WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

На правах рукописи

ПОЛЗИКОВА Наталья Ивановна

АКУСТИЧЕСКИЕ И СПИНОВЫЕ ВОЛНЫ В МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ, СВЕРХПРОВОДНИКАХ И СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ

01.04.11 – Физика магнитных явлений

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Москва - 2010 г.

Работа выполнена в Учреждении Российской академии наук Институте радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Официальные оппоненты: академик РАН, доктор физико-математических наук, профессор Пустовойт В. И.

доктор физико-математических наук, профессор Фетисов Ю. К.

доктор физико-математических наук Филимонов Ю. А.

Ведущая организация: Институт молекулярной физики Российского научного центра "Курчатовский институт"

Защита диссертации состоится 14 мая 2010 г., в 10-00 на заседании диссертационного совета Д 002.231.01 при Учреждении Российской академии наук Институте радиотехники и электроники им. В.А.

Котельникова РАН по адресу: 125009, Москва ГСП-9, ул. Моховая 11, корп.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИРЭ им.

В.А.Котельникова РАН.

Автореферат разослан « » 2010 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, доктор физико-математических наук, профессор С.Н.Артеменко

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы Изучение физики акустоэлектронных и спинволновых явлений, продолжающееся уже несколько десятилетий, привело к созданию многочисленных устройств обработки информации, – фильтров, генераторов, линий задержки, конвольверов и др. [1-4]. Новые возможности для практики, которые открывает изучение распространения акустических (АВ) и спиновых (СВ) волн в различных средах и в настоящее время далеко не исчерпаны. Это в полной мере относится и к вопросам, находящимся на стыке физики полупроводников, металлов и диэлектриков (магнитных и немагнитных, пьезоэлектриков) [5,6]. Наличие двух (и более) взаимодействующих подсистем (магнитной, электронной, упругой) позволяет легко управлять одной из них, воздействуя на другую.

Одну из таких возможностей дает обменное взаимодействие между магнитной и электронной подсистемами магнитных полупроводников (МП).

Исследования МП давали большие надежды на их практическое применение, однако технологические трудности (сложности получения веществ, низкие температуры Кюри, низкие подвижности носителей) на какое-то время привели к ослаблению интереса к этим материалам.

Однако современное развитие тонкопленочной технологии открывает новые возможности как в получении высококачественных пленок магнитных, диэлектрических и пьезоэлектрических материалов, так и изучении и использовании спинволновых и акустоэлектронных явлений.

Ренессанс в исследовании МП начался с середины 90-х гг прошлого века в связи с исследованием возникающего из-за обменного взаимодействия электронов с локализованными моментами решетки явления гигантского магнитного сопротивления (ГМС) [7]. Оно привлекло огромное внимание и уже нашло свое применение в устройствах памяти. С явлением ГМС тесно связан и эффект спиновой поляризации носителей тока в МП, делающий их перспективными для задач спинтроники – нового направления в физике твердого тела [8,9]. В последние годы было показано, что спинполяризованный ток достаточной силы вызывает возбуждение микроволновых колебаний намагниченности и генерацию спиновых волн в наноразмерных структурах. Все это привело к новому всплеску интереса к спинволновым явлениям как в проводящих магнетиках (МП и ферромагнитных металлах) так и структурах, магнетик – диэлектрик - проводник (полупроводник, нормальный металл, сверхпроводник).

Изучение механизмов взаимодействия носителей тока со спиновыми волнами является одной из центральных проблем физики МП [10,11]. При этом наиболее важным для применения является взаимодействие с когерентными, введенными в образец извне, спиновыми волнами.

«Хаотические» спиновые волны (тепловые магноны), существующие в образце при конечной температуре будут играть роль своеобразного термостата для электронов. Как показано в диссертации, поглощение когерентных магнонов и возможность их усиления за счет транспортного тока и переменных полей существенным образом зависит от взаимодействия носителей тока с тепловыми магнонами, фононами и примесями.

Открытие высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) существенно расширило перспективу применения сверхпроводников в электронике. В том числе появилась возможность использования их в спинволновой электронике [12-17]. Исследование эффектов, проявляющихся при сосуществовании сверхпроводимости и магнитного упорядочения, представляется важным как с чисто научной, так и с прикладной точек зрения. В диссертации объектом для исследования таких эффектов являются планарные слоистые структуры, в которых магнитные пленки контактируют со слоями (пленками) ВТСП. До настоящей работы не были достаточно изучены: закон дисперсии и потери на распространение магнитостатических волн (МСВ), их усиление движущимися вихрями, эффект генерации постоянного напряжения в пленке ВТСП за счет увлечения вихрей МСВ. Влияние температуры на распространение МСВ в ферритовых пленках, входивших в состав структур, также не было изучено. Не был исследован вопрос о динамических свойствах джозефсоновских переходов с магнитными (ферро- или антиферромагнитными) барьерами.

Использование слоев ВТСП дает принципиально новые возможности управления характеристиками МСВ посредством изменения состояния ВТСП с помощью температуры, тока, электрического и магнитного полей.

Механизмы взаимодействия МСВ с электромагнитными полями СВЧ- диапазона характеризуются интересной спецификой, обусловленной тем, что ВТСП являются сверхпроводниками П рода. Возможные структуры магнитного потока ВТСП отличаются большим разнообразием. Могут существовать вихревая решетка, вихревая жидкость, цепочки вихрей, анизотропные решетки вихрей. Поэтому теоретическое и экспериментальное исследование линейных и нелинейных взаимодействий электромагнитных полей МСВ с вихревой структурой ВТСП является принципиально важным.

Кроме того, перспективным представляется использование МСВ для получения информации о свойствах ВТСП: структуре и динамике магнитного потока, наличии и размере гранул, свойствах межгранульных связей.

Взаимодействие АВ с вихрями магнитного потока также вызывает большой интерес. В последние годы появилось множество работ, посвященных механизмам такого взаимодействия [18,19]. Ультразвуковые методы являются эффективным методом изучения статических и динамических свойств вихревого состояния как традиционных низкотемпературных, так и ВТСП. В качестве метода ультразвукового исследования свойств вихрей в настоящей работе был рассмотрен метод составного многочастотного резонатора объемных акустических волн (ОАВ), в состав которого входили слои пьезоэлектрика и сверхпроводника. В составных резонаторных структурах на основе слоев пьезоэлектрика также возможно усиление волн за счет использования параметрических эффектов, возникающих в переменных электрических полях.

Актуальными также являются вопросы изучения новых типов волн и спинволновых и акустических явлений в волноведущих и резонаторных структурах (в том числе с цилиндрической симметрией), сверхпроводящих переходах. Решение этих вопросов важно для задач миниатюризации устройств обработки сигналов.

