WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Работа выполнена в учреждении Российской академии наук

Институте физики микроструктур РАН

На правах рукописи

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, чл.-корр. РАН, профессор Д.Р. Хохлов доктор физико-математических наук, С.В. Иванов Шашкин Владимир Иванович доктор физико-математических наук, профессор НЕЛИНЕЙНЫЕ ТРАНСПОРТНЫЕ Д.А. Павлов ЭФФЕКТЫ В СЕЛЕКТИВНО ЛЕГИРОВАННЫХ

Ведущая организация: Учреждение Российской академии наук ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ МИКРОСТРУКТУРАХ Институт радиотехники и электроники РАН МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК

Защита состоится 23 сентября 2009 года в 14 часов на заседании диссертационного совета Д 212.166.01 при Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского (603950, 01.04.10 – физика полупроводников г. Нижний Новгород, проспект Гагарина, 23).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Нижегородского

АВТОРЕФЕРАТ

государственного университета им. Н.И. Лобачевского.

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Автореферат разослан ___ августа 2009 г.

Ученый секретарь диссертационного совета доктор физико-математических наук, Нижний Новгород - 20профессор А.И. Машин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

чить на много порядков плотность тока, сохраняя сильную нелиней ность ВАХ и малую удельную ёмкость контактов. Совокупность

Актуальность темы этих характеристик, вместе с малой инерционностью установления В последние десятилетия происходило стремительное развитие туннельного тока востребована в задачах детектирования, преобрафизики и технологии полупроводниковых гетероструктур, что при- зования и умножения частот сигналов в суб- и терагерцовом диапавело к заметному обогащению полупроводниковой электроники зонах частот [5].

идеями и возможностью создавать искусственные микро- и нано- структуры с необходимыми свойствами. Не вызывает сомнений про- Объектом исследования дуктивность идеи использования искусственного наномасштабного в данной работе являются селективно легированные гетероэпитаксипотенциала, воздействующего на свободные носители заряда (или альные микро- и наноструктуры металл-полупроводник (МП) на осдругие квазичастицы) в полупроводниках и ограничивающего их нове соединений Al-In-Ga-As-N.

движение в одном или нескольких направлениях. Возникли новые Предметом исследования термины для наноструктур различной размерности: квантовые ямы, являются нелинейные транспортные явления при эмиссии, туннелинити и точки. Результаты фундаментальных и прикладных исследо- ровании и инжекции электронов в гетероэпитаксиальных микро- и ваний в этой области оказались столь значительны, что привели к наноструктурах металл-полупроводник.

формированию новых научных направлений, таких как физика по- лупроводниковых микроструктур, нанофизика и наноэлектроника. Цель диссертационной работы состояла:

Когда речь идёт о микроструктурах с характерными масштабами - в развитии технологии металлоорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ), обеспечивающей получение атомарно резких профипотенциала 10 нм, неизбежно возникает ряд важных, взаимосвязанлей состава и легирования в гетероструктурах А3В5 на основе соединых задач, которые требуют решения. Это – развитие эпитаксиальнений Al-In-Ga-N-As и осаждение на ростовую поверхность металла;

ной технологии роста гетероструктур со слоями нанометровой тол- в разработке методик формирования в условиях МОГФЭ многощины, разработка способов контроля их параметров, построение слойных массивов металлических нанокластеров, встроенных в мотеоретических моделей и постановка экспериментов для обнаруженокристаллическую полупроводниковую матрицу;

ния новых физических явлений.

- в экспериментальных исследованиях и построении физических В данной работе проведено подобное исследование для двух тимоделей для полупроводниковых наноструктур с металлическими пов структур: массивов металлических нанокластеров, встроенных в нанокластерами;

полупроводниковую матрицу, и планарных туннельных контактов - в экспериментальных и теоретических исследованиях туннельметалл – полупроводниковая микроструктура. Весьма активно изуных, эмиссионных и инжекционных транспортных явлений в селекчается прототип первого объекта - GaAs с нанокластерами As или тивно легированных микроструктурах МП;

полуметаллическими наночастицами ErAs, который используют как - в разработке и изготовлении на основе селективно легированных сверхбыстрый фотопроводник в оптических системах генерации темикроструктур МП низкобарьерных диодов, обеспечивающих высорагерцового излучения [1,2]. Большой интерес вызывают объекты кую чувствительность при приёме излучения миллиметрового диавторого типа, например, на основе сложной гетероструктуры пазона длин волн.

InAs/GaSb/AlGaSb/AlSb/InAs c межзонным туннелированием [3,4].

Актуальность исследований обусловлена тем, что в транспортных Научная новизна процессах в этих структурах важную роль играет туннелирование, 1. На основе вольт-фарадных (CV) измерений в процессе электроопределяющее сильную нелинейность вольт-амперных характерихимического травления разработан метод восстановления простик (ВАХ). Не менее важно то, что можно одновременно управлять филя легирования полупроводников непосредственно от поверхтоковыми и емкостными характеристиками структур. Можно увели 3 ности и с высоким пространственным разрешением на масштаженных в ряд с периодом 3/2, позволила регистрировать полябах, меньших радиуса дебаевского экранирования.

ризационно-чувствительные изображения объектов при просве2. Показано, что при пиролизе металлорганических соединений Al чивании. Это доказывает работоспособность матричного приеми лазерном распылении Mo и W в реакторе МОГФЭ на атомарно ника плотной компоновки и перспективность его применения в чистой поверхности GaAs на начальных стадиях происходит системах радиовидения.

формирование металлических нанокластеров с размерами нм, после чего возможно возобновление эпитаксиального роста Основные положения, выносимые на защиту GaAs. При многократном повторении процессов получены мно- 1. Для гетероструктур на основе соединений Al-In-Ga-As-N метод гослойные нанокластерные структуры. МОГФЭ обеспечивает изменение состава и легирование с ато3. Получено аналитическое решение задачи о поперечном инжек- марной резкостью, получение атомарно гладких интерфейсов и ционном токе в нелегированном полупроводниковом слое с лю- осаждение металла без формирования промежуточных слоёв, что бой комбинацией контактов: с металлом, с легированным полу- позволяет управлять туннельной прозрачностью контактов МП.

проводником или с гетерослоем, ограничивающим инжекцию. 2. Полученный методом МОГФЭ искусственный материал, моно4. С использованием техники -легирования и осаждения Al в реак- кристаллический полупроводниковый GaAs с внедренными наторе МОГФЭ показана возможность снижения эффективной вы- нокластерными слоями Al, обладает пикосекундной временной соты барьера контакта Al/n-GaAs в пределах от 0,7 до 0 эВ. динамикой отклика на межзонное оптическое возбуждение.

5. На основе микроструктур МП с пониженной эффективной высо- 3. Модельное описание электрических свойств наноконтактов с той барьера изготовлены планарные диоды, которые обеспечи- барьером Шоттки свидетельствует о возрастании туннельной вают высокочувствительное детектирование и эффективное пре- компоненты тока при уменьшении их размеров и малой инерциобразование сигналов миллиметрового диапазона длин волн. онности нелинейных емкостных эффектов, сопровождающих их перезарядку, вплоть до терагерцовых частот.

Практическая значимость 4. Дельта-легирование кремнием слоя GaAs вблизи границы с алю1. На основе комплексного подхода, объединяющего эпитаксиаль- минием позволяет управлять эффективной высотой барьера конную (вертикальную) и микроэлектронную (планарную) технолотакта МП в диапазоне 0,70,2 эВ при сохранении небольших гии формирования микроструктур, разработаны и изготовлены значений фактора идеальности <1,5 и сопоставимых характеримембранные планарные диоды Шоттки с субмикронными разместиках нелинейности ВАХ при нулевых напряжениях смещения.

рами анода, обеспечивающие эффективное преобразование час5. Обобщённая эмиссионно-диффузионная теория, учитывающая тот в субтерагерцовом диапазоне (0,11 ТГц). одновременно туннельные процессы вблизи границы МП и ток 2. Разработаны и изготовлены уникальные низкобарьерные диоды инжекции в базовом i-слое, с достаточной точностью описывает для детектирования без постоянного тока смещения и эффектив- ВАХ низкобарьерных диодов Мотта.

ного смешения сигналов при пониженной мощности гетеродина.

6. Низкобарьерные диоды Мотта с -легированием вблизи границы Измеренные характеристики превосходят или соответствуют МП обеспечивают рост чувствительности при детектировании в лучшим из известных аналогов. В частности, для планарного дережиме без тока смещения и эффективное смешение сигналов тектора на 94 ГГц величина вольт-ваттной чувствительности при пониженной мощности гетеродина.

>10000 В/Вт при пороговой мощности NEP10-12 Вт Гц-1/2. 7. Планарные детекторы на основе микрополосковых щелевых антенн, с включёнными в них низкобарьерными диодами, сохра3. Планарные детекторы диапазона длин волн 3 мм допускают няют направленность и чувствительность при плотной компоплотную компоновку в плоскости при слабом взаимовлиянии.

новке в матричном приёмнике.

Приёмная линейка из восьми планарных детекторов, располо 5 Личный вклад автора - International Semiconductor Device Research Symposia При выполнении работы автором сделан определяющий вклад в (Charlottesville - 1993, 1997);

постановку задач исследования электронных транспортных эффек- - 8-ой, 11-ой, 15-ой, 16-ой и 17-ой международных микроволновых контов в микроструктурах металл-полупроводник, развитие методик ференциях "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" гетероэпитаксиального роста и селективного легирования структур, (Севастополь - 1998, 2001, 2005, 2006, 2007 г.);

анализ и интерпретацию экспериментальных данных, решение мо- - 7-ой Российской конференции "GaAs-99" (Томск, 1999 г.);

дельных теоретических задач. - 23rd Intеrnational Conference on Microelectronics (Nis, 2002);

- Joint 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves Апробация работы and 14th International Conference on Terahertz Electronics (Shanghai, Основные результаты были представлены и обсуждены на 2006);

- Российской конференции с участием зарубежных учёных «Мик- - 6th International Conference on Antenna Theory and Techniques роэлектроника-94» (Звенигород, 1994 г.); (Sevastopol, 2007);

- совещаниях «Нанофотоника» (Нижний Новгород - 1999, 2000, - Международной научно-технической конференции по фотоэлек2001, 2003, 2004 г.); тронике и приборам ночного видения (Москва, 2008 г.);

- 8th, 10th and 11th European Workshops on Metalorganic Vapour Phase - радиоастрономической конференции «Повышение эффективноEpitaxy (Prague - 1999, Lecce - 2003, Lausanne - 2005); сти и модернизация радиотелескопов» (Нижний Архыз, 2008 г.).

