WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


На правах рукописи

Алёшин Владимир Алексеевич

НАПРАВЛЕННЫЙ СИНТЕЗ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ РТУТЬСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ

Специальность 02.00.01 – неорганическая химия

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора химических наук

Москва – 2010

Работа выполнена на кафедре неорганической химии химического факультета Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова

Официальные оппоненты: доктор химических наук Дробот Дмитрий Васильевич доктор химических наук Алиханян Андрей Сосович доктор химических наук Чилингаров Норберт Суренович

Ведущая организация: Уральский государственный университет им. А.М. Горького,

Защита состоится “24” сентября 2010 года в 1200 на заседании диссертационного совета Д 501.001.51 при Московском государственном университете имени М.В. Ломоносова по адресу: 119991, Москва, Ленинские горы, дом 1, строение 3, МГУ, Химический факультет, ауд. 446.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке химического факультета МГУ имени М.В. Ломоносова.

Автореферат разослан “____” __________ 2010 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, к.х.н. Хасанова Н.Р.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы Ртуть образует ряд соединений, находящих свое применение в качестве материалов для электроники. Так, например, теллурид кадмия и ртути известен как материал для ИК-датчиков, дииодид ртути чувствителен к рентгеновскому и гамма-излучению, сложные оксиды меди, бария и ртути проявляют высокотемпературную сверхпроводимость. Все эти соединения характеризуются возможностью варьирования состава в пределах области гомогенности, что отражается на электрических, оптические, магнитных и др. свойствах материалов на их основе. Решение проблемы создания функциональных материалов с заданными свойствами зависит от возможности точного и эффективного контроля их стехиометрии с учетом специфики химии ртути.

Получения ртутьсодержащих соединений заданного состава делает актуальной тему разработки основ управляемого синтеза этих соединений. В качестве объектов исследования выбраны дииодид ртути и первый представитель ряда ртутьоксидных сверхпроводников HgBa2CuO4+.

Особенностью химии ртутьсодержащих соединений является высокая летучесть галогенидов и термическая нестойкость оксидов, что требует контроля состава газовой фазы при их получении.

Для решения проблемы получения HgI2 и HgBa2CuO4+ заданного состава было проведено построение P-T-x фазовых диаграмм, являющихся термодинамической основой направленного синтеза неорганических соединений с участием газовой фазы, изучены взаимосвязь состава этих фаз, парциальных давлений летучих компонентов и температуры. Решение проблемы велось от простого бинарного соединения HgI2 к более сложному HgBa2CuO4+. Усложнение состава ведет к невоспроизводимости синтеза и сопровождается появлением нестехиометрии по двум компонентам - ртути и кислороду, что требует разработки нового комплексного подхода для решения поставленных задач. Так, синтез HgBa2CuO4+ зачастую сопровождается появлением примесных фаз, таких как меркурат бария и купраты бария. Содержание ртути в этом соединении может быть меньше стехиометрического. Не совсем понятна взаимосвязь между количеством сверхстехиометрического кислорода, ртутной нестехиометрии и степени окисления меди в этом соединении. Получаемые нейтронографические данные по содержанию сверхстехиометрического кислорода не вполне соответствуют результатам химического анализа.

Работа выполнена в рамках научной программы кафедры неорганической химии химического факультета МГУ «Поиск и исследование новых функциональных неорганических материалов», Государственной программы «Высокотемпературная сверхпроводимость» (проект «Поиск») и при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты 96-03-33502-а, 98-03-32700-а, 00-03-32379-а, 03-0332799-а, 07-03-00973-а).

Цель и задачи работы Цель работы состоит в разработке фундаментальных основ направленного синтеза нестехиометрических ртутьсодержащих соединений с участием газовой фазы.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

• Построение P-T-x фазовых диаграмм для определения области существования синтезируемых нестехиометрических фаз.

• Определение зависимости состава нестехиометрических фаз от температуры и парциальных давлений летучих компонентов.

• Направленный синтез фаз заданной стехиометрии при контролируемых парциальных давлениях летучих компонентов..

Разработка методов и подходов для изучения зависимости нестехиометрии от парциальных давлений летучих компонентов и температуры для сложных оксидов, таких как Hg1-xBa2CuО4-x+, представляет собой самостоятельную фундаментальную проблему, решаемую в данной работе.

Выявления взаимосвязи "состав-строение-свойство" включает в себя проведение следующих исследований:

• Выявление природы отклонения от стехиометрического состава и построения соответствующих моделей.

• Выявление зависимостей физических и физико-химических свойств нестехиометрических фаз от состава внутри области гомогенности, строения кристаллической фазы и валентного состояния атома переходного металла.

Объекты и методы исследования Для решения поставленных задач в качестве объектов исследования были выбраны -HgI2 (рис. 1) и HgBa2CuO4+ (рис.2 ) как представители двух классов ртутьсодержащих соединений: галогенидов ртути и сложных оксидов ртути.

Дииодид ртути -HgI2 относится к классу широкозонных полупроводников и находит применение в качестве датчиков для регистрации рентгеновского-, гамма-, альфа-, бета- и протонного излучений как в виде дискретных элементов, так и в виде активных матриц, работающих при комнатной температуре. Уникальной особенностью дииодида Рис. 1. Структура ртути являются низкие значения темнового тока, -HgIвысокое сопротивление и высокое энергетическое разрешение, которые не могут быть достигнуты при комнатной температуре на другом полупроводниковом материале с меньшей шириной запрещенной зоны.

Высокотемпературный сверхпроводник состава HgBa2CuO4+ (Hg-1201) с температурой перехода в сверхпроводящее состояние Tc = 97 К, полученный в 1993 г. Е.В.Антиповым и С.Н.Путилиным на кафедре неорганической химии Химфака МГУ, является первым представителем ряда ртутьсодержащих сверхпроводников с общей формулой HgBa2Can-1CunO2n+2+. Это соединение имеет очень Рис. 2. Строение простое кристаллическое строение, в нем только HgBa2CuO4+ атомы меди могут изменять свою степень окисления, что позволяет получать однозначные корреляции физических свойств и степени окисления меди. HgBa2CuO4+ представляет особый интерес для проведения физических исследований, ставящих цель поиска закономерностей возникновения и исчезновения сверхпроводимости и выявления природы высокотемпературной сверхпроводимости.

При выполнении работы использовались следующие методы исследования: для характеризации исходных и синтезируемых веществ - методы рентгенофазового и химического анализов, термогравиметрия, ИКспектроскопия, измерение магнитной восприимчивости; для определения общего давления насыщенного и ненасыщенного пара в системе I-Hg - метод мембранного нуль-манометра, а для определения парциального давления ртути в системе Hg-Ba-Cu-O - модернизированный нами метод статического взвешивания; для определения термодинамических функций ртутьсодержащих фаз и купратов - метод калориметрия растворения, термогравиметрию и дифференциальную сканирующую калориметрию, для получения фаз заданного состава - методы отжигов при заданных парциальных давлениях летучих компонентов; изучение особенностей массопереноса при кристаллизации дииодида ртути проводили с использованием весов непрерывного взвешивания.

Достоверность и обоснованность результатов обеспечена комплексным подходом, включающим совокупность разных методов исследований с использованием современных взаимодополняющих физико-химических методов диагностики и статистической обработки, а также сопоставлением экспериментальных данных с теоретическими оценками и результатами моделирования.

Научная новизна.

1. Реализован комплексный подход для решения проблемы получения и исследования нестехиометрических ртутьсодержащих соединений, включающий: построение Р-Т-х фазовой диаграммы, определение области существования ртутьсодержащей фазы; выявление зависимости состава от температуры и парциальных давлений летучих компонентов в условиях осуществления гетерогенного равновесия; построение моделей нестехиометрии; направленный синтез нестехиометрических фаз и выявление зависимости некоторых физических свойств от состава.

2. Построена Р-Т проекция Р-Т-х фазовой диаграммы системы I - Hg. С привлечением литературных данных по диаграмме плавкости построена Р-Т-х фазовая диаграмма этой системы.

3. Определена зависимость состава дииодида ртути HgI2+x от парциального давления иода и температуры. Показано, что протяженность области гомогенности дииодида ртути со стороны иода ограничена предельным давление иода в трехфазном равновесии S(HgI2)-L-V. Построены изотермы зависимости парциального давления иода от состава в пределах области гомогенности HgI2+x. Полученные результаты использованы в опытах по выращиванию кристаллов HgI2+x заданного состава.

4. Методом непрерывного взвешивания установлено, что лимитирующей стадией при росте кристаллов -HgI2 в вакуумированной ампуле является скорость кристаллизации. В присутствии аргона скорость лимитируется в основном диффузией в газовой фазе.

5. Построена P(O2)-P(Hg)-T-x - фазовая диаграмма системы Hg-Ba-Cu-O в области существования Hg1-xBa2CuО4-x+ для соотношения Ba/Cu = 2/1, а также P(Hg)-T и P(O2)-T сечения фазовой диаграммы. Для определения парциального давления ртути и состава Hg1-xBa2CuО4-x+ по ртути использован модернизированный нами метод статического взвешивания.

