальными исходными значениями шума переходов

Рис. 7. Зависимость (I) транзистора КТ361Е2 с минимальными исходными значениями шума переходов

       Из рис. 6 и 7 можно сделать вывод, что в данной партии транзисторов КТ361Е2 наиболее стабильными и достоверными будут измерения шума при прямом токе 15 мА.

       Далее на этих транзисторах были проведены составные испытания: ,,контроль уровня НЧ шума + термоциклирование  + контроль уровня НЧ шума”. Измерение шума производилось при прямом токе 15 мА с помощью установки прямого измерения на частоте 1 кГц до проведения термоциклирования и после 10 термоциклов (0 - 100С с выдержкой при каждой температуре 30 минут). Ход изменения при термоциклировании для наихудшего и наилучшего транзисторов представлен на рис. 8.

Рис. 8. Изменение значения шума для наихудшего и наилучшего транзистора при термоциклировании

Таблица 6

Значение шумов переходов транзисторов КТ361Е2

№ транзи­стора

Значения НЧ шума, µВ2,

начальное

после 10 термоциклов

К-Б

Э-Б

К-Б

Э-Б

К-Б

Э-Б

1

69

74

70,1

79,5

1,02

1,07

2

71

75

74

80,8

1,04

1,08

3

73

77

74,5

81,7

1,03

1,06

4

77

88

80,5

96,9

1,05

1,10

5

80

92

85,1

103,6

1,06

1,13

6

71

76

72,8

82,2

1,03

1,08

7

68

74

69,1

77,1

1,02

1,04

8

76

85

77,8

90,1

1,02

1,06

9

74

82

77

87,7

1,04

1,07

Сравнивая результаты испытаний при термоциклировании (табл. 6), можно сделать вывод о надежности транзисторов в партии. Набольшее значение шума - у эмиттерного перехода, и именно он является наиболее чувствительным к процессам термоциклирования. Установив у эмиттерного перехода коэффициент К < 1,1 для надежных транзисторов, по табл. 6 можно сказать, что транзисторы  № 4, 5 будут потенциально ненадежными.

Для проверки данного вывода все транзисторы были подвергнуты 200 термоциклам. Транзисторы № 4, 5 показали снижение электрического параметра – коэффициента усиления по току ниже нормы, установленной техническими условиями, а значение обратного тока эмиттера у данных транзисторов увеличилось на порядок, в то время как у остальных транзисторов - в 2 – 4 раза.

       Способ разбраковки ИС с использованием параметров НЧ шума и  термо­цикли­рования.

       В качестве примера прове­ден эксперимент на 12 ИС – опе­раци­онных усили­телях OPA735 (вы­полненных по технологии КМОП). Среднеквадра­тичное напря­жение шума измерялось мето­дом пря­мого измерения по выводам ,,питание – общая точка” на частоте 1000 Гц после проведения двух термоциклов (0 - 100С с выдерж­кой при каждой температуре 30 минут) при номинальном напряже­нии питания 8В.

       Результаты измерений при составных испытаниях ‹‹контроль уровня НЧ-шума + термоциклирование + контроль уровня НЧ-шума››, а также значения от­носительного изменения шума К4 = /, где и  - значения шума до термоциклирования и после 10 термоциклов, ко­гда происходит доста­точный больший разброс значений шума ИС в партии по сравнению с исходным зна­чением, представлены в табл. 7.

Установив коэффициент К4 < 1,2 для надежных ИС, по табл. 7 можно ска­зать, что схемы  № 2, 8 будут потенциально ненадеж­ными.

       Для проверки данного вывода все ИС были подвергнуты 200 термоцик­лам. Схемы № 2, 8 показали снижение электрического па­раметра – частоты единич­ного усиления – ниже нормы, установ­лен­ной техниче­скими условиями, а значе­ние тока покоя в цепи пи­тания у данных схем увеличилось в 2 – 3 раза, в то время как у ос­тальных схем осталось практи­чески без изменений.

Таблица 7

Значение в цепи питания ИС типа OPA735

при термоцикли­рова­нии

№ ИС

Значение ,  мкВ2, после числа термоциклов

К4

0

2

4

6

8

10

1

2,50

2,55

2,65

2,68

2,82

2,88

1,15

2

2,69

2,97

3,03

3,08

3,24

3,28

1,22

3

2,49

2,58

2,62

2,63

2,80

2,89

1,16

4

2,54

2,70

2,74

2,82

2,88

2,93

1,15

5

2,31

2,37

2,41

2,43

2,48

2,49

1,08

6

2,53

2,70

2,75

2,82

2,91

2,99

1,18

7

2,51

2,66

2,72

2,77

2,84

2,86

1,14

8

3,13

3,31

3,59

3,76

3,86

3,88

1,24

9

2,71

2,93

3,04

3,06

3,12

3,16

1,16

10

2,41

2,52

2,57

2,65

2,69

2,72

1,13

11

2,61

2,80

2,91

2,99

3,02

3,06

1,17

12

2,53

2,65

2,74

2,79

2,84

2,91

1,15

       

       Данный способ был опробован также на ИС типа OP37 (ана­лого­вые, вы­полненные по биполярной технологии), ИС типа К137ЛЕ2 (логиче­ские, выпол­ненные по биполярной технологии) и на ИС типа КР537РУ13 (логические, вы­полненные по МОП техно­логии).