- International Workshops “Scanning probe microscopy” (Nizhny Novgorod - 2001, 2002, 2003); Публикации - I, II, III, V, VI и VIII Российских конференциях по физике полу- Основные результаты опубликованы в 83 работах, из них - проводников (Нижний Новгород - 1993 г., Зеленогорск - 1996 г., статей в рецензируемых журналах, 34 работы - в сборниках материаМосква - 1997 г., Нижний Новгород - 2001 г., Санкт-Петербург - лов и трудов конференций.

2003 г., Екатеринбург - 2007 г.);

- International Symposia "Nanostructures: Physics and Technology" Структура и объем диссертации (St.-Petersburg - 1996, 1997); Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, трёх - International Symposia on Compound Semiconductor (St.-Petersburg приложений, списка цитированной литературы (164 наименования) и - 1996, 1997); списка публикаций автора по теме диссертации. Объём диссертации - 10th International Conference on Superlattices, Microstructures, and составляет 402 страницы, она содержит 160 рисунков и 11 таблиц.

Microdevices (Lincoln, 1997);

- 2nd VDE World Micro Technologies Congress - (Munich, 2003); ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ - международных конференциях "Оптика, оптоэлектроника и Во введении обоснована актуальность темы исследований, технологии" (Ульяновск - 2001, 2002, 2003 г.); сформулирована цель работы, показана ее научная новизна и прак- 4th International Conference On Photo-Excited Processes and тическая значимость, приведены положения, выносимые на защиту, Applications (Lecce, 2004); а также представлены сведения о структуре и содержании работы.

- Всероссийской научно техническая конференция “Электроника и В главе 1 обсуждаются возможности метода МОГФЭ [6] по созИнформатика” (Зеленоград, 1995 г.); данию гетероэпитаксиальных микроструктур с тонкими слоями, - совещании "Зондовая микроскопия" (Нижний Новгород, 2000 г.); гладкими интерфейсами, высокой однородностью вдоль поверхно- симпозиумах “Нанофизика и наноэлектроника” (Нижний Новго- сти и резким изменением состава и легирования. Эти структуры нерод - 2007, 2008, 2009 г.); обходимы для решения основных задач диссертационной работы, связанных с изучением транспортных явлений в контактах МП, где 7 эффекты туннелирования играют важную или определяющую роль.

1,1,1,1,Описывается базовый технологический инструментарий, включаю- 0,0,8 0,8 0,8 щий методики МОГФЭ, оптический мониторинг процесса МОГФЭ (in situ), новые методики диагностики наноструктур, способы полу- 0,0,0,0,чения различных комбинаций низкодефектных полупроводниковых 0,0,0,0,гетероструктур на основе соединений Al-Ga-In-As-N [A1-A32].

Обсуждаются наиболее существенные особенности установок 0,0,0,0,МОГФЭ. Важным аспектом является совершенная газодинамика ре- 0,0,0,актора, обеспечивающая при выращивании гетероструктур быструю 0,02468 02468 02468 02468 замену парогазовой смеси у подложки. Обсуждаются эксперименты Глубина распыления, нм Глубина распыления, нм Глубина распыления, нм по контролю состояния ростовой поверхности при измерении коэф- фициента отражения поляризованного света, падающего на неё под Рис. 1. Распределение атомов In по глубине в гетероструктуре углом Брюстера (брюстеровская рефлектометрия). Эти исследования GaAs/InGaAs/GaAs, измеренное при разных углах сбора ожепозволили определять количество остаточного мышьяка на поверх- электронов в энергоанализатор: 1 – сбор во всём телесном угле; 2 – ности и удалять его без нарушения морфологии. Для гетероструктур «скользящие» электроны; 3 – «нормальные» электроны.

InGaAs/GaAs брюстеровская рефлектометрия позволила также кон- тролировать сохранение режима послойного роста, срыв его при об- непосредственно от поверхности полупроводника с высоким проразовании квантовых точек и нестационарные процессы сегрегации странственным разрешением на масштабах, меньших радиуса дебаевского экранирования. Формально разрешение ограничивается веиндия при повышении температуры роста Tg>450°С.

личиной шага травления, который может быть равен нескольким наСерьёзное внимание уделено поиску режимов МОГФЭ для форнометрам. Метод предъявляет повышенные требования к точности мирования атомарно гладких поверхностей и атомарно резких инизмерений и требует совершенствования измерительной аппаратуры.

терфейсов. Обсуждаются причины нарушения планарности поверхности из-за эшелонирования атомных ступеней, релаксации упругих Важная роль в работе отводится технике -легиpования. Именно напряжений и генерации дефектов в гетероструктурах типа Inс помощью -легиpования GaAs кремнием формируется необходиGaAs/GaAs. Для контроля шероховатости поверхности использовали мый потенциальный рельеф туннельных контактов МП, которые методики атомно-силовой микроскопии (АСМ) поверхности и попеизучаются в дальнейшем. Важные параметры – высокая поверхностречных сколов гетероструктур. Одновременно проводился поиск реная концентрация электронов - N и предельная резкость в распредежимов МОГФЭ для получения полупроводниковых гетероструктур с лении примеси в -слое. Дельта-слои, выpащенные пpи Tg=600°C, резким изменением состава. Резкость гетеропереходов контролироимели наибольшие значения N 6·1012 см-2 и минимальную ширину валась методом послойной оже-электроной спектроскопии сверхвыконцентрациннных пиков по CV измерениям: 2,5 нм пpи 300 К и 1,сокого (субнанометрового) разрешения - рис.1. Видно, что задний нм пpи 77 К - рис. 2. Эти параметры сопоставимы с лучшими известфронт слоя InGaAs является более резким, его ширина для «скольными данными [7] и согласуются с данными анализа осцилляционзящих» электронов, обеспечивающих лучшее разрешение, составляных транспортных эффектов в -слоях в импульсных магнитных поет <0,8 нм. Передний профиль более затянут, его ширина составляет лях до 26 Т при температурах T=1,64,2 K [А23].

1,21,4 нм из-за сегрегации In при относительно высокой темпераПроведены исследования глубоких состояний и захвата на них туре роста Tg=600°С.

электронов в -легиpованном кремнием GaAs с помощью измерений Предложен оригинальный метод восстановления профиля легиимпеданса контакта Шоттки к структуре в зависимости от напряжерования полупроводников при электрохимическом CV профилирония и температуры. Выяснены причины насыщения концентрации вании. Метод дает возможность восстановить профиль легирования 9 Концентрация In, отн.ед.

Концентрация In, отн.ед.

Концентрация In, отн.ед.

сокое качество и могут использоваться для «зонной инженерии» по–3 ––3 –N1018, см N1018, см N1018, см N1018, см тенциального рельефа в контактах МП.

77 K 77 K 300 K 300 K В главе 2 обсуждаются результаты исследований процессов оса ждения Al из металлоорганических соединений (МОС) тpиметиламиноалана (ТМАА) или диметилэтиламиноалана 1,6 нм 1,6 нм 2,5 нм 2,5 нм (ДМЭАА) и лазерного напыления Mo и W на атомарно чистую (рос товую) поверхность GaAs(100) в реакторе МОГФЭ. Изучаются про цессы образования металлических нанокластеров Al, Mo и W на по верхности GaAs, последующего эпитаксиального заращивания на нокластеров полупроводниковыми слоями и формирования много слойных массивов металлических нанокластеров в монокристаллиX, X, x, мкм x, мкм x, мкм x, мкм ческой полупроводниковой матрице GaAs [A33-A44].

Установлено, что при температурах осаждения Tg от 130 до Рис. 2. CV профили концентрации электронов в -слоях кремния в GaAs, измеренные при 300 и 77 К. 360°С формируются чистые слои алюминия, состоящие из зерен раз личных текстур и эпитаксиальных ориентаций. С увеличением Tg возрастает структурное совершенство, увеличивается размер зерен и электронов в -слое на уровне N 6·1012 см-2 с ростом поверхностшероховатость поверхности плёнки Al. При Tg240°С получены ной концентрации кремния Ns>N. Показано, что в этих условиях близкие к идеальным контакты Al/n-GaAs. Они имеют атомарно чиспроисходит насыщение концентрации электронов, обусловленное тый и гладкий интерфейс, заданный эпитаксиальной поверхностью автокомпенсацией. В запрещенной зоне появляются хвосты плотноGaAs, без каких-либо промежуточных слоёв. Удельное сопротивлести состояний с характерной энергией в интервале 20100 мэВ и сение Al составляет 57 мкОм см2, что близко к объёмному значению, чением захвата электронов порядка 10-17 см-2. Здесь же приведены высота барьера Шоттки находится в интервале 0,70,75 эВ и фактор результаты работ по намеренной генерации глубоких состояний в легированных структурах GaAs при их облучении ионами водорода идеальности 1,1.