6. Определено давление диссоциации меркуратов MHgO2 по разработанной нами методике термогравиметрии в запаянной ампуле.

7. Методом калориметрии растворения получены значения энтальпий образования HgBa2CuO4+ с разной кислородной нестехиометрией, а также меркуратов ЩЗЭ состава MHgO2 и купратов M2CuO3 (M = Ca, Sr, Ba).

8. Разработана методика получения Hg-1201 при контролируемых парциальных давления ртути и кислорода. Показано, что получение Hg1-xBa2CuO4-x+ с содержанием ртути 97 - 98% от стехиометрического состава возможно только в метастабильной области существования этой фазы.

9. Методом нейтронографиии определены уровни заселенности позиций ртути и кислорода в образцах Hg1-xBa2CuO4-x+ с различным содержанием ртути и сверхстехиометрического кислорода и предложена модель кислородной и ртутной нестехиометрии.

Практическая значимость работы • В ходе выполнения работы разработаны методы и подходы прямого определения нестехиометрии бинарных и более сложных ртутьсодержащих соединений в условиях осуществления фазовых равновесий, которые могут быть использованы при исследовании других систем. Преимуществом используемых методов является получение информации о составе конденсированной фазы непосредственно в условиях осуществления гетерогенного равновесия при данных температуре и парциальных давлениях летучих компонентов.

• Построены фрагменты P-T-x фазовых диаграмм систем I-Hg и P(O2)-P(Hg)-T-x (Ba/Cu=2/1), являющиеся основой направленного синтеза ртутьсодержащих соединений заданного сотава.

• Отработана методика получения монокристаллов дииодида ртути методом колебания температуры кристалла.

• Разработаны методики статического взвешивания при заданных P(O2) и P(Hg), позволяющие определять парциальное давление ртути и отклонения от стехиометрии по ртути в Hg1-xBa2CuO4+, в условиях осуществления фазового равновесия.

• Предложена и реализована методика термогравиметрического анализа при заданных парциальных давлениях кислорода и ртути в запаянной ампуле для определения константы термической диссоциации меркуратов Ca, Sr и Ba и общего давления пара.

• Определены термодинамические функции Hg1-xBa2CuO4+ с различными кислородными индексами, а также меркуратов и купратов ЩЗЭ, представляющие интерес как справочный материал при проведении термодинамических расчетов.

• На основании данных по фазовым равновесиям предложена и реализована методика синтеза однофазных образцов заданного состава Hg1-xBa2CuO4+.

Полученные и охарактеризованные образцы передавались в другие лаборатории для проведения всесторонних исследований.

• В результате работы решена фундаментальная научная проблема определения кислородной и ртутной нестехиометрии сложных ртутьсодержащих фаз на примере Hg1-xBa2CuO4+, а также управляемого синтеза этой нестехиометричной фазы.

Личный вклад автора В диссертации представлены результаты исследований, выполненных лично автором или под его непосредственным руководством в период с 19по 2009 г. на кафедре неорганической химии химического факультета Московского государственного университета имени М.В.Ломоносова.

Личный вклад автора в настоящую работу состоит в постановке задач, разработке экспериментальных методик, непосредственном проведении части экспериментов, обработке, анализе и обобщении полученных результатов. Большая часть экспериментального материала получена в ходе выполнения кандидатских диссертаций Е.В.Ереминой и Д.А.Михайловой, а также дипломных работ студентов химического факультета МГУ, выполненных под руководством автора.

Автор глубоко признателен д.х.н. Поповкину Б.А., д.х.н. Антипову Е.В., и д.т.н. Залетину В.М. за помощь в выборе направления исследований и за неоценимую поддержку при выполнении работы.

Апробация работы Результаты работы были представлены на следующих научных конференциях и семинарах: Third int. Workshop on Chemistry and Technology of high-temperature superconductors. MSU-HTSC III. (Moscow, Russia, 1993);

International Workshop MSU-HTSC IV. Chemistry and Technology of HighTemperature Superconductors. (Moscow, Russia, 1995); Third Swedish-Russian Conference: Mixed-Valency Metal Oxides (Suzdal, Russia, 1996); International workshop on chemical designing and processing of high-Tc superconductors, (Yokogama, Japan, 1996); XVII Congress and general assembly of the International Union of Crystallography (Siettl, USA, 1996); V International conference on materials and mechanisms of superconductivity, Beijing, China, 1997); V Международная конференция "Термодинамика и материаловедение полупроводников" (Москва, Россия, 1997); 7-th conference on calorimetry and thermal analysis. (Zakopane, Poland, 1997); 5-th International Workshop "Hightemperature superconductors and novel inorganic materials engineering MSUHTSC-V" (Moscow, Russia, 1998); 4-th Swedish-Russian Conference on "MixedValency Metal Oxides" (Faringso, Sweden, 1999); Int. Conf. “Solid State Chemistry-2000”. (Prague, Czechia, 2000); Всероссийская конф. “Химия твердого тела и функциональные материалы”, (Екатеринбург, Россия, 2000);

6-th International Workshop "High-temperature superconductors and novel inorganic materials engineering MSU-HTSC-VI" (Moscow-St.Petersburg, Russia, 2001); Международная конференция «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, Россия, 2001); Regional Seminar “Solid State Ionics” (Jrmala, Latviya, 2001); XIV Международная конференция по химической термодинамике. (Санкт-Петербург, Россия, 2002); Международная конференция «Физика электронных материалов».

(Калуга, Россия, 2002); VIII Всероссийское совещание по высокотемпературной химии силикатов и оксидов. (Санкт-Петербург, Россия, 2002); 7-th International Workshop “High-Temperature Superconductors and Novel Inorganic Materials Engineering”. (Moscow, Russia, 2004); V-я школа-семинар «Актуальные проблемы современной нерганической химии и материаловедения» (Звенигород, Россия, 2005); “16-th International conference on Solid Compounds of Transition Elements” SCTE-2008. (Dresden, Germany, 2008); “XVII International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia”.

Kazan. Russian Federation, 2009).

Публикации По результатам проведенных исследований опубликовано более работ, в том числе 25 статей в рецензируемых российских и международных журналах.

Объем и структура работы Диссертационная работа изложена на 258 страницах машинописного текста, иллюстрирована 85 рисунками и 63 таблицами. Список цитируемой литературы содержит 228 ссылок. Работа состоит из введения, аналитического обзора литературы (главы 1-4), экспериментальной части (глава 5), результатов и их обсуждения (главы 6-11), выводов и списка цитируемой литературы.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении кратко обоснована актуальность работы, сформулирована цель, показаны научная новизна и практическая значимость работы, обозначены основные этапы исследования.

Первые четыре глава посвящены аналитическому обзору литературы, в котором рассмотрены свойства веществ, их кристаллическое строение, сведения по фазовым равновесия. Особое внимание уделялось критическому анализу данных по нестехиометрии ртутьсодержащих соединений и обоснованию выбора основных направлений исследования.

Пятая глава содержит описание предложенных и реализованных нами экспериментальных методик изучения фазовых равновесий, определения зависимости нестехиометрии ртутьсодержащих соединений от температуры и парциальных давлений летучих компонентов, получению нестехиометрических фаз заданного состава.

Исходные вещества. В качестве исходных веществ при исследовании фазовых равновесий в системе I-Hg и выращивании кристаллов HgIиспользовали дииодид ртути, предварительно очищенный многократной сублимацией в динамическом вакууме. HgBa2CuO4+ получали из Ba2CuO3+y и оксида ртути нагреванием в запаянной под вакуумом ампуле. Во избежание прямого контакта синтезируемых веществ с материалом ампулы таблетки помещали в алундовые тигли. Промежуточное соединение Ba2CuO3+y получали путем спекания в токе кислорода тонкой смеси ВаО2 и CuO, помещенной в алундовую лодочку. Все эксперименты с этим соединением проводили в среде осушенного и очищенного от углекислого газа воздуха или азота (аргона). С целью получения восстановленных образцов HgBa2CuO4+ с низкими значениями ( < 0,07) образцы отжигали при нагревании в вакууме или токе очищенного аргона. Для получения оптимально окисленных образцов с максимальным значением Tc ( = 0,07 - 0,08) проводился отжиг в токе очищенного и осушенного кислорода.

Переокисленные образцы ( > 0,08) получали окислением под повышенным давлением кислорода. Меркураты ЩЗЭ синтезировали нагреванием в кварцевой ампуле смеси соответствующего оксида ЩЗЭ и оксида ртути.

Индивидуальность полученных веществ подтверждали методами РФА и химического анализа.

Тензиметрия. Измерение зависимостей давления пара от температуры в системе I - Hg проводили с помощью кварцевого компенсационного нульманометра с серповидной мембраной (рис. 3).

