WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

На правах рукописи

Аврамов Павел Вениаминович

КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ И МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ СЛОЖНЫХ НАНОКЛАСТЕРОВ ЭЛЕМЕНТОВ IV ГРУППЫ

02.00.04 физическая химия

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Москва 2011 год

Работа выполнена в Учреждении СО РАН «Институт физики им.

Л.В. Киренского», Красноярск

Научный консультант: доктор физико-математических наук, профессор Сергей Геннадиевич Овчинников

Официальные оппоненты: член-корреспондент РАН Лев Александрович Грибов доктор физико-математических наук Георгий Алексеевич Виноградов доктор химических наук, профессор Павел Николаевич Дьячков

Ведущая организация: Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральное государственное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов"

Защита состоится «21» декабря 2011 года в 15 часов на заседании диссертационного совета Д 002.039.02 при Институте биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН (г. Москва, ул. Косыгина, д. 4).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Институте биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН Автореферат разослан «___» ____________________ 2011 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, к.ф.-м.н. С.Б. Бибиков

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность диссертационного исследования обуславливается следующими факторами:

Во-первых, исследования в области новых наноматериалов являются приоритетным направлением в мировой и отечественной науке. Это связано с перспективой технологического использования нанокластеров в различных областях науки, техники и технологии, медицине и пр.

Во-вторых, необходимостью теоретическкого предсказания структуры и свойств ключевых нанокластеров, которые играли и играют ключевую роль в науке о наноматериалах и позволяют проводить целенаправленный поиск новых, перспективных с технологической точки зрения, наноструктур.

В-третьих, необходимостью интерпретировать ключевые экспериментальные данные по структуре и свойствам нанокластеров различной природы, основываясь на результатах теоретического моделирования.

В-четвертых, развитием неэмпирических методов расчета электронной структуры нанокластеров, основанных на приближении функционала плотности и метода квантово-химических фрагментов (МКФ). Область применения данных методов расчета значительно шире, чем описано в данной диссертации.

В-пятых, результаты, полученные в процессе выполнения диссертационного исследования и опубликованные в ведущих мировых и отечественных журналах, в виде десятков статей, обзора, двух книг и оформленных в виде докладов на десятках конференций и семинаров международного уровня, активно цитируются. Это свидетельствует также и о новизне подхода, результатах и выводах диссертационной работы.

Целью диссертационного исследования является моделирование новых типов сложных нанокластеров на основе углерода и кремния (включая их различные производные), теоретическое предсказание их электронных и динамических свойств с использованием современных квантово-химических и молекулярно-динамических методов и, на основе полученных теоретических результатов, интерпретация существующих ключевых структурных и спектроскопических экспериментальных данных.

Для достижения данной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Теоретически исследовать атомную и электронную структуру и динамику атомного остова ряда комплексов фуллеренов с легкими элементами и переходными металлами и выявить роль кривизны замкнутых углеродных нанокластеров в формировании их химических свойств. Изучить влияние эффектов электронных корреляций на атомную и электронную структуру низшего фуллерена С36. С использованием метода молекулярной динамики исследовать роль фторирования фуллеренов на процесс их взаимодействия с низкоэнергетическими атомами и ионами легких элементов (H, He, Li).

2. Теоретически изучить роль кривизны углеродных нанотруб в формировании их химических свойств. Исследовать роль дефектов и заместителей различной природы на формирование электронных свойств углеродных нанотруб.

3. Систематически исследовать реакции образования и изомеризации Si/O кластеров на основе расчетов полных потенциальных поверхностей SimOn кластеров высокоточными post-Hartree-Fock методами.

4. Исследовать атомную и электронную структуру энергетически стабильных сложных кремниевых квантовых точек, состоящих из ряда тетраэдрических фрагментов кристаллического кремния.

5. Исследовать атомную и электронную структуру энергетически выгодных сложных кремниевых <110> ориентированных наноусов и других кремниевых нанокластеров, основанных на комбинации квантовых точек и наноусов.

6. Адаптировать современные прецизионные неэмпирические методы расчета электронной структуры для изучения структуры и свойств сложных нанокластеров как в кластерном, так и в PBC приближениях.

Научная новизна результатов работы:

В диссертационной работе впервые:

1. Теоретически исследована атомная и электронная структура и динамика атомного остова ряда комплексов фуллеренов с легкими элементами и переходными металлами. Было показано, что химические свойства фуллеренов определяются кривизной замкнутых углеродных нанокластеров, которая в свою очередь, приводит к значительному энергетическому расщеплению - и -электронных облаков и понижению относительной плотности -состояний на потолке валентной области фуллеренов. Атомная и электронная структура низшего фуллерена С36 определяется эффектами электронных корреляций, которые ответственны за симметрию кластера (D6h) и бирадикальный характер синглетной волновой функции основного состояния. Тип координации различных ионов металлов и атомов как внутри, так и снаружи фуллеренов зависит от химической природы этих агентов, а фторирование приводит к значительному понижению (в 2-4 раза) потенциальных барьеров проникновения частиц сквозь углеродную сетку за счет нейтрализации активной -системы и подавления процесса переноса электронного заряда с молекул-мишеней на рассеиваемые ионы (H+, Li+).

2. Квантово-химические расчеты атомной и электронной структуры углеродных нанотруб показали, что в рамках - модели углеродные нанотрубки являются объектами с малой долей -состояний на потолке валентной зоны, а незначительное внедрение атомов кремния в структуру углеродных нанотруб приводит к существенным изменениям в электронной структуре нанообъектов. Различного рода дефекты приводят к кардинальной перестройке электронной структуры углеродных нанотруб.

3. Систематически исследованы полные потенциальные поверхности SimOn кластеров высокоточными методами МР2 и CCSD(T). Было показано, что большинство реакций образования Si/O кластеров идет безбарьерно, что приводит к агломерированию в более крупные частицы во время химического синтеза.

4. Была предложена атомная структура и классификация нового типа энергетически стабильных кремниевых квантовых точек голдберговского типа. Данные структуры образуются за счет соединения 20 + n (n > 2) тетраэдрических фрагментов кристаллического кремния в единую структуру и обладают центральными фуллерено-подобными Si20+n полостями, способными вмещать в себя ионы, атомы или молекулы-гости с образованием соответствующих эндоэдральных комплексов. Образование связей друг с другом приводит к формированию конгломератных структур сложного вида. Внутри симметрийных семейств данный класс объектов демонстрирует ярко выраженный эффект размерного ограничения. Было показано, что энергетическая стабильность эндоэдральных комплексов кремниевых квантовых точек голдберговского типа с ионами эрбия определяется эффектами сильных электронных корреляций внутри Er4fоболочки.

5. Был предложен и классифицирован новый класс энергетически выгодных <110> ориентированных пентагональных и гексагональных наноусов кремния звездообразной формы, полученные путем соединения пяти или шести эквивалентных <110> ориентированных наноусов через эквивалентные [111] грани и сложные наноструктуры на их основе. На основе этих наноусов возможно построение других, существенно более сложных кремниевых нанокластеров, основанных на комбинации икосаэдрических квантовых точек и пентагональных наноусов. Было показано, что в рамках одной структуры можно комбинировать фрагменты с различными электронными и механическими свойствами. Варьирование форм, размеров и структуры поверхности наноусов приводит к значительным изменениям в их электронной структуре. Внедрение кремниевых квантовых точек в кремниевые наноусы разрушает эффект размерного ограничения в кремниевых нанокластерах. В этом случае величина запрещенной щели определяется структурным фрагментом максимального размера.

6. Адаптированы и применены GGA (PBE) и Hybride GGA (PBE0) потенциалы метода DFT в ab initio PBC расчетах одномерных нанокластеров – углеродных нанотруб в базисе гауссовых орбиталей. Была корректно описана атомная структура кремниевых 1D наноусов методом FMO/AFO.

Было показано, что GGA PBE хорошо описывает электронную структуру металлических нанотруб, тогда как Hybride GGA PBE0 – структуру полупроводниковых нанокластеров. Применение метода молекулярных фрагментов FMO/AFO позволяет получать качественные результаты при расчетах кремниевых наноструктур даже при использовании минимального базисного набора STO-3G.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Результаты исследования электронной структуры и динамики атомного остова фуллеренов, углеродных нанотруб и их производных.

2. Результаты квантово-химических исследований архитектуры и электронных свойств сложных 0D и 1D наноструктур кремния.

3. Развитие квантово-химических неэмпирических методов расчета электронной структуры нанокластеров, основанных на подходе теории функционала плотности в зонном приближении c использованием базиса гауссовых орбиталей и методе квантово-химических фрагментов.

Научная и практическая значимость результатов и их воспроизводимость Результаты молекулярно-динамического моделирования взаимодействия легких элементов с углеродными и фторуглеродными нанокластерами позволили предложить новый способ синтеза эндоэдральных комплексов фуллеренов. Предложенная - модель электронной структуры фуллеренов и нанотруб позволила предложить простую и понятную полуколичественную интерпретацию химических свойств sp2 углеродных нанокластеров, основанную на анализе кривизны углеродных структур. В общем виде предложена структура новых типов сложных кремниевых 0D и 1D нанокластеров, основанных на комбинации нескольких фрагментов алмазной решетки. Адаптация GGA PBE и гибридного GGA PBE0 DFT потенциалов для ab initio PBC расчетов в базисе гауссовых орбиталей и метода FMO/AFO для расчетов нанокластеров с сильными ковалентными связями позволила расширить применение методов квантовой химии для теоретического исследования наноматериалов, получить новые, уникальные сведения об их атомной и электронной структуре и корректно интерпретировать уже известные экспериментальные спектроскопические данные. Сравнение экспериментальных данных с теоретическими расчетами позволило с новой точки зрения интерпретировать ряд ключевых данных по структуре и свойствам кремниевых нанокластеров. Воспроизводимость результатов обеспечивалась сравнением полученных теоретических данных с доступными результатами спектроскопических и микроскопических исследований, комбинацией теоретических методов различного уровня сложности, адекватным выбором приближений для проведения квантово-химических и молекулярно-динамических расчетов. Диссертация является научноквалификационной работой, в которой на основании выполненных автором исследований разработаны теоретические положения, совокупность которых можно квалифицировать как новое крупное научное достижение в области исследования сложных нанокластеров углерода и кремния.

Основные положения диссертации докладывались автором:

– на семинарах, коллоквиумах, открытых лекциях Института физики СО РАН им. Киренского (Красноярск), Сибирского федерального университета (до его образования – Красноярского государственного университета), Института компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Института катализа СО РАН им. Борескова (Новосибирск), Института неорганической химии им.

Николаева (Новосибирск), Института биохимической физики им. Эммануэля РАН (Москва), Университета Райса (Хьюстон, США), Национальной лаборатории Эймса (Эймс, США), Национальной лаборатории Аргона (Чикаго, США), Японского атомного агентства (до его образования – Японского атомного института) в гг. Такасаки и Токай, Митсубиши Кэмикал (Йокогама, Япония), Исследовательского института компьютерного моделирования Передового института науки и технологий (Цукуба, Япония), Института теоретической химии им. Фукуя университета Киото (Киото, Япония), Университета Нагои и Университета Мейджи (Нагойя, Япония), - представлялись в качестве стендовых, устных и приглашенных докладов на следующих международных конференциях:

– Russian-Japanese Workshop (review conference) “State of Materials Research and New Trends in Material Science”, 3-5 August 2009, Novosibirsk, Russia, – Trends in nanomechanics and nanoengineering, 24-28 August 2009, Krasnoyarsk, Russia, – Computation Science Workshop 2008, Tsukuba, Japan, December 8-10, 2008, – IWFAC-2007, July 2-6, 2007, St. Petersburg, Russia, – The 54th JSAP Spring Meeting, Fuchinobe, March 27-30, 2007, Japan, – XII-th International Congress of Quantum Chemistry, B189, KyotoTerrsa, May 2126, 2006, Kyoto, Japan, – 1st International Nanocarbon Workshop, July 30-31, 2005, Hayama, Japan, – 1st NAREGI International Nanoscience Conference, June 14-18, 2005, Nara, Japan, – Midwest MWTCC-36, June 17 - 19, 2004, East Lansing, MI, USA, – IWFAC-2003, June 30 – July 4, 2003, St. Petersburg, Russia, – Xth APAM Seminar “Nanoscience and Technology”, June 2-6 2003, Novosibirsk, Russia, – Southwest Theoretical Chemistry Conference, November 14-16, 2002, Houston, USA, – 203rd Meeting of electrochemical society, Paris, April 27 – May 3, 2003, France, – IWFAC-2001, July 2-6, 2001, St. Petersburg, Russia, – Workshop on ab initio direct dynamics, Maui, Hawaii, September 3-6, 2002, USA, – 34th Midwest Theoretical Chemistry Conference, October 5-6, 2001, Minneapolis, USA, – “Computer assistance for chemical research-2001”, June 23-27, 2001, Moscow, Russia, – American Conference of Theoretical Chemistry, 1999, Bolder, Colorado, USA, – “Fullerenes and Atomic Clusters”, 4th Biennial International Workshop in Russia, 1999, St. Petersburg, Russia.