       

В пятой главе приведены разработанные способы диагно­стиче­ского контроля потенциально ненадежных логических и аналоговых ИС, вы­полненных по биполяр­ной и КМОП технологиям, с использованием шумов и воздействия электро­статических разрядов.

       Известно, что одноразовое воздействие разрядов допустимого по ТУ  потенциала не приводит к отказу ППИ, но может вызвать изменение информативного пара­метра. Используя это, можно разделять партию ИС на две с различной стойкостью к электростатическим раз­рядам. При исполь­зовании параметров НЧ шума можно повысить эф­фектив­ность испытаний, так как НЧ шум связан с процессами деградации в ППИ.

       Для эксперимента методом случайной выборки были ото­браны случайным образом по 12 ИС – операционных усилителей типа OP37 (выполнен­ных по биполярной технологии) и OPA735 (выполненных по техно­логии КМОП). Среднеквад­ратичное напряже­ние шума измеря­лось по выводам ,,питание – общая точка” на час­тоте 1000 Гц.

       Напряжение ЭСР подбира­ется таким обра­зом, чтобы не происходило изменений основных парамет­ров за пределы техниче­ских условий, поэтому в эксперименте при­меняется допустимый потенциал, или по­тенциал ЭСР, не превышающий по­ловины опасного, т.е. 2000В для ОР37 и 1000В для ОРА735 соответ­ственно. Воздей­ствие ЭСР про­водится по модели тела чело­века. Температура отжига -  100 С, время отжига – 4 ч. Режим отжига вы­бран так, чтобы происходило наи­более полное восста­новление ин­фор­ма­тивного параметра (рис. 9).

На основе резуль­татов изме­рений вычис­лялись безраз­мерные величины относи­тель­ного из­менения шума , где , , - значе­ния интенсив­но­сти шумов до, после воздействия ЭСР и после 4 часов отжига.

Рис. 9. Зависимость НЧ шума ,,питание – общая точка” ИС OP64 от  времени отжига при разных потенциалах ЭСР.

       

Способ разделения ИС по надежности с использованием измере­ния шума по выводам  ,,питание – общая точка” и воздейст­вия ЭСР на вход ИС.

Данный способ разделения интегральных схем основан на зави­симо­сти зна­чения интенсивности шума на частоте 1000 Гц в цепи пита­ния, измеренного при номинальном напряжении питания, от воздействия ЭСР на вход ИС, имеющий наибольшую чувстви­тельность, и последую­щего термического отжига (табл. 8).

Из расчетных данных величины К5 в табл. 8, характеризую­щих на­деж­ность ИС, можно сделать вывод, что у ИС № 4, 9, 11 зна­чение более ста­бильно и ко­эффициент К5 = 0, и они будут иметь повышенную надеж­ность при эксплуата­ции. Потенциально не­на­дежными будут схемы № 2, 7, у которых  коэффици­ент К5 0,4.

Данный способ был апробирован также на ИС типа OP37 (ана­лого­вые, вы­полненные по биполярной технологии), ИС типа К137ЛЕ2 (логиче­ские, выпол­ненные по биполярной технологии) и на ИС типа КР537РУ13 (логические, вы­полненные по МОП техно­логии).

Таблица 8

Значение шумов ИС OPA735 при воздействии ЭСР и последующего отжига

№ ИС

Значения ,  мкВ2,

К5

нач.

после ЭСР

после 1ч от­жига

после 2ч от­жига

после 3ч от­жига

после 4ч от­жига

1

3,07

5,00

3,92

3,53

3,47

3,47

0,21

2

3,25

5,18

4,49

4,16

4,04

4,01

0,40

3

2,77

4,53

3,64

3,39

3,33

3,32

0,31

4

2,64

4,66

2,85

2,69

2,64

2,65

0

5

3,10

4,64

3,90

3,70

3,64

3,64

0,35

6

2,62

4,34

3,31

3,12

3,08

3,06

0,25

7

3,42

5,34

4,61

4,33

4,23

4,22

0,41

8

3,00

4,73

3,65

3,27

3,18

3,17

0,10

9

2,68

4,56

2,92

2,78

2,70

2,68

0

10

3,26

4,92

3,91

3,68

3,64

3,63

0,22

11

3,08

5,08

3,47

3,16

3,12

3,08

0

12

2,98

4,83

4,00

3,51

3,45

3,43

0,24

       Способ разделения ИС по надежности с использованием напря­жения шума и воздействия ЭСР по выводам ,,питание – об­щая точка”.

       В основу данного способа положена зависимость значения ин­тенсивно­сти шума на частоте 1000 Гц от воздействия ЭСР на вы­воды ИС ,,питание – общая точка” (т.е. воздействия на все электри­ческие цепи ИС) и последующего отжига. Для каждой из 12 ИС типа OP37 при на­пряжении питания 15 В рассчитаны значе­ния величин К6, характеризующих надеж­ность ИС (табл. 9).

Из данных эксперимента было установлено, что у ИС № 1, 6  значе­ние бо­лее стабильно при внешних воздействиях, а коэффици­ент К6 = 0, и они будут иметь повышенную надежность при эксплуатации. ИС, у которых К6 > 0,2 (№ 4, 11), будут потенциально ненадеж­ными.

Таблица 9

Значение шумов ИС OP37 при воздействии ЭСР и последующего отжига

№ ИС

Значения ,  мкВ2,

К6

нач.