Из изложенного выше очевидна актуальность поставленной цели работы:

исследование физических механизмов усиления и генерации акустических и спиновых волн за счет дрейфа носителей тока и воздействия внешних полей при распространении этих волн в магнитных полупроводниках, слоистых планарных и цилиндрических твердотельных структурах, структурах магнетик-сверхпроводник; выяснение условий существования новых типов колебаний и волн и механизмов генерации постоянного напряжения в указанных структурах.

Новизна работы заключается в том, что в ней впервые:

- развита теория распространения когерентных СВ в ферро- и антиферромагнитных полупроводниках, позволившая с единой точки зрения описать процессы поглощения и усиления этих волн при любой степени столкновений электронов проводимости с термостатами различной природы (тепловые магноны, фононы и примеси);

- показаны возможность резонансной перестройки спектра и нерезонансного усиления СВ в ферромагнитном полупроводнике, находящемся в переменном электрическом поле;

- предложен новый s-d обменный механизм возникновения постоянного напряжения при распространении СВ в ферромагнитном полупроводнике;

- теоретически исследована роль сильно затухающих решений в формировании законов дисперсии поверхностных СВ в планарной структуре магнетик - металл (нормальный или сверхпроводящий); показано, что в случае сверхпроводника закон дисперсии спиновых волн кардинальным образом отличается от случая нормального металла: даже в отсутствие диссипации в системе существует затухающее решение, пересекающее незатухающее при некотором действительном значении волнового числа.

- предложен новый механизм резонансного взаимодействия длинноволновых МСВ со коротковолновыми СВ в решетке вихрей и дано качественное объяснение возникновения узких линий поглощения на амплитудночастотную характеристику (АЧХ) структур феррит-ВТСП;

- экспериментально исследовано влияние пленки сверхпроводника на характеристики распространения МСВ в слоистой структуре феррит-ВТСП.

Обнаружены и объяснены эффекты однонаправленного уменьшения затухания волн под действием транспортного тока в сверхпроводнике;

- исследован новый механизм усиления спиновых волн в структуре магнетик- сверхпроводник II рода с сублинейной ВАХ; показано, что усиление происходит за счет дрейфа вихрей магнитного потока под действием постоянного транспортного тока при скоростях дрейфа на порядок меньших фазовой скорости волны. Найдена зависимость групповой скорости волны от величины транспортного тока.

- предсказан и рассчитан эффект увлечения вихрей бегущей МСВ, приводящий к генерации постоянного напряжения в ВТСП и обнаруженный впоследствии экспериментально;

- предсказана возможность образования медленных поляритонов в слоистой структуре сверхпроводник – антиферромагнетик – сверхпроводник;

- развита теория акусто- и магнитоэлектронного взаимодействия в цилиндрических структурах, обоснована возможность черенковской генерации бегущих и стоячих АВ и СВ за счет азимутальных токов;

- предсказана возможность существования чисто сдвиговых поверхностных АВ в результате взаимодействия акустических волн с вихрями магнитного потока в сверхпроводниках;

- показана возможность параметрического усиления АВ в резонаторах, состоящих из пьезоэлектрического преобразователя и различных параметрических (пьезоэлектрических, диэлектрических и полупроводниковых) слоев.

Достоверность результатов обусловлена применением современных методов расчета, сравнением с результатами, полученными другими методами и сопоставлением с экспериментами.

Научная и практическая ценность работы состоит в том, что полученные теоретические результаты по исследованию процессов распространения АВ и СВ в указанных структурах были использованы при интерпретации результатов экспериментов и могут применяться для получения информации о свойствах материалов. Теоретически показана возможность создания управляемых устройств обработки информации (детекторов, конвольверов) на основе планарных структур ВТСП - феррит, обработка сигналов в которых осуществляется за счет нелинейного взаимодействия МСВ с вихрями магнитного потока («эффект увлечения»).

Проведенный анализ может служить основой для расчета достижимых технических характеристик линейных и нелинейных управляемых устройств обработки информации и определения оптимальных конструкций устройств.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Теория s-d обменного поглощения когерентных СВ в ферро – и антиферромагнитных полупроводниках, применимая в при- и запороговой областях одномагнонных процессов и произвольных механизмах релаксации импульса электронов, обосновавшая возможность черенковской генерации магнонов в антиферромагнитных легкоплоскостных полупроводниках и возможности перестройки спектра и электронного усиления СВ в ферромагнитном полупроводнике в переменном электрическом поле.

2. Новый, s-d обменный, механизм возникновения постоянного напряжения при распространении СВ в ферромагнитном полупроводнике, не связанный с электронным поглощением волны и обусловленный модуляцией энергии электронов.

3. Новый механизм резонансного взаимодействия длинноволновых МСВ с коротковолновыми СВ в структурах феррит-ВТСП при наличии вихревой решетки, обеспечивающей выполнение закона сохранения квазиимпульса, объясняющий экспериментально наблюдавшиеся узкие линии поглощения на АЧХ указанных структур.

4. Обнаружение и объяснение явления "просветления" структур ЖИГВТСП, заключающееся в уменьшении поглощения волны в случае антипараллельности фазовой скорости волны и скорости вихрей.

5. Новый механизм усиления спиновых волн в структуре магнетик - сверхпроводник II рода с сублинейной ВАХ при дрейфе вихрей магнитного потока, вызываемым постоянным током при скоростях дрейфа на порядок меньших фазовой скорости волны.

6. Эффект увлечения вихрей магнитного потока бегущей МСВ в слоистой структуре феррит-ВТСП, приводящий к генерации постоянного напряжения в ВТСП.

7. Существование медленных поляритонов в области резонансного взаимодействия замедленных электромагнитных волн Свайхарта с колебаниями намагниченности в антиферромагнитной прослойке между двумя сверхпроводниками. Взаимодействие этих поляритонов с волной джозефсоновского тока в структуре.

8. Эффекты параметрического усиления акустических волн в составных резонаторах, состоящих из входного преобразователя и различных параметрических (пьезоэлектрических, диэлектрических и полупроводниковых) слоев при периодическом изменении граничных электрических условий, нелинейного пьезоэффекта в параметрическом слое и взаимодействия акустических волн с волнами электронной плотности в слое полупроводника.

9. Предсказание существования новых типов чисто сдвиговых ПАВ (типа волн Гуляева-Блюштейна) в сверхпроводниках, полупроводниках и цилиндрических структурах.

Личный вклад автора состоит в постановке теоретических задач и некоторых экспериментальных исследований; в проведении теоретических расчетов, обсуждении и интерпретации результатов экспериментов;

подготовке публикаций.