Измерение давления пара проводили при ступенчатом нагревании и охлаждении манометра. Критерием Рис. 3. Схема компенсационного мембранного установления равновесия в нуль-манометра 1-рабочий объем манометра; 2-мембрана;

системе служило прекращение 3-подвижный шток; 4-неподвижная нуль-стрелка;

5- -компенсационный объем манометра.

изменения давления при постоянной температуре и совпадение давлений при нагревании и охлаждении. С целью достижения равновесия каждая "точка" выдерживалась при постоянной температуре от 4 часов до 1 недели. Точность измерения давления составляла ±70 Па, а температуры ±1°С.

Метод статического взвешивания. Для определения парциального давления ртути в системе Hg-Ba-Cu-O, а также зависимости ртутной нестехиометрии в Hg-1201 от P(Hg) и P(O2) были разработаны двухтемпературные и трехтемпературные модификации метода статического взвешивания МСВ-2 и МСВ-3 (рис.4). Температуры Т1, Т2 (и Т3) можно было изменять независимо.

а) б) Рис. 4. Двухтемпературная МСВ-2 (а) и трехтемпературная МСВ-3 (б) модификации метода статического взвешивания.

Двухтемпературная модификация метода статического взвешивания (МСВ-2) позволяет определить давление паров ртути над HgBa2CuO4+ при заданном парциальном давлении кислорода P(O2). В этом методе парциальное давление кислорода фиксировалось с помощью буферной смеси оксидов переходных металлов (Co3O4/CoO или CuO/Cu2O).

Co3O4 = 3CoO + 1/2 O2 lgP(O2) = -15600/T + 12,6 (1000 - 1240 K) (1) CuO = Cu2O + 1/2 O2 lgP(O2) = -15037/T + 10,865 (1298 – 1358 K) (2) Использование трехтемпературной модификации (МСВ-3) позволяет определить зависимость концентрации ртути в Hg1-xBa2CuO4+ от P(O2), P(Hg) и температуры. Для этого дополнительно фиксировалось P(Hg) с помощью буферной смеси HgBa2CuO4+/Ba2CuO3+x при заданном P(O2).

HgBa2CuO4+ = Ba2CuO3+y + Hg(г.) + (1+-y)/2O2 (3) P(Hg) = f(P(O2), T) Для проведения опыта вакуумированную и запаянную кварцевую ампулу с таблетированными веществами (навески ~ 1 г) помещали в двух- или трехтемпературную печь и подвешивали с помощью системы подвеса к плечам коромысла аналитических весов. Такая схема подвеса позволяет исключить искажение показаний веса, связанное с изменением линейных размеров кварцевой ампулы при нагревании. Точность взвешивания F составляла ±0,0005 г, температуру в печи поддерживали с точностью ±2°C.

Согласно калибровочным экспериментам с оксидом ртути, масса пара соответствовала исходной навеске (~0,1 г) в пределах 2%. Общее давление пара при этом изменялось в пределах 4 - 6 атм. Эксперимент с жидкой ртутью, проведенный в интервале температур 246 - 483°C (0,075

Отсутствие возможности переноса бария и меди в градиенте температуры позволило достичь квазиравновесного состояния во всех температурных зонах. Условия проведения опытов исключали возможность конденсаци паров ртути. Фазовые составы образцов в ампуле контролировали методом РФА после окончания эксперимента.

Давление пара при проведении опытов считалось равновесным, если:

1. Показания веса не изменялись в течение 2 - 2,5 часов при температурах 800 - 840°С, Р(О2) = 0,43 атм и 3 - 15 часов при температурах 800 - 740°С и более низких давлениях кислорода.

2. Показания веса при нагревании ампулы и при ее охлаждении совпадают между собой в пределах ошибок измерений.

3. Совпадают между собой в пределах ошибок измерений значения P(Hg) для экспериментов с различным соотношением исходных компонентов Ba2CuO3+y и HgO.

Достоверность получаемых данных подтверждали проведением независимых экспериментов с использованием других методов исследования, включая химический анализ образца после завершения эксперимента.

Политермический отжиг. Для определения верхней границы устойчивости HgBa2CuO4+ использовали метод политермического отжига.

Парциальное давление кислорода Рис. 5. Схема проведения политермического отжига.

задавалось с помощью двухфазной смеси оксидов CoO/Co3O4, находящейся при самой высокой температуре; а давление ртути при фиксированном давлении кислорода - с помощью равновесия S(HgO)-V, порошок HgO находился при самой низкой температуре (рис. 5). Фазовые составы образцов определяли методом РФА после завершения опыта.

Калориметрия растворения. Прецизионное определение энтальпий образования веществ в системе Hg-Ba-Cu-O и некоторых их аналогов выполнено методом калориметрии растворения в 1 N соляной кислоте в адиабатическом качающемся калориметре с изотермической оболочкой. Все калориметрические исследования выполнены в лаборатории термохимии химического факультета МГУ*). Определение теплоемкости исследуемых соединений проведено на термоанализаторе STA-409 фирмы “Netzsch” в интервале температур 250-700 K.

Термогравиметрия в запаянной ампуле. Эксперименты по термогравиметрическому изучению термической устойчивости меркуратов ЩЗМ проводили в запаянной под вакуумом ампуле, помещенной в двухтемпературную печь по разработанной нами методике. Схема установки представлена на рис. 6-а.

а) б) Рис. 6-а. Установки для термогравиметрии в Рис. 6-б. Схема проведения запаянной ампуле. опыта по определению скорости 1 – ампула с системой подвеса, 2 – массопереноса дииодида ртути двухтемпературная печь, 3 – электронные весы, 4 – регистрирующий прибор.

Температуру разложения вещества при заданных P(O2) и P(Hg) определяли по изменению направления переноса ртути в ампуле в процессе нагревания. Эта установка использовалась также и для определения скорости массопереноса при кристаллизации дииодида ртути из пара**) (рис. 6-б). С целью оценки погрешности измерений и проверки достоверности *) Пользуемся случаем поблагодарить в.н.с. А.С. Монаенкову, под руководством которой проведены калориметрические эксперименты.

**) Эта установка и печь для выращивания кристаллов дииодида ртути из пара методом колебания температуры любезно предоставлены д.т.н. В.М. Залетиным получаемых данных были проведены эксперименты с оксидом ртути, как стандартным веществом, точность определения температуры разложения оценивалась как ± 3°С.

Рост кристаллов дииодида ртути из пара. Для управляемого роста кристаллов использовали вертикальную трехзонную печь**) с независимым регулированием температуры каждого из нагревателей и с охлаждающим стержнем (теплоотводом), проходящим через дно печи (рис. 7). Теплоотвод служит для создания локального переохлаждения на дне ростовой ампулы, необходимого для управления зародышееобразованием путем колебания температуры кристаллизизации.

а) б) Рис. 7. Схема печи для выращивания кристаллов -HgI2 методом колебания температуры кристалла.

1 – зона испарения, 2- зона кристаллизации, 3 – теплоотвод/нагреватель, 4 - зависимость температуры холодильника от времени в осциллирующем режиме; 5 – зависимость температуры поверхности кристалла от времени в осциллирующем режиме.

Нейтронография. Нейтронографические эксперименты по уточнению структуры HgBa2CuO4+ и определению уровней заселенности позиций кислорода и ртути выполнены на фурье-дифрактометре высокого разрешения (ФДВР) на пульсирующем реакторе ИБР-2 в Дубне и на дифрактометре 3Тна реакторе "Орфей" в Сакле (Франция).

Магнитные измерения. Для определения температуры перехода в сверхпроводящее состояние образцов HgBa2CuO4+ определяли температурные зависимости магнитной восприимчивости индукционным методом на частоте 27 Гц с амплитудой переменного магнитного поля Н = 1 Э в интервале температур от 120 до 12 К. Температуру сверхпроводящего перехода находили по началу падения действительной части магнитной восприимчивости.

Основные результаты, полученные в работе и их обсуждение представлены в главах 6-11.

В шестой главе приведены результаты тензиметрического исследование фазовых равновесий в системе I - Hg с участием газовой фазы и построена P-Т проекция P-Т-х фазовой диаграммы системы I – Hg (рис. 8).

Рис. 8. Р-Т проекция P-Т-х фазовой диаграммы системы иод - ртуть.

На диаграмме представлены трехфазные равновесия: S(I2)-L-V с участием кристаллического иода, расплава и пара; равновесия -HgI2 с твердым иодом и паром (S(-HgI2)-S(I2)-V); равновесия -HgI2 и -HgI2 с расплавом и паром со стороны иода (S(-HgI2)-L-V и S(-HgI2)-L-V);

равновесия -HgI2 и -HgI2 с моноиодидом ртути и паром (S(HgI2)-S(Hg2I2)-V, S(-HgI2)-S(Hg2I2)-V), а также -HgI2 с расплавом и паром (S(-HgI2)-L-V). Для составов, обогащенных ртутью, изучено равновесие Hg2I2 с расплавом и паром (S(Hg2I2)-L1-V) и определена зависимость давления пара от температуры над несмешивающимися жидкостями L1 и L(L1-L2-V). Координаты (P, T, x) особых точек в системе I-Hg представлены в табл.1.