после ЭСР

после 1ч от­жига

после 2ч от­жига

после 3ч  от­жига

после 4ч от­жига

1

0,96

1,28

1,06

1,00

0,95

0,96

0

2

1,44

2,00

1,64

1,58

1,55

1,54

0,16

3

1,39

1,96

1,55

1,47

1,46

1,46

0,13

4

1,76

2,46

2,10

2,03

1,96

1,95

0,27

5

1,33

1,85

1,50

1,44

1,42

1,40

0,15

6

1,02

1,49

1,13

1,10

1,04

1,02

0

7

1,47

1,96

1,64

1,56

1,53

1,52

0,11

8

1,34

1,94

1,56

1,48

1,45

1,45

0,18

9

1,26

1,90

1,46

1,33

1,34

1,34

0,13

10

0,97

1,79

1,40

1,12

1,10

1,08

0,13

11

1,64

2,38

2,00

1,88

1,87

1,85

0,29

12

0,97

1,73

1,33

1,15

1,09

1,08

0,15

При проведении испытаний на безотказность (500 ч, 85 С) ИС типа OPА735 схемы № 2, 7 (по первому способу) и OP37 схемы № 4, 11 (по вто­рому способу) имели параметрические отказы.

       Данный способ был апробирован также на ИС типа OPA735 (ана­лого­вые, вы­полненные по МОП технологии), ИС типа К137ЛЕ2 (логиче­ские, выпол­ненные по биполярной технологии) и на ИС типа КР537РУ13 (логические, вы­полненные по МОП техно­логии).

       Способ разделения ИС по надежности, основанный на измере­нии шума по выводам  ,,вход – общая точка” с воздействием ЭСР на вход ИС.

       Для эксперимента на биполярных логических схемах было ото­брано ме­то­дом случайной выборки 12 ИС типа К137ЛЕ2. Средне­квадратичное напряжение шума измерялось методом прямого измерения на час­тоте 1000 Гц. Ширина по­лосы измерения частот равна f  = 200 Гц. Измере­ния шума проводились на вы­водах ,,вход – общая точка” при прямом  токе 6мА, задаваемом от внешнего ис­точника тока без подачи питания на ИС.

Напряжение электростатического разряда, как и в предыдущих спосо­бах, подбирается таким образом, чтобы не происходило изме­нений основ­ных парамет­ров за пределы технических условий, по­этому в эксперименте при­меняется до­пустимый потенциал 500 В для К137ЛЕ2. Воздейст­вие ЭСР проводится по модели тела чело­века.

Таблица 10

Значение шумов в цепи питания интегральных схем К137ЛЕ2 при воз­действии ЭСР и последующего отжига

№ ИС

Значения ,  мВ2, после

К7

нач.

ЭСР

1ч от­жига

2ч от­жига

3ч от­жига

4ч от­жига

5ч от­жига

1

31,20

52,10

45,80

43,60

42,60

41,40

41,29

0,48

2

26,08

40,00

33,10

31,30

30,70

30,60

30,26

0,30

3

21,00

27,00

23,40

21,90

22,00

21,30

21,00

0

4

24,40

35,84

26,90

26,50

26,10

25,80

25,70

0,11

5

29,20

51,13

42,60

42,30

40,80

39,40

39,00

0,45

6

25,00

36,56

30,00

29,20

28,40

28,00

26,93

0,17

7

26,25

40,60

33,30

32,30

32,20

30,90

30,84

0,32

8

20,00

28,73

22,50

20,80

21,00

20,20

20,00

0

9

26,08

38,00

32,10

30,10

29,50

29,70

29,41

0,28

10

22,75

41,50

28,60

27,90

27,10

27,20

26,50

0,20

11

25,60

39,25

31,60

30,90

29,80

29,20

29,39

0,28

12

23,67

36,92

30,20

28,80

27,20

27,50

27,80

0,31

Температура отжига - 100 С, время отжига – 5 ч., которое вы­брано на основе предварительного эксперимента, чтобы происхо­дило более полное вос­становление инфор­мативного пара­метра. По резуль­татам из­ме­рений вычисля­лись величины относительного из­менения К7.

Из данных табл. 10 можно сделать вывод, что у ИС № 3, 8  значе­ние бо­лее стабильно, и они будут более надежными при экс­плуатации. ИС, значение ко­эффициента которых К7 > 0,4, бу­дут потенциально ненадеж­ными  (ИС № 1, 5).

Данный способ был апробирован также на ИС типа OP37 (ана­лого­вые, вы­полненные по биполярной технологии), ИС типа OPA735 (ана­лого­вые, вы­полненные по МОП технологии) и на ИС типа КР537РУ13 (логические, вы­полненные по МОП техно­логии).

Таким образом, данные три способа позволяют разделять партию ИС на три под­партии: более надежные, соответствующие надежности по ТУ и потенци­ально ненадежные.

       На наш взгляд, пер­вый способ применим для тщательной отбра­ковки по надежности ИС средней степени интеграции с дефек­тами во входных цепях, для БИС более достоверными будут данные, полученные третьим способом. Второй способ применим для диагностиче­ского контроля надежности ИС средней степени инте­грации.

       Кроме того, в пятой главе приведены разработанные способы разделения ИС по надежности с использованием параметров по ТУ и НЧ шума с воздействием ЭСР и сделано сравнение способов на примере одного типа ИС. Приведен способ сравнительной оценки партий транзисторов по стойкости к ЭСР, которым можно проводить сравнительную оценку партий ППИ.

В шестой главе описана возможность диагностики ППИ по надежности с использованием НЧ шума и рентгеновского облучения.