Публикации: По материалам диссертации опубликовано 38 печатных работ из списка ВАК, из них один обзор, 34 статьи в международных и отечественных журналах, 1 патент и две монографии.

Личный вклад автора Диссертация является самостоятельной работой, обобщившей результаты, полученные лично автором и в соавторстве. Автором лично выполнена постановка целей и задач, предложены пути их решения, обоснованы вынесенные на защиту положения. Автором высказаны все базовые идеи, легшие в основу работы, и выполнена основная часть их реализации. К базовым идеям работы относятся: 1) Адаптация GGA PBE и гибридного GGA PBE0 DFT потенциалов для ab initio PBC расчетов в базисе гауссовых орбиталей и метода FMO/AFO для расчетов нанокластеров с сильными ковалентными связями; 2) - модель электронной структуры фуллеренов и нанотруб; 3) гипотезы об определяющей роли корреляционных эффектов в электронной структуре фуллерена С36, эрбий-допированных кремниевых квантовых точек голдберговского типа и особых точек потенциальных поверхностей кластеров SimOn; 4) гипотеза о роли динамических эффектов в атомной структуре эндоэдральных комплексов фуллеренов; 5) гипотезы о роли электронной структуры в химических свойствах производных углеродных нанокластеров; 6) атомная структура новых типов кремниевых нанокластеров и гипотеза об их уникальной электронной структуре. Большая часть исследований была выполнена непосредственно автором, а остальная часть – под его непосредственным руководством. Все результаты, приведенные в диссертации, опубликованы в двух коллективных монографиях, одном обзоре, 34 статьях в международных и отечественных журналах, входящих в список ВАК, одном патенте, доложены на 19 международных конференциях и десятках семинаров, как в России, так и за рубежом.

Диссертационная работа состоит из введения, семи глав, заключения и списка литературы. Работа изложена на 336 страницах, включая 42 таблиц и 138 рисунков. Библиография содержит 587 наименований.

Во Введении обоснована актуальность, сформулированы цель и задачи работы, перечислены основные положения, выносимые на защиту, указана новизна и практическая значимость результатов, отмечена организация и темы, в рамках которых выполнялась работа, даны ссылки на опубликованные работы и апробацию диссертации, организации, в которой она выполнена, дано представление о структуре диссертации.

Глава 1. Основные сведения о структуре и свойствах нанокластеров на основе углерода и кремния 1.1. Структура, электронные и динамические свойства фуллеренов и их производных 1.2. Структура и электронные свойства углеродных нанотруб 1.3. Структура и электронные свойства сложных алмазоподобных углеродных нанокластеров 1.4. Структура и свойства 0D нанокристаллов кремния 1.5. Структура и свойства 1D нанокристаллов кремния Глава 2. Адаптация функционалов теории DFT, основанных на приближении GGA в базисе гауссовых орбиталей, и метода квантовохимических фрагментов для расчета электронной структуры 1D углеродных нанотруб и кремниевых наноусов 2.1. Зонные расчеты атомной и электронной структуры одностенных углеродных нанотруб в базисе гауссовых орбиталей. Впервые зонные расчеты атомной и электронной структуры одностенных углеродных нанотруб с различными диаметрами и хиральными углами в базисе гауссовых орбиталей с использованием GGA PBE и гибридного PBE0 функционалов были проведены для систематического сравнения экспериментальных STS спектров и теоретических плотностей электронных состояний. Была рассчитана атомная и электронная структура (8,8), (9,0), (12,0), (15,0), (10,0), (13,7) и (14,3) углеродных нанотруб. На рис. 1 и 2 представлены экспериментальный спектр STS и теоретическая плотность состояний (DOS), полученная с использованием ab initio PBC PBE и PBE0 расчетов (пунктирные линии) для полупроводниковой (10, 0) и металлических (15,0), (12,0) и (9,0) нанотруб 2.

Odom T. W., Huang J.-L., Kim P., Lieber C. M., J. Phys. Chem. B 104, 2794 (2000).

M. Ouyang, J.-L.Huang, C. L. Cheung, C. M. Lieber, Science 292, 702 (2001).

Рис. 1. Экспериментальный STS спектр 1 Рис. 2. Экспериментальный STS спектр (сплошная линия) и теоретические PBE и (сплошная линия) а) и теоретические b) PBE0 плотности состояний PBE и PBE0 плотности состояний полупроводниковой углеродной нанотрубы металлических нанотруб (15,0), (12,0) и (10,0) (пунктирные линии). (9,0) (пунктирные линии).

Зонные расчеты атомной и электронной структуры углеродных нанотруб в базисе гауссовых орбиталей показали, что GGA PBE потенциал хорошо описывает электронную структуру металлических углеродных нанотруб, тогда как гибридный GGA PBE0 потенциал с очень высокой точностью описывает электронную структуру полупроводниковых углеродных нанотруб.

2.2. Применение аналитического градиента для расчета структуры нанокластеров с использованием адаптивного метода разрыва химических связей в методе квантово-химических фрагментов. Впервые метод квантовохимических фрагментов был применен для расчета структуры <110> ориентированного кремниевого наноуса Si224H162, разделенного на ряд (6 и 12) фрагментов различной длинны вдоль оси нанокластера (рис. 3). Для оптимизации геометрии применялся аналитический градиент с использованием адаптивного метода разрыва химических связей между квантово-химическими фрагментами. В случае разделения наноуса на 6 фрагментов, два из них (первый и последний) состояли из 73 атомов, а четыре - из 60 атомов. В случае разделения наноуса на 12 фрагментов, два из них (первый и последний), состояли из 43 атомов, а десять - из 30 атомов.

Модельная система, выбираемая вокруг каждой оборванной связи (рис.

4а), может быть маленькой (рис. 4b) или большой (рис. 4d). Кроме того, система может быть большой как при отрыве связи от атома (BDA), так и при разрыве связи со стороны атома (BAA) (рис. 4c). В FMO ковалентные связи разрываются гетеролитически, помещая два электрона к фрагменту, описанному в BAA группе. Для кремниевых наноусов были опробованы два типа фрагментации (рис. 3): зигзаг, где способ разрыва связей A-B при разных фрагментах A или B наноуса чередовался между этими фрагментами, и односторонний, где все связи были разорваны таким образом, чтобы у левого фрагмента всегда были все атомы типа BDA, а у правого - BAA. Также были проверены две схемы по определению локализации разрыва связей:

расширенная, в которой использовались базисные функции всех атомов в модельной системе для разложения замороженных орбиталей (кроме базисных функций атомов водорода, замещающих разорванные связи), и малая, в которой использовались только базисные функции атомов BDA и BAA.

Рис. 3. Разбиение <110> кремниевого наноуса для Рис. 4. Выбор модельных систем:

расчета FMO. Сечения: (а) и (b) одностороннего (а) разрываемая связь выделена типа, (с) и (d) зигзагообразного типа. Разбиение жирным. (b) малая модель. (с) сделано на 6 фрагментов, BDA и BAA расширенная ВАА модели и (d) представлены соответственно красными и синими расширенная модель. BDA и BAA сферами. Фрагментация зигзагообразного типа на соответственно представлены 12 фрагментов представлена на (e) и (f). красным и синим.

Сравнение двух способов разрыва связей между фрагментами показывает, что схема «зигзаг» дает существенно меньшие ошибки для малых модельных систем и минимального разложения замороженных орбиталей.

Самая точная фрагментация для этой системы получена при использовании расширенной модели с малым разложением. Малая модель (выбранная для оптимизации геометрии) с малым разложением немного менее точна и не требует больших компьютерных ресурсов для генерации замороженных орбиталей. Наиболее эффективная схема фрагментации (расширенная модель, малое разложение, схема типа «зигзаг») с использованием базисов STO-3G и 321G* и методов RHF и B3LYP позволила получить атомную структуру наноусов с точностью в среднем 0.008 .

Глава 3. Электронная структура, динамические свойства и эволюция атомного строения фуллеренов и их эндо- и экзоэдральных комплексов с металлами (Li, Zn, Co) и легкими элементами (H, He, Li) 3.1. Природа химической связи в фуллеренах. В рамках предложенной - модели химической связи был проведен анализ парциальных электронных плотностей атомов углерода в бензоле, антрацене, пирине и С60 (рис. 5). Было показано, что в отличие от плоских ароматических систем (бензол, антрацен, пирин), кривизна поверхности молекулы С60 приводит к перекрыванию атомных орбиталей, лежащих в плоскости поверхности молекулы ( или p|| состояния) и атомных орбиталей, располагающихся по нормали ( или p состояния) (рис. 5c). Так, HOMO уровень С60 состоит на 45% из -, и на 55% из -состояний, что и определяет фундаментальные химические свойства этой молекулы (невозможность, к примеру, синтеза С60F60, С60Н60).

Рис. 5. а) Парциальные электронные плотности состояний молекул C6H6; b) С10Н10, c) С60;

Жирными линиями нарисованы вклады -связей (), а тонкими - (). Видно четкое разделение этих состояний в традиционной ароматике и смешивание – в молекуле фуллерена.

3.2. Исследование изомеров фуллерена C36 с использованием одно- и многодетерминантной теории возмущения Мллера–Плессета второго порядка. Впервые для определения наиболее устойчивого изомера C36 были использованы методы CAS SCF, MP2 и MRMP2. В главе рассматривались изомеры симметрии D6h, D2d, C2v, C2 и Cs. Минимальные CAS SCF активные пространства (рис. 6) включали 2 электрона на 4 орбиталях (D6h: состояния 5b1u, 5b2g и 10e2g, (D2d: 12b1, 27e, 18a1, 21a2, C2v: 27b1, 22a2, 24b2, C2: 53b, 56a, 57a, 54b, Cs: 46a” и 64a’, 47a” и 63a’.

Рис. 6. Активные пространства (обозначены четырехугольниками) CAS SCF для изомеров D6h и D2d Расчеты методом МР2 показали, что энергия изомера D6h приблизительно на 200 КДж/моль ниже энергии искаженных структур, что говорит о важности учета динамических корреляций в фуллерене С36. Анализ чисел заполнения натуральных орбитальных MP2 (NOON) показывает, что волновая функция D6h проявляет существенный многодетерминантный характер.

Относительные энергии изомеров фуллерена C36, вычисленные методом CAS SCF, показывают, что нединамическая часть электронной корреляции также важна. Числа заполнения натуральных орбиталей метода CAS SCF ясно указывает, что у синглетного D6h волновая функция носит ярко выраженный многодетерминантный характер. Расчеты методом MR MP2 всех изомеров показали, что наиболее энергетически выгодным является синглет симметрии с бирадикальным характером волновой функции.

3.3. Ab initio расчеты экзо- и эндоэдральных комплексов С60 c переходными (Zn, Со) и щелочным (Li) металлами. Ab initio расчеты экзо- и эндоэдральных комплексов ZnC60 и Zn@C60 проводились для всех возможных по симметрии изомеров. Впервые было показано, что в эндоэдральном комплексе атом цинка находится в центре С60, а сам комплекс является жестким и энергетически выгодным. В экзоэдральном комплексе расстояние от атома Zn до центра Сне зависит от координации атома цинка, тогда как энергии образования заметно отличаются. Комплексы характеризуются существенным вкладом sорбиталей Zn в запрещенную зону С60, что приводит к уменьшению ширины запрещенной щели для экзоэдрального комплекса на 1.2 эВ, а для эндоэдрального – на 1.7 эВ. Анализ парциальных плотностей состояний Zn показал, что химическое связывание Zn c C60 обуславливается ионной связью с частичным переходом s-электронов Zn на нижнюю вакантную МО фуллерена.

Впервые проведены ab initio расчеты всех возможных изомеров нейтральных и заряженных эндо- и экзоэдральных комплексов С60 с одним и двумя ионами лития и было показано, что все комплексы термодинамически стабильны. Во всех случаях энергетически предпочтительной является координация иона центром одного из углеродных шестиугольников. В эндоэдоэдральном комплексе Li@C60, положение иона Li в центре С60 не является критической точкой поверхности потенциальной энергии, а ион смещается на 0.12 нм от центра С60. Образование комплексов С60 с ионами лития порождает внедренное состояние посередине запрещенной зоны С60, состоящее, в основном, из расщепившихся орбиталей углерода с небольшим вкладом s- и p-орбиталей Li.

Впервые атомная и электронная структура и спиновые состояния широкого набора экзоэдральных комплексов Cox(C60)n и свободных кластеров Cox (x = 1-8, n = 1-3) была рассчитана методами B3LYP и GGA PBE. Введем специальные обозначения для разных типов координации ионов кобальта к С60:

Для n = 1 2/2 - координация иона кобальта двумя ребрами, соединяющими шестиугольники разных молекул С60 (ребра 6-6), 2/2’ - одно 6-6 и одно 6-ребро, 2/5 - 6-6 ребро и центр фрагмента C5 и 5/5 - два фрагмента C5.