Таблица 1.

Особые точки в системе ртуть-иод Обозна- Темпера- Давление, x, № Равновесие чение тура, °C Па ат.% Hg 1 S(I2)S(-HgI2)LV E1 376±2 K 12530±260 8 ат.% Hg S(-HgI2)S(- 33,2 A 404 К 204HgI2)LV (со стороны иода) S(-HgI2)S(- 33,3 B 404 K 275±2HgI2)S(Hg2I2)V (со стороны ртути) S(-HgI2)S(- 33,4 - 404 K HgI2)V (стехиометричный) S(-HgI2)LV 33,5 (P max) 475 К Р=764(P max) (со стороны иода) S(- 6 E2 505±2 K, 5370 ± 2HgI2)S(Hg2I2)LV 7 S(Hg2I2)L1L2; S 570±2К, 21310±260 Кроме трехфазных равновесий на диаграмме нанесена линия давления пара над твердым дииодидом ртути S(-HgI2)-V (Pmin). Дииодид ртути испаряется конгруэнтно. Давление пара над дииодидом ртути, соответствующее Pmin, описывается уравнением:

lg(P/Па) = -(4518±122)/T + (12,59±0,35) (408 - 536 К) (4) Значения энтальпии и энтропии сублимации, рассчитанные из уравнения (4) для средней температуры 470 K исследуемого интервала температур, приведены в табл. 2.

Таблица 2.

Термодинамические параметры сублимации -HgI2 пар Температура, K sublH°T, кДж/моль sublS°T, кДж/моль источник 470 86,5 ± 2,3 139,3 ± 3,5 наши данные 298 86,9 ± 2,3 155,9 ± 3,5 наши данные 298 89,4 154,8 лит.

При нагревании паров дииодида ртути выше 700 K наблюдается их термическая диссоциация рис. 9-а:

HgI2 (газ) = Hg (газ) + I2 (газ) (5) а) б) 1--1,HgI2(пар) -60 -2,Kp --3,-- P(sat.) HgI- m(HgI2) = 0,2080 г, V = 46,1 см - m(HgI2) = 0,1427 г, V = 46,6 см 3 -4,- m(HgI2) = 0,0683 г, V = 45,7 см - нет диссоциации HgI2, расчет 0,95 1,05 1,15 1,25 1,35 1,400 600 800 1000 1000/T, 1/K T, K Рис. 9. Термическая диссоциации диодида ртути а) зависимость давления ненасыщенного пара дииодида ртути от температуры, б) зависимость константы диссоциации дииодида ртути от температуры Результаты расчетов значений Kр(HgI2) реакции диссоциации (5) представлены на рис. 9-б в виде линейной зависимости lgKр(HgI2) от обратной температуры:

lgKp = -(6869 ± 56)/T + (5,413 ± 0,065) (740-970K) (6) SD = 0,041, N = Из полученной температурной зависимости Kp(HgI2) рассчитаны энтропия и энтальпия термической диссоциации газообразного дииодида lg(Kp/Po) а П к, P V ) I g H ( L V ) I g H ( S ртути dissН°800 = 131,5 ± 1,1 кДж/моль и dissS°800 = 103,6 ± 1,3 кДж/моль.

В главе 7 приводятся результаты определения зависимости состава дииодида ртути с избытком иода от P(I2) и температуры c использованием кварцевого мембранного нуль-манометра. В качестве исходных веществ использовали кристаллы дииодида ртути с добавкой иода. При нагревании часть иода растворяется в дииодиде ртути с образованием твердого раствора HgI2+x, а другая часть иода полностью переходит в пар, что ведет к понижению давления пара (рис. 10) в области двухфазного равновесия S(HgI2+x)-V по сравнению с расчетным (пунктирные линии на рис. 10).

Рис. 10. Зависимость давления пара от температуры в области гомогенности ртути дииодида.

Как видно из рис. 10, разница между расчетными и экспериментальными давлениями уменьшается с ростом температуры. Парциальное давление дииодида ртути при этих температуре незначительно, и пар состоят в основном из молекул иода. При более высоких температурах наблюдается положительное отклонение общего давления пара, связанное с увеличением вклада парциального давления дииодида ртути.

Точки перехода трехфазного равновесия S(-HgI2)-S(I2)-V (или S(HgI2)-LV) в двухфазное равновесие S(-HgI2)-V соответствуют границе области гомогенности HgI2+x со стороны иода. Координаты границы (P(I2),T,x) определены как точка отрыва линии двухфазного равновесия S(HgI2)-V от линии трехфазного равновесия S(-HgI2)-S(I2)-V (или S(-HgI2)-LV). Отклонения от стехиометрического состава с ростом температуры увеличивается от х = 0,0007 ± 0,0001 (T = 367 K) х = 0,0024 ± 0,0003 (T = 3K). Зависимость растворимости иода в дииодиде ртути от температуры приведена на рис.11-а.

а) б) Рис. 11. Область гомогенности дииодида ртути.

а) Границы области гомогенности дииодида ртути со стороны иода.

б) Изотермы зависимости парциального давление паров иода от состава дииодида ртути.

Пунктирными линиями схематически достроены недостающие участки области гомогенности дииодида ртути. Следует отметить, что предельная растворимость в данном случае ограничивается, вероятно, давлением паров иода в двухфазной области. Из полученных экспериментальных результатов построены изотермы зависимости P(I2) от состава внутри области гомогенности над HgI2+x (рис.11-б).

Поглощение дополнительного количества иода сопровождается увеличением параметра элементарной ячейки "с" (рис.12-а) и понижением плотности кристалла дииодида ртути (рис.12-б) без изменения параметра "a", что может указывать на внедрение сверхстехиометрического иода между слоями иода в кристаллической решетке как в молекулярном виде, так и с образованием полииодид-ионов I3-.

а) б) Рис. 12. Изменение параметра элементарной ячейки «с» (а) и плотности дииодида ртути (б) в зависимости от количества сверхстехиометрического иода.

В седьмой главе обсуждаются некоторые проблемы массопереноса при кристаллизации дииодида ртути в вакууме и в среде аргона. Добавление аргона должно моделировать массоперенос при кристаллизации дииодида ртути с добавками иода.

Кристаллизация в вакуумированной ампуле. Для изучения кинетических особенностей кристаллизации дииодида ртути из пара использованы весы непрерывного взвешивания (рис. 6). Скорость массопереноса при кристаллизации в вакууме может лимитироваться скоростью роста кристаллов и в этом случае должна преимущественно зависеть от величины пересыщения кристаллизации (рис. 13-а). Для изменения величины пересыщения варьировали температуру испарения при постоянной температуре кристаллизации и, соответственно, давление паров дииодида ртути в ампуле:

= P/Pкр. (P = Pисп. - Pкр.) (7) где: Pисп. –давление пара в зоне испарения; Pкр. – равновесное давление пара над кристаллом.

а) б) Рис. 13-а. Зависимость скорости Рис. 13-б. Зависимость lg(J/) от массопереноса от величины обратной температуры кристаллизации пересыщения = P/Pкр Как видно из рис. 13-а, полученные зависимости потока массы от величины пересыщения близки к линейным при постоянной температуре кристаллизации и, согласно модели БКФ, линейная скорость роста кристалла R может быть описана следующим уравнением, справедливом для высоких пересыщений кристаллизации:

R = noexp{-W/RT) (8) где - коэффициент конденсации; - объем молекулы; n0 - число молекул на 1 см2 поверхности; - пересыщение; W - энергия испарения; T - температура кристаллизации.

Поскольку по условиям проведения эксперимента линейная скорость роста кристалла пропорциональна потоку массы R = k·J (k – коэффициент пропорциональности), то lg(J/) = -W/2,303RT + lg(no/k), (9) Линейная зависимость lgn(R/) от обратной температуры кристаллизации рис. 13-б указывает на возможность описания скорости роста с использованием модели БКФ в приближении высоких пересыщений кристаллизации. Рассчитанная из графика (рис. 13-б) энергия испарения W = 78,5 ± 4,8 кДж/моль близка по значению к теплоте сублимации -HgI2, равной Н = 86,9 ± 2,3 кДж/моль.

На рис. 14 приведены зависимости скорости массопереноса -HgI2 от температуры испарения при постоянной температуре кристаллизации Ткр = 373 К и различных давлениях аргона (600, 1500 и 2600 Па при 25°С). На этом же рисунке для сравнения пунктиром нанесены значения скоростей переноса, рассчитанные по диффузионной модели.

При низких T полученные значения скоростей массопереноса совпали в пределах погрешностей с рассчитанные по диффузионной модели (рис.14). Однако, при повышении температуры испарения наблюдали отрицательное отклонение экспериментальных скоростей переноса от рассчитанных, причем эта Рис. 14. Зависимость скорости массопереноса дииодида от разница росла с увеличением температуры испарения при температуры испарения, указывающая постоянной Ткр ртути в среде аргона.