В современном производстве ППИ широко применяются  радиационные технологические процессы, основанные на воздействии различных излучений, обеспечивающих при этом контролируемые изменения параметров полупроводниковых материалов и структур. Радиационные технологические процессы характеризуются хорошей воспроизводимостью результатов, совместимостью с технологическими маршрутами, но предъявляют высокие требования к последующему контролю качества и надежности ППИ.

Приводятся разработанные способы контроля качества и надежности ППИ по шумовым параметрам  с воздействием рентгеновского облучения. В экспериментах проводилось воздействие мягким рентгеновским облучением на установке УРС 55 мощностью 620 мРент­ген/сек в течение 5ч. Измерение напряжения шума проводилось методом прямого усиления при полосе частот f = 200 Гц с временем усреднения = 2 с.

На основе изменения параметров по ТУ и НЧ шума исследуемых ППИ до и после воздействия рентгеновского излучения экспериментально показана возможность применения  шумовых параметров для разделения ППИ по надежности после рентгеновского облучения. Исследования проводились на ИС типа TLC27 и LMP2015, выполненных по биполярной и МОП технологии соответственно. Применение приведенных способов для сплошного контроля партии невозможно из-за их трудоемкости или превышения допустимого по ТУ режима воздействия, но разработанные способы можно использовать для сравнительных испытаний двух или более партий ППИ одного типа по надежности.

В седьмой главе приведено сравнение достоверности разработанных способов разделения по надежности на примере одной партии ИС и модель прогнозирования низкочастотного шума.

Достоверность диагностических способов с использованием НЧ шумов.

Существующие методы отбраковки полупроводниковых изделий с использованием НЧ шума уже были опро­бованы на транзисторах, цифровых и аналоговых ИС и показали хоро­шие результаты. Хотя критерии отбора полупроводниковых изделий посредством дан­ных методов выбирались на основании статистики на представительной выборке,  но оценка их достоверности ранее не проводилась.

В основе метода определения достоверности диагностических методов положен расчет коэффициента корреляции прогнозируемых потенциально ненадежных ППИ с взятыми за эталон результатами испытаний на надежность.

Для эксперимента использовались ИС типа КР142ЕН5А, выпол­ненные по биполярной технологии, которые представляют собой трехвыводные стабили­заторы с фиксированным выходным напряжением в диапазоне от 5В.

Было использовано две партии ИС типа КР142ЕН5А общим количеством 110 шт, представленных заводом ,,Транзистор” (г. Минск). Первая партия схем с номерами 1-55 была возвращена на завод как недостаточно надежная. ИС с номерами 56-110 были отобраны из те­кущей партии изделий.

Рассмотренные диагностические методы с использованием низкочастотных шумов имеют высокую достоверность, практически равную испытаниям на надежность в течение 8000ч, что делает данные методы более привлекательными для их применения с точки зрения повышения произ­водительности и снижения затрат. Анализ показал, что отказ ИС № 21, 51, 53 в рассматриваемых партиях был обусловлен электрохимической коррозией  металлизации и растрескиванием кристалла в процессе испытаний, а ИС № 37 - электрохимической коррозией  металлизации.

Сопоставляя данные, полученные диагностическими методами с использованием низкочастотных шумов, и результаты анализа отказов ИС, можно полагать, что данный механизм отказов (электрохимическая коррозия металлизации) имеет сильную корреляцию с уровнем низкочастотных шумов. Общий уровень низкочастотных шумов ИС первой партии (ИС № 1 - 55) заметно превышает соответствующее значение для второй партии (ИС № 56 - 110) (табл. 11).

Из табл. 11 видно, что способы 1, 4, 5 имеют полную корреляцию с данными испытаний на надежность, поэтому эти способы могут быть рекомендованы для замены в производстве электротермотренировки.

Модель прогнозирования уровня низкочастотного шума.

Повысить точность измерения параметра в экспериментах можно, проводя измерение НЧ-шума на нескольких частотах (рис. 3), однако в этом случае усложняется конструкция измерителя . В данном случае можно создать математическую модель прогнозирования значения НЧ-шума по данным, полученным из предварительных измерений, с последующим расчетом более точного значения параметра .

Прогнозировать значение НЧ-шума можно, применив разложение в ряд Ньютона функции изменения НЧ-шума от частоты на основе эмпирических данных. В этом случае по данным эксперимента строится степенной ряд  вида

f(х) = а0 + а1х + а2х2 + а3х3 + … + аnxn + …  (3)

Коэффициенты а0, а1, а2 принимаются такие, чтобы эмпирическое выражение (3) по мере роста числа членов давало все более точное значение функции. Тогда, подставив в пределах НЧ-шума значение частоты вместо x, можно получить значение шума.

Методом случайной выборки было отобрано 10 ИС КР537РУ13 (статическое ОЗУ, выполненное по технологии КМОП, напряжение по ТУ составляет 5 В ± 10%), у которых измерялось значение среднеквадратичного напряжения шума методом прямого измерения по выводам питание–общая точка на частотах 100, 200, 500 и 1000 Гц (для удобства измерений 200 и 1000 Гц, 100 и 500 Гц выбирались как кратные числу 5).