Расчеты не выявили ни одного изомера с координациями 5/2’, 2/3, 2’/2’, 3/2’, 3/3 или 3/5. Случай с n = 2 более сложен. Расчеты показали, что для m и n = 2 возможны следующие комбинации 2 и 2’ типов координации: 2:2/2:2, 2:2’/2:2, 2’:2’/2:2, 2’:2/2:2’, 2’:2’/2:2’ и 2’:2’/2’:2’ (двоеточие отделяет типы координации обоих ионов кобальта к той же самой молекуле C60, тогда как косая черта отделяет различные молекулы C60). Сравнение результатов для положительно заряженных кластеров с литературными данными подтвердил косвенные результаты эксперимента: Co(C60)2+ является изогнутой структурой, а самый низкий по энергии Co(C60)3+ кластер имеет плоскую треугольную структуру с 2/2/2типом координации. Сравнение атомной структуры кластера Co(C60)3 со структурными данными XAFS показало, что B3LYP/6-31G* расчеты корректно описывают как координационные числа для соединений Cox/C60 (для кластеров Co(C60)3), так и межатомное расстояние Co-C с хорошей точностью (2.01 экспериментальное значение и 2.06 теоретическое).

B3LYP/6-31G* расчеты определили структуры 27 изомеров Co2(C60)2 в триплетном состоянии и 28 Co2(C60)2 в синглетном состоянии с типичным синглет-триплетным расщеплением, равным 40 – 70 Ккал/моль. Было показано, что низшие по энергии изомеры Co2(C60)2 характеризуются наличием мостикового димера кобальта, соединяющим лиганды С60 и находятся в триплетном спиновом состоянии. Три изомера с самыми низкими энергиями характеризуются 2 и 2’ координационными типами. Так, фрагменты Cпервого изомера (относительная энергия 0 Ккал/моль) соединены с димером кобальта через фрагменты C6, что подтверждает косвенные структурные данные 3: два иона кобальта локализованы между C60.

Для изучения эволюции атомной структуры в соединениях Cox/C60 и миграции иона кобальта по поверхности С60, были рассчитаны четыре набора кластеров Co2(C60)3 со следующими типами координации: 2/2:2/2, 2/2:2/2’, 5/5:5/5 и 5/5:5/25. Возможная траектория миграции иона кобальта вокруг центрального C60 через координирование 2/2:2/2 и 2/2:2/2’ типов, представлена на рис. 7 цветными точками, отражающие относительные энергии изомеров и интермедиатов, и красными пунктирными стрелками. Структуры 2/2:2/2 и 2/2:2/2’ типов имеют самую низкую энергию среди кластеров Co2(C60)3. Зависимость энергии образования кластеров 2/2:2/2 от Co-Co расстояния носит нерегулярный характер, тогда как энергетическая зависимость 2/2:2/2’имеет максимум в середине пути миграции иона Co. Энергии структур 2/2:2/2, как правило, лежат на 8– Kurikawa T., Nagao S., Miyajima K., Nakajima A., Kaya K., J. Phys. Chem. A 102, 1743 (1998).

Sakai S., Naramoto H., Lavrentiev V., Narumi K., Maekawa M., Kawasuso A., Yaita T., Baba Y., Materials Transactoins 46, 765 (2005).

Рис. 7. Диаграмма Шлегеля миграции ионов кобальта вокруг центрального лиганда C60 кластеров Co2(C60)3.

Первый ион кобальта (красная точка Co1) неподвижен и помещен в центр ребра 6-6. Начальное положение второго иона кобальта (розовая точка Co2) находится в центре противоположного ребра 6-6. Миграция второго иона кобальта вокруг лиганда C60, через ребра 6-5 и 6-6. Атомы углерода представлены черным цветом. Два фиолетовых пустых круга обозначают начало альтернативного пути реакции миграции кобальта. Дорожный знак «Остановка запрещена», обозначают отсутствие интермедиата на соответствующих 6-5 ребрах.

13 Ккал/моль ниже, чем 2/2:2/2’.

Миграция второго иона кобальта (Co2), приближающегося к первому (Co1) происходит через ряд изомеров и интермедиатов. Разность энергий между начальной позицией Co2 иона (розовый круг, 35.Ккал/моль) и самым энергетически высоким интермедиатом (фиолетовый круг, 49.2 Ккал/моль, середина реакционного пути) составляет 13.9 Ккал/моль. Последующее сближение ионов приводит к уменьшению энергии системы. Формирование двух 2:2’ и 2:2 изомеров с самыми низкими энергиями (0 и 9.4 Ккал/моль соответственно) может происходить через то же самое промежуточное состояние (43.5 Ккал/моль, темно-синий круг).

Эффект Яна-Теллера играет ключевую роль в определении структуры свободных Cox кластеров, приводя к формированию низкосимметричных структур. Координация одного C60 кластером Cox резко изменяет структуру (полная реконструкция интерфейса с формированием нерегулярных ромбических граней из атомов кобальта) и приводит к значительному уменьшению среднего числа неспаренных спинов. Большинство фрагментов Cox демонстрирует 2 или 2’ типы координации. Число неспаренных спинов, локализованных на кобальтовом фрагменте, демонстрирует немонотонную зависимость с двумя максимумами (Co4 и Co7).

Координация второго лиганда C60 кластерами Сox последовательно изменяет структуру и спиновые состояния наночастиц кобальта с формированием дополнительных треугольных, тетраэдрических (Co3, Co4, Co5, Co6) или нерегулярных ромбических граней (Co7). Как и в случае CoxC60, для кластеров Cox(C60)2 самой предпочтительной является координация кобальтового треугольника 2/2/2 фрагментом C6. Число неспаренных спинов у иона кобальта показывает немонотонную зависимость с тремя максимумами (Co4, Co6 и Co8). Различное поведение спиновых состояний свободных Cox, CoxC60 и Cox(C60)2 кластеров ясно демонстрирует главную роль комплексных связей в определении магнитных свойств соединений Cox/C60.

3.4. Динамика атомного остова и электронная структура ряда эндо- и экзоэдральных комплексов фуллеренов с легкими элементами. Впервые динамика атомного остова и ее влияние на электронную структуру ряда комплексов фуллерена с атомами и ионами лития, гелия и молекулой водорода исследовалась методом неэмпирической молекулярной динамики. Как показало молекулярно-динамическое моделирование, в вакууме наблюдается вращательное движение молекулы С60 вокруг своего центра масс как единого целого с частотой вращения при 300 К 0.791010 сек-1 (соответствующее экспериментальное 5 значение 3.31011 сек-1.

Ab initio расчет равновесной атомной структуры комплекса H2@Cпоказал, что молекула водорода располагается в центре углеродного полиэдра.

Расчеты при температуре 300 К продемонстрировали нежесткость координации молекулы Н2 внутри полиэдра С36 за счет миграции молекулы водорода в многоминимумном потенциале. Расчет молекулярной динамики в полуэмпирическом потенциале РМ3 показал, что молекула водорода вращается внутри полиэдра С36 с частотой 41013 сек-1. Расчет динамики эндоэдрального комплекса H2@C60 при 300 К показал, что молекула водорода в нем не вращается, а хаотично двигается внутри фуллерена, что объясняется наличием большого плато на потенциальной поверхности внутри углеродного полиэдра.

Выводы о нежесткости эндоэдральных комплексов подтверждены также и для комплексов с атомами гелия (Hen@C60, n = 2, 3, 4).

Молекулярно-динамическое моделирование комплекса Li2@C60 показало, что при температуре выше 79 К наблюдается динамический переход, при котором ионы лития выходят из положений равновесия и начинают вращаться внутри полиэдра с частотой 1.01012 сек-1. При температуре 300 К, частота вращения увеличивается и становится равной 2.51012 сек-1.

На рис. 8 представлены полные плотности состояний, построенных для 16 стоп-кадров с интервалом 0.01 пс. динамического кино для комплекса Рис. 8. Электронная структура стоп-кадров динамического кино, наложенных друг на друга и сделанных с шагом 0.01 пс., рассчитанного для комплекса Li2@Cпри температуре 300К. Видно, что верхняя заполненная орбиталь (внедренное электронное состояние) меняет свое положение с амплитудой эВ. На вставке изображено увеличенное внедренное состояние.

Maniwa Y., Mizoguchi K., Kume K., Kikuchi K., Ikemoto I., Suzuki S., Achida Y., Solid State Commun. 80, 609 (1991).

Li2@C60, рассчитанного при 300 К. Как видно, происходит «заплывание» внедренного электронного состояния, образованного за счет дополнительных электронов, поставляемых атомами лития. Изменение энергии верхней заполненной орбитали, обусловленное изменением координации ионов лития под действием температурных флюктуаций, достаточно велико - порядка 1 эВ.

3.5. Механизмы неупругого рассеяния низкоэнергетических ионов и атомов легких элементов на молекулах C6H6, С60, C6F12 и С60F48.

Взаимодействие низкоэнергетических протонов (2–7 эВ) с C6H6 и C60 (CNS) и их фторпроизводными (FCNS) C6F12 и C60F48 исследовались с использованием методов квантовой химии и молекулярной динамики, основанными на приближении UHF. Потенциальные кривые взаимодействия протона с CNS и FCNS рассчитывались как функция расстояния до центра углеродного шестиугольника, лежащего строго перпендикулярно движению H+. Процесс проникновения низкоэнергетических протонов через углеродные шести- и пятиугольники моделировался методом молекулярной динамики с использованием UHF PM3 (MD/PM3) и ab initio 6-31G* (MD/6-31G*) потенциалов. Механизмы взаимодействия ионов лития и атомов гелия с CNS и FCNS исследовались в приближении RHF.

Начальное состояние системы CNS/FCNS - протон является нестабильным и возбужденным: низкоэнергетический протон на бесконечности и нейтральная молекула в качестве мишени (рис. 9). Из-за существенной энергетической разницы (6 эВ для системы протон + CNS) при приближении протона к углеродной наноструктуре (R 6 ) должен происходить электронный переход с занятых электронных состояний CNS на вакантное 1sсостояние положительного иона водорода, которым, по сути, является протон.

В пренебрежении эффектов перекрывания орбиталей оператор возмущения электронной системы CNS/FCNS приближающимся протоном H C F можно записать в виде Ve (RH ) V (rH ) V (rC ) V (rF ), где rH, rC и rF - радиусвекторы электронных волновых функций, принадлежащих ионам водорода, NC qC NF qF H углерода и фтора. V (rH ) действует на координату rH, i i j rH RC j rH RF NC NF 1 C F V (rC ) - на координату rC, а V (rF ) - на координату rF.

i1 ji i j rC RC rFj RF i j NC и NF количество атомов углерода и фтора. Векторы RC и RF направлены от протона к атомам углерода и фтора, а их длина до ближайших соседей Рис. 9. Схема взаимодействия низкоэнергетического протона с молекулами C(A) и C60F48 (B). С правой стороны приведено невозмущенное собственное значение 1sH орбитали водорода, с левой – невозмущенное собственное значение CN углеродной наночастицы. В середине рисунка представлены ' ' возмущенные собственные значения CN и .

H WT – вероятность процесса переноса заряда с углеродной наночастицы на протон. На расстоянии 06, в случае молекул C60, WT изменяется от 0 до 1. В этом случае молекула Cпревращается в катион-радикал с однократно ' заполненным состоянием CN (rCN ), а протон – в ' атом водорода с заполненным H (rH ). В случае молекулы C60F48 процесс переноса заряда ' ' подавляется за счет условия CN H.

i 2 j соответственно равна RC RH A2 и RF (RH B)2 C. Геометрические параметры A = 1.4, B = 1.1 и C = 2.4 определяются особенностями атомной структуры объекта. qC, qF – малликеновские заряды атомов углерода ( qC 0 для C6H6 и C60 и ~0.1 для C6F12 и C60F48) и фтора ( qF ~–0.1). Для H нефторированных структур V (rH ) 0 в силу равенства малликеновских зарядов углерода 0, а для фторированных молекул (C60F48 и C6F12) эта величина описывает вклад в энергию, привносимый взаимодействием малликеновских зарядов С и F с некомпенсированным зарядом протона. На расстоянии 6 конфигурация C60F48 + протон становится основным состоянием системы и фторированная углеродная наноструктура взаимодействует с протоном как нейтральная молекула с точечным зарядом (рис. 9).

Низкоэнергетический протон (~2 эВ) преодолевает расстояние в 6 (на котором, согласно ab initio расчетам, интегралы перекрывания волновых функций протона и углеродных наноструктур становятся неравными 0) за время T = 510-14 сек. Количество периодов электронного перехода с занятого состояния CN rCN (рис. 3.9) на вакантное состояние H(rH) для системы “C60+протон” при RH < 6 равно 102103. Для C60 частота такого перехода равна 1016 сек.-1 и, следовательно, вероятность электронного перехода с молекулярного уровня на вакантное H1s-состояние близка к 1. Основываясь на этих оценках, можно утверждать, что ароматические молекулы (C60 и C6H6) будет взаимодействовать с низкоэнергетическим протоном, как положительные ион-радикалы (C60+1 и C6H6+1) с радикалом (нейтральный атом водорода).