на увеличение вклада стадии кристаллизации в общую скорость процесса.

При получении монокристаллов дииодида ртути из пара методом колебания температуры кристаллизации было определено, что начальную стадию роста следует проводить при небольших переохлаждениях в зоне роста ~2 К. Осциллирующий режим прекращали когда кристаллы вырастали до размера 5 - 7 мм3 и устанавливали температуру источника равной 383 K, а температуру кристалла 373 K. В этом случае спонтанное зародышеобразование уже не происходило. В результате был получен кристалл объемом до 3 см3.

В восьмой главе обсуждаются особенности взаимодействия Ba2CuO3+y и оксида ртути, приведены результаты определения парциальных давлений ртути и кислорода в фазовых равновесиях с участием HgBa2CuO4+, и построена диаграмма вблизи области устойчивости HgBa2CuO4+ Особенности взаимодействия Ba2CuO3+y с оксидом ртути изучали методом статического взвешивания МСВ-2. Типичные зависимости изменения массы пара от времени при нагревании смеси Ba2CuO3+y и HgO в присутствии различных кислородных буферных смесей приведены на рис. 15-а.

а) б) Рис. 15. Взаимодействие Ba2CuO3+y с оксидом ртути а) Зависимость изменения массы смеси Ba2CuO3+y+HgO от времени при нагревании со скоростью 3,3 град./мин. (Ba2CuO3+y : HgO = 1 : 0,8.).

1 – буферная смесь Cu2O/CuO, 2 – буферная смесь Co3O4/CoO. 3 – нагревание HgO.

б) Схема структурного превращения при синтезе HgBa2CuO4+ Давление паров ртути над смесью Ba2CuO3+y + HgO вначале повышалось, а затем уменьшалось, причем его значение было выше чем над оксидом ртути. Исходя из этого можно предположить, что на первой стадии взаимодействия происходило окисление Ba2CuO3+y, приводящее к понижению содержания кислорода в газовой фазе и, соответственно, к повышению парциального давления ртути. Кислород при этом занимает вакантные позиции в слое (СuO ), а ртуть встраивается между слоями (BaO) с соответствующим сдвигом слоев по диагонали кристаллической решетки (рис. 15-б). При осуществлении равновесия Ba2CuO3+y + HgO = HgBa2CuO4+ процессы встраивания и удаления кислорода и ртути происходят, повидимому, одновременно. Более высокое парциальное давление ртути при использовании буферной смеси Cu2O/CuO связано с более низким парциальным давлением кислорода над этой смесью со смесью CoO/Co3O4), которые начинают активно влиять на давление паров в ампуле выше 600°С.

Нижняя граница устойчивости Hg1-xBa2CuO4+ на фазовой P(Hg)-P(O2)-T диаграмме определяется равновесием Ba2CuO3+y + Hg(газ) + (1+-y)/2O2 = HgBa2CuO4+ (трехфазное равновесие S(Hg-1201)-S(Ba2CuO3)V).

а) б) Рис. 16. Давление паров ртути в трехфазном равновесии S(Hg-1201)-S(Ba2CuO3)-V.

(Разные символы соответствуют разным экспериментам) а) Зависимости P(Hg) от температуры при P(O2) = 0,11, 0,42 и 1,2 атм б) Зависимости P(Hg) от P(O2) при 800оС.

Для определения зависимости P(Hg) = f(P(O2),T) был использован метод статического взвешивания МСВ-2 с контролируемым парциальным давлением кислорода. По результатам измерений построены зависимости P(Hg) = f(T) при P(O2) = 0,11, 0,42 и 1,2 атм и P(Hg) = f(P(O2) при T = 800оС, представленные на рис.16.

Суммарно, зависимость P(Hg) = f(P(O2),T) в трехфазном равновесии S(Hg-1201)-S(Ba2CuO3+y)-V может быть представлена уравнением:

lg(P(Hg)/P°) = -(6514±178)/T - (0,329±0,010)lg(P(O2)/P°) + (6,347±0,163) SD = 0,0245, N=50. (10) Коэффициент, связывающий lgP(Hg) и lgP(O2) отличается от величины 0,5. Уменьшение коэффициента может быть связано с различием кислородных индексов HgBa2CuO4+ и Ba2CuO3+y, а также меньшим содержанием ртути в Hg1-xBa2CuO4-x+ по сравнению со стехиометрическим.

Верхняя граница устойчивости HgBa2CuO4+. При повышении парциальных давлений кислорода и ртути фаза HgBa2CuO4+ становится термодинамически неустойчивой и распадается с образованием BaHgO2 и Ba2Cu3O5+z:

3HgBa2CuO4+ + Hg(газ) +(1-3+z)/2O2 = 4BaHgO2 + Ba2Cu3O5+z (11) Для определения пространственного расположения поверхности, ограничивающей сверху область существования фазы HgBa2CuO4+ на P(Hg)-P(O2)-T диаграмме, были использованы методы двухтемпературных и политермических отжигов при заданных парциальных давлениях ртути и кислорода. Зависимость парциального давления ртути от парциального давления кислорода и температуры для четырехфазного равновесия S(Hg1201)-S(Ba2Cu3O5+z)-S(BaHgO2)-V может быть описана уравнением:

lg(P(Hg)/P°) = -9680/T - 0,75lg(P(O2)/P°)+ 10,43 (12) Рис. 17. Область устойчивости HgBa2CuO4+ на P(O2)-P(Hg)-T - диаграмме системы Hg-Ba-Cu-O при соотношении катионов Ba : Cu = 2 : 1.

Область устойчивости фазы HgBa2CuO4+ на диаграмме (рис. 17) ограничена двумя поверхностями. Ниже нижней поверхности термодинамически устойчива фаза Ba2CuO3+y. Выше верхней поверхности HgBa2CuO4+ распадается на BaHgO2 и купрат бария Ba2Cu3O5+z. Внутри объема, заключенного между этими двумя поверхностями состав фазы HgBa2CuO4+ при изменении парциальных давлений P(Hg), P(O2) и температуры может изменяться как по ртути, так и по кислороду.

В девятой главе представлены экспериментальные данные по определению ртутной нестехиометрии Hg1-xBa2CuO4-x+ в зависимости от P(Hg), P(O2) и T.

Для изучения зависимости содержания ртути (1-x) в Hg1-xBa2CuO4-x+ от P(Hg), P(O2) и T использовали двух- и трехтемпературные методы статического взвешивания МСВ-2 и МСВ-3, а также метод “замороженного равновесия”. Примеры температурных зависимостей парциального давления ртути над Hg1-xBa2CuO4-x+ при давлении кислорода 0,42 атм, полученные методом МСВ-2, приведены на рис. 18-а.

Парциальное давление паров ртути над Hg1-xBa2CuO4-x+ в двухфазной области (равновесие S(Hg1201)-V) возрастает при увеличении температуры. Для сравнения на этом рисунке пунктиром изображены температурные зависимости давления паров ртути, Рис.18. Определение ртутной нестехиометрии рассчитанные по уравнению Hg1-xBa2CuO4-x+ Примеры температурных зависимостей давления термического расширения паров ртути над фазой Hg1-xBa2CuO4+ при P(O2) = 0,42 атм.

идеального газа в предположении неизменности состава твердой фазы. При повышении температуры разность рассчитанных и экспериментальных величин возрастает, однозначно свидетельствуя об увеличении количества ртути в паре и уменьшении, соответственно, содержания ртути в Hg1-xBa2CuO4-x+.

Все результаты, полученные методами статического взвешивания МСВ2 и МСВ-3, были описаны в виде эмпирической зависимости содержания ртути (1-x) в Hg1-xBa2CuO4+ от P(O2), P(Hg), и T:

lg(1-x) = (336,9±23,2)/T + (0,0657±0,0090)·lg(P(Hg)/P°) + (0,0329±0,0045)·lg(P(O2)/P°) - (0,419±0,023) для 933 T 1095 K, 8,3 P(Hg) 2,0 атм и 0,86 P(O2) 0,11 атм, SD = 0,0074, N = 59. (13) Расчет составов по этому уравнению дает хорошую сходимость с экспериментальными данными для всего интервала температур и парциальных давлений кислорода и ртути (рис. 19) Предельные отклонения рассчитанных и Рис.19 Расхождение эксперимен- экспериментальных данных не тальных и рассчитанных значений x в Hg-1201.

превышают 0,03 x(Hg) во всем интервале составов. Полученная зависимость подтверждается результатами независимых экспериментов с использованием метода "замороженного равновесия" и данными химического анализа В десятой главе представлены результаты построения P(Hg)–P(O2) и P(Hg)–T сечений P(Hg)–P(O2)–T–x фазовой диаграммы системы Hg–Ba–Cu– O при соотношении катионов Ba : Cu = 2 : 1, определения давления диссоциации меркуратов ЩЗЭ, а также энтальпий образования некоторых ртутьсодержащих фаз и купратов ЩЗЭ.