Апробация работы. Основные результаты перечисленных работ докладывались на V и VI Международных конференциях по гиромагнитной электронике (Вильнюс 1980, Варна 1982), XVI, XVII, XIX, XX Всесоюзных семинарах по спиновым волнам (Ленинград 1982, 1984, 1988, 1990), Уральских школах по физике магнитных полупроводников (Свердловск 1983, 1988), 2, 3, 4, 5 Всесоюзных школах-семинарах по спинволновой электронике (Ашхабад 1985, Краснодар 1987, Львов 1989, Звенигород 1991), XI, XII Всесоюзных школах-семинарах «Новые магнитные материалы для микроэлектроники» (Ташкент 1988, Новгород 1990, Москва 2000,) Международных конференциях «Еuropean Magnetic Materials and Applications» (Дрезден 1991, Кошице 1993, Вена 1995, Сарагоса 1998), Международной конференции Intermag-90 (Брайтон 1990), Всемирном конгрессе по ультразвуку (Рим 2001), Международных конференциях IEEE Ultrasonic Symposium (Сендай 1998, Пуэрто Рико 2000, Гонолулу 2003, Ванкувер 2006, Пекин 2008), 10 Международной конференции по ферритам на СВЧ (Гданьск 1990), XVII Всесоюзном семинаре «Гиромагнитная электроника и электродинамика» (Куйбышев 1991), IV семинаре по функциональной магнитоэлектронике (Красноярск 1990), 6-й школе по спинволновой электронике СВЧ (Саратов 1993), 1-й Объединенной конференции по магнитоэлектронике (Москва 1995), Международном симпозиуме «Acoustoelectronics, Frequency Control and Signal Generation» (Санкт-Петербург 1996, 1998), Международном форуме «Wave Electronics and Its Applications» (Санкт-Петербург 2000), 14 Европейской конференции «Frequency and Time Forum» (Турин 2000), Международной конференции “Functional Materials” (Крым, 2007).

Публикации. Основное содержание диссертации опубликовано в печатных работах, список которых приведен в конце автореферата.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из Введения, четырех основных частей, содержащих 9 глав, Заключения и списка цитированной литературы из 367 наименований, изложена на 448 страницах, включая 80 рисунков, 1 таблицу и 2 приложения.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во Введении дается мотивировка темы диссертации, характеризуется актуальность и новизна проведенных исследований, раскрывается структура и содержание диссертации по главам.

Часть 1 диссертации посвящена распространению и взаимодействию с электронами проводимости когерентных спиновых волн, искусственно возбуждаемых в магнитных полупроводниках внешними источниками.

В главе 1 выводится система уравнений движения, являющаяся базой для дальнейших исследований. Исходным пунктом при выводе этой системы является уравнение Лиувиля для статистического оператора (матрицы плотности всей системы). Наличие в задаче малого параметра, равного отношению намагниченностей электронного газа и решетки, позволяет перейти к сокращенному описанию на основе уравнений только для двух r r функций: средней намагниченности решетки M (r,t) и функции распределения электронов в смешанном координатно-импульсном r r представлении Вигнера f ( p,r,t). Система состоит из уравнений прецессии типа уравнения Ландау-Лифшица и кинетических уравнения для носителей тока типа уравнения Больцмана. Связь между уравнениями существует из-за s-d обмена: электроны вносят вклад в эффективное поле, действующее на намагниченность, а намагниченность решетки входит в кинетические уравнения в виде силы, действующей на электрон. Кроме того, учтено взаимодействие когерентных спиновых волн (СВ) и электронов с термостатом, роль которого играют тепловые (некогерентные) магноны («магнитный» термостат), а также фононы и примеси («немагнитный» термостат). В уравнения движения взаимодействие с термостатом дает вклад в виде релаксационных членов. Интеграл столкновений электронов с флуктуациями намагниченности связывается с электронным вкладом в релаксационный член в уравнении Ландау-Лифшица.

Из полученных уравнений, дополненных уравнениями Максвелла, выводятся законы дисперсии СВ в безграничных ферро- и антиферромагнитных полупроводниках (ФМП и АФМП).

В главе 2 на основе полученных дисперсионных уравнений решается задача о влиянии столкновений электронов проводимости с термостатом на поглощение когерентных СВ в ФМП и АФМП. Это влияние проявляет себя по разному (качественно и количественно) до и после порога одномагнонных переходов, определяемого законами сохранения при переходе электрона из одной спиновой подзоны в другую, отделенную щелью Ф0. Порог по волновому числу СВ q0 = Ф0 /vF.

В случае ФМП в запороговой области впервые рассчитано электронное r r q Hпоглощение СВ с, когда существенное значение имеют и s-d обмен и дипольные поля. Дана наглядная геометрическая интерпретация процесса поглощения СВ и влияния дрейфа носителей на него. Учет дрейфа электронов показывает, что благодаря инверсии знака электронного поглощения, в принципе, возможна и перекомпенсация магнитных потерь.

Столкновения электронов с термостатом приводят к релаксации поперечной компоненты намагниченности электронов к локальному значению намагниченности с характерным временем . Физический смысл этого времени зависит от механизма рассеяния. При рассеянии «немагнитном» термостате – это время между двумя столкновениями, приводящими к изменению проекции спина электрона. В случае «магнитного» термостата - это время хаотизации фазы прецессии электронного спина без изменения его проекции. Время "хаотизации" фазы можно трактовать, как время образования "единого" магнона [10]. В CdCr2Se ~ 10-14c. В допороговой области именно столкновения открывают канал обменного поглощения СВ, а в апороговой области они уменьшают величину этого поглощения (Рис.1).

y 0.0.8 y 1 а б 0.6 0.0.0.4 0.0.2 x x 1 2 3 4 1 2 3 4 Рис.1. Влияние столкновений на s-d обменное поглощение СВ в ферромагнитных полупроводниках y = /0 в зависимости от приведенного волнового числа x = q / q0 :

а- магнитный термостат, б- немагнитный термостат. 1- Ks=10-2, 2- Ks=10-1, 3 - Ks=310-1, 4- Ks=1. Параметр столкновений Ks = /(Ф0).

В случае АФМП получены и исследованы явные аналитические выражения для электронного коэффициента поглощения СВ при любых значениях параметра ql x/Ks. Рассмотрены ферромагнитные и анти-ферромагнитные r r r r типы волн при двух направлениях распространения ( q H0 и q H0 ) в АФМП с анизотропией «легкая ось» (ЛО) и «легкая плоскость» (ЛП).

Поскольку расщепление спиновых подзон в АФМП, существенно меньше, чем в ФМП, то одномагнонные процессы являются практически беспороговыми. Исследовано влияние дрейфа на электронное поглощение и возможность усиления СВ. При выполнении черенковского условия vd > /q электронное поглощение меняет знак. Для полупроводников типа MnTe максимальные коэффициенты электронного поглощения СВ < 108 сек-1 при любых направлениях распространения и характерах анизотропии.

Неэлектронное поглощение составляет ~107 сек-1 для анизотропии типа ЛП и 109 сек-1 для анизотропии типа ЛО. Следовательно достижения условий усиления СВ током электронов, можно ожидать лишь в АФМП с анизотропией типа ЛП.