Рис. 10. Потенциальные кривые процессов C60F48 + H+ и C60 +H+.

Сплошная (C60F48) и пунктирная (C60) линии - результаты ab initio UHF/631G* расчетов, закрашенные точки (C60) и квадратики C60F48) - UHF PM3.

Закрашенные (ab initio) и пустые (PM3) треугольники на расстоянии R обозначают полные энергии молекул C60F48 (верх) и C60 (низ). Закрашенные (ab initio) и пустые (PM3) ромбы обозначают полные энергии оптимизированных структур H-C60F48+ в центре углеродного шестиугольника (R = 0) и связанного ковалентной связью с атомом водорода внутри углеродного полиэдра (R=5). Для комплекса H-C60+ водород связан ковалентной связью с внешней стороны молекулы С60 (R = –1, обозначено крестиками).

Потенциальные кривые взаимодействия протона с C60F48 и C60, рассчитанные методами UHF PM3 и ab initio UHF/6-31G* представлены на рис.

10. Для процесса C60F48 + H+ характерно то, что потенциальные кривые гладкие, с отсутствием больших потенциальных барьеров или ям снаружи углеродной наноструктуры или на стенке, тогда как для процесса C60 + H+ существует две глубоких потенциальных ямы снаружи, которые соответствуют начальному состоянию процесса (нейтральная молекула C60, R ) и ковалентно-связанному с углеродом водороду (R = –1 ) и один высокий потенциальный барьер в центре углеродного шестиугольника (R = 0 ). Для процесса C60F48 + H+ существует глубокая потенциальная яма внутри углеродного полиэдра (R = 5 ), соответствующая ковалентно-связанному водороду с атомом углерода. Эта связь образуется, когда налетающий протон проникает сквозь центр углеродного шестиугольника и сталкивается с нефторированным атомом углерода.

Кинетическая энергия проникновения легких элементов рассчитывалась методом молекулярной динамики как наименьшая кинетическая энергия, требуемая частице для проникновения внутрь молекулы через центр углеродного шестиугольника. В случае C60F48 мишенью выбирался центр полностью фторированного углеродного шестиугольника. Ab initio UHF/6-31G* UHF PM3 расчеты демонстрируют значительное понижение (до 4 раз в случае молекул C6H6 и C6F12) барьеров проникновения, что обусловлено существенным уменьшением плотности валентных -электронов у фторированных кластеров и невозможностью образования новых ковалентных связей водород-углерод с внешней стороны углеродного остова. Тем не менее (см. рис. 10), потенциальный барьер для вылета протона из молекулы С60Fостается высоким (~5эВ) из-за образования новой ковалентной связи углеродводород внутри углеродной наноструктуры. Потенциальный барьер для атома гелия на 25% ниже для фторированных наноструктур по сравнению с нефторированными, что может быть объяснено как увеличение на 12.5% расстояния углерод-углерод в молекуле C60F48 (1.59) по сравнению с молекулой C60 (1.40).

Глава 4. Электронная структура, реакционная способность и динамические свойства идеальных и дефектных одностенных углеродных нанотруб и углеродных торов 4.1. Связь химических свойств углеродных нанотрубок с их атомной и электронной структурой. В рамках предложенной - модели химической связи был проведен анализ парциальных электронных плотностей атомов углерода ряда одностенных углеродных нанотруб. На Pис. 11 представлены парциальные плотности для р (-состояния) и р (-состояния) парциальных электронных плотностей нанотрубок (5, 5) и (10, 0). Для сравнения представлены плотности электронных состояний молекул С60 и С6Н6. Из рисунка видно, что в нанотрубках потолок валентной зоны формируется р ()состояниями, что обусловлено деформацией составляющих их углеродных шестиугольников. В мягких условиях химически активными являются около – 8% атомов углерода в нанотрубках, что качественно коррелирует с величиной вклада р ()– вкладов в потолок валентной зоны.

Рис. 11. Парциальные р () и р () электронные плотности углеродных наноструктур С60, С6Н6, углеродных нанотрубок (5, 5) и (10, 0).

Hirsch A., Angew. Chem. Int. Ed. 41, 1853 (2002).

4.2. Унификация ширины запрещенной зоны одностенных углеродных нанотрубок, допированных атомами кремния. Систематически, в рамках методов LDA PBC PP PW и TD PBE0/6-31+G** была изучена атомная и электронная структура и квантовый выход идеальных и частично допированных кремнием углеродных (8,8), (8,2) (10,0) и идеальных SiC (4,4), (5,5), (6,6), (8,8), (15,15), (10,0), (6,4) и (8,2) нанотруб. LDA PW PP PBC расчеты идеальных SWSiCNT, показали, что они все являются полупроводниками с шириной запрещенной зоны от 1.7 ((8,2) SWSiCNT) до 2.5 эВ ((15,15) SWSiCNT). Регулярное замещение атомов углерода атомами кремния не меняет идеальную атомную структуру начальных SWCNT.

Состояния, порождаемые атомами кремния в валентной зоне и зоне проводимости, не могут быть отнесены к внедренным состояниям в запрещенной щели, что было подтверждено анализом закона дисперсии изучаемых структур: даже небольшая (5.2 %) концентрация кремния приводит к кардинальной реконструкции зонной структуры (8,8) SWCNT (изменение природы вакантных и валентных зон во всей области энергий).

Замена 5.2 % атомов углерода кремнием сохраняет металлическую природу (8,8) SWCNT. Переход «металл – полупроводник» происходит после повышения концентрации кремния выше 5.2 %. Между 5.2% и 50% наблюдается квадратичная зависимость «Концентрация Si от ширины запрещенной зоны» (рис. 12). Примеси кремния разрушают металлическую природу (8,8) системы, последовательно преобразуя (8,8) нанотрубу из металла и узкощелевого полупроводника в полупроводник с широкой запрещенной щелью. Даже небольшой уровень допирования кремнием (5.2 %) (8,8) SWCNT смещает перекрещивание зон с a / 3 к -точке. Увеличение концентрации Si приводит к появлению полупроводниковой прямой щели в -точке зоны Бриллюэна, а при концентрациях 25%, 43.8% и 50% к полупроводнику с непрямой щелью.

Последовательная замена атомов углерода на Si в атомной решетке (10,0) SWCNT (рис. 12) приводит к изменению в ширине запрещенной зоны от 0.75 эВ (SWCNT или 0% Si) до 0.27 эВ (25 % Si). Последующая замена углерода на кремний приводит к увеличению ширины запрещенной зоны до 1.7 эВ (50 % Si). В диапазоне концентраций 12 – 18 % ширина прямой запрещенной щели в точке Г становится близкой ~0.4 эВ. Допирование кремнием сохраняет прямую запрещенную щель в -точке (10,0) SWCNT/SWSiCNT во всем диапазоне концентраций (0-50 %).

Для изучения влияния замещения углерода атомами кремния на квантовую эффективность SWSixC(1-x)NT, были проведены TD PBE0/6-31+G** Concentration dependence of Egap for the (8,8) and (10,0) systems 2.2.Рис. 12. Зависимость концентрации ширины запрещенной зоны EgapSi1.замещенных (8,8) (нисходящие треугольники) и (10,0) SWCNTs 1.(восходящие треугольники).

0.0.0 10 20 30 40 Si concentration (%) (8,8) (10,0) расчеты полных вероятностей оптических переходов фрагмента частично замещенной 11 % (9,0) SWCNT. Переход от недопированной системы (кластер С54Н18) к допированной Si6C48H18 показал значительное (более чем в 15 раз) увеличение абсолютной силы осцилляторов оптических переходов за счет частичного замещения локализованных C2p-АО на делокализованные Si3p-АО и примешивания Si3d-состояний в валентную зону и зону проводимости.

4.3. Влияние дефектов углеродной сетки на электронную структуру полупроводниковых одностенных углеродных нанотруб. Впервые, для изучения влияния дефектов на электронную структуру углеродных нанотруб проведены PBE PBC и PBE0 PBC расчеты в базисе гауссовых орбиталей электронной структуры идеальной (14, 0) углеродной нанотрубки и углеродной нанотрубки (14, 0) с рядом дефектов: дефект Стоуна–Велса, двойная вакансия в углеродной сетке (2V дефект), дефект, обусловленный встраиванием двух дополнительных углеродных атомов в углеродную сетку (ad dimer дефект), и два дефекта, вызванных насыщением одной из двойных углеродных связей ОН и Н группами (2ОН и 2Н дефекты). Для корректного описания электронной структуры изолированных дефектов и моделирования их различной концентрации длина элементарных ячеек достигала 20 . Для изучения электронной структуры межмолекулярного контакта металлической (5, 5) и полупроводниковой (10, 0) нанотрубы использовалась элементарная ячейка длинной 40 .

Один из первых экспериментальных STS спектров однозначно идентифицированной (14, 0) углеродной нанотрубы демонстрировал металлический тип проводимости, что не соответствовало ранее сделанному теоретическому предсказанию о том, что эта углеродная нанотруба должна проявлять полупроводниковые свойства.

ab initio PBE PBC и PBE0 PBC расчеты идеальной углеродной нанотрубы Wilder J.W.G., Venema L.C., Rinzler A.G., Smalley R.E., Dekker C., Nature 391, 59 (1998).

Mintmire J.W., Dunlop B.I., White C.T., Phys. Rev. Lett. 68, 631 (1992).

gap E (eV) (14, 0) продемонстрировали хорошее согласие с работой 8 и характеризовались наличием запрещенной щели шириной порядка 1 эВ.

На рис. 13 приведен экспериментальный (a) и набор теоретических спектров дефектных структур с дефектом Стоуна–Велса (b), 2H (c), 2OH (d), ad dimer (e) и 2V (f) дефектов. Введение дефектных структур в идеальную графитовую сетку приводит к возникновению внедренных состояний в щели.

Во всех случаях мы можем с высоким качеством описать основные особенности экспериментальных плотностей состояний с энергиями ~ -0.9 и 1.4 эВ. Только структура с дефектом Стоуна–Велса (рис. 13b) демонстрирует плотность состояний с запрещенной щелью, все остальные дефекты формируют плотность состояний металлического типа.

Рис. 13. (a) Экспериментальный STS спектр нанотрубы (14,0), (b) теоретические PBE 6-31G плотности состояний (14,0) нанотрубы с дефектом Стоуна–Велса, (c) 2H дефектом, (d) 2OH дефектом, (e) ad dimmer дефектом, (f) теоретическая плотность состояний, полученная для жесткой зоны 2V дефекта.

На Рисунке 13f представлена плотность состояний, полученная в модели жесткой зоны с использованием теоретических плотностей состояний элементарных ячеек с концентрациями 2V дефекта 0.3 и 0.6%. Четко видно, что такой подход позволяет количественно описать экспериментальную плотность состояний, полученную в работе 7 для нанотрубы (14, 0).

Атомная и электронная структура межмолекулярного контакта (5, 5)/(10, 0) (рис. 14) была изучена с использованием метода PBC PBE/3-21G*.

Применение трансляционной симметрии формирует бесконечную зигзагообразную структуру, в которой чередуются участки (5, 5) и (10, 0) углеродных нанотруб, разделенные структурами, содержащими пяти- и семичленные углеродные кольца. Длина элементарной ячейки (~ 40 ), выбиралась достаточно большой, для того, чтобы избежать значительного взаимодействия между отдельными дефектами.

Рис. 14. Полные плотности состояний (5, 5), (10, 0) нанотруб и межмолекулярного контакта (5, 5)/(10, 0). Стрелки обозначают особенности, относимые к (5, 5) структуре, треугольники обозначают особенности, относящиеся к (10, 0) структуре, звездочки обозначают особенности, относящиеся к самому межмолекулярному контакту. На вставках изображены (5, 5), (10, 0) и (5, 5)/(10, 0) структуры.

Межмолекулярный контакт, согласно проведенным неэмпирическим расчетам, является металлом с ненулевой плотностью электронных состояний на уровне Ферми. Особенности вблизи уровня Ферми обусловлены электронными состояниями, соответствующими 5-7 дефекту, тогда как спектральные особенности, локализованные ниже и выше уровня Ферми, имеют природу (5, 5), или (10, 0) фрагментов.

4.4. Теоретическое исследование тороидальных форм углерода и их эндоэдральных комплексов с литием. Впервые, методами MNDO и ХартриФока и неэмпирической молекулярной динамики рассчитаны атомная и электронная структура и динамика атомного остова тороидальных молекул, содержащих 120 и 240 атомов углерода и их эндоэдральные комплексы с двумя и четырьмя ионами лития (рис. 15 d, f). В случае C120 рассматривались два различных изомера, отличающиеся друг от друга внутренним и внешним диаметрами, а так же расположением в них пяти- и семиугольных циклов.

Расчеты показали, что введение внутрь углеродной структуры атомов щелочных металлов вызывает искажение углеродного кластера за счет увеличение длин связей С-С вблизи координации ионов лития.

Terrones B.M., Phil. Trans. R. Soc. Lond. A 354, 2025 (1992).