Давление диссоциации меркуратов ЩЗЭ. При нагревании меркураты ЩЗЭ разлагаются с выделением кислорода и ртути по обратимой реакции:

MHgO2(кр.) = MO(кр.) + Hg(газ) + 1/2O2 (14) Для определения условий существования меркуратов ЩЗЭ и определения давления диссоциации использовали метод термогравиметрии в запаянной ампуле при заданных P(Hg) и P(O2). Были проведены серии опытов для каждого из веществ и получены значения Kp(MHgO2) = P(Hg)·P(O2)1/2 при разных температурах. Зависимости Kp от температуры могут быть описаны уравнениями:

lgKp(CaHgO2) = -(9424 ± 540)/T + (10,28 ± 0,57) (15) SD = 0,080; N = 9. (888 T 1013 K) lgKp(SrHgO2) = -(10197 ± 893)/T + (10,10 ± 0,83) (16) SD = 0,068; N = 12, (1043 T 1118 K,).

lgKp(BaHgO2) = -(10474 ± 725)/T + (9,94 ± 0,64) (17) SD = 0,038; N = 9. (1098 T 1163 K) Зависимости констант равновесия от температуры для термической диссоциации CaHgO2, SrHgO2 и BaHgO2 представлены на рис. 20-а.

а) б) Рис. 20-а. Температурная зависимость Рис. 20-б. Температурная зависимость константы равновесия реакции общего давления пара над меркуратами термической диссоциации MHgO2. Ca, Sr и Ba [P(O2) = P(Hg)] На рис. 20-б приведены температурные зависимости общего давления пара над меркуратами ЩЗЭ. Из температурной зависимости константы равновесия Кр (рис. 20-а) были определены стандартные энтальпия и энтропия реакции (табл. 3). Для приведенипя к 298 K использовали приближение rCp° = 0.

Таблица Значения энтальпии и энтропии реакции MHgO2 = MO + Hg(пар) + 1/2OrH°T rS°T rH°298 rS°2ЩЗЭ Т, K кДж/моль Дж/моль·K кДж/моль Дж/моль·K Ca 888 - 10180±10 197±11 191±10 215±Sr 1043 - 1118 195±17 193±16 209±17 214±Ba 1098 - 11200±14 190±12 215±14 212±С привлечением литературных данных по fH°298 и S°298 для простых оксидов были рассчитаны энтальпия и энтропия образования фазы MHgO2 из оксидов (fHox298(MHgO2) и fSox298(MHgO2) и из простых веществ. (табл. 4.) Таблица Значения энтальпии и энтропии образования МHgO2 из оксидов и из простых веществ.

oxH°298 oxS°298 fH°298 S°2№ Соединение кДж/моль Дж/моль·К кДж/моль Дж/моль·К 1 CaHgO2 -39±10 -8±11 -765±10 101±2 SrHgO2 -57±17 -7±16 -740±17 119±3 BaHgO2 -63±14 -5±13 -701±14 138±Термохимическое определение энтальпий образования фаз в системах Hg-Ba(Sr,Ca)-Cu-O. Для определения и уточнения энтальпий образования HgBa2CuO4+ с различным кислородным индексом, меркуратов и купратов ЩЗЭ был использован метод калориметрии растворения в 1 N соляной кислоте. Полученные значения теплоты растворения и рассчитанные энтальпии образования приведены в табл.5.

Полученные значения энтальпий образования меркуратов ЩЗЭ из простых оксидов близки по своей величине к значениям, рассчитанным из результатов термогравиметрии в запаянной ампуле, что может являться подтверждением достоверности полученных ранее данных.

Таблица Результаты термохимических исследований.

Энтальпия Химический Число oxH°298, fH°298, № растворения, состав опытов кДж/моль кДж/моль кДж/моль 1 HgBa2CuO4,02 4 -596,2 ± 1,4 -102,0 ± 3,3 –1446,1 ± 4,2 HgBa2CuO4,08 4 -584,9 ± 0,9 -113,3 ± 3,2 –1457,4 ± 4,3 HgBa2CuO4,11 4 -581,4 ± 0,4 -116,8 ± 3,1 –1460,9 ± 4,4 CaHgO2 8 -253,4 ± 2,1 -32,5 ± 2,2 –758,5 ± 2,5 SrHgO2 6 -284,8 ± 2,1 -50,4 ± 2,2 –733,4 ± 2,6 BaHgO2 6 -304,8 ± 2,2 -59,6 ± 2,4 –698,5 ± 3,7 Ca2CuO3 5 -446,9 ± 4,2 -3,5 ± 3,8 –1430,8 ± 4,8 Sr2CuO3 4 -514,6 ± 3,4 -32,7 ± 3,1 –1374,1 ± 3,9 Ba2CuO3,05 6 -517,6 ± 1,6 -89,3 ± 3,0 –1342,5 ± 4,Построение P(Hg)-T и P(Hg)-P(O2) сечений P(Hg)-P(O2)-T-x фазовой диаграммы системы Hg-Ba-Cu-O. Для расчета термодинамических функций фаз, находящихся в равновесии в системе Hg-Ba-Cu-O и последующего построения P(Hg)-T и P(Hg)-P(O2) сечений P(Hg)-P(O2)-T-x фазовой диаграммы этой системы все полученные экспериментальные результаты по давлению пара и определения энтальпий образования были объединены с термодинамическими данными, имеющимися в литературе.

При совместной обработке данных отношение Ba : Cu было зафиксировано равным 2 : 1, как и в HgBa2CuO4+.

Твердый раствор Ba2CuO3+y рассматривали в виде двух фаз фиксированного состава, Ba2CuO3,1 и Ba2CuO3,3. Энергию Гиббса фазы Hg1-xBa2CuO4+ рассчитывали как функцию состава по ртути и кислороду и температуры на основе экспериментальных данных по давлению диссоциации и справочных термодинамических величин для купратов бария.

Величина сверхстехиометрического кислородного индекса при этом была принята постоянной и равной 0,05. Ртутная нестехиометрия анализировалась по модели простых точечных дефектов. Энергия Гиббса BaHgO рассматривалась также в качестве неизвестной функции и была определена одновременно с энергией Гиббса Hg1-xBa2CuO4+. Расчеты были выполнены с помощью программного обеспечения TDLIB) (http://evgenii.rudnyi.ru/doc/misc/tdlib.html).

Экспериментальные результаты по фазовым равновесиям были описаны в пределах трех стандартных отклонений (SD) воспроизводимости.

Абсолютные значения SD для рассчитываемых компонентов представлены в табл. 6.

Таблица Стандартные отклонения (SD) переменных величин при оценке фазовых равновесий в системе Hg-Ba-Cu-O Переменные величины SD oxH° (Hg-1201) 3,5 кДж/моль S° (Hg-1201) 13 Дж/(моль·K) C°p (Hg-1201), C°p (BaHgO2) 1,03 Дж/(моль·K) oxH° (BaHgO2) 1,74 кДж/моль P(Hg) в равновесии: Hg1-xBa2CuO4+ + Ba2CuO3+y + V 0,175 атм Содержание ртути в Hg-1201 0,01P(Hg) в равновесии:

0,78 атм Hg1-xBa2CuO4+ + BaHgO2 + Ba2Cu3O5+z + V Результаты расчетов представлены на рис. (рис. 21-а и 21-б) в виде P(Hg)–P(O2) и P(Hg)–T сечений P(Hg)–P(O2)–T–x фазовой диаграммы системы Hg-Ba-Cu-O. На этих сечениях также нанесены некоторые из экспериментальных данных.

) Автор выражает искреннюю благодарность Рудному Е.Б. за подготовку всего необходимого программного обеспечения и проведение термодинамических расчетов по этим программам.

а) б) Рис. 21. Сечения P(Hg)–P(O2)–T–x фазовой диаграммы системы Hg–Ba–Cu–O а) P(Hg)–P(O2) сечение при T = 800°C; б) P(Hg)–T сечение при P(O2) = 0,42 атм Отношение Ba/Cu = 2/1. Пунктирные линии на диаграммах это изоконцентраты (1 - x)Hg внутри области гомогенности фазы Hg-1201.

Из вида диаграмм рис. 21 можно сделать некоторые важные выводы. Вопервых, концентрация ртути в Hg1-xBa2CuO4+ при синтезе в обычно используемых условиях должна быть ниже стехиометрического значения.

Более того, фаза Hg-1201 стехиометрического по ртути состава не может быть получена и при более высоком давлении ртути, поскольку оно ограничивается давлением насыщенных паров жидкой ртути (линия Hg(liq.) на рис. 21), или образованием оксида ртути. Во-вторых, область существования Hg-1201 становится более узкой при увеличении P(O2), и этот факт объясняет, почему формирование этой фазы часто подавляется при использовании для синтеза в закрытых емкостях смесей, богатых кислородом. С другой стороны, повышение давления кислорода способствует увеличению содержания ртути в Hg-1201.