Ширина полосы частот f = 200 Гц, время усреднения = 2 с. По результатам измерений напряжения НЧ шума на частотах 200, 500 и 1000 Гц рассчитана функция (3) для каждой из 10 ИС и спрогнозировано значение на частоте 100 Гц (подставив значение 100 Гц в аргумент функции) с последующим измерением истинного значения на частоте 100 Гц для сравнения с прогнозируемым значением на частоте 100 Гц. По результатам прогноза и измерений напряжения НЧ шума рассчитаны значения параметра НЧ-шума по формуле (2) на паре частот 200 и 1000 Гц (), 100 и 500 Гц (). Так как параметр может иметь разное значение в диапазоне НЧ-шума, для нахождения более точной его величины можно применить среднеарифметическое из двух на разных частотах (паре частот): и . Среднеарифметическое , которое принимается как приближенное к истинному значению параметра (так как значение параметра НЧ-шума учитывается на нескольких частотах), будет иметь различие со значениями и . Поэтому для каждой ИС по результатам измерений и прогноза рассчитана относительная погрешность между , и среднеарифметическим их значением. Для сравнения погрешности определения параметра при прогнозе величины НЧ-шума на частоте 100 Гц и измеренном реальном значении на частоте 100 Гц вычислялись две погрешности измерений  для каждой ИС по формуле:

где – значение параметра на частоте 100 Гц по прогнозу и на частоте 500 Гц измеренное; – значение параметра на частотах 100 и 500 Гц измеренное; – значение параметра на частотах 200 и 1000 Гц измеренное; и – среднеарифметическое значение параметра между и и соответственно.

Результаты вычислений и измерений представлены в табл. 12.

Можно предположить, что ИС № 10 будет иметь отказ с точностью 2,48% на основе прогнозируемого уровня шума на частоте 100 Гц и 1,77% на основе измерений на частоте 100 Гц. ИС № 8 имеет максимальное значение с погрешностью 6,03 и 5,32%. После измерений были проведены испытания на безотказность (500 ч, 85 °С). ИС № 10 имела параметрический отказ, а ИС № 8 значение параметра – тока потребления Iпотр, близкое к предельно допустимому значению по ТУ.

Таблица 12

Значение параметра НЧ-шума на различных частотах при прогнозе и непосредственном измерении

№ ИС

γ

γ

1

1,33

1,37

1,35

1,35

1,34

2,96

1,49

2

1,05

1,10

1,09

1,07

1,07

5,14

4,21

3

1,28

1,21

1,23

1,25

1,26

5,76

4,13

4

1,06

1,13

1,09

1,10

1,08

6,18

2,59

5

1,32

1,36

1,36

1,34

1,34

3,21

3,21

6

0,99

1,03

1,02

1,01

1,01

3,96

2,97

7

1,34

1,26

1,27

1,30

1,31

6,23

5,42

8

1,36

1,44

1,43

1,40

1,40

6,03

5,32

9

1,37

1,32

1,33

1,35

1,35

4,00

3,26

10

1,40

1,43

1,42

1,41

1,41

2,48

1,77

       

В седьмой главе показана перспективность прогнозирования значения НЧ шума по данным измерений, что может быть использовано, например, для упрощения конструкции измерителя параметра на нескольких частотах, исключив из устройства канал селективного усиления, например на частоте 100 Гц. Изучено влияние рентгеновского облучения на параметры аналоговых ИС типа TLC27, LMP2015 и OP64, выполненных по разным технологиям, и показана возможность выявления потенциально ненадежных ИС по влиянию рентгеновского облучения на  параметр НЧ шума .

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

       Настоящая диссертация является научно-технической разработкой, обеспечивающей решение важной прикладной задачи – замене длительных и дорогостоящих отбраковочных испытаний новыми диагностическими мето­дами контроля качества и надежности партий ППИ, основанными на измере­нии параметров низкочастотных шумов как при производстве ППИ, так и на входном контроле изготовителей радиоэлектронной аппаратуры. В работе рассмотрены НЧ шумы логических и аналоговых ИС, выполненных по биполярной и МОП технологиям, их зависимость от тока, напряжения до и после воздействия рентгеновского облучения, ЭСР с последующим отжигом, температурного воздействия.

       В диссертации получены следующие научно–технические результаты:

1. Показано, что по измерению среднеквадратичного значения напряжения НЧ шума изделия при заданном токе смещения в одной точке вольт - шумовой характеристики нельзя с необходимой (не менее 0,95) достоверностью диагностировать потенциально ненадежные ППИ.

2. Экспериментально обоснована разработка новых эффективных диагностических методов на основе измерений среднеквадратичных значений напряжения и тока НЧ шума в окрестности различных частот в двух и более точках ампер – шумовой характеристики при различных внешних воздействиях температуры, ЭСР, термоциклирования, рентгеновского излучения.

3. Разработана установка и устройство для разбраковки ППИ по ампер – шумовым харак­теристикам. На принцип, положенный в основу установки, получен па­тент на изобретение №2263326, опуб. 27.10.2005.

4. Разработаны два устройства для измерения показателя формы спектра НЧ шума . На данные устройства получен па­тент № 2294545, опубл. 27.102.2007, и па­тент на полезную модель № 90218, опубл. 27.12.2009.

5. Разработан способ неразрушающего контроля устойчивости к вторичному пробою мощных МДП-транзисторов. Получен па­тент

№ 2307368, опубл. 27.02.2007.

      6. Разработано два способа разделения ИС по надежности с использованием ЭСР и температурных воздействий. Получены патенты: № 2324194, опубл. 10.05.2008, № 2284539, опубл. 27.09.2006.