Рис. 15. Тороидальные молекулы и их комплексы с литием. a) C120(elong.), b) C120(short), c) C240, d) Li2@C120(elong.), e) траектория движения ионов лития в процессе молекулярно-динамического моделирования. Пунктиром выделены неэквивалентные сегменты.

Было показано, что допирование литием порождает внедренное электронное состояние внутри запрещенной щели углеродных торов. Во всех изученных эндоэдральных комплексах внедренное состояние располагалось выше по энергии на ~1-4 эВ HOMO уровней идеальных углеродных торов (рис.

16), а его энергетическое положение зависело, в основном, от количества ионов щелочного металла.

Рис. 16. Плотности состояний эндоэдральных комплексов Lin@Cm. a) C120(elong.), Li2@C120(elong.), Li4@C120(elong.), b) C120(short), Li2@C120 (short), Li4@C120(short), c) электронная структура комплекса Li2@C120 (elong.) в процессе молекулярного моделирования, соответствующая различным расстояниям между атомами лития: 1) Rmin=2.95 A, 2) Rmax=7.75 A, d) C240, Li2@C240 и Li4@C240.

Методом молекулярной динамики динамика атомного остова эндоэдральных комплексов торов с двумя и четырьмя ионами лития при 300 К изучалась как в триплетных, так и в синглетных состояниях. Было показано, что в тороидальных структурах с достаточно большими внутренними полостями наблюдается миграция ионов лития под действием температуры. Как и в эндоэдральных комплексах С60 с ионами лития (см. Главу 3), температурная миграция эндоэдральных ионов, в свою очередь, порождала размытие внедренного состояния внутри запрещенной щели (рис. 16).

Глава 5. Структура и механизмы агрегации и изомеризации кремний-кислородных нанокластеров. Впервые, систематически, с использованием высокоточных CR-CCSD(T)/cc-pVTZ, MRMP2/6-31G* и МР2/6-31G* методов квантовой химии, была изучена структура и поверхности потенциальной энергии, механизмы формирования и эффекты электронных корреляций широкого набора SimOn (m = 2-3, n = 1-4) нанокластеров. Энтальпии реакций были скорректированы с учетом энергии нулевых колебаний (ZPE) и температурных эффектов. Структуры нанокластеров оптимизировались без наложения симметрийных ограничений методами B3LYP/6-31G* и MP2, энергии особых точек на поверхностях потенциальной энергии рассчитывались методами CR-CCSD(T) и (в случае Si2O3) MRMP2.

а) Расчет реакции SiO + SiO Si2O2 показал, что глобальный минимум продукта реакции отвечает симметрии D2h, а реакция протекает безбарьерно.

Структурные параметры SiO2 (RSi-O = 1.547 ) и Si2O2 (RSi-O = 1.728, RSi-Si = 2.491, O-Si-O=87.8) кластеров, полученные MP2/6-31G* методом, с высокой точностью соответствовали литературным данным. Энтальпия реакции, вычисленная методом CCSD(T)/cc-pVTZ H298.15 = -49.5 Ккал/моль (экспериментальное значение 10 Hexp.298.15 = -48.5 Ккал/моль.

b) Систематический поиск всевозможных изомеров Si2O3 показал принципиальную возможность существования семи структур, показанных на Pис. 17, при этом глобальным минимумом является изомер 1 (Open, открытый).

Рис. 17. Изомеры Si2O3 с самой низкой MP2/6-31G(d) энергией и их геометрические параметры ().

Zachariah M. R., Tsang W., J. Phys. Chem. 99, 5308 (1995).

Относительные энергии всех семи изомеров, рассчитанных с использованием различных методов, приведены в табл. 1. Большинство методов демонстрирует одинаковую энергетическую последовательность с основным состоянием в виде открытой структуры. MP2/6-31G(d), CCSD (T)/cc-pVTZ и CR-CCSD (T)/cc-pVTZ относительные энергии изомеров находятся в разумном соответствии друг с другом. Анализ чисел заполнения натуральных орбиталей TCSCF NOON показывает, что волновые функции изомеров 3 и характеризуются существенным многоконфигурационным вкладами.

Соответственно, NOON HOMO уровней изомеров 3 и 5 равны 1.643 и 1.755, а соответствующие NOON LUMO орбиталей равны 0.357 и 0.245. Самая большая разница между MP2 и CC методами наблюдается для изомеров 3 и 5 (~Ккал/моль), для которых характерен наибольший многоконфигурационный вклад. Для трицикличного изомера MRMP2/6-31G(d) коррекция полной энергии при равновесной геометрии, рассчитанной методом MCSCF, дает относительную энергию ~37.7 Ккал/моль. Сравнивая с CR-CCSD (T)/cc-pVTZ результатами (61.3 Ккал/моль), это значение может быть существенно заниженным. МР2 расчет пути реакции образования Si2O3 из SiO и SiOприводит к безбарьерному формированию изомера 1 (открытый).

Таблица 1. Относительные энергии изомеров Si2O3 (Ккал/моль).

HF B3LYP MP2 MCSCF CCSD(T) (CR-CCSD(T)) 1 (открытый) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.2 (треугольник) 70.2 52.9 51.0 68.5 54. (56.3) 3 (трицикл) 86.3 53.9 49.1 52.6 58. (61.3) 4 (цикл) 71.6 60.0 74.9 72.7 71. (72.9) 5 (линейная) 91.3 92.7 92.3 125.7 102. (108.0) 6 (цикл) 223.0 185.9 208.8 223.1 212. (220.5) 7 (открытый) 256.4 118.6 228.1 132.3 223. (229.7) c) На рис. 18 представлены схемы двух различных путей формирования Si2O4. MP2/6-31G(d) оптимизации геометрии в симметрии Cs в параллельной ориентации реагентов (рис. 18a) приводит безбарьерно к изомеру D2h, (глобальный минимум) а оптимизация в перпендикулярной ориентации (рис.

18b) – к безбарьерному формированию структуры симметрии C2v, с двумя мнимыми частотами в соответствующем Гессиане, которая, в свою очередь, может переходить в изомер D2h. Оба пути реакции являются экзотермическими.

Энтальпия пути MP2 (CCSD(T)/cc-pVTZ)) a) H298.15MP2/6-31G(d) = -91.5 (94.1) Ккал/моль и b): H298.15MP2/6-31G(d) = -11.8 Ккал/моль и H298.15CCSD(T)/cc-pVTZ= -13.6 Ккал/моль.

Рис. 18. a) Схема пути реакции с параллельным расположением реагентов и формированием изомера Si2O4 симметрии D2h. (расстояния в , расчет MP2/6-31G(d)).

b) Схема пути реакции с перпендикулярным расположением реагентов и формированием изомера Si2O4 симметрии C2v.

d) Показано, что основным состоянием кластера Si2O5 является синглет с триплет-синглетным расщеплением глобального изомера GS1 (рис. 19), равным 23.5 Ккал/моль. Для синглетного состояния был определен ряд локальных энергетических минимумов и переходных состояний.

Рис. 19. Схема поверхности потенциальной энергии изомеризации кластера Si2O5.

Изомер GS1, имеющий характерную двойную мостиковую структуру, соответствует глобальному минимуму как на MP2, так и на CR-CCSD(T) поверхностях потенциальной энергии. Энергия циклического изомера GS2 на 19.7 (18.7 на уровне MP2) Ккал/моль выше, чем GS1. У изомеров GS1 – GSMP2 NOON HOMO уровня лежат в диапазоне 1.90 – 1.93, что достаточно близко к значениям для однодетерминантных волновых функций (2.0).

Переходное состояние TS3 характеризуется наименьшим MP2 HOMO NOON.

Широкий поиск переходных состояний, интермедиатов и расчетов IRC показал, что образование Si2O5 из SiO2 + SiO3 проходит безбарьерно. E CRCCSD(T) для реакции SiO2 + SiO3 Si2O5 составляет -102.5 Ккал/моль.

Соответствующее значение MP2 составляет -101.3 Ккал/моль.

e) Показано, что основное состояние Si3O кластера – синглет с синглеттриплетным расщеплением 40.9 Ккал/моль. Схема поверхности потенциальной энергии представлена на рис. 20. Согласно MP2 и CR-CCSD (T) расчетам, GSявляется глобальным минимумом. CR-CCSD(T) относительные энергии изомеров GS7 и GS8 равны, соответственно, 12.4 и 19.7 Ккал/моль. Все три изомера характеризуются MP2 HOMO NOON большими 1.9, что прямо свидетельствует об однодетерминантной природе их волновых функций.

Рис. 20. Схема потенциальной энергии изомеризации Si3O кластера.

Все переходные состояния Si3O кластера характеризуются MP2 HOMO NOON большими 1.9. Широкий поиск переходных состояний, интермедиатов и расчет IRC показывает, что реакции образования SiO + Si2 Si3O протекают безбарьерно.

f) С использованием MP2/6-31G (d) расчетов были определены структуры ряда изомеров и переходных состояний кластера Si3O2 с S=0 и S=1 в синглетном и триплетном состояниях. Расчеты показали, что основным состоянием является триплет. Расширенный поиск переходных состояний, интермедиатов и расчет IRC показывает, что реакции образования SiO + Si2O Si3O2 глобального минимума и второго по энергии изомера в синглетном состоянии протекают безбарьерно. Энергетический эффект реакции Si2O + SiO Si3O2, рассчитанный методами CR-CCSD(T) и MP2, равен соответственно -35.3 и -36.9 Ккал/моль. Синглет-триплетное расщепление наинизших по энергии изомеров составляет 64.2 Ккал/моль. Все изомеры характеризуются MP2 HOMO NOON в диапазоне 1.91 – 1.95.

g), h) Были определены ряд Si2O2 + SiO Si3O3 и Si2O3 + SiO Si3Oреакций образования, протекающих с барьерами порядка 1-70 Ккал/моль и реакции изомеризации между рядом изомеров кластеров Si3O3 и Si3O4.

Глава 6. Архитектура и электронные свойства идеальных и эрбийдопированных кремниевых квантовых точек голдберговского типа и их конгломератов Предыдущие теоретические исследования электронной структуры кремниевых квантовых точек базировались на ограниченном количестве типов кремниевых кластеров и не описывали различные варианты форм экспериментальных структур. Большое разнообразие форм и размеров нанокристаллов кремния могут быть объяснены конгломерированием нанокристаллического кремния посредством образования химических связей между гранями, ребрами и вершинами тетраэдрических кристаллов. В самом простом случае комбинация 20 тетраэдров приводит к формированию квантовой точки икосаэдрической симметрии. Нет никакой причины, почему семьи квантовых точек (QD) различной симметрии и с различным количеством граней не могут быть синтезированы.

6.1. Атомная и электронная структура кремниевых квантовых точек голдберговского типа и их конгломератов. Впервые, на основе многогранников Голдберга построены квантовые точки других типов симметрий, отличных от икосаэдрической, с желаемым числом пятиугольных и шестиугольных вершин путем соединения 20 + n кремниевых тетраэдров (рис.

21a, b, n 4 некоторое целое число) одинаковых размеров через три эквивалентных <111> поверхности фрагментов кристалла.

D6d Рис. 21. Структура 224 квантовой точки голдберговского типа с внутренним ядром Si24. (a) 24 кремниевых тетраэдра Siтрансформировавшихся в квантовую точку.

(b) кремниевые тетраэдры с промежутком между ними. Треугольные грани тетраэдров на поверхности показаны зеленым, две вершины (гексагональная и пентагональная), показаны фуксином. (c) D6d Полость Si24 внутри квантовой точки 2имеет структуру низшего фуллерена с линейными размерами 5.1х7.7 . (d) Структура квантовой точки. Кремниевые атомы в слоях 1, 2 и 3 изображены красным, зеленым и серым.

Формирование структур отличной от икосаэдрической симметрии приводит к некоторой структурной напряженности из-за отклонений химических связей тетраэдрической природы от идеальных (10928’) значений.

В связи с этим, только низшие структуры с высокой симметрией на основе Si(D6d), Si26 (D3h), и Si28 (Td) (рис. 22) были использованы в качестве базовых для Zhao Y.,Kim Y.-H., Du M.-H., Zhang S.B., Phys. Rev. Lett. 93, 015502 (2004).

Goldberg M., Tohoku Math. J. 43, 104 (1937).

Рис. 22. Структура предложенных квантовых точек голдберговского типа и их конгломератов и высшие занятые молекулярные орбитали. Обе фазы орбиталей показаны синим и красным цветами. Центральные полости показаны красным. Обозначения каждой структуры отражают число кремниевых слоев, размеры и симметрию ядер.

построения квантовых точек различной симметрии.

Все квантовые точки голдберговского типа характеризуются центральной полостью. Так, для квантовой точки на основе низшего фуллерена Siсимметрии D6d центральная полость имеет размеры 5.1x7.7x7.7 3 (рис. 21c).

Этот центральный фрагмент является достаточно большим, чтобы вместить в себя один или несколько ионов, атомов или молекул-гостей, формирующих соответствующий эндоэдральный комплекс.

Также впервые построены конгломератные структуры на основе пентагональных и гексагональных интерфейсов (соответствнно обозначены и ) при помощи соединения двух соответствующих вершин квантовых точек.