В разделе 2.3 рассматривается влияние внешних электрических полей (постоянного и переменного частоты ) на распространение СВ в ФМП при различных значениях параметра столкновений . В бесстолкновительном режиме показана возможность резонансной перестройки спектра СВ вблизи резонансных частот = n/2. В резистивном режиме << 1 предсказан и исследован эффект нерезонансного усиления СВ. Усиление вызвано передачей мощности электрического поля к спиновым волнам через канал s-d обменного взаимодействия. Оценки для HgCr2Se4 показывают, что для наблюдения рассмотренных эффектов необходимы напряженности полей порядка нескольких кВ/см, что может быть реализовано экспериментально.

Основные результаты данной главы сравниваются с результатами других работ [20-23].

В главе 3 рассматривается нелинейный по амплитуде СВ s-d обменный эффект наведения постоянной ЭДС в ФМП. Этот эффект не связан с передачей электронам импульса при поглощении ими волны, т.е. он не сводится к эффекту увлечения электронов. Показано, что СВ, благодаря s-d обменному взаимодействию, модулирует энергию электронов и это приводит к пространственной неоднородности их электрохимического потенциала и отличному от нуля статическому току. В результате в разомкнутом образце возникает статическое электрическое поле. В случае безграничной среды неоднородность обусловлена затуханием СВ в направлении распространения, которое в силу малости электронного вклада определяется главным образом магнитным затуханием. Расчеты проведены для случаев поверхностных магнитостатических волн (ПМСВ) и обратных объемных МСВ в пластинах. Из-за спада амплитуды ПМСВ по толщине пластины в этом случае помимо продольной ЭДС генерируется также поперечная ЭДС.

Для случая обратных объемных МСВ поперечная ЭДС не возникает, так как нелинейная компонента продольной намагниченности есть четная функция поперечной координаты. Для оценок эффекта использовались параметры ФМП, соответствующие экспериментальным образцам [24]. Оценка величины продольного эффекта дает значение близкое к экспериментальному, а поперечный эффект оказывается мал по сравнению с продольным.

В части 2 работы (главы 4-5) рассматриваются СВ в слоистых структурах, содержащих магнетик и сверхпроводник 2 рода, находящийся в смешанном состоянии.

В главе 4 исследуются дисперсия и затухание различных типов МСВ в этих структурах. В разделе 4.1 рассматривается влияние сверхпроводника на доменную структуру ферромагнетика. Показано, что при экранировании сверхпроводником полей рассеяния доменной структуры, период самой структуры уменьшается. Максимальное уменьшение размера доменов в 1.225 раз по сравнению со свободной ферритовой пленки происходит при полном экранировании полей доменов. В разделе 4.2.выводится дисперсионное уравнение для СВ в структуре ферромагнетик сверхпроводник. Электродинамика сверхпроводника описывается введением эффективной высокочастотной проводимости = + i, которая определяет глубину проникновения электромагнитного поля в проводник l. Уравнение получено в общем виде для волн TE-типа, распространяющихся в структуре магнетик - сверхпроводник при различных направлениях подмагничивающего поля.

Далее в разделах 4.3, 4.4 и 4.5 на основе полученного ДУ исследуются особенности распространения поверхностных МСВ. В 4.3 показано, что влияние сверхпроводника на ЗД кардинальным образом отличается от влияния нормального металла: в области больших волновых чисел 1 d M () q0 = ln[ ] возникает обратная ветвь ЗД с малым 2d L M () + D.E.() затуханием, где групповая скорость меняет знак (M (),DE() граничные частоты для ПМСВ в металлизированном и свободном ферромагнитном слое).

В разделе 4.4 показывается, что наличие вихревой решетки сверхпроводника (с периодом a) приводит к резонансному взаимодействию длинноволновых (дипольных) спиновых волн с коротковолновыми (обменными) спиновыми волнами (Рис.3). В области резонанса возникают /M /M n=±0.0.n=0.0.qd q'd 1 2 0 2 0 2 qd q''d 2 n=q'd n=2 -n=---qd -0 1 2 Рис.2. Проекции трехмерных законов дисперсии СВ (q,q ) в структре магнетик- сверхпроводник при (d / L )2 = 60, (d / lSK )2 = 0. Вверху – на плоскость (,q ), внизу – на плоскость (q,q ). Слева – при отсутствии затухания в системе, справа – при наличии магнитного затухания H / 4M0 =10-4 ; M = 4M0.

связанные колебания и происходит перестройка спектра и изменение затухания взаимодействующих волн.

В 4.5 в рамках модели эффективной джозефсоновской среды для гранулярного высокотемпературного сверхпроводника q - /a q /a 1,получены выражения для комплексной глубины проникновения электромагнитного Рис.3.Дисперсионные зависимости для ПМСВ (1) и СВ поля спиновой волны и рассчитаны ЗД для (2), и их гармоники, приведенные к первой зоне Бриллюэна; ПМСВ. Полученные результаты K q1,2 = (1 ± K), K <<1.

используются для интерпретации первого a экспериментального наблюдения влияния пластин и пленок YBaCuO на поглощение и дисперсию ПМСВ.

Разделы 4.6, 4.7 посвящены теоретическому и экспериментальному исследованию распространения МСВ в структурах, помещенных в нормальное намагничивающее поле. В 4.6 рассмотрено влияние движения вихрей магнитного потока в сверхпроводнике II рода на дисперсию и затухание ПОМСВ. Получены выражения для комплексной глубины проникновения в модели вязкого течения вихрей магнитного потока под действием электромагнитных полей спиновых волн. Волна, приводя вихри в движение, испытывает обратное влияние из-за изменения эффективной проводимости пленки сверхпроводника. Это изменение проявляется как в положении дисперсионной кривой (q) (между дисперсионными кривыми D M 0 (q) и 0 (q) ), так и в появлении дополнительного поглощения МСВ.

Показано, что, в зависимости от отношения l квадрата глубины проникновения к произведению длины волны на толщину сверхпроводника, положение дисперсионной кривой меняется между законами дисперсии для диэлектрического покрытия и покрытия из идеального металла. при уменьшении температуры.

В разделе 4.7.1 излагаются результаты экспериментального исследования распространения ПОМСВ в структурах, состоящих из пленки железоиттриевого граната (ЖИГ) и тонкой пленки YBaCuO, в диапазоне температур от 300К до 77К. Выше температуры сверхпроводящего перехода TC обнаружена немонотонная зависимость затухания волны от температуры с максимумом при 130 К.

Рис.5. Изменение частоты f qd при ( ) различных значениях приведенной Рис.4. Зависимости от приведенной температуры. При t [0.9, 1], шаг t = температура t=T/TC: минимальных потерь 0.02; при t [1, 2.5], шаг t = 0.1.