и гелия [А26]. Пороговая доза облучения, необходимая для изоляции Показано, что на начальных стадиях осаждения Al, Mo и W на поверхности GaAs происходит формирование нанокластеров с лате-слоя на уровне 5109 ом/, оказалась в два раза больше, чем для однородно легированного слоя с той же поверхностной концентра- ральными размерами 10100 нм. При их эпитаксиальном заращивацией. Изоляция сохраняется при отжиге структур при температурах нии может реализовываться как механизм роста Фольмера-Вебера, так и послойный рост кристалла. Послойный механизм реализуется, менее 400°С. Отжиг при температуре >600°С изменяет тип проводимости на дырочный, подтверждая амфотерный характер примеси Si. если после формирования нанокластеров Al при Tg500°С закрыть Приведены оптические, аналитические и структурные данные по их слоем низкотемпературного GaAs толщиной 1020 нм и только узкозонным слоям InGaAs, GaAsN и InGaAsN на GaAs [А27-А32].

потом прервать рост для повышения температуры до оптимальных Добавление In и N в GaAs уменьшает ширину запрещённой зоны, но значений для GaAs (>600°С). В этом случае планаризация поверхнопротивоположно влияет на упругие напряжения в структурах. Покасти GaAs происходит при толщине, сравнимой с высотой наноклазана возможность компенсации упругих напряжений в гетерострукстеров. Это подтверждают данные атомно-силовой микроскопии - турах InGaAsN/GaAs [А31,А32].

рис. 3. Видны атомные ступени на начальных стадиях заращивания – Полученные результаты свидетельствуют о том, что селективно рис. 3б. Важно также, что рельеф и картина токов растекания на рис.

легированные гетероструктуры InGaAsN/GaAs с тонкими слоями 3в соответствуют друг другу, что свидетельствует о наличии металла нанометровой толщины, выращенные методом МОГФЭ, имеют выпод возвышениями.

11 Рельеф Рельеф Рельеф 101010U U U плоский плоский плоский T T T плоский плоский плоский контакт контакт контакт контакт контакт контакт Ток Ток Ток euc 10euc 10euc 10ТП ТП ТП 2 I 2 I 2 I Eo 10Eo 10Eo 10а б в точечный точечный точечный eu eu eu Рис. 3. Изображения в атомно-силовом микроскопе: а) - нанокласте- ТЭ ТЭ ТЭ контакт контакт контакт металл металл металл наноконтакт наноконтакт наноконтакт II II II ров Al на GaAs; б) – идентичных нанокластеров, покрытых тонким 101010101 102 1101 102 1101 102 1слоем GaAs; в) - участка поверхности, показанной на рисунке (б) в x а, нм x а, нм x а, нм режимах рельефного и токового контраста.

а б Такой режим заращивания сохраняется при гораздо большем ко- Рис. 4. Форма потенциала для наноконтакта (линия) и плоского конличестве осаждённого алюминия, когда размеры островков возрас- такта (пунктир) - (а); области параметров, отвечающие туннельному тают до 100 нм и они начинают соприкасаться. Установлено, что - Т, термополевому - ТП и термоэмиссионному - ТЭ механизмам товерхний полупроводниковый слой имеет низкий уровень структур- копереноса при 300 К – (б).

ных дефектов. При встраивании в него квантовой ямы InGaAs, как тест-объекта, наблюдаются характерные спектры фотолюминесцен- Получены аналитические выражения для ВАХ. Определена область ции и рентгеновской дифракции. параметров с термополевым механизмом протекания тока – рис. 4б.

В главе 3 рассмотрены теоретические модели, полезные при На противоположных границах этой области термополевой ток анализе свойств наноконтактов и многослойных структур с металли- сравнивается с термоэмиссионным (ТЭ) и туннельным (Т). При терческими нанокластерами в полупроводниковой матрице [A45-A47]. мополевом токопереносе зависимости как прямого, так и обратного Здесь же представлены результаты оптических исследований эпи- тока имеют, в основном, экспоненциальный характер. При уменьшетаксиальной структуры GaAs, имеющей 9 нанокластерных слоёв нии радиуса наноконтакта снижение эффективной высоты барьера алюминия [A48,A49].

может быть более 0,1 эВ. Для наноконтакта с а10 нм при Т=300 К Рассмотрена модельная задача о свойствах контакта Шоттки мевеличины прямого и обратного токов сравниваются, и ВАХ станожду металлической сферой радиуса a и полупроводником. Показано, вятся симметричными. Это сохраняется при сколь угодно малом что ширина области обеднения вокруг сферического наноконтакта уровне легирования полупроводника.

может быть много больше его размеров, что обеспечивает малую Рассмотрена модель плотного массива нанокластеров, встроенвеличину емкости Ca. Величина критической частоты нанокон- ных в полупроводник. Предполагается, что произошло смыкание металлических нанокластеров и выравнивание электрического потакта fcr=(2rC)-1 (r - сопротивление растекания) достигает терагертенциала. Проведено теоретическое исследование частотной зависицового диапазона частот даже при невысоком уровне легирования мости адмитанса и нелинейных свойств емкости в таких структурах.

полупроводника N10151016 см-3, что свидетельствует о малой Рассмотрена динамика изменения ёмкости структуры при большой инерционности отклика наноконтакта. Обсуждается влияние криамплитуде воздействующего сигнала. Через некоторое время после визны границы раздела МП на величину туннельной компоненты начала воздействия система переходит в установившийся режим, тока. Уменьшение радиуса a приводит к сужению барьера – рис. 4а.

которому соответствует определенный заряд металлического слоя и В ВКБ-приближении, с учётом снижения высоты барьера за счёт сил емкость системы. После этого заряд металла и емкость не зависят от изображения построена теория термополевого (ТП) токопереноса.

13 ---N, см N, см N, см K K K > > > K K K K K K > > > K K K мгновенного значения напряжения, а определяются его амплитудой. технология изготовления структур на основе Al/GaAs в едином Следует заметить, что скорость уменьшения емкости в начале пере- пpоцессе МОГФЭ. Приведены и проанализированы экспериментальходного процесса может быть более 10% за 1 пс. ные ВАХ структур с модифицированными контактами Мотта. РазраПредставлены результаты оптических исследований структур ботана теоретическая модель, описывающая токоперенос.

GaAs, содержащих 9 нанокластерных слоёв Al. Из измерений спекПоказана возможность управления путём -легирования вблизи тров фототока определена высота потенциальных барьеров наноконграницы МП эффективной высотой барьера Фeff к n-GaAs(100) при тактов 0,76 эВ. С субпикосекундным временным разрешением изу- сохранении небольших значений фактора идеальности n. На рис. чена кинетика отражения света и фотолюминесценции (ФЛ) после схематически показан ход потенциала в котакте Мотта с воздействия на многослойную структуру мощного светового имлегированием и приведены данные экспериментов и численных распульса, возбуждающего неравновесные носители заряда – рис. 5.

чётов для величин Фeff и n в контактах на основе Al/(Si)-GaAs.

0,0,0, 0,0,0,=80 фс, E=1,61 эВ, =870 нм =80 фс, E=1,61 эВ, =870 нм =80 фс, E=1,61 эВ, =870 нм 10000 0,10000 0,10000 0, 0,2 0,2 0,2 ---Линии – Линии – Линии – 0,0,0,0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50 1 - orthogonal расчёт 1 - orthogonal расчёт 1 - orthogonal расчёт 101010х, нм х, нм х, нм Ec(x) Ec(x) Ec(x) 2 - parallel Точки – 2 - parallel Точки – 2 - parallel Точки – 3,3,3,---1 - 450 mW 1 - 450 mW 1 - 450 mW эксперимент эксперимент эксперимент 2 - 200 mW 2 - 200 mW 2 - 200 mW eV 2,eV 2,eV 2,(V) (V) (V) =250 фс, W=2мДж, =795 нм 3 - 100 mW =250 фс, W=2мДж, =795 нм 3 - 100 mW =250 фс, W=2мДж, =795 нм 3 - 100 mW 4 - 35 mW 4 - 35 mW 4 - 35 mW 100 dD x 2,100 dD x 2,100 dD x 2,---0 50 100 150 20 50 100 150 20 50 100 150 2-2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 -2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 -2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 1,1,1,t, пс t, пс t, пс t, пс t, пс t, пс 1,1,1,0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50 а б х, нм х, нм х, нм Рис. 5. Темп изменения: (а) - коэффициента отражения R при двух различных взаимных поляризациях возбуждающего и зондирующего а б импульсов; (б) - интенсивности фотолюминесценции при уровнях Рис. 6. Профиль потенциала в контакте Мотта – (а); эффективная возбуждения 450 (1), 200 (2), 100 (3) и 35 мВт (4).

высота барьера Фeff и фактор идеальности n в зависимости от глубины залегания -слоя с концентрацией Ns, 1012 см-2: 1 - 4, 2 - 8.

Предложена простая модель, описывающая баланс в системе горячих и термализованных неравновесных носителей тока и кинетику На основе подхода Мерфи и Гуда [8] была решена задача о тунизменения оптических сигналов. Быстрое изменение коэффициента нелировании в контактах МП с изотипным -легированием. При отражения (харктерное время 1 пс) связано с захватом большего полном обеднении -слоя, как показано на рис. 6а, получено аналичисла носителей на центры безызлучательной рекомбинации, святическое выражения для плотности тока занные с нанокластерами. Время жизни небольшого числа не захваexp(- b) (V) eV , (1) j(V) = A*T2 exp- ченных неравновесных носителей составляет 15 пс и определяет exp kT -1 1- kT c kT темп гашения сигнала ФЛ.

справедливое при высокой туннельной прозрачности барьера [A56].

В главе 4 представлены результаты экспериментальных и теореКоэффициенты b и c, слабо зависящие от напряжения, определяют тических исследований транспортных процессов в туннельных конуменьшение постоянной Ричардсона A*. Cравнение с экспериментом тактах МП с приповерхностным -легированием [A50-А64]. Описана показывает, что теория даёт лишь качественное описание ВАХ.

15 eff eff eff Ф, эВ Ф, эВ Ф, эВ R, отн. ед.

R, отн. ед.

R, отн. ед.