      7. Разработан способ разбраковки полупроводниковых изделий на основе термоциклирования и измерения НЧ шума. На данный способ получен па­тент № 2289144, опубл. 10.12.2006.

  8. Разработаны способы разделения полупроводниковых приборов по на­дежно­сти и способ определения потенциально нестабильных полупро­водниковых приборов на основе измерения НЧ шума и обратных токов. Получены патенты: №2258234, опубл. 10.08.2005;  №2242018, опубл. 10.12.2004; №2234104,  опубл. 10.08.2004.

      9. На основе измерения интенсивности шума при двух значениях прямого тока разработан способ, позволяющий отбраковать потен­циально ненадежные ИС. На данный способ получен патент на изобрете­ние №2278392, опубл. 20.06.2006.

      10. Разработаны два новых способа разделения ИС по надежности с использо­ва­нием напряжения шума при различных напряжениях пи­та­ния. Получены патенты: №2311653, опубл. 27.11.2007;  №2285270, опубл. 10.10.2006.

               11. Разработаны два способа разделения ИС с использованием напряжения шума и показателя формы спектра при трех различных температурах. Получены патенты: №2309418, опубл. 27.10.2007;  №2292052, опубл. 20.01.2007.

12. Предложена модель прогнозирования среднеквадратичного уровня низкочастотного шума на основе эмпирических данных с помощью разложения в ряд Ньютона функции изменения НЧ шума от частоты.

13. Экспериментально показано на партии ИС типа КР142ЕН5А, что разработанные способы диагностирования имеют высокую достоверность и могут быть использованы для замены электротермотренировки.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих рабо­тах:

Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК РФ

  1. Методы ди­агно­стики полупроводниковых изделий с использо­ва­нием электростатиче­ских разрядов / М.И. Горлов, В.А. Емельянов, И.И. Рубцевич, Д.Ю. Смирнов // Микроэлектроника.  2005. Т. 34. № 3. С. 27 – 36.
  2. Ис­поль­зова­ние уровня шумов для контроля полупроводнико­вых из­делий при термо­цик­лировании / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Ю.Е. Се­гал, А.В. Емельянов  // Известия вузов. Электроника. 2005. № 6. С. 89 – 92.
  3. Горлов М.И. Разделение инте­гральных схем по надежности с исполь­зованием 1/f – шума / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Д.Л. Ануфриев  // Известия вузов. Электро­ника. 2006. № 1. С. 84 – 89.
  4. Горлов М.И. Прогнозирова­ние деграда­ции транзисторов с ис­пользо­ванием методов теории и анализа вре­менных рядов / М.И. Горлов, А.В. Строгонов, Д.Ю. Смирнов // Микроэлектроника.  2006. Т. 35. № 3. С. 259 – 267.
  1. Горлов М.И. Классификация надежности интегральных схем с использованием показателя формы спектра / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Д.Л. Ануфриев // Известия вузов. Электроника. 2006. № 5. С. 78 – 82.
  2. Горлов М.И. Измерение шумовых параметров полупроводни­ковых изделий / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Д.Л. Ануфриев // Измерительная техника. 2006. №12. С.46 - 49.
  3. Горлов М.И. Диагностика надежности ИС по НЧ-шуму с использованием термоциклирования / М.И. Горлов, Н.Н. Козьяков, Д.Ю. Смирнов // Известия вузов. Электроника. 2007. № 4. С. 89 – 91.
  4. Горлов М.И. Достоверность диагностических методов исследования на основе анализа низкочастотных шумов / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Н.Н. Козьяков // Известия вузов. Электроника. 2009. № 1. С. 79 – 86.
  5. Горлов М.И. Оценка надежности аналоговых интегральных схем с использованием измерений электрических параметров при внешних воздействиях / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов // Известия вузов. Электроника. 2009. № 5. С. 21 – 27.
  6. Горлов М.И. Сравнение технологии герметизации интегральных схем на различных заводах / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Р.М. Тихонов // Приборы. 2010. №3. С. 53-55.
  7. Горлов М.И. Диагностический контроль интегральных схем с использованием шумов и воздействия электростатических разрядов / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Р.М. Тихонов // Микроэлектроника. 2010. Т.39. №1. С. 21 – 27.
  8. Горлов М.И. Влияние рентгеновского излучения на низкочастотный шум ИС / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева // Известия вузов. Электроника. 2010. № 4. С. 8 – 13.
  9. Горлов М.И. Способ разделения тиристоров по надежности с использованием низкочастотного шума и рентгеновского облучения / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева // Дефектоскопия. 2010. №12. С. 23 – 25.
  10. Горлов М.И.  Способы разделения полупроводниковых приборов по надежности с использованием низкочастотного шума и рентгеновского облучения / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева // Микроэлектроника. 2011. Т.40. №1. С. 52 – 56.
  11. Горлов М.И. Влияние рентгеновского излучения на электрические параметры транзисторов КТ602 / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Антонова // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2011. Т 7. № 1. С. 8 – 13.

Книги

  1. Диагностика твердотельных полупроводниковых структур по параметрам низкочастотного шума / М.И. Горлов, Л.П. Ануфриев, А.П. Достанко, Д.Ю. Смирнов. Минск: ,,Интегралполиграф”, 2006. – 110 c.
  2. Горлов М.И. Диагностика в современной микроэлектронике /

М.И. Горлов, В.А. Емельянов, Д.Ю. Смирнов. Минск: ,,Бел наука”, 2011. – 367 с.