Такие интерфейсы сохраняют тетраэдрическую природу всех кремниевых атомов, составляющих рассматриваемые нанокластеры (рис. 22).

Для расчета атомной и электронной структур предложенных нанокластеров кремния, был использован полуэмпирический метод AM1. Для коррекции величины запрещенной щели, полученной этим методом, соответствующие величины сдвигались на 4.91 эВ вниз по шкале энергии.

Основываясь на полуэпирических расчетах, был проведен детальный анализ атомной структуры квантовых точек и их конгломератов и показано, что формирование подобных структур вызывает отклонение валентных углов на 29, а межатомных расстояний Si-Si на 0.02 – 0.04 .

h h Конгломератные структуры, такие как LI LI, имеют небольшое 20 отклонение (на ~1 %) длин связи Si-Si в области интерфейса по сравнению с h 6d 6d 3h 3h 2D 2D исходной структурой ( LI ). У симметричных интерфейсов ( 2D , 2D 20 24 24 26 d d 2T и 2T ) с зеркальной симметрией с небольшими отклонениями длин связей и 28 6d 3h d 3h 2D валентных углов. Асимметричные интерфейсы, такие как 2D 2T 2D, и 24 26 28 т.д., характеризуются нерегулярностью и сложностью атомной структуры.

Впервые проведенные расчеты энергетической стабильности, в области 1.2-3.5 нм икосаэдрические квантовые точки являются самыми устойчивыми структурами, а усеченные кубические кластеры являются вторыми по энергетической стабильности. Предложенные структуры симметрий D6d, D3h и Td с размерами 1.5-2.24 нм являются более стабильными по сравнению с усеченными октаэдрическими кластерами. Стабильность конгломератных структур выше стабильности отдельных квантовых точек, из которых они состоят и, как правило, обратно пропорциональна линейному размеру частиц.

Впервые было показано, что независимо от симметрии объектов ярко выраженный эффект квантового ограничения наблюдается для всех типов изученных структур. Кривые QCE имеют различные углы наклона и предельные значения и иногда пересекают друг друга. Образование h h конгломератов меняет QCE, например, линейные структуры типа 2I 2I 20 демонстрируют значительное уменьшение наклона QCE и обладают несколько большей шириной запрещенной зоны по сравнению с соответствующими квантовыми точками того же размера. Ряд асимметричных конгломератов ( h 6d h d h 3h 6 d 3h 6d d 3h d 2I 2D, 2I 2T, 2I 2D, 2D , 2D T и 2D ) демонстрирует 2D 228 2T 20 24 20 28 20 26 24 26 24 26 формальное разрушение типичного QCE с максимумом ширины запрещенной зоны при размере 2.5 нм, что вызвано тем, что данные структуры образованы фрагментами различной симметрии.

6.2. Роль сильных электронных корреляций в определении электронных свойств и энергетической стабильности Er-допированных кремниевых квантовых точках Голдберского типа. Впервые в базисе гауссовых орбиталей расчеты атомной и электронной структуры Er-допированных кремниевых квантовых точек голдберговского типа проводились методами МР2 и DFT B3LYP с использованием базиса 3-21G* для атомов кремния и водорода. Для атомов эрбия был использован штудгардский релятивистский базис с эффективным остовным потенциалом [Ar]3d10 (SRSC97-ECP) и широкий и гибкий базисный набор для 4s24p65s25p64d106s25d04f12 валентных электронов.

Для расчетов методом PP PAW использовалась конфигурация [Xe]4f11 для атома Er с эффективным основным потенциалом в приближении ультрамягкого псевдопотенциала Вандербильдта. В данном подходе сильные электронные корреляции эффективно моделировались возбуждением одного Er 4f электрона Er 4f12-оболочки на валентные Er5d состояния, что позволяет моделировать фотоэмиссию конфигурации Er 4f11 иона Er3+ и последовательно рассчитывать энергии связи. Сильные электронные корреляции в локализованной Er4fоболочке силицидов эрбия обусловлены кулоновским взаимодействием локализованных f-электронов эрбия и кремниевых p-подзон.

Свободный атом Er и Er-допированные квантовые точки рассчитывались методами B3LYP и MP2 в основном триплетном спиновом состоянии. Расчеты методом B3LYP показывают наличие у иона эрбия малликеновского заряда, близкого к + 2, соответствующего Er+2. В расчете методом PP PAW ион эрбия находится формально в состоянии Er+3, где вся плотность Er5d состояний локализована в области свободных орбиталей, а Er6s состояние дает небольшой вклад во внедренное состояние в щели на уровне Ферми.

Рассмотрим взаимосвязь модели Андерсона для описания сильнокоррелированных систем и метода MP2. В терминах вторичного квантования гамильтониан модели может быть написан в следующей форме:

A f f H c cp fk fk c fk fk cp p p k Vpk p p, k, p,k, 1 J fk ' fk fk fk ' fl ' fk fk fl ' J fl fk fk fl 2 k , ' k,l , ' k,l ' kl kl где cp и c, fk и fk - операторы уничтожения и рождения p-валентных (c) и p f k-сильно коррелированных f-электронов (f), соответственно, J и Vpk являются обменными параметрами и параметрами смешивания внутри и между валентными и сильно коррелированными подуровнями f-состояний. Сумма первого и второго члена соответствует энергии Хартри-Фока f f c cp fk fk, где и k - собственные одноэлектронные значения p p k p p, k, валентных и f-состояний, соответственно. Третий член гамильтониана включает два состояния и описывает взаимодействие валентных и высоко коррелированных f-состояний через перескоки электронов (возбуждение) между занятыми и виртуальными орбиталям. Фактически, этот член описывает взаимодействие конфигураций fn и fn-1. Оставшиеся два члена описывают взаимодействие двух занятых f-состояний с одинаковыми или анитипарралельными спинами посредством кулоновского взаимодействия и также соответствуют HF. Энергия корреляции MP2 описывает взаимодействие двух занятых и двух виртуальных орбиталей 13. Гамильтониан MP2 в терминах 14, вторичного квантования имеет следующую форму:

1 1 MPw H h0 rEwr wr xsEwrxs Erw Erwsx w, x - занятые, а r, s – trw trwsx 2 rw rwsx wr wrxs свободные одноэлектронные состояния, а унитарные операторы представлены Mller C., Plesset M.S., Phys. Rev.46, 618 (1934).

Finley J. P., Hirao K., Chem. Phys. Lett. 328, 51 (2000).

Fedorov D. G., Finley J. P., Phys. Rev. A 64, 042502 (2001).

† † † в виде Erw aw и Erwsx ax aw. trwsx и trw являются амплитудами в a a as r r теории MP2. Энергия MP2 вычисляется прибавлением энергии корреляции MP2 к энергии HF, и может быть записана как:

MP2 E H 2 w h0 r wr xs 2trwsx trxsw trw w,r r,s,w,x где h0 и H гамильтонианы в нулевом приближении (одно- и многоэлектронные, соответственно), а - волновая функция HF. Сравнивая уравнения для обоих методов мы замечаем, что в гамильтониане модели Андерсона присутствует член, соответствующий однократному возбуждению из сильнокоррелированного пространства в валентное пространство, которое соответствует части (в модели Андерсона это применимо к ограниченным подпространствам, тогда как в MP2 к полным пространствам) соответствующего одночастичного члена в MP2. В MP2 теории этот член равен нулю для канонических орбиталей, потому что гамильтониан нулевого приближения является диагональным, в то время как в модели Андерсона, потенциал V не является таковым. В случае использования аналога неканонического базиса модели Андерсона в теории МР2, подобный член возник бы и в теории возмущения с тем отличием, что потенциал V в MPдолжен быть получен в ab initio подходе, тогда как в модели Андерсона он может быть построен из других соображений (к примеру – подгонкой к эксперименту).

Таким образом, оба метода описывают взаимодействия валентных состояний с высококоррелированными при помощи заселения первых за счет электронных возбуждений вторых (другими словами – перенос высококоррелированных f-электронов на вакантные состояния лигандов), с тем отличием, что модель Андерсона рассматривает только однократные электронные возбуждения, тогда как MP2 - двукратные возбуждения.

Была рассмотрена атомная и электронная структура эндоэдральных комплексов с эрбием (Er@GQD, Er внедрен в центральную полость голдберговской точки, рис. 21) кремниевых квантовых точек голдберговского типа Si20Si80H60 (Ih), Si24Si96H72 (D6d), Si26Si104H78 (D3h) и Si28Si112H84 (Td). Энергия связи атомов кремния, рассчитанных методами PP PAW, B3LYP/3-21G* и MP2/3-21G* для исходных квантовых точек голдберговского типа, оказалась равной -86, -101 и -122 Ккал/моль, соответственно, что говорит об их высокой энергетической стабильности.

Для всех Er-допированных квантовых точек одноэлектронные расчеты Er методом B3LYP предсказывают либо положительную ( Ecoh = 22.1 Ккал/моль, Er Er@Si20Si80H60), либо близкую к 0 ( Ecoh = -0.7 Ккал/моль, Er@Si24Si96H72 (D6d), Er Er Ecoh = 0.9 Ккал/моль, Er@Si26Si104H78 (D3h), Ecoh = -3.3 Ккал/моль, Er@Si28Si112H(Td)) энергию связи иона эрбия с кремниевым нанокластером.

Различия между расчетными энергиями связи ионов эрбия (~100 Ккал/моль или 4.3 эВ) в B3LYP (без учета SEC) и PP PAW (с модельным учетом SEC) качественно согласуются с величиной постоянной Хаббарда U (6.2 эВ), применяемой в методе LDA+U для расчета Er/Si систем 16, 17. Другими словами, именно SEC определяют большие энергии связи эндоэдральных ионов эрбия с кремниевыми.

Прямой учет динамических электронных корреляций методом MP2 для HF волновой функции основного состояния в конфигурации Er 4f12 приводит к Er отрицательным величинам Ecoh (-131.6 и -145.1 Ккал/моль для Er@Si100H60 и Er@Si120H72 систем. Сильные электронные корреляции, обусловленные локализованными Er4f- состояниями, приводят к искажению кремниевых остовов с существенным понижением симметрии, при этом ион Er всегда занимает центр массы кластеров (рис. 21).

Экспериментальные данные так же как предварительные расчеты CASSCF малых кластеров Er/SinHm демонстрируют однодетерминантную природу волновых функций Er/Si объектов, соответствующих конфигурации Er 4f11. Помещение Er внутрь GQD немного уменьшает вес (приблизительно на 0.1) замешивания однодетерминантной HF волновой функции в методе MP2, что прямо говорит об однодетерминаной природе волновых функций этих систем. Другими словами, в MP2 методе ведущей конфигурацией является Er4f12 (Малликеновское заселение Er4f состояний 11.9 электронов) с небольшим переносов электронного заряда в подпространство лигандов.

4f состояния Er являются сильно локализованными, и пространственно отделены от p-подзон кремния. Изменение числа активных орбиталей в активном МР2 пространстве Er@GQD приводит к последовательному исключению Er4f- или p-электронов Si из расчетов. Было показано, что исключение одного Er 4f электрона из активного пространства MP2 приводит к уменьшению энергия связи иона эрбия в кремниевых квантовых точках в среднем на 28 Ккал/моль, тогда как усредненный энергический эффект исключения электрона из Sip-подзоны составляет 13 Ккал/моль. В результате метод MP2 переоценивает энергию связи Er на ~15 Ккал/моль из-за присутствия дополнительного электрона в Er 4f-подуровне и недостатка одного электрона на Sip валентной подзоны. Сравнение теоретических результатов с Fu Y., Huang Z., Wang X., Ye L., J. Phys.: Condens. Matter 15, 1437 (2003).

Ma C.L., Picozzi S., Wang X., Yang Z.Q., Eur. Phys. J. B 59, 297 (2007).

Coffa S., Priolo F., Franzo G., Bellani V., Carnera A., Spinella C., Phys. Rev. B 48, 117(1993).

19, экспериментальными данными позволяет предположить, что предложенные эндоэдральные комплексы кремниевых квантовых точек голдберговского типа с ионами эрбия зафиксированы экспериментально.

Глава 7. Архитектура, стабильность, электронные свойства и эффекты квантового ограничения в сложных Si и Si/SiO2 наноструктурах 7.1. Атомная и электронная структура тонких <110> ориентированных кремниевых наноусов. Расчет атомной и электронной структуры пассивированных водородом тонких <110> ориентированных кремниевых наноусов проводится LDA PP PBC PW. Кремниевые наноусы первого типа были вырезаны из кристалла кремния (SiNWTr) с образованием [100] и [111] граней (рис. 23a, b) с параллельно (рис. 23a левый) и перпендикулярно (рис. 23a правый) ориентированными группами SiH2 относительно главной оси. Только SiNWTr с группами SiH2 ориентированными перпендикулярно к главной оси соответствуют экспериментально наблюдаемым структурам и являются энергетически выгодными. SiNWTr удобно описывать с использованием двух индексов (n, m), определяемых числами шестиугольников в поперечном сечении SiNWTr с минимальным (n) и максимальным (m) размерами. В качестве примера на рис. 23 b представлен (2,5) SiNWTr.