ФЛ ФЛ ФЛ I, отн. ед.

I, отн. ед.

I, отн. ед.

n n n Для выяснения причин расхождения теории и эксперимента был 0,0,0,0,0,0,D, нм:

D, нм:

D, нм:

D, нм: T=300 K T=300 K D, нм: T=300 K T=300 K 1 1 1 1 1 развит феноменологический подход к диагностике параметров низ- S=10 мкм2 S=10 мкмS=10 мкм2 S=10 мкм3 3 3 3 кобарьерных диодов, основанный на анализе зависимости диффе- 3 1E-1E-1E-1E-1E-1E-ренциального сопротивления диода от напряжения Rd(V). Проведён- ное исследование показало, что для точного и полного описания 1E-1E-1E-1E-1E-1E-ВАХ диода нужно учитывать последовательно включенный n-n+- переход и пространственный заряд инжектированных электронов.

1E-1E-1E-1E-1E-1E-Была решена задача о токопереносе в контактах Мотта при учёте пространственного заряда в i-слое. Получены аналитические выра- 1E-1E-1E-1E-1E-1E--1,0 -0,5 0,0 0,-1,0 -0,5 0,0 0,-1,0 -0,5 0,0 0,-1,0 -0,5 0,0 0,-1,0 -0,5 0,0 0,-1,0 -0,5 0,0 0,жения для потенциала, ёмкости и тока. Основным допущением было V, В V, В V, В V, В V, В V, В V, В V, В V, В V, В V, В пренебрежение током инжекции и объёмным легированием i-слоя. В сравнении с классическим результатом Мотта [9], учёт пространст- венного заряда замедляет рост тока при прямом смещении и умень- а б шает нелинейность ВАХ. Инжекция носителей тока в i-слой привоРис. 7. ВАХ: (а) - диодов Мотта с барьером =0,23 эВ и толщиной iдит к резкому возрастанию ёмкости контакта.

слоя D – 50, 100, 200, 500 нм (линии – решение, пунктир - численный В дрейфово-диффузионном приближении было получено аналирасчёт); (б) - низкобарьерных диодов при =0,7 эВ, d=4,7 нм, тическое решение задачи об инжекции носителей тока в i-слой при Ns=8,81012 см-2, D=100 нм, (1, 2, 4, 5 – расчёты, 3 – эксперимент).

самосогласованных граничных условиях на контактах и при учёте самого тока инжекции. Такое решение описывает одновременно ВАХ все способы вычисления тока дают результат (5), близкий к контактные и объёмные инжекционные эффекты и позволяет расданным эксперимента, если учесть дополнительный туннельный ток считать потенциал, электрическое поле и ВАХ во всём диапазоне через основание туннельного барьера при энергиях E< (рис. 6а).

напряжений для целого ряда структур с любой комбинацией металГлава 5 посвящена применению низкобарьерных диодов с лических и полупроводниковых контактов, в том числе имеющих легированием для создания новых высокочувствительных детекторгетеробарьеры, препятствующие инжекции электронов. Ранее для ных и смесительных приёмников [A65-A83]. Значительное внимание этого использовались различные приближения [10]. В частности, при уделяется разработке простых планарных приёмных систем, пербольших токах из решения следует закон Мотта-Герни [10]. Пример спективных для реализации радиовидения в миллиметровом диапарасчёта прямых ветвей ВАХ контактов Мотта показан на рис. 7а.

зоне длин волн в реальном масштабе времени.

Для сравнения приведены результаты [A63], полученные численно в Описаны методы и базовые технологии изготовления планарных квазигидродинамическом модели, учитывающей эффекты горячих смесительных и детекторных диодов. Приведены результаты работ электронов и нестационарные транспортные явления. Видно, что по введению в структуру дополнительных гетерослоёв, облегчаюаналитическое решение, в основном, правильно описывает ток.

щих изготовление диодов с субмикронными размерами анода.

Полученные решения позволили сформулировать обобщённый Отработаны технологические приёмы изготовления планарных эмиссионно-диффузионный подход к вычислению тока в низкобарьдиодов с пониженной высотой барьера. Изготовлены планарные ерных контактах Мотта. Учитываются туннельные процессы на градиоды с площадью анода S10 мкм2, малой удельной ёмкостью <нице МП и эффекты пространственного заряда в базовом i-слое. На фФ/мкм2 и значениями дифференциального сопротивления рис. 7б приведены ВАХ: кривая 1 – расчёт на основе (1) с учетом Rd(0)=0,41000 кОм. На рис. 8 приведена микрофотография диода и пространственного заряда, 2 – дополнительно учитывается вырожэскиз его поперечного сечения. Диоды имеют малую ёмкость Сдение электронов в контактах, 3 – эксперимент, 4 – при использовафФ и последовательное сопротивление r15 Ом.

нии статистики Ферми в контактах и в i-слое. Для обратной ветви 17 I, мА I, мА I, мА I, мА I, мА I, А I, А I, А I, А I, А I, А Были проанализированы принципы построения планарных де текторов миллиметрового диапазона длин волн на основе низкобарь ерных диодов, включенных в планарные щелевые антенны. Рассмот рены основные задачи по выбору и разработке конструкции антен ны, согласованной с низкобарьерным диодом, и по оптимизации па раметров низкобарьерных диодов для достижения максимума чувст вительности. Описана конструкция щелевой антенны на фольгиро ванном диэлектрике Rodgers с низкой диэлектрической проницаемостью 2,2 и толщиной 0,5 мм – рис. 9. Внешние размеры антенны сравнимы с длиной волны . Она располагается на слое диэлектрика а б ограниченных размеров. Значения ширины диаграммы направленноРис. 8. Микрофотография низкобарьерного планарного диода – (а) и сти по половине мощности в главных плоскостях почти равны (присхематичное изображение его поперечного сечения плоскостью, близительно 44° и 47°), коэффициент усиления Gr14,5, волновое проходящей через анодный контакт – (б).

сопротивление Ra800 Ом, средняя частота f=94 ГГц и полоса f3дБ8 ГГц. Антенны обеспечивают достаточно высокую направПредставлены основные результаты экспериментов по детектиленность и эффективность за счет малых потерь мощности на возрованию излучения коротковолновой части миллиметрового диапабуждение поверхностных волн.

зона в волноводных камерах с низкобарьерными диодами Мотта.

Изложены принципы и методики измерения основных характери300300стик детекторов: вольт-ваттной чувствительности и минимальной Gr 14,Gr 14,обнаружимой мощности NEP. Проведено сопоставление характериr r r r стик детекторов на основе диодов с пониженной и обычной высотой барьера. При детектировании сигналов в волноводной камере в широкой полосе 80140 ГГц получены значения >1000 В/Вт и NEP<10-11 Вт·Гц-1/2. Лучшие значения параметров на выделенных частотах этого диапазона 5000 В/Вт, NEP3610-12 Вт·Гц-1/2. При использовании оптимизированной платы согласования в радиометре трехмиллиметрового диапазона получены значения >10000 В/Вт в полосе 76105 ГГц. Это соответствует рекордным результатам для неохлаждаемых диодных детекторов этого диапазона.

Изучены шумовые характеристики низкобарьерных диодов, су- щественные для детектирования сигналов. Определена зависимость Rodgers 5880: f = 94 ГГц Rodgers 5880: f = 94 ГГц фактора Фано для дробовых шумов диода в зависимости от проте- толщина 0,5 мм f3db = 8 ГГц толщина 0,5 мм f3db = 8 ГГц кающего через него тока. Фактор Фано уменьшается с ростом тока 2,2 Ra 800 Ом 2,2 Ra 800 Ом смещения и при токах более 1 мА приближается к значению 1, сви- детельствующему о дробовом характере шума. При стремлении тока к нулю шумы диодов приобретают тепловой характер, и их спек- Рис. 9. Схематичное изображение планарного детектора и его диатральная плотность согласуется с формулой Найквиста. граммы направленности в главных плоскостях.

19 r r r r Проведены экспериментальные исследования характеристик ческой проницаемостью 13. Приведены результаты численного детектирования для диодов с Rd в диапазоне 0,41000 кОм – рис. 10. моделирования и измерения параметров таких детекторов в диапазоне 9497 ГГц. Коэффициент направленного действия антенны снижается до 10, величина - примерно в два раза ниже, чем для диэлектрика Rodgers. Тем не менее, это свидетельствует о перспективности разработки интегральных планарных детекторов на GaAs.

Показана возможность построения матрицы планарных детекторов с компактным расположением в плоскости (период - 3/2) при слабом взаимном влиянии. Для подавления боковых лепестков и минимизации взаимного влияния антенн использованы штыри, смонтированные на металлическом экране. Изготовлена приёмная линейка из восьми планарных детекторов, расположенных в ряд с периоRd Rd Rd Rd дом 3/2. С помощью пошагового перемещения линейки в плоскости а б получены изображения различных предметов при их просвечивании Рис. 10. Экспериментальные (точки) и теоретические (пунктир) заизлучением с частотой 94 ГГц. Лучшие значения разрешения состависимости (а) и NEP (б) планарных детекторов от Rd.

вили 2 при минимальных расстояниях от объекта до плоскости сканирования и минимальных шагах перемещения 3/4.

Проведено сопоставление с расчётами в простой модели детектора:

Описаны практически важные характеристики планарных детек(1- 2 ) Rd торов – динамический диапазон, температурные и частотные завиRd, (2) = симости параметров. Предложены пути оптимизации диодов для 2 r + Rd + Rl (1+ r / Rd ) (1+ f 2 / fc ) увеличения рабочих частот и повышения чувствительности планар, (3) NEP = Vn/ ных детекторов.