Статьи и материалы конференций

  1. Горлов М.И. Влияние электро­статиче­ских разрядов на элек­триче­ские параметры ИС типа КА1034НР3 / М.И. Горлов, Е.П. Ни­колаева, Д.Ю. Смирнов // Шумовые и дегра­да­ционные процессы в полупроводни­ковых прибо­рах: материалы докл. науч.–техн. семинара. М., 2003. С. 160 – 161.
  2. Горлов М.И. Ис­пользова­ние шу­мовых параметров и воздействия электро­статиче­ских разрядов для разделения полупроводниковых приборов по на­дежности / М.И. Горлов,  А.П. Жарких, И.А. Шишкин, Д.Ю. Смирнов // Шумовые и дегра­да­ционные процессы в полупроводни­ковых прибо­рах: материалы докл. науч.–техн. семинара. М., 2004. С. 14 – 15.
  3. Петров Б.К. Расчет термиче­ских эффек­тов при воздействии ЭСР на биполярные транзисторы / Б.К. Петров, М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов // Радиолокация, навига­ция, связь: материалы докл. науч.–техн. конф. Воронеж, 2004. С. 665-672.
  4. Смирнов Д.Ю. Влияние электростатических воз­действий на ин­те­гральные схемы типа КА1034НР3 / Д.Ю. Смирнов, М.И. Горлов // Радиоэлектроника,  электротех­ника и энерге­тика: материалы докл. науч.–техн. конф. М., 2004. С. 243.
  5. Горлов М.И. Использование шумовых параметров и воздействия электростатиче­ских разрядов для разделения полупроводниковых приборов по надежности / М.И. Горлов, А.П. Жарких, И.А. Шишкин, Д.Ю. Смирнов // Шумовые и дегра­дационные процессы в полупроводниковых приборах: материалы докл. научн. – техн. семинара. М., 2005. С. 14 – 16.
  6. Горлов М.И. Разделение инте­гральных схем по надежности с исполь­зованием шумовых па­раметров / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов,

Д.Л. Ануфриев  // Техника ма­шино­строения. 2006. № 1. С. 17 – 22.

  1. Горлов М.И.  Возможность от­браковки полу­проводниковых прибо­ров по уровню низкочастот­ного шума / М.И. Горлов, В.А. Емельянов, Д.Ю. Смирнов // Компо­ненты и технологии. 2005. № 8. С. 198 – 201.
  2. Смирнов Д.Ю. Раз­деление интегральных схем по надежно­сти с ис­пользо­ва­нием низкочастотного шума / Д.Ю. Смир­нов  // Микроэлек­троника и инфор­матика – 2006: материалы докл. науч.–техн. конф. М., 2006. С. 110.
  3. Горлов М.И. Устройство для измерения пара­метра низкочас­тот­ного шума / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Н.Н. Козья­ков // Шумовые и дегра­да­ционные процессы в полупроводни­ковых прибо­рах: материалы докл. науч.–техн. семинара. М., 2006. С. 65 – 67.
  4. Горлов М.И. Неразрушаю­щий метод контроля устойчивости к вторич­ному пробою / М.И. Горлов, Д.Л. Ануфриев, Д.Ю. Смирнов, Е.П. Николаева // Шумовые и дегра­да­ционные процессы в полупроводни­ковых прибо­рах: материалы докл. науч.–техн. семинара. М., 2006.

С. 68 – 71.

  1. Горлов М.И.  Диагностический контроль надежности интегральных схем с использованием шумов и воздействия электростатических разрядов / М.И. Горлов, Д.Л. Ануфриев, Д.Ю. Смирнов // Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2006. С. 173 – 177.
  2. Горлов М.И. Методы выборочной сравнительной оценки партий полупроводниковых приборов по качеству и надежности / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Р.М. Тихонов // Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2006. С. 36 – 43.
  3. Горлов М.И. Способы разделения аналоговых интегральных схем по надежности с использованием параметров низкочастотного шума / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов // Микроэлектроника: материалы докл. научн. – техн. конф. преподавателей и студентов ВГТУ Воронеж: ВГТУ,  2009. С. 10.
  4. Горлов М.И. Способы разделения полупроводниковых изделий по надежности / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов // Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2009. С. 43 – 48.
  5. Горлов М.И.  Способы сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Р.М. Тихонов // Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2010. С. 194 – 198.
  6. Горлов М.И. Модель прогнозирования низкочастотного шума / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева // Радиолокация, навигация и связь: материалы докл. научн. – техн. конф. Воронеж, 2010. С. 524 – 527.
  7. Горлов М.И. Способы разделения полупроводниковых изделий по надежности / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов // Производство электроники. 2010. № 7. С. 1 – 3.
  8. Горлов М.И. Способы разделения полупроводниковых приборов по надежности с использованием шумовых параметров / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева // Шумовые и дегра­дационные процессы в полупроводниковых приборах: материалы докл. научн. – техн. семинара. М., 2010. С. 65 – 69.
  9. Gorlov M.I. Reliability of Diagnostic Methods Based on Low Frequency Noise Analysis / M.I. Gorlov, D.Yu. Smirnov, N.N. Koz’yakov // Semiconductors. 2009. Vol. 43. No. 13. pp. 1737–1741.
  10. Горлов М.И. Способы разделения полупроводниковых изделий по надежности / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Е.А. Антонова // Радиолокация, навига­ция, связь: материалы докл. науч.–техн. конф. Воронеж, 2011. С. 522-527.
  11. Горлов М.И.  Способ разделения тиристоров по надежности с использованием шумовых параметров и рентгеновского облучения / М.И. Горлов,  Д.Ю. Смирнов, Е.А. Золотарева // Шумовые и дегра­да­ционные процессы в полупроводни­ковых прибо­рах: материалы докл. науч.–техн. семинара. М., 2011. С. 61 – 65.