в пленке ЖИГ (1), потерь, вносимых Пунктирные линии - расчет по модели двумя различными пленками СП ( 2, 3).

движущихся вихрей при t = 0.92 и t = 0.98.

Теоретически показано, что такое поведение связано с изменением соотношения между длиной волны и эффективной длиной экранирования, зависящей от температуры (Рис.5). Результаты расчета дают для температурного положения максимума поглощения и его величины качественное и количественное согласие с экспериментом.

В разделе 4.7.2 впервые экспериментально исследовано затухание спиновых волн в структуре с сильно анизотропным висмутсодержащим высокотемпературным сверхпроводником в диапазоне температур от 60 до 120 К. Температурные зависимости сопротивления, измеренные при различных значения внешнего магнитного поля, имеют области, соответствующие представлениям о термически активированном движении вихревой жидкости (TAFF). Интерпретация полученных результатов основывается на вычислении высокочастотного поверхностного импеданса структуры в рамках модели TAFF. Показано, что наблюдаемая температурная зависимость затухания может быть связана с переходами между различными состояниями системы вихрей сверхпроводника:

запутанной вихревой жидкостью и вихревым стеклом.

В разделе 4.8 показывается, что в структуре, состоящей из двух сверхпроводников, разделенных антиферромагнитной прослойкой, возможно образование медленных поляритонов, возникающих в области резонансного взаимодействия замедленных электромагнитных волн Свайхарта с колебаниями намагниченности в прослойке. Выведено обобщенное соотношение Джозефсона, описывающее связь градиента фазы и магнитного поля в переходе с антиферромагнитной диэлектрической прослойкой.

Получена система уравнений, описывающих взаимодействие медленных поляритонов с волной джозефсоновского тока. Показано, что это взаимодействие приводит к особенностям ВАХ структуры: появлению двух серий неэквидистантных всплесков тока в случае короткого перехода и двух резонансов в случае бесконечно длинного перехода. Получены оценки параметров взаимодействия (величины щели в спектре поляритонов и напряжений, при которых возникают особенности на ВАХ).

В главе 5 исследуется влияния на характеристики распространения ПОМСВ постоянного транспортного тока I, текущего в слое СП перпендикулярно направлению волнового вектора. Взаимодействие волны с током происходит за счет силы Лоренца, создающей направленное движение вихрей магнитного потока в СП с постоянной скоростью v, параллельной фазовой скорости волны. В результате, эффективная комплексная глубина проникновения становится зависящей от постоянного тока. В работе [12] был рассмотрен вопрос о возможности «черенковского» усиления волны движущимися вихрями для конкретного случая тонкой пленки ВТСП.

В разделе 5.1 исследуется влияние тока как на электронное поглощение, так и на изменение закона дисперсии МСВ при произвольной толщине сверхпроводника. Показано, что влияние ВТСП на характеристики волны существенно зависит от соотношений глубины проникновения поля в сверхпроводник, длины волны и толщины сверхпроводника.

В разделе 5.2 показано, что в случае нелинейной ВАХ сверхпроводника, его эффективная высокочастотная проводимость содержит два вклада, пропорциональные величине транспортного тока: рассмотренный ранее черенковский и вклад, связанный с дифференциальной проводимостью. Эти два вклада входят аддитивно, поэтому возможно инвертировать знак эффективной высокочастотной проводимости даже тогда, когда ни черенковский механизм, ни связанный с нелинейностью ВАХ механизм в отдельности не обеспечивают неустойчивости. Для конкретного расчета дисперсии и затухания использовалась модель, предложенная Ларкиным и Овчинниковым [25], в которой нелинейность ВАХ обуславливалась неравновесными процессами в корах движущихся вихрей. Для случая сублинейной ВАХ показано, что усиление спиновых волн будет происходить при скоростях дрейфа в пять раз меньших фазовой скорости волны. При этом величина коэффициента усиления может 100 дБ. (Рис.6).

В разделе 5.3 приводятся результаты исследования влияния на затухание ПОМСВ тока, текущего перпендикулярно направлению распространения волны, в пленочной структуре ЖИГYBaCuO. Описывается эффект “однонаправленного просветления” структуры, заключающийся в уменьшении поглощения волны под действием транспортного тока I. При изменении направления тока, волны или поля на обратное этот эффект исчезает, а при одновременном изменении направлений двух любых Рис.6. Влияние электрического поля на векторов из трех - сохраняется. Для дисперсию (x)- (а) и поглощение (x)-(б) ПОМСВ: 1-К(0)=2, 2- К(0)=8, 3- К(0)=32;

интерпретации этого эффекта пунктир- вклад магнитных потерь – H/М.

рассматривается влияние движения гипервихрей - вихрей магнитного 1.0.-0.--1.-0 50 100 150 2I(mA) -1 -0.5 0 0.5 x Рис.7. ВАХ структуры (o) U(I) Рис.8. Зависимости изменения затухания и изменение поглощения СВ A(I)– v/vph=волны как функция при x = I / IC A(0):, параллельны (+) и q v 0.3x, J(0 ) : 1.26 (1), 1.79 (2), 2.53 (3) мкм.

антипараллельны (*).

потока, не имеющих нормальной сердцевины - на характеристики распространения ПОМСВ. Показано, что связанная с движением гипервихрей проводимость возрастает с ростом тока при антипараллельности скоростей волны vph и вихрей v, и уменьшается при их параллельности.

Одновременно вне зависимости от направления этих скоростей, из-за влияния постоянного тока на критические параметры слабой связи, A(I)-A(0),(dB); U(m V) (I) A -A(0),dB увеличивается джозефсоновская глубина проникновения J(I), что ведет к росту поглощения. В результате (Рис.8) в первом случае получается немонотонная зависимость поглощения от тока с областью “просветления”, а во втором случае - монотонное увеличение поглощения, что и наблюдается на эксперименте.

В разделе 5.4. теоретически исследуется генерация постоянного электрического поля в пленке сверхпроводника за счет движения вихревой структуры под действием электромагнитных полей МСВ [26]. Возникающее в поперечном направлении (относительно распространения волны) r r электрическое поле [v1,B1], т.е. произведению линейных по амплитуде волны вкладов в скорость и концентрацию вихрей (n B1 ). Усреднение поля по периоду волны дает значение постоянной ЭДС в пленке 2q сверхпроводника V = W0. Предложен способ увеличения этого эффекта в cBдесятки раз за счет соединения большого числа тонких сверхпроводящих полосок, расположенных перпендикулярно направлению распространения волны.