Приведены данные по смешению сигналов с частотами около (1+ r/R )1/, (4) ГГц (промежуточная частота 700 МГц) на низкобарьерном диоде, d fc = включённом в планарную антенну. Лучшие результаты показали 2 C (r R )1/d диоды с Rd39 кОм: потери преобразования составили 1612,5 дБ, (5) Vn = 4 kT f (r + R ) при существенно меньших значениях мощности гетеродина (10d мкВт), в сравнении с обычными смесительными диодами.

где - параметр нелинейности барьерного контакта, Vn = Rd d2I / dVВ заключении сформулированы основные результаты работы.

– среднее значение амплитуды теплового шума диода в полосе часВ приложении 1 обсуждается точность восстановления профиля тот f, фактор учитывает согласование диода с антенной, легирования полупроводников на основе CV измерений в процессе (1- 2 ) электрохимического травления [А20].

r10 Ом и C15 фФ. Видно, что теоретические и экспериментальные Приложение 2 – это описание свойств математической функции, результаты хорошо согласуются. Значения >10000 В/Вт достигаютвозникающей при анализе туннелирования в наноконтактах и ся для диодов с Rd=20100 кОм при NEP210-12 Вт Гц-1/2. Лучшие имеющей связь с функцией Аппеля.

значения NEP10-12 Вт Гц-1/2 отвечают 7000 В/Вт при Rd=26 кОм.

Приложение 3 содержит обобщение решения задачи инжекции Для продвижения в область более высоких частот рассматриваносителей тока в изолирующий слой для структур с металлическими ется возможность создания планарного детектора непосредственно и вырожденными полупроводниковыми контактами.

на основе полуизолирующей подложки GaAs с высокой диэлектри 21 -1/-1/, В/Вт , В/Вт NEP, Вт Гц NEP, Вт Гц ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ формирование металлических нанокластеров с латеральными 1. Развит метод брюстеровской рефлектометрии, предназначенный размерами 10100 нм. Послойный механизм их заращивания для оптического мониторинга в реальном масштабе времени гареализуется, если сразу после формирования нанокластеров зазовой фазы и ростовой поверхности полупроводников A3B5 с крыть их тонким слоем низкотемпературного GaAs толщиной монослоевым разрешением в условиях МОГФЭ. Оптические из1020 нм, и только потом прервать рост для повышения ростомерения позволяют оценить: характерные времена процессов вой температуры до оптимальных значений для GaAs. В этом пиролиза арсина и десорбции мышьяка; темп сегрегации индия и случае планаризация поверхности слоя GaAs происходит при нарушения морфологии поверхности.

толщине, сравнимой с высотой нанокластеров, что позволяет 2. Проведены исследования планарности интерфейсов, дефектообформировать плотные многослойные массивы нанокластеров.

разования и резкости гетеропереходов в структурах 6. Проведены модельные расчёты электрических свойств наноконInGaAs/GaAs. Установлено, что при увеличении толщины слоев тактов Шоттки. Для наноконтактов малого радиуса (10 нм) InGaAs критерием образования дислокаций служит резкий рост возрастает туннельная компонента тока, уменьшается эффекшероховатости поверхности структуры. Снижение температуры тивная высота барьера и сравниваются токи прямой и обратной роста с 600 до 500°С и использование подложек GaAs(100) с маветвей ВАХ. Ширина области обеднения полупроводника волым углом разориентации (0,2°) приводит к увеличению крикруг нанокластера или массива нанокластеров может быть много тической толщины слоя In0,35Ga0,65As от 5 до 10 нм. Данные побольше их размеров. Это приводит к малой ёмкости и малой слойного оже-анализа свидетельствуют о формировании атоинерционности процессов перезарядки нанокластеров и вырамарно резких гетеропереходов с протяжённостью меньше преженным нелинейным емкостным эффектам вплоть до терагерцодельных значений разрешения данного метода: 0,50,8 нм. вых частот.

3. Методом МОГФЭ получены атомарно резкие профили распре- 7. Экспериментальные исследования кинетики отражения и фотоделения примеси при -легировании кремнием слоев GaAs, о люминесценции в GaAs c нанокластерами Al позволяют оценить чём свидетельствуют данные CV профилирования: характерный время жизни неравновесных носителей 15 пс и время релаксамасштаб области локализации электронов составляет 2,5 нм (при ции проводимости 1 пс. Гашение фотолюминесценции связано 300 К) и 1,6 нм (при 77 К). При поверхностной концентрации с временем жизни неравновесных носителей. Эволюция во вреатомов Si более 6·1012 см-2 происходит насыщение концентрации мени коэффициента отражения определяется релаксацией проэлектронов, обусловленное автокомпенсацией, и в запрещенной водимости из-за захвата неравновесных носителей на центры зоне появляются хвосты плотности состояний протяжённостью безызлучательной рекомбинации, обусловленные встроенными в 20100 мэВ и сечением захвата электронов около 10-17 см-2.

GaAs нанокластерами. Предложена простая модель, которая ко4. Исследованы закономерности осаждения алюминия на атомарно личественно описывает кинетику фотолюминесценции и качестчистую поверхность GaAs при пиролизе МОС (ТМАА и ДМЭвенно - эволюцию во времени коэффициента отражения.

АА) в реакторе МОГФЭ. При температурах 150200°С форми- 8. Разработан способ уменьшения эффективной высоты потенцируются чистые и гладкие плёнки Al с электрическими свойства- ального барьера контакта МП за счёт увеличения туннельной ми, соответствующими характеристикам объёмного материала.

компоненты тока. При -легировании кремнием GaAs вблизи На границе отсутствуют промежуточные слои и параметры конграницы с Al эффективная высота баpьеpа снижается от 0,7 до тактов Шоттки Al/n-GaAs близки к идеальным: высота барьера 0,2 эВ при значениях фактора идеальности <1,5. При высокой ~0,7 эВ, фактоp идеальности 1,021,06. поверхностной концентрации кремния ~1013 см-2 получены оми5. Показано, что при пиролизе МОС Al и лазерном распылении Mo ческие контакты к n-GaAs с сопротивлением <10-5 Ом·см2.

и W на поверхности GaAs на начальных стадиях происходит 23 9. В дрейфово-диффузионном приближении получено аналитиче- Цитированная литература ское решение задачи об инжекции носителей тока в изолирую- 1. Gregory S. High resistivity annealed low-temperature GaAs with 1щий i-слой, учитывающее одновременно контактные явления на fs lifetimes / S. Gregory, C. Baker, W.R. Tribe, M.J. Evans, H.E.

границах и инжекционные токи в объёме. Решение позволяет Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, M. Missous // Applied Physics рассчитать потенциал, электрическое поле и ВАХ во всём диа- Letters. – 2003. - V. 83. - N 20. - P. 4199-4201.

пазоне напряжений для целого ряда структур с металлическими 2. Kadow C. Self-assembled ErAs islands in GaAs for opticalи полупроводниковыми контактами, в том числе при наличии на heterodyne THz generation / C. Kadow, A.W. Jackson, A.C. Gossard границах гетеробарьеров, препятствующих инжекции. // Applied Physics Letters. – 2000. - V. 76. - NO. 24. - P. 3510-3512.

10. Построена обобщённая теория туннельного и дрейфово- 3. Su N. Sb-Heterostructure Millimeter-Wave Detectors With Reduced диффузионного токопереноса в низкобарьерных контактах Мот- Capacitance and Noise Equivalent Power / N. Su, R. Rajavel, P.

Deelman, J.N. Schulman, and P. Fay // IEEE Electron Devices Letта с -легированием вблизи границы МП. Подход позволяет с ters. – 2008. – V. 29. – N 6. – P. 536-539.

достаточной точностью описать ВАХ низкобарьерных диодов.

4. Lynch J.J. Passive Millimeter Wave Imaging Module With Preampli11. На основе микроструктур Al/(In)GaAs-(Si)–GaAs изготовлены fied Zero-Bias Detection / J.J. Lynch, H.P. Moyer, J.H. Schaffner, Y.

планарные низкобарьерные диоды с площадью анода 10 мкм2, Royter, M. Sokolich, B. Huges, Y.J. Yoon, J.N. Schulman // IEEE малой удельной ёмкостью <1 фФ/мкм2 и значениями дифференTransactions on Microwave Theory and Techniques. –2008. – V. 56.

циального сопротивления в диапазоне 0,41000 кОм. Примене– N 7. – P. 1592-1600.

ние низкобарьерных диодов в волноводных и планарных конст5. Brown E.R. Fundamentals of Terresttrial Millimeter-Wave and THz рукциях детекторов миллиметрового диапазона длин волн без Remote Sensing / E.R. Brown // International Journal of High Speed использования постоянного смещения минимизирует собственElectronics and Systems. – 2003. – V. 13. – N 4. – P. 995-1097.

ные шумы диода и обеспечивает рост чувствительности. Лучшие 6. Stringfellow G.B. Organometallic Vapour–Phase Epitaxy: Theory характеристики в диапазоне 94 ГГц: детектирование: NEP10-and Practice / G.B. Stringfellow // Boston: Academic Press. – 1989. – Вт Гц-1/2, >10000 В/Вт; смешение: потери преобразования 398 P.

1612,5 дБ при пониженной мощности гетеродина 1040 мкВт.

7. Delta Doping of Semiconductors / Ed. by E.F. Schubert/ - Cam12. Разработаны планарные детекторы диапазона 3 мм на основе bridge: Cambridge University Press. – 1996. – 616 P.

микрополосковых щелевых антенн, с включёнными в них низ8. Модинос А. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная кобарьерными диодами. Антенны изготовлены на основе фольспектроскопия / А. Модинос // М.: Наука, 1990. – 320 C.

гированных диэлектриков (=2,2), имеют внешние размеры и 9. Mott N.F. The theory of crystal rectifiers / N.F. Mott // Proc. Roy.

обеспечивают низкий уровень боковых лепестков в диаграмме Soc. – 1939. - A 171. – P. 27-38.

направленности. Показана возможность их плотной компоновки 10. Ламперт М. Инжекционные токи в твердых телах / М. Ламперт, при слабом взаимовлиянии. Изготовлена линейка из 8 планарП. Марк // М.: Мир. – 1973. - 416 C.