Патенты на изобретения

  1. Пат. 2234104 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26, H01R 21/66. Способ опре­деле­ния потенциально нестабильных полу­проводнико­вых приборов / М.И. Горлов,  А.П. Жарких, А.В. Емельянов, Д.Ю. Смирнов; № 2003105569/28; заявл. 26.02.2003; опубл. 10.08.2004; бюл. № 22. 4 с.
  2. Пат. 2242018 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26. Спо­соб разделения биполярных транзисторов по стабильности об­ратных то­ков /  М.И. Горлов, А.В. Андреев, А.В. Емельянов, Д.А. Литвиненко, Д.Ю. Смирнов; № 2003111056/28; заявл. 17.04.2003; опубл. 10.12.2004; бюл.  № 34. 3 с.
  3. Пат. 2258234 Российская Федерация, МПК7 G01R 31/26. Спо­соб раз­де­ле­ния полупроводниковых приборов по надежности / М.И. Горлов,  А.П. Жарких, И.А. Шишкин, Д.Ю. Смирнов; № 2004120025/28; заявл. 30.06.2004; опубл. 10.08.2005; бюл. № 22. 3 с.
  4. Пат. 2263326 Российская Федерация, МПК7 G01R 31/26. Уст­рой­ство для разбра­ковки полу­проводниковых изделий по ампер-шумовым ха­рактеристи­кам / М.И. Горлов, А.П. Жарких, Д.Ю. Смирнов; № 2004105669/28; заявл. 25.02.2004; опубл. 27.10.2005; бюл. № 30. 6 с.
  5. Пат. 2278392 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26. Спо­соб разделе­ния инте­граль­ных схем / М.И. Горлов, И.И. Рубцевич, Д.Ю. Смирнов; № 2005105366/28; заявл. 24.02.2005; опубл. 21.02.2006; бюл. № 17. 3 с.
  6. Пат. 2284539 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26 Способ разделения интегральных схем по надежности / М.И. Горлов, Д.Ю.  Смирнов, Д.Л. Ануфриев; № 2005106707/28; заявл. 09.03.2005; опубл. 27.09.2006; бюл. № 27. 3 с.
  7. Пат. 2285270 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26. Способ разделения интегральных схем по надежности / М.И. Горлов, В.И. Плебанович, Д.Ю. Смирнов; № 2005105368/28; заявл. 24.02.2005; опубл. 10.10.2006; бюл. № 28. 3 с.
  8. Пат. 2309418 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26 Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Д.Л. Ануфриев; № 2005116810/28; заявл. 01.06.2005; опубл. 27.10.2006; бюл. № 30. 3 с.
  9. Пат. 2289144 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26 Способ разбраковки полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, А.В. Емельянов, Д.Ю. Смирнов, Ю.Е. Сегал; № 2005101028/28; заявл. 18.01.2005; опубл. 10.12.2006; бюл. № 34. 3 с.
  10. Пат. 2292052 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26 Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности / М.И. Горлов,

Д.Ю. Смирнов, Д.Л. Ануфриев; № 2005116809/28; заявл. 01.06.2005; опубл. 20.01.2007; бюл. № 2. 3 с.

  1. Пат. 2294545 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26. Устройство для измерения параметра низкочастотного шума /

М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Н.Н. Козьяков; № 2005133743/28; заявл. 01.11.2005; опубл. 27.02.2007; бюл. № 6. 3 с.

  1. Пат. 2307368 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26. Способ неразрушающего контроля устойчивости к вторичному пробою мощных МДП-транзисторов / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Д.Л. Ануфриев; № 2005135366/28; заявл. 14.11.2005; опубл. 27.09.2007; бюл. № 27. 3 с.
  2. Пат. 2311653 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26 Способ разделения аналоговых интегральных схем по надежности / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Д.Л. Ануфриев; № 2006107247/28; заявл. 09.03.2006; опубл. 27.11.2007; бюл. № 33. 3 с.
  3. Пат. 2324194 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26 Способ разделения интегральных схем по надежности / М.И. Горлов, Д.Л. Ануфриев Д.Ю. Смирнов; № 2006132770/28; заявл. 12.09.2006; опубл. 10.05.2008; бюл. № 13. 3 с.
  4. Пат. 90218 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26 Устройство измерения параметра низкочастотного шума / М.И. Горлов, Б.К. Петров, Д.Ю. Смирнов; № 2009114133/28; заявл. 14.04.2009; опубл. 27.12.2009; бюл. № 36. 3 с.
  5. Пат. 2386975 Российская Федерация, МПК7 7G01R 31/26 Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем / М.И. Горлов, Д.Ю. Смирнов, Р.М. Тихонов; № 2008144594/28; заявл. 11.11.2008; опубл. 20.04.2010; бюл. № 11. 3 с.

Подписано в печать

Формат 6084/16. Бумага для множительных аппаратов.

Усл. печ. л. 3,0. Тираж 100 экз. Зак. №

ФГБОУВПО “Воронежский государственный технический университет”

394026 Воронеж, Московский просп., 14






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.