Как следует из вида P(Hg)–T сечения (рис. 21-б) для получения Hg1-xBa2CuO4+ с составом, близким к стехиометрии по ртути, можно использовать двухступенчатую методику синтеза. Для этого необходимо вначале провести синтез в области существования Hg1-xBa2CuO4+ при заданных парциальных давлениях кислорода и ртути, а затем медленно охладить при постоянных давлениях ртути и кислорода до 600-650°С и выдержать при этой температуре в течение короткого времени для увеличения концентрации ртути в Hg1-xBa2CuO4+. Однако, при длительной выдержке возможен распад Hg1-xBa2CuO4+ с образованием меркурата и купрата бария.

В одиннадцатой главе анализируется взаимосвязь кислородной и ртутной нестехиометрии и степени окисления меди в Hg-1201.

С целью выявления взаимосвязи кислородной и ртутной нестехиометрии в Hg1-xBa2CuO4-x+ было проведено прецизионное нейтронографическое уточнение кристаллической структуры этого соединения*). Условия получения образцов и их характеристики приведены в табл. 7.

*) Проведение нейтронографического эксперимента и расшифровка полученных данных выполнены в ОИЯИ в Дубне под руководством А.М.Балагурова.

Таблица Условия и результаты нейтронографического исследования HgBa2CuO4+ Образец 1 Образец 3 Образец 4 Образец V(Cu) +2,02 +2,16 +2,15 +2,25 +2,Tc 71 K 98 K 96 K 83 K 83 K Параметры,\Т 293 К 293 K 293 K 293 K 8 K а, 3,8864(1) 3,8851(1) 3,8851(1) 3,8795(1) 3,8705(1) с, 9,5316(3) 9,5263(3) 9,5202(3) 9,5237(3) 9,4968(3) Hg, n 0,97(1) 0,96(2) 0,91(2) 0,94(1) 0,93(2) B, 2 1,77(12) 1,45(11) 1,09(15) 1,45(6) 0,23(12) Ba, z 0,3007(3) 0,2982(3) 0,2982(3) 0,2976(3) 0,2972(5) B, 2 0,90(7) 0,46(6) 0,29(7) 0,44(5) 0,O1, B, 2 1,08(7) 0,65(6) 0,18(7) 0,79(5) 0,35(8) O2, z 0,2059(3) 0,2074(3) 0,2080(3) 0,2090(3) 0,2088(5) B, 2 1,76(6) 1,69(6) 1,60(7) 1,79(6) 0,90(7) O3, n 0,057(10) 0,124(9) 0,12(1) 0,19(1) 0,B, 2 1,0 1,0 1,0 1,0 0,Rw 0,068 0,065 0,077 0,059 0,0Результаты уточнения кристаллической структуры Hg1-xBa2CuO4-x+ и уровней заселенности позиций ртути и сверхстехиометрического кислорода О3 приведены в табл. 7. Полученные данные по координатам атомов в структуре Hg1-xBa2CuO4-x+ в целом хорошо согласуются с известными в литературе.

Как видно из табл. 7, атомы ртути и кислорода O2, входящие в гантель HgO2, имеют высокие значения тепловых параметров. Заселенности позиций ртути в образцах 1 - 3 равны 0,94-0,97. Заселенность позиций ртути в образце 4, полученном при низком парциальном давлении кислорода, понижена и равна 0,91.

На рис. 22 представлена зависимость Тс от концентрации сверхстехиометрического кислорода, определенного из нейтронографических данных ( = n(O3)) и рассчитанного из результатов иодометрического титрования ( = VCu/2). Полученная из нейтронографических данных зависимость Tc от несколько сдвинута вправо относительно кривой, полученной из иодометрических данных на постоянную величину = 0,04 - 0,05 и имеет максимум Тс при = 0,12 - 0,13.

Такое расхождение может быть связано с частичным переходом атомов кислорода группировки HgO2 из слоя (BaO) в слой (HgO) при удалении ртути (рис.22-б).

а) б) Рис. 22. Взаимосвязь кислородной и ртутной нестехиометрии.

а) Зависимость Тс от концентрации сверхстехиометрического кислорода в HgBa2CuO4+ по данным иодометрии (1) и нейтронографии (2).

б) Модель перехода части атомов кислорода в структуре HgBa2CuO4+ из слоя BaO в слой HgO с образованием нестехиометричной по ртути и кислороду фазы Hg1-xBa2CuO4-x+ В этом слуячае концентрация атомов кислорода в слое HgO, определяемая методом нейтронографии, может превысить рассчитанную из иодометрических данных (рис. 22-а). Таким образом, более корректно построение зависимости Tc от VCu.

На рис. 23-а, представлены зависимости Тс от VCu. Значения VCu.

рассчитывались из иодометрических данных в предположении VBa = VHg = +2, VO = -2. С увеличением величины VCu значение температуры перехода в сверхпроводящее состояние (Tc) проходит через максимум, а параметр элементарной ячейки "a" (рис. 23-б), соответствующий удвоенному расстоянию медь-кислород закономерно уменьшается.

а) б) Рис. 23. Взаимосвязь температуры перехода в сверхпроводящее состояние Тс, степени окисления меди V(Cu) и параметра элементарной ячейки "a" в HgBa2CuO4+ а) Зависимость Тс от средней степени окисления меди V(Cu).

б) Зависимость параметра "a" от средней степени окисления меди V(Cu).

Выводы 1. Сформулированы общие принципы исследования нестехиометрии ртутьсодержащих соединений, включающие: построение Р-Т-х фазовой диаграммы, определение области существования ртутьсодержащей фазы, выявление зависимости отклонения от стехиометрии от температуры и парциальных давлений летучих компонентов, построение моделей нестехиометрии, направленный синтез нестехиометрических фаз и выявление зависимости некоторых физических свойств от состава.

2. Построена Р-Т проекция Р-Т-х фазовой диаграммы системы I – Hg и определена область существования дииодида ртути. С привлечением литературных данных по диаграмме плавкости построена Р-Т-х фазовая диаграмма системы I - Hg.

3. Определена граница области гомогенности -HgI2+х со стороны иода с использованием метода тензиметрии и построены изотермы зависимости P(I2) от состава х. Показано, что растворимость иода в -HgI2 достигает величины х=0,0024 при 390 К. На основании данных по изменению параметров элементарной ячейки и плотности дииодида ртути сделано предположение о возможности внедрении сверхстехиометрического иода между слабо связанными слоями [HgI4] кристаллической структуры HgI2.

4. Изучены особенности массопереноса дииодида ртути при кристаллизации из пара. Установлено, что лимитирующей стадией массопереноса -HgI2 в вакуумированной ампуле является стадия кристаллизации, а в присутствии аргона скорость лимитируется в основном диффузией паров дииодида ртути. При высоких скоростях переноса наблюдается небольшой вклад стадии кристаллизации. Оптимизированы условия получения из пара кристаллов дииодида ртути методом колебания температуры кристалла и получен монокристалл объемом 3 см3.

5. Построен фрагмент P(O2) - P(Hg) – T - фазовой диаграммы системы Hg – Ba – Cu - O (Ba/Cu = 2/1) и определена область существования фазы Hg1201. Для определения парциального давления ртути при построении P(O2)-P(Hg)-T–x- фазовой диаграммы системы Hg-Ba-Cu–O и изучения ртутной нестехиометрии Hg1-xBa2CuO4-x+ предложены и использованы оригинальные методики определения P(Hg) и содержания ртути методом статического взвешивания при контролируемых парциальных давлениях P(O2) и P(Hg). Выявлена зависимость содержания ртути (1-х) в Hg1Ba2CuO4+ от P(Hg), P(O2) и температуры.

x 6. Определены зависимости давления пара и констант диссоциации меркуратов Ca, Sr и Ba от температуры с использованием разработанного в данной работе метода термогравиметрии в запаянной ампуле при заданных P(Hg) и P(O2). Методом калориметрии растворения в соляной кислоте определены энтальпии образования меркуратов ЩЗЭ, купратов ЩЗЭ состава M2CuO3+y (M = Ca, Sr, Ba) и HgBa2CuO4+. Полученные данные использованы при описании фазовых равновесий в системе Hg - Ba - Cu – O (Ba/Cu = 2/1).

7. С использованием данных по давлению пара над ртутьсодержащими фазами и термодинамическими свойствами купратов и меркуратов построены P(Hg)-P(O2) и P(Hg)-T – сечения P(O2)-P(Hg)-T–x- фазовой диаграммы системы Hg-Ba-Cu–O (Ba/Cu = 2/1) с изоконцентратами состава Hg1-xBa2CuO4-x+ по ртути. Определено, что в условиях проведения синтеза содержание ртути в Hg-1201 меньше стехиометрического.

8. Сформулированы основные принципы получения Hg1-xBa2CuO4-x+ заданного состава по ртути и кислороду. Показано, что получение Hg1201 с содержанием ртути 97 - 98% от стехиометрического состава возможно в метастабильной области существования этой фазы. Для изменения кислородной стехиометрии необходимы дополнительные отжиги в кислороде или аргоне при более низкой температуре.