ных детекторов на 94 ГГц, расположенных в ряд с периодом 3/2. При просвечивании различных объектов излучением с часСписок публикаций по теме диссертации тотой 94 ГГц регистрировалась интенсивность прошедшего поля A1. Данильцев В.М. Применение метода Брюстеровской путём механического перемещения линейки детекторов в плосрефлектометрии для контроля состояния поверхности GaAs в кости с шагом 3/2 или 3/4. Получены поляризационноMOCVD реакторе атмосферного давления / В.М. Данильцев, чувствительные изображения объектов, картины дифракции и А.Ю. Лукьянов, М.А. Новиков, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // интерференции. Лучшие значения разрешения составили 2.

Заводская лаборатория (диагностика материалов). – 1995. - № 10. - C. 16-19.

25 A2. Vostokov N.V. Surface photoabsorption monitoring of the strain A9. Pakhomov G.L. AFM Study of Dry Etched Cleavages of the AlxGa1induced 2D-3D growth mode transition in MOVPE of InGaAs on As/GaAs heterostructures / G.L. Pakhomov, N.V. Vostokov, V.M.

x GaAs (001) / N.V. Vostokov, V.M. Danil'tsev, M.N. Drozdov, Daniltsev, V.I. Shashkin // Physics of Low-Dimensional Structures.

Yu.N. Drozdov, A.Yu. Lukyanov, D.G. Revin, O.I. Khrykin, V.I. – 2002. - N 5/6. - P. 247-254.

Shashkin // Proceedings of 8th European Workshop on Metal- A10. Shashkin V. Cross-sectional AFM of GaAs-based multiplayer hetOrganic Vapor Phase Epitaxy and Related Growth Techniques. Pra- erostructure with thin AlAs marks / V. Shashkin, N. Vostokov, V.

gue, June 8-11, 1999. - P. 349-352. Daniltsev, Yu. Drozdov, G. Pakhomov // Booklet of Extended AbA3. Востоков Н.В. Применение метода Брюстеровской stracts of 10th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase рефлектометрии для анализа процессов на ростовой Epitaxy. Italy, Lecce, June 8-11, 2003. - P. 171-173.

поверхности InGaAs в условиях MOCVD / Н.В. Востоков, В.М. A11. Drozdov Yu.N. Cross-Sectional AFM of GaAs-based Multilayer Данильцев, Ю.Н. Дроздов, А.Ю. Лукьянов, Д.Г. Ревин, О.И. Heterostructure with Thin AlAs Marks / Yu.N. Drozdov, V.M.

Хрыкин, В.И. Шашкин // Известия РАН, Серия физическая. – Daniltsev, N.V. Vostokov, G.L. Pakhomov, V.I. Shashkin // Physics 2000. - Т. 64. - № 2. - С.370-373. of Low-Dimensional Structures. – 2003. – N 3/4. -P. 49-54.

A4. Дроздов Ю.Н. Сегрегация индия при выращивании квантовых A12. Shashkin V.I. Selective plasma etching III-V multilayer heterostrucям InGaAs/GaAs в условиях газофазной эпитаксии / Ю.Н. tures / V.I. Shashkin, G.L. Pakhomov, N.V. Vostokov, V.M.

Дроздов, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, М.Н. Дроздов, О.И. Danil’tsev, Y.N. Drozdov, S.A. Gusev // Proceedings 2nd VDE Хрыкин, В.И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. – World Micro Technologies Congress - MICRO.tec 2003, Munich, 2003. - Т. 37. – В. 2. - С. 203-208. Germany. October 13-15, 2003. P. 463-465.

A5. Vostokov N.V. Investigation of InGaAs based double quantum well A13. Дроздов М.Н. Послойный оже-анализ сверхвысокого heterostructures near the critical thickness transition / N.V. Vosto- разрешения: проблема минимизации аппаратурных kov, D.M. Gaponova, V.M. Daniltsev, Yu.N Drozdov, A.V. Murel, погрешностей / М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Н.Н.

O.I. Khrykin, V.I. Shashkin, I.Yu. Shuleshova // Physics of Low- Салащенко, Н.И. Полушкин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Dimensional Structures. –2001. – N 3/4. - P. 303-308. Письма в ЖТФ. – 1995. - T. 21. - В. 18. - C. 1-7.

A6. Востоков Н.В. Исследование структур со сдвоенными слоями A14. Дроздов М.Н. Сверхвысокое разрешение при послойном ожеInGaAs вблизи перехода через критическую толщину / Н.В. анализе гетероструктур InxGa1-xAs с глубоко залегающими Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. квантовыми ямами / М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Ю.Н.

Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Дроздов, Д.В. Мастеров, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Письма Микросистемная техника. - 2001.- № 12. - C. 18-22. в ЖТФ. – 1996. - T. 22. - B. 18. - C. 61-66.

A7. Fedirko V.A. Characterization of GaAs/GaAlAs MOCVD superlat- A15. Дроздов М.Н. Субнанометровое разрешение по глубине при tice by STM/AFM technique / V.A. Fedirko, V.A. Bykov, M.D. послойном анализе с использованием скользящих ожеEremtchenko, V.M. Danilt'zev, V.I. Shashkin // Abstracts of Invited электронов / М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Lectures and Conributed Papers of International Symposium О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Письма в ЖТФ. – 2001. - T. 27. - "Nanostructures: Physics and Technology". St.-Petersburg, Russia, B. 3. - C. 59-66.

June 24-28, 1996. - P. 381-384. A16. Дроздов М.Н. Новый метод определения резкости A8. Fedirko V.A. A3B5 structure characterization by scanning probe mi- гетеропереходов InGaAs/GaAs при послойном оже-анализе / croscopy / V.A. Fedirko, M.D. Eremtchenko, V.M. Daniltzev, O.I. М.Н. Дpоздов, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дpоздов, О.И. Хpыкин, Khrykin, V.I. Shashkin // 23rd International Symposium on Com- В.И. Шашкин // Письма в ЖТФ. – 2001. - T. 27. - B. 20. - C.51pound Semiconductor. St.-Petersburg, Russia, September 23-27, 56.

1996. Inst. Phys. Conf. Ser. - No 155. - P. 949-952.

27 A17. Шашкин В.И. Простой метод восстановления тонкой структуры A24. Aleshkin V.Ya. Band tailing in Si delta-doped GaAs / V.Ya. Aleshлегирования полупроводников из C-V измерений в kin, V.M. Danil'tsev, A.V. Murel, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin // Abэлектрохимической ячейке / В.И. Шашкин, И.Р. Каретникова, stracts of Invited Lectures and Conributed Papers of International А.В. Мурель, И.М. Нефёдов, И.А. Шерешевский // Физика и Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". St.техника полупроводников. – 1997. - T. 31. - B. 8. - C. 926-930. Petersburg, Russia, June 23-27, 1997. - P. 224-226.

A18. Нефедов И.М. Численный метод определения профиля A25. Алёшкин В.Я. Глубокие состояния в -легированном кремнием легирования полупроводников по данным C-V измерений при GaAs // В.Я. Алёшкин, В.М. Данильцев, А.В. Мурель, О.И.

электрохимическом травлении / И.М. Нефедов, И.Р.

Хрыкин, В.И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. – Каретникова, А.В. Мурель, В.И. Шашкин, И.А. Шерешевский // 1998. - T. 32. - B. 6. - C. 733-738.

Тезисы докладов III Российской конференции по физике A26. Danilov I. Electrical isolation of a silicon -doped layer in GaAs by полупроводников, "Полупроводники-97". Москва, 1-5 декабря ion irradiation / I. Danilov, J.P. de Souza, H. Boudinov, A.V. Murel, 1997 г. - C. 113.

V.M. Daniltsev, V.I. Shashkin // Applied Physics Letters. – 1999. – A19. Shashkin V.I. Approach to Electrochemical C-V Profiling in SemiV. 75. – N 13. - P. 1917-1919.

conductor with Sub-Debye-Length Resolution / V.I. Shashkin, I.R.

A27. Алёшкин В.Я. Характеризация электрофизическими и Karetnikova, A. Murel, I. Nefedov, I.A. Shereshevskii // IEEE оптическими методами гетероструктур GaAs/InxGa1-xAs с Transactions on Electron Devices. 2000. – V. 47. – N 6. - P. 1221квантовыми точками / В.Я. Алёшкин, Д.М. Гапонова, С.А.

1224.

Гусев, В.М. Данильцев, З.Ф. Красильник, А.В. Мурель, А.В.

A20. Каретникова И.Р. О точности восстановления профиля Парамонов, Д.Г. Ревин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Физика и легирования полупроводников на основе вольт-фарадных техника полупроводников. – 1998. - Т. 32. - B. 1. - C. 111-116.

измерений в процессе электрохимического травления / И.Р.

A28. Aleshkin V.Ya. Optical diagnostics of quantum dots in GaAs/InxGa1Каретникова, И.М. Нефёдов, В.И. Шашкин // Физика и техника As heterostructures / V.Ya. Aleshkin, S.A. Gusev, V.M. Danil'tsev, x полупроводников. – 2001. - T. 35. - B. 7. - C. 801-807.

M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, Z.F. Krasil`nik, D.G. Revin, V.I.

A21. Данильцев В.М. Получение предельно резких профилей Shashkin // Physics of Low-Dimensional Structures. – 1998. – N 1/2.

легированных слоев GaAs в процессе металлоорганической - P. 143-148.

газофазной эпитаксии / В.М. Данильцев, И.В. Ирин, А.В.

A29. Гапонова Д.М. Структурные и оптические свойства слоёв Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Тезисы докладов I GaNxAs1-x, выращенных методом металлоорганической Российской конференции по физике полупроводников. Нижний газофазной эпитаксии / Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н.