На основе этого эффекта теоретически рассмотрена возможность осуществления операции свертки двух МСВ, распространяющихся навстречу друг другу. В отсутствие транспортного тока вклады двух волн взаимно компенсируются из-за симметрии задачи. Транспортный ток, создающий дрейф вихрей в направлении распространения одной из волн, нарушает эту симметрию. Показано, что разделение сверхпроводящей пленки на несколько частей, соединенных между собой так, что в соседних частях токи текут в противоположных направлениях (меандр), приводит к тому, что оба сигнала МСВ будут ослабляться (или усиливаться) в одинаковой степени.

Таким образом можно получить истинную свертку сигналов с одновременной компенсацией потерь.

В третьей части изучаются линейное и нелинейное взаимодействия спиновых и акустических волн с электронами проводимости в цилиндрических слоистых структурах феррит – полупроводник, пьезополупроводник, немагнитный диэлектрик – полупроводник (глава 7).

В главе 6 исследуется взаимодействие МСВ в бесконечном круговом ферритовом цилиндре радиуса R с азимутальным электронным потоком в слое полупроводника, покрывающего цилиндр. Рассматривается влияние электронов проводимости на спектр и поглощение безобменных МСВ.

Обосновывается возможность черенковского усиления волны дрейфом электронов, когда скорость дрейфа v превышает азимутальную фазовую скорость волны v=R / n, где n - азимутальное волновое число (Рис.9). При этом фазовая скорость вдоль оси цилиндра / q может быть сколь угодно большой. Показано, что в случае цилиндра конечной длины возможна неустойчивость стоячих по оси цилиндра волн, поле которых также, как и поле бегущих волн в бесконечном цилиндре, вращается в азимутальной плоскости в направлении вращения электронов со скоростью v < v.

Y В разделе 6.3. исследуется 0.увлечение электронов спиновыми 0. X волнами в случае, когда в -1 -0.5 0.5 1 1.5 полупроводниковом слое имеется -0.бесконечно узкий радиальный -0.разрез вдоль оси цилиндра. С помощью метода функций Грина Рис.9. Электронный вклад в коэффициент поглощения МСВ, х=v/v, K=nlsk/R, K2<<1;

решаются задачи о возникновении K= 0.2 (—), 0.3 (-. -), 0.5 (…).

азимутальной ЭДС в гальванически разомкнутом полупроводнике и влиянии увлечения на ВАХ образца в гальванически замкнутом полупроводнике. Показано, что эффекты неустойчивости и генерации ЭДС должны проявляться в экспериментах по ФМР в виде сужения линии и возникновении соответствующих пиков ЭДС.

Приводятся оценки для типичных параметров полупроводника n-GaAs и феррита типа ЖИГ с величиной собственных магнитных потерь H 0,5 Э при комнатной температуре.

В главе 7 рассматриваются свойства сдвиговых поверхностных акустических волн (ПАВ), распространяющихся перпендикулярно образующей по выпуклой цилиндрической поверхности твердого тела, покрытой слоем инородного материала. Показано, что в цилиндрической геометрии возможно существование чисто сдвиговых ПАВ и тогда, когда скорость звука в слое больше, чем в материале цилиндра. Это обстоятельство расширяет выбор пар пьезоэлектрик – полупроводник для целей усиления акустических волн.

Получены выражения для коэффициентов усиления ПАВ круговыми электрическими токами в случаях: а) когда тонкий слой полупроводника нанесен на поверхность пьезоэлектрического цилиндра и б) и в объеме пьезополупроводника для геометрии диска Корбино. Для этих же структур в разделе 7.5 исследуется эффект увлечения. Специфика задачи приводит к тому, что соотношения Вайнрайха для токов увлечения выполняются с точностью до геометрического множителя. В диске Корбино в магнитном поле увлечение электронов ПАВ будет сказываться в суперлинейности ВАХ диска.

Четвертая часть посвящена акустическим явлениям в пьезо- и магнитодиэлектриках и сверхпроводниках и состоит из двух глав.

В главе 8 изучаются особенности распространения акустических и магнитоупругих волн в условиях импульсного и резонансного возбуждения.

В разделе 8.2 представлены результаты экспериментального и теоретического исследования частотного спектра магнитоупругого отклика (магнитоакустического эха), возникающего при импульсном возбуждении ПМСВ в пленке висмут-лютециевого граната (BiLu)3Fe5O2, на диэлектрической подложке толщины L из галлий-гадолиниевого граната (ГГГ). Обнаружено, что частотный спектр эха, состоящего из нескольких (5-6) задержанных импульсов, содержит только линии соответствующие частотам нормальных акустических мод подложки fn = VSn 2L = n ; n ~ 103, VS = 3,57 105 см/сек - скорость поперечных звуковых волн в ГГГ. Спектры одиночного (m) или двух (m и p) эхо-импульсов имеют дополнительные линии, расположенные между линиями нормальных мод. Анализ формирования спектра эхо-импульсов показал, что особенности m спектрального отклика состоят из набора частот f = fnk = fn[1 + k /(m - p)] ( k = 0,1,...,m - p -1), независящих от несущей частоты F и приложенного магнитного поля H0, что и наблюдается в эксперименте. При изменении F и H0 в целом изменяется только огибающая спектра.

В разделах 8.3 - 8.5 рассмотрены эффекты, возникающие в многочастотных резонаторных структурах, состоящих из слоев:

пьезоакустического преобразователя, возбуждающего объемные акустические волны (ОАВ) частоты (например, пленка ZnO с металлическим электродами), и различных слоев исследуемых материалов -(пластин или пленок на соответствующих x f(H )-f(0 ) f(0 ) подложках).

В разделе 8.3 рассматривается влияние магнитоупругости на спектры резонаторов, 1 содержащих слои феррита (ЖИГ). Внешнее H,Oe 100 2магнитное поле Н лежит в плоскости раздела Рис.10. Изменение резонансной слоев. Показано, что в составном резонаторе частоты от поля; 1-учет неоднородного обмена, 2-без с толстой ферритовой пленкой-подложкой учета обмена, точкиэксперимент Salvo и др.

происходит сильное уширение нескольких линий спектра акустических мод, попавших в окрестность магнитоупругой щели, уменьшение амплитуд и расстояний между ними (Рис.10). В области самой щели происходит полное исчезновение этих линий. В составном резонаторе с тонкой ферритовой пленкой возможно воздействие внешнего магнитного поля на единичные резонансные пики. Это обусловлено наличием у тонкой пленки собственных спин-волновых резонансов (СВР).

При изменении магнитного поля, когда частота СВР приближается к одному из резонансных пиков структуры, добротность и амплитуда последнего падают до нуля (Рис.11).

Рис.11. Амплитудная (вверху) и фазовая (внизу) Ohm характеристики входного электрического импеданса 1 резонатора с пленкой ЖИГ в магнитном поле H= 257.7 Э.

2.00 2.Rad Если при изменении магнитного поля, частота одного -из СВР попадает в середину отрезка между двумя 2.00 GHz 2.соседними резонансными пиками, то возникает новый высокодобротный резонансный пик на импедансной характеристике структуры.