9. С использованием нейтронографических данных по кристаллическому строению Hg1-xBa2CuO4-x+ с различным содержанием ртути и сверхстехиометрического кислорода выявлена взаимосвязь степени окисления меди, кислородной и ртутной нестехиометрии и заселенности позиций кислорода O3 в ртуть-кислородном слое.

10. Показано, что куполообразная зависимость температуры перехода в сверхпроводящее состояние (Тс) является однозначной функцией степени окисления меди, а не количества кислорода в ртуть-кислородном слое (позиция O3).

Основное содержание диссертации опубликовано в статьях:

1. И.Ю. Торшин, В.А. Алешин, Е.В. Антипов. Синтез и свойства высокотемпературного сверхпроводника HgBa2CuO4+. Сверхпроводимость: химия, физика, техника. 1994, т.7, No 10-12, с. 15791587.

2. V.A. Alyoshin, D.A. Mikhailova, E.V. Antipov. Synthesis of monophase HgBa2CuO4+ under controlled partial oxygen pressure. - Physica C, 1995, v.255, Nos.3-4, p.173-179.

3. И.Ю. Торшин, В.А. Алешин, Р.В. Шпанченко, Е.В. Антипов. - Синтез и исследование меркурата бария. - Ж.неорганической химии, 1996, т.41., № 4, с.554-556.

4. V.A. Alyoshin, D.A. Mikhailova, E.V. Antipov. Synthesis of HgBa2CuO4+ under controlled mercury and oxygen pressures. - Physica C, 1996, v. 271, Nos 3-4, p.197-204.

5. W. Hoffmann, H. Breitzke, K. Lders, A.A. Gippius, V.A. Alyoshin. NMR study of spin dynamics related to different oxygen content in HgBa2CuO4+ - Czechoslovak Journal of Physics, 1996, v.46, p.2179-216. V.L. Aksenov, A.M. Balagurov, V.V. Sikolenko, V.G. Simkin, V.A. Alyoshin, E.V. Antipov, A.A. Gippius, D.A. Mikhailova, S.N. Putilin, F. Bouree.

Precision neutron diffraction study of high-Tc superconductor HgBa2CuO4+.

Physical Rev.B, 1997, v.55, № 6, p.3966-3973.

7. E.V. Antipov, S.N. Putilin, V.A. Alyoshin, D.A. Mikhailova, A.M. Balagurov.

Synthesis and neutron powder diffraction study of HgBa2CuO4+. - In:

Advances in Superconductivity IX. /Ed. S.Nakajima, M.Muraksmi/. Vol.1.

Springer-Verlag Tokio 1997, p. 427-432.

8. E.V. Antipov, S.N. Putilin, R.V. Shpanchenko, V.A. Alyoshin, M.G. Rozova, A.M. Abakumov, D.A. Mikhailova, A.M. Balagurov, O. Lebedev, and G.Van Tendeloo. Structural features, oxygen and fluorine doping in Cu-based superconductors. Physica C, 1997, v. 282-287, p.61-64.

9. В.А. Алёшин, М.В. Горбачева, А.Ф. Майорова, Д.А. Михайлова, С.Н. Мудрецова. Термодинамические свойства HgBa2CuO4+. - Журнал физической химии, 1998, т.72, № 3, с.421-424.

10. A.M. Abakumov, V.L. Aksenov, V.A. Alyoshin, E.V. Antipov, A.M. Balagurov, D.A. Mikhailova, S.N. Putilin, M.G. Rozova. Effect of fluorination on the structure and superconducting properties of the Hg-12phase. Physical Review Letters, 1998, v.80, No.2, p. 385-388.

11. Е.В. Ерёмина, В.А. Алёшин, Б.А. Поповкин. Тензиметрическое исследование газофазных равновесий дииодида ртути с иодом и ртутью.

Журнал неорганической химии, 1998, т.43, № 3, с.508-511.

12. Е.В. Ерёмина, В.А. Алёшин, Б.А. Поповкин. P-T проекция P-T-x фазовой диаграммы системы Hg – I2. Ж. неорганической химии, 1998, т.43. №12, с.2072-2074.

13. E.V. Antipov, A.M. Abakumov, V.A. Alyoshin, K.A. Lokshin, D.A. Pavlov, D.A. Mikhailova, S.N. Putilin, M.G. Rozova, A.M. Balagurov, I.G. Kuzemskaya, E.S. Itskevich. Anion doping and superconducting properties of Hg-based superconducting Cu mixed oxides. In: High-Temperature Superconductors and Novel Inorganic Materials. Eds. G.Van Tendenloo, E.V.Antipov, S.N.Putilin. Kluwer Academic Publishers, Netherland, 1999.

P.157-162.

14. J. Karpinski, H. Schwer, R. Molinski, G.I. Meijer, E. Kopnin, M. Angst, S. Bchi, V. Alyoshin, J. Hofer, R. Puzniak, A. Wisniewski. High pressure crystal growth and properties of Hg-superconductors and quasi-onedimensional cuprates. In: High-Temperature Superconductors and Novel Inorganic Materials. Eds. G.Van Tendenloo, E.V.Antipov, S.N.Putilin. Kluwer Academic Publishers, Netherland, 1999. P.21-26.

15. V.A. Alyoshin, D.A. Mikhailova, E.V. Antipov, A.S. Monaenkova, A.A. Popova, L.A. Tiphlova, J. Karpinski. Thermodynamic properties of HgBa2CuO4+. Journal of Alloys and Compounds, 1999, v.284, p.108-111.

16. D.A. Mikhailova, V.A. Alyoshin, E.V. Antipov, J. Karpinski.

Thermogravimetric study of MHgO2 (M = Ca, Sr, Ba) under controlled oxygen and mercury pressure and related thermodynamics. Journal of Solid State Chemistry, 1999, v.146, p.151-156.

17. Е.В. Ерёмина, В.А. Алёшин, Б.А. Поповкин. Нестехиометрия дииодида ртути. Ж. неорганической химии. 1999, т.44. № 4, с.525-527.

18. J. Karpinski, G.I. Meijer, H. Schwer, R. Molinski, E. Kopnin, K. Conder, M. Angst, J. Jun, S. Kazakov, A. Wisniewski, R. Puzniak, J. Hofer, V. Alyoshin, A. Sin. High pressure synthesis, crystal growth, phase diagrams, structural and magnetic properties of Y2Ba4CunO2n+x, HgBa2Can-1CunO2n+2+ and quasi-one-dimensional cuprates. - Superconductor Science and Technology.

Topical Review. 1999, v.12, R153-181.

19. А.С. Монаенкова, А.А. Попова, Л.А. Тифлова, Н.В. Зайцева, Т.О. Плешакова, В.А. Алёшин, Д.А. Михайлова. Стандартные энтальпии образования сверхпроводников HgBa2CuO4+ с различным кислородным индексом. Ж. физической химии. 2000, т.74 № 2, стр.213-217.

20. А.С. Монаенкова, Л.А. Тифлова, А.А. Попова, А.В. Игнатов, В.А. Алёшин. Стандартная энтальпия образования сложных оксидов MHgO2 (M = Ca, Sr, Ba). Ж. физической химии, 2001, т.75, №8, с.30-33.

21. Е.В. Антипов, В.А. Алешин. Физико-химические проблемы синтеза ртутьсодержащих сверхпроводников сложных оксидов меди. Ж.

неорганической химии, 2002, т.47, №4, с.530-539.

22. V.A. Alyoshin, D.A. Mikhailova, E.B. Rudnyi, E.V. Antipov. Mercury nonstoichiometry of the Hg1-xBa2CuO4+ superconductor and the P(Hg)-P(O2)T phase diagram of the Hg-Ba-Cu-O system. Physica C: Superconductivity, 2002, v.383, No. 1-2, pp. 59-74.

23. Л.А. Тифлова, А.С. Монаенкова, А.А. Попова, Т.О. Плешакова, Ю.В. Горюшкина, З.С. Ваховская, В.А. Алешин. Термодинамические свойства ряда новых функциональных материалов в многокомпонентных системах Hg-Ba-Cu-O и Nd-Ba-Cu-O. Наукоемкие технологии. 2004, т.5, №1, с.4-8.

24. S.O. Klimonsky, D.A. Emelyanov, A.V. Knotko, A.V. Lyashenko, M.V. Makarova, V.A. Alyoshin, Yu.D. Tretyakov, I.F. Voloshin and V.D. Kuznetsov. Influence of synthesis conditions on phase formation and magnetic properties of Hg-based high temperature superconductors. Physica C:

Superconductivity, 2004, v.403, No 4, pp. 209-218.

25. A.S. Monayenkova, A.A. Popova, L.A. Tiphlova, Y.V. Gorushkina, A.V. Tsoi, I.P. Romanova, V.A. Alyoshin. Standard enthalpies of formation of Sr2CuOand Ca2CuO3. Thermochimica Acta. 2005, v.430, pp. 83-86.







© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.