Новгород, 10-14 сентября 1993 г. - T. 2, C. 355.

Дроздов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Г. Ревин, А.Б.

A22. Данильцев В.М. Получение предельно резких профилей Толстогузов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Известия РАН.

распределения примесе в -легированных слоях GaAs при Серия физическая. – 2000. –T. 64. - № 2. - C. 358-361.

металлоорганической газофазной эпитаксии / В.М. Данильцев, A30. Данильцев В.М. Оптические и электрофизические свойства И.В. Ирин, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // эпитаксиальных слоёв GaAs1-xNx, выращенных на GaAs методом Неорганические материалы. – 1994.- T. 30. - № 8. -C. 1026-1029. МОГФЭ / В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И.

Хрыкин, В.И. Шашкин, Д.Г. Ревин, Д.М. Гапонова // Известия A23. Германенко А.В. Характеризация -легированных слоёв GaAs с РАН. Серия физическая. – 2002. – T. 66. - № 2. - C. 193-195.

использованием сильных магнитных полей / А.В. Германенко, A31. Мурель А.В. Исследование квантовых ям GaInNAs-GaAs, Г.М. Миньков, С.А. Негашев, О.Е. Рут, О.И. Хрыкин, В.И.

выращенных методом МОГФЭ / А.В. Мурель, В.М. Данильцев, Шашкин, В.М. Данильцев // Материалы совещания М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.М. Гапонова, О.И. Хрыкин, "Нанофотоника", Нижний Новгород, 20-23 марта 2000 г. - С. 7879.

29 В.И. Шашкин // Известия РАН. Серия физическая. – 2004. – T. A38. Востоков Н.В. Применение селективного химического 68. - № 1. - C. 87-89. травления для исследования зарощенных слоёв и A32. Данильцев В.М. Влияние параметров процесса МОГФЭ на самоорганизованных квантовых точек в гетероструктурах свойства эпитаксиальных плёнок GaInAsN / В.М. Данильцев, Al/InGaAs/GaAs методом атомно-силовой микроскопии / Н.В.

Д.М. Гапонова, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, Д.А. Востоков, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, О.И.

Пряхин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Физика и техника Хрыкин, В.И. Шашкин, И.Ю. Шулешова // Микросистемная полупроводников. – 2005. – Т. 39. – В. 1. – С. 13-16. техника. – 2001. - № 11. - C. 35-37.

A33. Гусев С.А. Осаждение алюминия на эпитаксиальный арсенид A39. Востоков Н.В. Формирование и исследование металлических галлия в едином MOCVD процессе с использованием нанообъектов Al на GaAs / Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, триметиламиналана / С.А. Гусев, В.М. Данильцев, М.Н. М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И.

Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин // Поверхность. – 2000. - № 11. - C. 84-88.

Шашкин // Тезисы докладов конференции Микроэлектроника- A40. Shashkin V. Aluminum nanoparticles embedded into GaAs: deposi94. Звенигород, 28 ноября - 3 декабря 1994 г. - C. 267-268. tion and epitaxial overgrowth by MOCVD / V. Shashkin, V. DaniltA34. Данильцев В.М. Осаждение плёнок алюминия на арсенид sev, M. Drozdov, Yu. Drozdov, A. Murel, N. Vostokov, S. Rushгаллия в процессе металлоорганической газофазной эпитаксии с worth // Booklet of Extended Abstracts of 10th European Workshop использованием триметиламиналана / В.М. Данильцев, С.А. on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Italy, Lecce, June 8 – 11, Гусев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, В.И. 2003. - P. 79-82.

Шашкин, Б.М. Булычев // Поверхность. Рентгеновские, A41. Востоков Н.В. Формирование нанокластеров Al и их синхротронные и нейтронные исследования. – 1996. - № 1. - C. заращивание слоем GaAs в условиях металлорганической 36-41. газофазной эпитаксии / Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, М.Н.

A35. Данильцев В.М. Получение высококачественных слоев AlGaAs Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, В.И. Шашкин // Известия методом металлоорганической газофазной эпитаксии с РАН. Серия физическая. 2004. - T. 68. - № 1. - C. 55-57.

использованием триметиламиналана / В.М. Данильцев, С.А. A42. Shashkin V.I. Incorporation of Mo and W nanoclusters into GaAs Гусев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. structures grown by MOCVD / V.I. Shashkin, B.N. Zvonkov, N.V.

Хрыкин, В.И. Шашкин, Б.М. Булычев // Тезисы докладов Vostokov, Yu.A. Danilov, Yu.N. Drozdov, A.V. Murel // Extended Всероссийской научно-технической конференции "Электроника Abstracts of 11th European Workshop on Metalorganic Vapour и информатика". Москва, 15-17 ноября 1995 г. - C. 161. Phase Epitaxy. Lausanne, Switzerland, 5–8th June 2005. - P. 119A36. Shashkin V. Microstructure and Properties of Aluminum Contacts 121.

Formed on GaAs(100) by Low Pressure Chemical Vapor Deposition A43. Востоков Н.В. Формирование структур с нанокластерными with Dimethylethylamine Alane Source / V. Shashkin, S. Rush- слоями Al, внедрёнными в матрицу GaAs в процессе worth, V. Daniltsev, A. Murel, Yu. Drozdov, S. Gusev, O. Khrykin, металлорганической газофазной эпитаксии / Н.В. Востоков, N. Vostokov // Journal of Electronic Materials. – 2001. – V. 30. – N В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Д.А. Пряхин, В.И. Шашкин, 8. - P. 980-986. И.Ю. Шулешова // Письма в журнал технической физики. – A37. Daniltsev V.M. A new approch to AFM investigation of buried 2007. - T. 33. - B. 10. - C. 83-88.

Al/InxGa1-xAs/GaAs interfaces and quantum dots / V.M. Daniltsev, A44. Данильцев В.М. Применение АСМ для исследования режимов M.N Drozdov, Yu.N Drozdov, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin, I.Yu. эпитаксиального роста гетероструктур AlGaAs/GaAs / В.М.

Shuleshova, N.V. Vostokov // Physics of Low-Dimensional Struc- Данильцев, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, М.Н. Дроздов, Ю.Н.

tures. – 2001. – N 3/4. - P. 321-326. Дроздов, А.В. Мурель, Д.А. Пряхин, О.И. Хрыкин, В.И.

Шашкин // Материалы симпозиума “Нанофизика и 31 наноэлектроника”. Нижний Новгород, 25-29 марта 2005 г. - С. ternational Semiconductor Device Research Symposium. Char118-119. lottesville, USA, December 10-13, 1997. - P. 147-150.

A45. Востоков Н.В. О роли туннелирования в наноконтактах металл- A53. Шашкин В.И. Управление характером токопереноса в барьере полупроводник / Н.В. Востоков, В.И. Шашкин // Журнал Шоттки с помощью -легирования: расчёт и эксперимент для экспериментальной и технической физики. – 2004. – Т. 126. - В.

Al/GaAs / В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И.

1(7). - С. 1-7.

Хрыкин // Физика и техника полупроводников. –2002. - T. 36. - A46. Востоков Н.В. Электрические свойства наноконтактов металлB. 5. - C. 537-542.

полупроводник / Н.В. Востоков, В.И. Шашкин // Физика и A54. Шашкин В.И. Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с техника полупроводников. – 2004. - T. 38. - B. 9. - C. 1084-1089.

приповерхностным -легированием / В.И. Шашкин, А.В.

A47. Востоков Н.В. Адмитанс и нелинейная емкость многослойной Мурель // Физика и техника полупроводников. – 2008. - T.42. - структуры металл-полупроводник / Н.В. Востоков, В.И.

B. 4. - C. 500-502.

Шашкин // Физика и техника полупроводников. – 2008. - T. 42. - A55. Shashkin V.I. Comment on ‘‘Schottky diodes with a -doped nearB. 7. - C. 799-803.

surface layer’’ / V. Shashkin, A. Murel // Journal of Applied PhysA48. Востоков Н.В. Изучение свойств структур с нанокластерами Al, ics. - 2004. – V. 95. – N 4. - P. 2190-2191.

внедренными в матрицу GaAs / Н.В. Востоков, С.А. Гусев, В.М.

A56. Шашкин В.И. Теория туннельного токопереноса в контактах Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.И. Корытин, А.В.

металл-полупроводник с приповерхностным изотипным дельтаМурель, В.И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. – легированием / В.И. Шашкин, А.В. Мурель // Физика и техника 2005. – T. 39. - B. 1. – P. 92-95.

полупроводников. – 2004. - T. 38. - B. 5. - C. 574-579.

A49. Алешкин В.Я. Пикосекундная кинетика фотоносителей в A57. Шашкин В.И. Диагностика микроволновых низкобарьерных арсениде галлия с нанокластерами алюминия / В.Я. Алешкин, детекторных диодов / В.И. Шашкин, А.В. Мурель // Материалы Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, А.А. Дубинов, 17-ой международной микроволновой конференции "СВЧЗ.Ф. Красильник, А.И. Корытин, Д.И. Курицын, Д.А. Пряхин, техника и телекоммуникационные технологии", Крымико-2007.

В.И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. – 2007. - T.

Севастополь, Крым, Украина, 10-14 сентября 2007 г. - C. 58741. - B. 8. - C. 929-933.

588.

A50. Данильцев В.М. Электронный транспорт через гетерограницу A58. Шашкин В.И. Вольт-амперная характеристика контакта металлAl/GaAs(100): управление эффективной высотой барьера полупроводник с барьером Мотта / В.И. Шашкин, А.В. Мурель (0.7...0.1эВ) / В.М. Данильцев, А.В. Мурель, В.И. Шашкин, О.И.

// Физика твёрдого тела. – 2008. - Т. 50. - B. 3. - C. 519-522.

Хрыкин // Тезисы докладов II Российской конференции по A59. Шашкин В.И. Свойства контактов Мотта с ультра малым физике полупроводников. Зеленогорск, 26 февраля - 1 марта барьером металл-полупроводник / В.И. Шашкин, А.В. Мурель // 1996 г. - C. 47.