Впервые была предложена структура новых пента- и гексагональных (рис. 23 с, d) звездообразных кремниевых наноусов, образованных комбинацией пяти и шести (1, n) SiNWTr посредством соединения эквивалентных [111] граней. Полученные объекты имеют по 10 и эквивалентных, энергетически предпочтительных [111] граней. Усечение краев звездообразных наноусов приводит к образованию [100] граней и, как окончательный результат, пента- и гексагональных наноусов (рис. 23 e, f) 22.

Энергия когезии может быть записана как Ecoh Etot Ei где ni - число ni i атомов данного типа, а Ei - соответствующая энергия изолированного атома.

Было показано, что гексагональные наноусы обладают самой высокой энергией среди всех рассматриваемых SiNW. Наиболее энергетически выгодными являются SiNWTr и пентагональные звездообразные SiNW.

Зависимость ширины запрещенной зоны от площади поперечного сечения для всех рассмотренных нанопроводников демонстрирует эффект размерного квантового ограничения вида 1/dn, где d - эффективный размер, а n - параметр, обычно определяемый в пределах от 1 до 2. Все SiNW имеют Ghislotti G., Nielsen B., Asoka-Kumar P., Lynn K.G., Gambhir A., Di Mauro L.F., Bottani C.E., J. Appl. Phys. 79, 8660 (1996).

Fujii M., Yoshida M., Hayashi S., Yamamoto K., J. Appl. Phys. 84, 4525 (1998).

Ma D. D. D., Lee C. S., Au F. C. K., Tong S. Y., Lee S. T., Science 299, 1874 (2003).

Zhao Y., Yakobson B.I., Phys. Rev. Lett. 91, 035501 (2004).

Рис. 23. a), b) Структуры наноусов кремния a) (2,5) SiNWTr; c) пента- и d) гексагональные звездообразные (5,3) SiNW; e) пента- и f) гексагональные (3,3) SiNW.

ширину запрещенной зоны в диапазоне от 0.5 эВ до 1.6 эВ. В отличие от структур, прямо полученных из кристалла кремния, у звездообразных наноусов при стремлении сечения к бесконечности ширина запрещенной зоны стремится к 0.4 эВ (на 0.2 эВ меньше, чем у щели кристаллического кремния), что прямо говорит о том, что подобные структуры не могут существовать с большими/бесконечными сечениями из-за невозможности трансляционной симметрии, перпендикулярной главной оси уса. Расчеты зонной структуры показали, что все SiNWTr обладают прямой запрещенной щелью. Прямая запрещенная щель обнаружена у пентагональных SiNW, тогда как у гексагональных звездообразных SiNW наблюдается непрямая запрещенная щель с максимумом валентной зоны, расположенным в точке Г, и минимумом, расположенном приблизительно в 85 % расстояния от Г до X.

7.2. Электронная структура Si/SiO2 квантовых точек и тонких наноусов. Впервые структуры пентагональной симметрии использованы в качестве основы для разработки атомных моделей Si/SiO2 наноструктур кремния, погруженного в оболочку оксида кремния. Структурные атомные модели нанокластеров Si/SiO2 были разработаны путем насыщения оборванных связей атомов кремния на [100] гранях кремниевого ядра с мостиковыми атомами кислорода. На рис. 24 структура всех Si/SiO2 кластеров и фрагмент кристаллической решетки -кварца представлены в двух проекциях. Для тонких Si/SiO2 наноусов структурная напряженность Si/SiO2 интерфейса не является большой из-за относительно хорошего совпадения структурных параметров поверхности кремня и Si-O связей и позволяет всем поверхностным атомам кремния иметь координационное число 4. Образование Si/SiOинтерфейса с участием самого маленького (Si85) кластера приводит к Si125O1структуре (230 атомов, рис. 24b). Удлиненные кластеры Si/SiO2 содержат 340 (в Рис. 24. Атомная структура 0D и 1D нанокластеров кремния и кварца. а) фрагмент кристалла -кварца. b) Две проекции квантовой точки Si125O105.

c) Две проекции Si195O1удлиненного кластера. d) Две проекции Si335O225 удлиненного кластера. e) Две проекции бесконечного Si/SiO2 наноуса (элементарная ячейка Si36O20).

Атомы кремния изображены темновишневым цветом, а атомы кислорода - голубым.

качестве основы кластер Si145, Si195O145, рис. 24c) и 560 (в качестве основы кластер Si265, Si335O225, рис. 24d) атомов. Для PBC расчетов была выбрана элементарная ячейка с 56 атомами (Si36O20, рис. 24e).

Для сравнения проведены расчеты пентагональных кремниевых наноусов в кластерном (B3LYP) и PBC (LDA PP PAW) приближениях и исследовано влияние релаксации [100] граней на их структуру. Было показано, что формирование поверхностных димеров, перпендикулярных главной оси кластера, приводит к уменьшению поверхности наноструктур и понижению полных энергий, тогда как формирование параллельных димеров приводит к изомерам с высокими значениями полных энергий и, в ряде случаев, дефрагментации наноусов в ходе расчетов. С увеличением длинны кремниевых кластеров растет плотность электронных состояний на уровне Ферми с формированием металлического основного состояния наноусов.

Оптимизация атомной структуры Si/SiO2 нанокластеров методами B3LYP и LDA продемонстрировала стабилизирующую роль окисленного поверхностного слоя: мостиковые кислородные атомы предотвращают формирование поверхностных димеров и значительное искажение атомной структуры остова Si/SiO2 нанокластеров.

Полные и парциальные B3LYP/6-31G* и LDA PW PP PBC DOS кремния и кислорода 0D и 1D Si/SiO2 нанокластеров и -кварца представлены на рис.

25. Структуры демонстрируют полупроводниковые запрещенные зоны с хорошо выраженным эффектом размерного ограничения, количественно Рис. 25. Электронная плотность состояний a) B3LYP/6-31G* DOS квантовой точки Si125O105.

b) B3LYP/6-31G* DOS удлиненного кластера Si195O145. c) B3LYP/6-31G* DOS удлиненного кластера Si335O225. d) LDA PW PP PBC DOS бесконечного наноуса Si/SiO2. e) LDA PW PP PBC DOS кристалла -кварца. Полная плотность состояний представлена черными непрерывными линиями. Парциальные кислородные плотности состояний представлены красными пунктирными линиями с красными кружками. Парциальные кремниевые плотности состояний представлены синими пунктирными линиями с заполненными синими ромбами.

описывающим экспериментальную зависимость ширины запрещенной зоны от размера наночастиц кремния, погруженных в оксид кремния 23.

7.3. Разрушение размерного ограничения в сложных нанокластерах m Ih k кремния. Впервые был предложен и исследован интерфейс P100(n) )/ I20/ P100(l) (рис. 26) пентагонального наноуса с икосаэдрической квантовой точкой (P обозначает центральное ядро пентагонального наноуса, окруженное m-слоями гексагональных призм, ориентированных по <110> направлению, а n - число сегментов) и исследована электронная структура сложных систем, включающих в себя ряд структурных фрагментов. Где не оговорено особо, для расчта атомной и электронной структуры кремниевых нанокластеров был использован полуэмпирический метод AM1, систематически завышающий ширину запрещенной зоны на 4.9 эВ (см. Главу 6).

Была рассчитана электронная структура набора нанокластеров: P100*(n1) и 3 2 h h P100(n2 ) (n1=1-16, n2=1-8) наноусов, асимметричные 2I / P100*(n) и P100*(4) /2I / 20 2 2 h h h P100*(n) (n=0, 1… 13) и симметричные 2I / P100*(n) / 2I (n=0, 1… 4), P100*(n) / 2I / 20 20 2 2 2 h h P100*(n) (n=0, 1… 4) и P100*(4) / 2I / P100*(n) / 2I / P100*(4) (n=0, 1… 8) кластеры.

20 Эффекты размерного квантового ограничения, рассчитанные теоретически для различного типа нанокластеров, представлены на рис. 27. Как видно из рисунка, нанокластеры, состоящие из одного фрагмента (наноусы Takeoka S., Fujii M., Hayashi S., Phys. Rev. B 62, 16820 (2000).

Рис. 26. Атомная структура а) икосаэдрической h квантовой точки 2I (Si100H60) b) пентагонального 2 наноуса P100*(4) и c) Структура интерфейса P100*(4) / h 2I / P100*(4). Интерфейс формируется атомами кремния пентагональной вершины квантовой точки и наноуса. Стрелками указаны химические связи между структурными единицами. Атомы кремния изображены розовым, водорода – синим цветами.

различной длинны), либо нескольких фрагментов одной природы (комбинация 2 3 k P100*(n) / P100(n) ) демонстрируют типичный A Cd размерный эффект (рис. 27a) с некоторыми различиями в параметрах A, C и k.

Одним из самых простых нанокластеров с включенными квантовыми h h точками и обладающим зеркальной симметрией является 2I / P100*(n) / 2I.

20 Увеличение длины наноуса, заключенного между квантовыми точками, приводит к видимому изменению эффекта размерного ограничения по сравнению с P100*(n) (рис. 27b) с заметным изгибом d области ~25 (n 2) за счет сильного взаимодействия «квантовая точка – квантовая точка». Для n > линейный размер наноуса и ширина запрещенной зоны определяются фрагментом P100*(n) с восстановлением типичного QCE, смещенным приблизительно на 0.1 эВ относительно идеального P100*(n) из-за взаимодействия фрагментов различной природы (квантовых точек и наноуса).

Рис. 27. Зависимость ширины запрещенной зоны от линейного размера L нанокластеров. a) Идеальный 2 P100*(n) наноус (черная кривая), идеальный P100*(n) 2 наноус (красная), сложные P100*(n) / P100(n) h структуры (зеленая кривая). b) 2I / P100*(n) - зеленая 2 h h h кривая, 2I / P100*(n) / 2I - черная кривая, P100*(4) / 2I / 20 20 2 h P100*(n) / 2I / P100*(4) красная кривая с кружками, 2 h P100*(4) / 2I / P100*(n) красная кривая с треугольниками (n <4) и синие линии с квадратами (n4). Пары чисел указаны в случае, когда в структуре присутствует два независимых фрагмента наноусов. Обозначение (n, 0) эквивалентно n.

Немонотонный тип эффекта размерного ограничения наблюдается у 2 2 2 2 h h h P100*(4) / 2I / P100*(n) (n = 013) и P100*(4) / 2I / P100*(n) / 2I / P100*(4) (n = 08) кластеров.

20 20 Для первого типа наблюдается плато в области n = 04, а для последнего – максимум в области n = 4 (рис. 27b). Плато легко объяснимо, поскольку ширина запрещенной зоны определяется самой длинной частью наноуса, а именно фрагментом с n = 4. Нанокластер, состоящий из двух квантовых точек и трех сегментов нанопроводников, является самой сложной структурой.

Увеличение ширины запрещенной зоны с увеличением длины кластера (для n = 04) объясняется тем, что при малых n взаимодействие центрального 2 фрагмента P100*(n) с терминальными P100*(4) мало. С увеличением длины центрального фрагмента взаимодействие с P100*(4) начинает увеличиваться в силу сближения энергий уровней локализованных на различных частях кластера и их энергетического расщепления. При n = 4 такое взаимодействие становится максимальным, а с дальнейшим увеличением n взаимодействие уменьшается и система возвращается к типичному виду размерного ограничения, определяемому теперь уже длинной центрального фрагмента P100*(n). Подобный тип реакции QCE наблюдался в эксперименте из-за формирования потенциальных барьеров между нанокристаллическими фрагментами в процессе окисления пористого кремния.

7.4. Атомная структура и электронные свойства многотерминальных кремниевых нанокластеров. Впервые предложены сложные наноструктуры кремния, похожие на цветы (SiNF) или звезды (рис. 28) и основанные на комбинации икосаэдрических квантовых точек (IQD) и нескольких (до 12) пентагональных кремниевых наноусов с различными проводящими свойствами для создания большого разнообразия наноэлектронных устройств.

Для изучения электронной структуры сложных многотерминальных SiNF Рис. 28. a) SiNF с 10 лепестками, покрытыми окисленными слоями (кислородные атомы изображены красным цветом, атомы кремния - розовым), и стеблем, покрытым атомами водорода (синий). Лепестки и стебель присоединены к SiIQD1100. b) SiNF с 10 лепестками, покрытыми окисленным слоем. Атомы кремния изображены красным, а атомы кислорода - зеленым. c) Кремниевый наноцветок с 5 лепестками.

Wolkin M. V., Jorne J., Fauchet P. M., Allan G., Delerue C., Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).

был спроектирован и рассчитан набор кластеров, основанный на IQD(2) (Si100H60) и трех лепестках пентагональной симметрии. В случае SiNF с непассивированной поверхностью (Si640), поверхностные атомы на [100] гранях наноусов формируют ряды димеров (кластер SiNF/D, D обозначает димеры).