В разделе 8.4 рассматривается взаимодействие звуковых волн с вихрями магнитного потока сверхпроводника, которое происходит через центры пиннинга. Исследованы три основных режима динамики вихрей: а) режим TAFF; б) режим течения вихрей (FF) и в) промежуточный режим Кэмпбелла, которые определяются соотношением между частотами звука, пиннинга и крипа потока. Вычислены входные электрические импедансы составного резонатора со слоем сверхпроводника при различных значениях поверхностного пиннинга. Показано, что Рис. 12. Полевые зависимости: а) влияние вихрей может приводить к сдвига резонансной частоты составного резонатора ОАВ со изменению добротности резонанса в 5 – слоем сверхпроводника, б) добротности резонанса в случае раз и к довольно малому, но вполне слабого поверхностного пиннинга;

доступному наблюдению сдвига 1- t = 0.6, 2 - 0.7, 3 - 0.8, t=T/TC резонансной частоты.(Рис.12.).

В разделе 8.5 развивается теория параметрического усиления акустических волн в составных резонаторах. Вычисляются входные электрические импедансы резонаторов, состоящих из двух пьезоэлектрических слоев. Один из них, как и прежде, входной электрический преобразователь, соединенный с источником сигнала переменного напряжения V(). Второй слой является параметрическим и в зависимости от выбранного метода может быть либо соединен с электрической емкостью, где m и – глубина и C () = C0 (1 + m cos t) частота модуляции, либо быть просто помещенным в переменное электрическое поле. На границах слоев находятся металлические электроды, которые считаются бесконечно тонкими и идеально проводящими. В этих случаях в среде возбуждаются переменные во времени и в пространстве электрические поля, что может приводить к дополнительному поглощению или усилению (генерации) акустических волн. Частотные зависимости входного электрического импеданса структуры ZE, для случая периодического изменения граничных электрических условий за счет варакторной нагрузки представлены на Рис.13. Возникновение дополнительных пиков с отрицательным реактансом (пороговая глубины модуляции m = 0.012) означает, что вместо ослабления сигнала возникает его усиление. Величина отрицательных пиков, размер и положение области параметрической неустойчивости определяются частотой и амплитудой накачки. С ростом m увеличивается частотный интервал области параметрической неустойчивости, а величина пика отрицательного реактанса падает.

x 0.-0.--1.-3.716 3.717 3.718 3.719 3.72 3.721 3.722 3.723 3.7 f, Гц x Рис.13. Частотные зависимости (вверху) и (внизу) ZE Re ZE Рис.14. Частотные зависимости для Re ZE составного резонатора из ZnO и одного из резонансов составного резонатора LiNbO3 (параметрическая среда);

из ZnO(8 мкм) и GaAs (100 мкм) при F/1 -m=0, F=2=0; 2 - m= 0.2, F /=371МГц и амплитудах накачки: 1,2,3 - E= 2.0838 ГГц; 3 - m = 0.2, F /2= =0,129,170 В/см.

2.0943 ГГц.

ReZe, Ом Второй рассмотренный механизм связан с нелинейным пьезоэффектом в параметрическом слое. Переменное электрическое поле накачки считалось приложенным непосредственно к параметрической среде. Как следует из расчетов, при воздействии поля накачки с частотой близкой к удвоенной частотой отдельного резонанса пик реактанса сначала сужается, а при достижении порогового значения поля накачки (77,55 кВ/м) меняет знак, причем | Re Ze | возрастает до 108 Ом.

Расчеты для структуры, содержащей слой GaAs, также показывают возможность параметрического усиления и генерации акустических волн в результате их взаимодействия с волнами электронной плотности в слое полупроводника, помещенного в перемененное электрическое поле (Рис.14).

В данном случае, при одной и той же частоте накачки может возникать несколько дополнительных резонансных пиков, отстоящих друг от друга почти на таком же расстоянии, что и основные пики. Небольшие изменения частоты накачки изменяет величину порогового поля, частоту усиливаемого сигнала и его амплитуду. Для резонанса, приведенного на Рис.14 пороговое поле составляло 129В/см. Частотный интервал области параметрической нестабильности возрастает с увеличением поля накачки.

В главе 9 рассматривается возможность распространения поверхностных акустических волн с единственной сдвиговой компонентой упругого смещения в полупроводниках и сверхпроводниках второго рода. В первом случае (раздел 9.1) нормальное напряжение на поверхности из-за механического смещения может компенсироваться нормальным напряжением, возникающим из-за воздействия электронов на решетку через потенциал деформации. Для этого необходимо, чтобы недиагональные компоненты тензора потенциала деформации были отличны от нуля.

Показано, что в гексагональных кристаллах класса С6v с поверхностью XZ среза при распространении волны под некоторым углом к оси z, это условие выполняется для почти сдвиговых волн.

В сверхпроводниках II рода условие для существования сдвиговой ПАВ обеспечивается ее взаимодействием с вихрями магнитного потока через потенциал пиннинга. В разделе 9.2 рассмотриваются случаи слабого и сильного объемного пиннига, а также влияние на область существенного ПАВ условий закрепления вихрей на поверхности. В режиме почти свободных в объеме вихрей, когда частота волны превышает кэмпбелловскую частоту, глубина проникновения ПАВ определяется отношением механической жесткости к величине поверхностного закрепления вихрей и превышает длину волны в десять раз. Относительное изменение скорости звука составляет 1%.

При меньших частотах или при бльшем объемном пиннинге локализация волны у поверхности значительно уменьшается.

Граница области существования ПАВ соответствует гребню рельефа на Рис.15, Рис.15. Зависимость глубины область максимальной локализации – проникновения упругого смещения от частоты f и магнитного поля B.

впадине.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ 1. С использованием выведенных уравнений движения для последовательных функций распределения (намагниченности решетки и электронов) получены дисперсионные уравнения для СВ, распространяющихся в магнитных (ферро- и антиферромагнитных) полупроводниках.

2. Исследовано затухание когерентных СВ в МП при одновременном учете sd обменного и дипольного взаимодействий волн с электронами проводимости и справедливые при любых значениях параметра столкновений электронов ql ( ql <<1, ql ~1, ql >>1). Рассмотрены различные случаи ориентации волнового вектора СВ относительно направления подмагничивающего поля, а для антиферромагнитного полупроводника – различные типы колебаний намагниченности и различные типы анизотропий.

Выяснены физические причины возникновения поглощения СВ и показана возможность компенсации потерь за счет черенковской генерации магнонов.