Физика твёрдого тела. - 2008. – T. 50. - B. 10. - C. 1883-1887.

A51. Шашкин В.И. Управление эффективной высотой барьера в A60. Шашкин В.И. Решение задачи инжекции носителей тока в эпитаксиальных структурах Al/n-GaAs, изготовленных в едином изолирующий слой при самосогласованных граничных цикле МОГФЭ / В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, условиях на контактах / В.И. Шашкин, Н.В. Востоков // Физика В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин // Микроэлектроника. – 1997. - T.

и техника полупроводников. - 2008. - T. 42. - B. 11. - C. 133926. - B. 1. - C. 57-61.

1344.

A52. Shashkin V.I. Schottky barrier height engineering for millimeterA61. Shashkin V.I. Analytical solution for charge-carrier injection into an wave diodes / V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev, O.I. Khrykin, A.V.

insulating layer in the drift diffusion approximation / V.I. Shashkin, Murel, Yu.I. Chechenin, A.V. Shabanov // Proceedings of 1997 InN.V. Vostokov // Journal of Applied Physics. - 2008. – V. 104. – P.

123708.

33 A62. Шашкин В.И. Барьерные и инжекционные механизмы Danilt’tsev, O. Khrykin, A. Maslovsky, A. Murel, V. Vaks // Proнелинейности тока в детекторных диодах Мотта / В.И. Шашкин, ceedings of 23rd International Conference on Microelectronics, Н.В. Востоков, А.В. Мурель // Материалы XIII Международного MIEL 2002. Nis, Yugoslavia, May 12-15, 2002. - P. 335-338.

симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», г. Нижний A69. Шашкин В.И. Микроволновые детекторы на основе Новгород, 16–20 марта 2009 г. - С. 167-168. низкобарьерных планарных диодов Шоттки и их A63. Оболенский С.В. Токоперенос в диодах Мотта: эффекты характеристики / В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, горячих электронов / С.В. Оболенский, Н.В. Востоков, А.В. А.В. Масловский, А.В. Мурель, С.Д. Никифоров, Ю.И. Чеченин Мурель, В.И. Шашкин // Материалы XIII Международного // Известия вузов. Радиофизика. – 2005. - T. 48. - № 6. - C. 544симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», г. Нижний 551.

Новгород, 16–20 марта 2009 г. - С. 320-321. A70. Шашкин В.И. Характеристики микроволновых детекторов на A64. Шашкин В.И. Обобщённая теория токопереноса в основе низкобарьерных планарных диодов Шоттки / В.И.

низкобарьерных диодах Мотта с приповерхностным дельта- Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Масловский, А.В.

легированием: сопоставление с экспериментом / В.И. Шашкин, Мурель, С.Д. Никифоров, Ю.И. Чеченин // Материалы 15-ой А.В. Мурель // Материалы XIII Международного симпозиума международной микроволновой конференции "СВЧ-техника и «Нанофизика и наноэлектроника», г. Нижний Новгород, 16–20 телекоммуникационные технологии", Крымико-2005.

марта 2009 г. - С. 398-399. Севастополь, Крым, Украина, 12-16 сентября 2005 г. - C. 631A65. Molodnyakov S.P. Submicron Planar Schottky Diodes for Submilli- 632.

meter Wavelengths / S.P. Molodnyakov, V.I. Shashkin, L.V. Suk- A71. Шашкин В.И. Детекторы с низкобарьерными диодами Шоттки hodoev, V.M. Daniltzev, A.S. Molodnyakov // Proceedings of 1993 для матричных систем видения миллиметрового диапазона / International Semiconductor Device Research Symposium. Char- В.И. Шашкин, В.Р. Закамов, А.В. Мурель, Ю.И. Чеченин, Ю.А.

lottesville, December 1-3, 1993. - P. 377-380. Дрягин, С.В. Кривов, Л.М. Кукин // Материалы 16-ой A66. Шашкин В.И. Планарные диоды с управляемой высотой международной микроволновой конференции "СВЧ-техника и барьера Шоттки для детекторов микроволнового излучения / телекоммуникационные технологии", Крымико-2006.

В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Мурель, А.В. Севастополь, Крым, Украина, 11-15 сентября 2006 г. - C. 161Масловский, О.И. Хрыкин, Ю.И. Чеченин, А.В. Шабанов // 162.

Материалы 8-ой международной микроволновой конференции A72. Shashkin V.I. Millimeter-Wave Detector on the Basis of Low"СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", Крымико Barrier Schottky Diodes and a Planar Slot Antenna / V.I. Shashkin, 1998. Севастополь, Крым, Украина, 14-17 сентября 1998 г. - C. Y.A. Drjagin, V.R. Zakamov, S.V. Krivov, L.M. Kukin, A.V. Murel, 118-120. Y.I. Chechenin // Conference Digest of the 2006 Joint 31st InternaA67. Вакс В.Л. Автоматизированный стенд для измерения tional Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th Interпараметров диодных детекторов в миллиметровом диапазоне national Conference on Terahertz Electronics. Shanghai, China, Sepдлин волн / В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Масловский, А.В. tember 18-22, 2006. - P. 400.

Мурель, О.И. Хрыкин, Ю.И. Чеченин, В.И. Шашкин, Ю.А. A73. Shashkin V.I. Planar Antenna-coupled Detector for Matrix Systems Дрягин // Материалы 11-ой международной микроволновой of Millimeter Wave Imaging / V.I. Shashkin, V.R. Zakamov, A.V.

конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные Murel, Y.I. Chechenin // Proceedings of 6th International Conftrence технологии", Крымико 2001. Севастополь, Крым, Украина, 10- on Antenna Theory and Techniques, ICATT’07. Sevastopol, 14 сентября 2001 г. - C. 592-593. Ukraine, September 17-21, 2007. - P. 351-353.

A68. Shashkin V.I. Planar Schottky Diodes with Low Barrier Height for A74. Shashkin V.I. Millimeter-wave Detectors Based on Antenna-coupled Microwave Detector Application / V. Shashkin, Yu. Chechenin, V. Low-barrier Schottky Diodes / V.I. Shashkin, Yu.A. Drjagin, V.R.

35 Zakamov, S.V. Krivov, L.M. Kukin, A.V. Murel, Y.I. Chechenin // В.Н. Радзиховский, С.Е. Кузьмин, В.Б. Хайкин, С.В. Шлезнин, International Journal of Infrared and Millimeter Waves. – 2007.- V. В.Р. Закамов, В.И. Шашкин // Тезисы докладов 28. - N 11. - P. 945-952. радиоастрономической конференции «Повышение A75. Шашкин В.И. Низкобарьерные детекторы субтерагерцового эффективности и модернизация радиотелескопов». п. Нижний диапазона на основе структур металл-полупроводник с Архыз, Карачаево-Черкессия, 22-27 сентября 2008 г. – C. 71.

приповерхностным дельта-легированием / В.И. Шашкин // A82. Закамов В.Р. Модифицированные щелевые антенны Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике миллиметрового диапазона длин волн на подложках с высокой полупроводников. Екатеринбург, 30 сентября - 5 октября 2007г. диэлектрической проницаемостью / В.Р. Закамов, Л.М. Кукин, - C. 384. С.В. Кривов, В.И. Шашкин // Известия вузов. Радиофизика. – A76. Шашкин В.И. Планарные детекторы для многоэлементных 2008. – T. 51. - № 10. - C. 864-871.

систем радиовидения миллиметрового диапазона длин волн / A83. Закамов В.Р. Исследования диодов с пониженной высотой В.И. Шашкин, Ю.А. Дрягин, В.Р. Закамов, С.В. Кривов, Л.М. барьера в планарном смесителе миллиметрового диапазона Кукин, А.В. Мурель, Ю.И. Чеченин // Известия вузов. длин волн / В.Р. Закамов, В.И. Шашкин // Материалы XIII Радиофизика. – 2007. – T. 51. - № 12. - C. 1077-1087. Международного симпозиума «Нанофизика и A77. Алкеев Н.В. Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной наноэлектроника», г. Нижний Новгород, 16–20 марта 2009 г., С.

высотой барьера / Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, 348-349.

В.И. Шашкин // Радиотехника и электроника. – 2008. - T. 53. - № 2. - C. 250-254.

A78. Закамов В.Р. Использование линейки планарных детекторов для формирования изображений при просвечивании предметов излучением миллиметрового диапазона длин волн / В.Р.

Закамов, В.И. Шашкин, А.В. Мурель // Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10–14 марта 2008 г. - С.

479-480.

A79. Закамов В.Р. Планарные детекторы для матричных систем видения в миллиметровом диапазоне длин волн / В.Р. Закамов, В.И. Шашкин, А.В. Мурель // Тезисы докладов XX Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. Москва, Россия, 27-30 мая 2008 г. – C. 33-34.

A80. Закамов В.Р. Исследования диодов с пониженной высотой барьера Al/GaAs в трёхмиллиметровом диапазоне частот / В.Р.

Закамов, В.И. Шашкин // Тезисы докладов радиоастрономической конференции «Повышение эффективности и модернизация радиотелескопов». п. Нижний Архыз, Карачаево-Черкессия, 22-27 сентября 2008 г. - C. 41.

A81. Радзиховский В.Н. Применение низкобарьерных детекторных диодов Шоттки в широкополосном радиометре 3 мм диапазона / 37 Шашкин Владимир Иванович НЕЛИНЕЙНЫЕ ТРАНСПОРТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕЛЕКТИВНО ЛЕГИРОВАННЫХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ МИКРОСТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК Автореферат Подписано к печати 18.05.2009 г. Тираж 100 экз.

Отпечатано на ризографе в Институте физики микроструктур РАН, 603950, г. Нижний Новгород, ГСП-1






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.