Насыщение оборванных поверхностных связей лепестков атомами водорода приводит к структуре SiNF/H (Si640H420). Третий тип структур с окисленной поверхностью, SiNF/OOH, описывается формулой Si640/Si138O505H38. Сложная структура SiNF/D/H/OOH имеет металлический лепесток с реконструированной поверхностью и двумя полупроводниковыми лепестками SiNW/H и SiNW/OOH.

Атомная структура всех кластеров и отдельных фрагментов оптимизировалась с использованием модельного ММ+ потенциала. С увеличением длины SiNW(2) увеличивается энергия поверхностного натяжения (рис. 29) и, следовательно, относительная энергия системы. IQD характеризуются наинизшей энергией с обратной зависимостью относительной энергии от размера. Расчеты SiIQD(2)/NW(2) показывают, что интерфейс является энергетически выгодным из-за существенного уменьшения относительной энергии связи от 0.176 эВ/атом (Si295NW) и 0.173 эВ/атом (Si205NW) до 0.160 эВ/атом для SiIQD(2)/NW(2).

c) IQD NW IQD/PP 0.0.Рис. 29. Относительная энергетическая стабильность (эВ/атом, ММ+ модельный 0.потенциал) различных типов наноструктур кремния (темные и светлые кружки - 0.соответственно SiNW и IQD, треугольники - энергия IQD/NW) относительно ММ+ Bulk silicon 0.энергии связи кристаллического кремния (0.0 эВ/aтом).

85 205 265 295 1105 100 600 1100 2Sin Электронная структура набора SiNF (SiPNW/D, Si205), SiNW/H (Si205H150) и SiNW/HOOH (Si265(ОН)20O185) рассчитывалась расширенным методом Хюккеля (ЕНТ). EHT метод предсказывает металлическое свойства для наноцветка кремния с ненасыщенной поверхностью. Насыщение поверхностных связей водородом приводит к появлению широкой запрещенной зоны (6.8 эВ для SiNF/H). Расчеты методом EHT SiNF/OOH и системы SiNW/OOH дают значительно более низкие значения ширин запрещенных зон (2.0 и 2.3 эВ соответственно). EHT расчет тройной системы дает нулевую ширину запрещенной зоны. И HOMO, и LUMO состояния E (eV/atom) локализованы на металлическом лепестке. Два полупроводниковых лепестка сохраняют распределение зарядов исходных SiNW/H и SiNW/OOH систем. Так, тройная система с тремя различными типами лепестков может служить структурной единицей наноэлектронных устройств.

Заключение. Основные выводы диссертационной работы:

1. В результате проведенных исследований атомной и электронной структуры и динамики атомного остова ряда комплексов фуллеренов с легкими элементами и переходными металлами было показано, что химические свойства фуллеренов определяются кривизной замкнутых углеродных нанокластеров, которая в свою очередь, приводит к значительному энергетическому расщеплению - и -электронных облаков и понижению относительной плотности -состояний на потолке валентной области фуллеренов. Атомная и электронная структура низшего фуллерена Сопределяется эффектами электронных корреляций, которые ответственны за симметрию кластера (D6h) и бирадикальный характер синглетной волновой функции основного состояния. Тип координации различных ионов металлов и атомов как внутри, так и снаружи фуллеренов зависит от химической природы этих агентов, а фторирование приводит к значительному понижению (в 2-4 раза) потенциальных барьеров проникновения частиц сквозь углеродную сетку за счет нейтрализации активной -системы и подавления процесса переноса электронного заряда с молекул-мишеней на рассеиваемые ионы (H+, Li+).

2. В результате квантово-химических расчетов атомной и электронной структуры углеродных нанотруб показано, что в рамках - модели углеродные нанотрубки являются объектами с малой долей -состояний на потолке валентной зоны, а незначительное внедрение атомов кремния в структуру углеродных нанотруб приводит к существенным изменениям в электронной структуре нанообъектов. Различного рода дефекты приводят к кардинальной перестройке электронной структуры углеродных нанотруб.

3. Были систематически исследованы полные потенциальные поверхности SimOn кластеров высокоточными методами МР2 и CCSD(T). Было показано, что большинство реакций образования Si/O кластеров идет безбарьерно, что приводит к агломерированию в более крупные частицы во время химического синтеза.

4. Была предложена атомная структура и классификация нового типа энергетически стабильных кремниевых квантовых точек голдберговского типа. Данные структуры образуются за счет соединения 20 + n (n > 2) тетраэдрических фрагментов кристаллического кремния в единую структуру и обладают центральными фуллерено-подобными Si20+n полостями, способными вмещать в себя ионы, атомы или молекулы-гости с образованием соответствующих эндоэдральных комплексов. Образование связей друг с другом приводит к формированию конгломератных структур сложного вида. Внутри симметрийных семейств данный класс объектов демонстрирует ярко выраженный эффект размерного ограничения. Было показано, что энергетическая стабильность эндоэдральных комплексов кремниевых квантовых точек голдберговского типа с ионами эрбия определяется эффектами сильных электронных корреляций внутри Er4fоболочки.

5. Был предложен и классифицирован новый класс энергетически выгодных <110> ориентированных пентагональных и гексагональных наноусов кремния звездообразной формы, полученных путем соединения пяти или шести эквивалентных <110> ориентированных наноусов через эквивалентные [111] грани и сложные наноструктуры на их основе. На основе этих наноусов возможно построение других, существенно более сложных кремниевых нанокластеров, основанных на комбинации икосаэдрических квантовых точек и пентагональных наноусов. Было показано, что в рамках одной структуры можно комбинировать фрагменты с различными электронными и механическими свойствами. Варьирование форм, размеров и структуры поверхности наноусов приводит к значительным изменениям в их электронной структуре. Внедрение кремниевых квантовых точек в кремниевые наноусы эффективно разрушает эффект размерного ограничения в кремниевых нанокластерах. В этом случае величина запрещенной щели определяется структурным фрагментом максимального размера.

6. Адаптированы и применены GGA (PBE) и Hybride GGA (PBE0) потенциалы метода DFT в ab initio PBC расчетах одномерных нанокластеров – углеродных нанотруб в базисе гауссовых орбиталей. Корректно описана атомная структура кремниевых 1D наноусов методом FMO/AFO. Показано, что GGA PBE хорошо описывает электронную структуру металлических нанотруб, тогда как Hybride GGA PBE0 – структуру полупроводниковых нанокластеров. Установлено, что применение метода молекулярных фрагментов FMO/AFO позволяет получать качественные результаты при расчетах кремниевых наноструктур даже при использовании минимального базисного набора STO-3G.

Список основных публикаций по теме диссертационной работы 1. Avramov P.V., Tomilin F.N., Kuzubov A.A., Artushenko P., Kachin S.V., Journal of Siberian Federal University. Chemistry 2, 110 (2009).

2. Аврамов П.В., Овчинников С.Г., Квантово-химическое и молекулярнодинамическое моделирование структуры и свойств углеродных наноструктур, мультимедийное издание, идательство СО РАН, Новосибирск, 2000 г., ISBN 5-7692-0416-3. Yakobson B.I., Avramov P.V., Margrave J.L., Mickelson E.T., Hauge R.H., Boul P.J., Huffman C.B., Smalley R.E., United States Patent No 7,252,812, August 7, 2007, Class: 42344500B (USPTO), D01F009/12 (Intl Class) 4. Avramov P.V., Fedorov D.G., Irle S., Kuzubov A.A., Morokuma K., J. Phys.

Chem. C, 113, 15964 (2009).

5. Fedorov D.G., Avramov P.V., Jensen J.H., Kitaura K., Chem. Phys. Lett., 477, 169 (2009).

6. Avramov P.V., Fedorov D.G, Sorokin P.B., Chernozatonskii L.A., Ovchinnikov S.G., J. Appl. Phys., 104, 054305 (2008).

7. Avramov P.V., Sakai S., Naramoto H., Narumi K., Matsumoto Y., Maeda Y., J. Phys. Chem. C, 112, 13932 (2008).

8. Sorokin P.B., Avramov P.V., Kvashnin A.G., Kvashnin D.G., Ovchinnikov S.G., Fedorov A.S., Phys. Rev. B, 77, 235417 (2008).

9. Sakai S., SugaiI., Mitani S., Takanashi K., Matsumoto Y., Naramoto H., Avramov P.V., Okayasu S., Maeda Y.,Appl. Phys. Lett. 91, 242104 (2007).

10. Avramov P.V., Fedorov D.G., Sorokin P.B., Chernozatonskii L.A., Gordon M.S., J. Phys. Chem. C, 111, 18824 (2007).

11. Sakai S., Naramoto H., Avramov P.V., Yaita T., Lavrentiev V., Narumi K., Baba Y., Maeda Y., Thin Solid Films 515, 7758 (2007).

12. Avramov P.V., Chernozatonskii L.A., B. Sorokin P.B., Gordon M.S., Nano Lett. 7, 2063 (2007).

13. Sakai S., Yakushiji K., Mitani S., Sugai I., Takanashi K., Naramoto H., Avramov P.V., Lavrentiev V., Narumi K., Maeda Y., Materials Transactions 48, 754 (2007).

14. Avramov P.V., Kuzubov A.A., Fedorov A.S., Tomilin F.N., Sorokin P.B., Phys. Rev. B 75, 205427 (2007).

15. Avramov P.V., Yakobson B.I., J. Phys. Chem. A, 111, 1508 (2007).

16. Avramov P.V., Naramoto H., Sakai S., Narumi K., Lavrentiev V., Maeda Y., J.

Phys. Chem. A, 111, 2299 (2007).

17. Lavrentiev V., Naramoto H., Narumi K., Sakai S., Avramov P., Chem. Phys.

Lett. 423, 366 (2006).

18. Sakai S., Yakushiji K., Mitani S., Takanashi K., Naramoto H., Avramov P., Narumi K., Lavrentiev V., Appl. Phys. Lett. 89, 113118 (2006).

19. Аврамов П.В., Якобсон Б.И., Скуцерия Г.Е., Физика твердого тела 48, 1(2006).

20. Avramov P.V., Adamovic I., Ho K.-M., Gordon M.S., J. Phys. Chem. A 109, 6294 (2005).

21. Аврамов П.В., Якобсон Б.И., Скуцерия Г.Е., Физика твердого тела 46, 1132 (2004).

22. Томилин Ф.Н., Аврамов П.В., Кузубов А.А., Овчинников С.Г., Пашков Г.Л., Физика твердого тела 46, 1143 (2004).

23. Avramov P. V., Scuceria G. E., Kudin K., Chem. Phys. Lett. 370, 597 (2003).

24. Varganov S.A., Avramov P.V., Ovchinnikov S.G., Gordon M.S., Chem. Phys.

Lett. 362, 380(2002).

25. Кузубов А.А., Аврамов П.В., Овчинников С.Г., Варганов С.А., Томилин Ф.Н., Физика твердого тела 43, 1721 (2001).

26. Кузубов А.А., Аврамов П.В., Овчинников С.Г., Варганов С.А., Томилин Ф.Н., Физика твердого тела 43, 1904 (2001).

27. Томилин Ф.Н., Аврамов П.В., Варганов С.А., Кузубов А.А., Овчинников С.Г., Физика твердого тела 43, 936 (2001).

28. Кузубов А.А., Аврамов П.В., Захаров А.А., Овчинников С.Г., Варганов С.А., Томилин Ф.Н., Журнал неорганической химии 45, 1883 (2000).

29. Аврамов П.В., Варганов С.А., Овчинников С.Г., Физика твердого тела 43, 2103 (2000).

30. Варганов С.А., Аврамов П.В., Овчинников С.Г., Физика твердого тела 42, 388 (2000).

31. Федоров А.С., Сорокин П.Б., Аврамов П.В., С.Г. Овчинников, Моделирование свойств, электронной структуры ряда углеродных и неуглеродных нанокластеров и их взаимодействия с легкими элементами, ISBN 5-7692-0817-1, Издательство СО РАН, Новосибирск, 2006.

32. Sorokin P.B., Avramov P.V., Chernozatonskii L.A., Fedorov D.G., Ovchinnikov S.G., J. Phys. Chem. A 112, 9955 (2008).

33. Avramov P.V., Sorokin P.B., Fedorov A.S., Fedorov D.G., Maeda Y., Phys.

Rev. B74, 245417 (2006).

34. Аврамов П.В., Сорокин П.Б., Федоров А.С., Вестник КрасГУ:

естественные науки, № 4, 139 (2005).

35. Томилин Ф.Н., Аврамов П.В., Кузубов А.А., Овчинников С.Г., Пашков Г.Л., Вестник КрасГУ: естественные науки, № 3, 151 (2003).

36. Аврамов П.В., Якобсон Б.И., Scuceria G.E., Вестник Красноярского государственного университета, серия химическая, № 3, 430 (2003).

37. Аврамов П.В., Якобсон Б.И., Scuceria G.E., Вестник Красноярского государственного университета, серия химическая, № 3, 50 (2003).

38. Варганов С.А., Аврамов П.В., Овчинников С.Г., Журнал Структурной Химии 41, 845 (2000).




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.