3. Показано, что в ферромагнитном полупроводнике, помещенном в переменное по времени и однородное в пространстве электрическое поле частоты , такой, что = n / 2, возникает перестройка спектра СВ, приводящая к появлению полос непрохождения СВ. При этом неустойчивость СВ на этих частотах не возникает, что связано с невозможностью удовлетворить законам сохраненния На частотах же удовлетворяющих условию <<1, где - время свободного пробега электронов, возникает нерезонансное усиление СВ электронами. При типичных значениях параметров при 77 К коэффициент усиления составляет 17 дБ на длине пробега спиновой волны 500 мкм в широкой полосе частот, порядка частоты ФМР.

4. Предложен новый s-d обменный механизм генерации постоянного напряжения при распространении СВ в ферромагнитном полупроводнике, не связанный с электронным поглощением волны. Благодаря s-d обменному взаимодействию СВ модулирует энергию электронов, что приводит к пространственной неоднородности электрохимического потенциала и отличному от нуля статическому стороннему току.

Указанный эффект рассчитан для спиновых волн в безграничной среде и для волн в пластинах: поверхностных магнитостатических волн (ПМСВ) и обратных объемных МСВ. В случае ПМСВ из-за спада амплитуды по толщине слоя помимо продольной ЭДС генерируется также поперечная ЭДС.

Для случая обратных объемных МСВ поперечная ЭДС не возникает, так как нелинейная компонента продольной намагниченности есть четная функция поперечной координаты.

5. Впервые теоретически исследована роль сильно затухающих решений в формировании законов дисперсии поверхностных СВ в планарной структуре магнетик - металл (нормальный или сверхпроводящий). Показано, что в случае сверхпроводника закон дисперсии спиновых волн кардинальным образом отличается от случая нормального металла: даже в отсутствие диссипации в системе существует затухающее решение, пересекающее незатухающее при некотором действительном значении волнового числа. В окрестности точки пересечения затухающее решение становится распространяющимся, а при переходе через нее групповая скорость меняет знак. Диссипация приводит к появлению интервала волновых чисел, внутри которого существует только нераспространяющееся решение.

6.Установлено, что наличие вихревой решетки сверхпроводника может обеспечивать резонансное взаимодействие длинноволновых МСВ со коротковолновыми СВ. Предложено качественное объяснение экспериментально наблюдавшихся узких линий поглощения на АЧХ структур феррит-ВТСП.

7. Показано, что в структуре, состоящей из двух сверхпроводников с антиферромагнитной прослойкой, возможно образование медленных поляритонов, которые возникают в области резонансного взаимодействия замедленных электромагнитных волн Свайхарта с колебаниями намагниченности в прослойке. Рассмотрено взаимодействие медленных поляритонов с волной джозефсоновского тока и рассчитано влияние этого взаимодействия на ВАХ структуры.

8. Впервые исследовано распространение ПОМСВ волн в структурах, состоящих из пленки ЖИГ и слоя ВТСП в температурном диапазоне от 60 К до 300 К.

Для структуры с тонкой пленкой YBaCuO выше температуры сверхпроводящего перехода обнаружена немонотонная зависимость затухания волны от температуры с максимумом при 130К. Показано, что такое поведение связано с изменением соотношения между длиной волны и эффективной длиной экранирования, зависящей от температуры.

Для структуры с пластиной BiCaSrO обнаружена корреляция в монотонном поведении температурного хода затухания спиновой волны и статического сопротивления ВТСП. Показано, что наблюдаемая температурная зависимость затухания может быть связана с переходами между различными состояниями системы вихрей сверхпроводника:

запутанной вихревой жидкостью и вихревым стеклом.

9. Предложен и исследован новый механизм усиления СВ в структре магнетик - сверхпроводник II рода с сублинейной ВАХ. Показано, что усиление происходит за счет дрейфа вихрей магнитного потока под действием постоянного транспортного тока при скоростях дрейфа на порядок меньших фазовой скорости волны. Найдена зависимость групповой скорости волны от величины транспортного тока.

10. Впервые экспериментально исследовано влияние величины и направления транспортного тока на распространение СВ в слоистой структуре магнетик - сверхпроводник. Обнаружено явление невзаимного "просветления" структуры, заключающееся в уменьшении поглощения волны в случае антипараллельности фазовой скорости волны и скорости вихрей. На основе модели движения гипервихрей магнитного потока в джозефсоновской среде предложена теоретическая интерпретация, удовлетворительно объясняющая полученные результаты.

11. Предсказан и рассчитан эффект увлечения вихрей бегущей МСВ, приводящий к генерации постоянного напряжения в ВТСП. Впоследствии этот эффект был обнаружен экспериментально [16].

12. Развита теория конвольвера, осуществляющего операцию свертки двух распространяющихся навстречу сигналов МСВ в слоистой структуре феррит - сверхпроводник. Предложена модель, позволяющая получать свертку сигналов с одновременной компенсацией потерь; рассчитана эффективность такого устройства.

13. Разработана теория акусто- и магнитоэлектронного взаимодействия в цилиндрических структурах. Впервые показано, что вследствие конечной кривизны цилиндрической поверхности возможно существование чисто сдвиговых ПАВ даже в том случае, когда скорость звука в покрывающем цилиндр слое больше, чем в самом цилиндре. Обоснована возможность черенковского усиления быстрых бегущих и стоячих спиновых волн в телах вращения. Рассчитан азимутальный эффект увлечения электронов спиновыми волнами в цилиндрических структурах феррит-полупроводник.

14. Развита теория параметрического усиления акустических волн в составных резонаторах, состоящих из входного преобразователя и различных параметрических (пьезоэлектрических, диэлектрических и полупроводниковых) слоев. Рассмотрены различные механизмы параметрического взаимодействия:

- периодическое изменение электрических граничных условий;

- нелинейный пьезоэффект в параметрическом слое;

- взаимодействие акустических волн с волнами электронной плотности в слое полупроводника, помещенного в перемененное электрическое поле.

15. Построена теория составного акустического резонатора, включающего в себя слои феррита и пьезоэлектрика, помещенного в поперечное управляющее магнитное поле. Показано, что в случае толстого слоя феррита происходит сильное уширение сразу нескольких линий спектра акустических мод попадающих в окрестность магнитоупругой щели (порядка 30 МГц), а в области самой щели происходит полное исчезновение этих линий. В случае тонкой ферритовой пленкой возможно воздействие внешнего магнитного поля на единичные резонансные пики.

16. Показано, что взаимодействие акустических волн с вихрями магнитного потока в сверхпроводниках за счет поверхностного пиннинга создает условия существования чисто сдвиговой ПАВ (типа волны Гуляева -Блюштейна).

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Гуляев Ю.В., Ползикова Н.И. Сдвиговые поверхностные акустические волны на цилиндрической поверхности твердого тела, покрытого слоем инородного материала.//Акуст. журн. – 1978 – Т.24, №.4 – С.504-507.

2. Гуляев Ю.В., Ползикова Н.И. Поперечный акустоэлектрический эффект в неоднородных полупроводниках.//ФТП – 1979 – Т.13, №.7– С. 1441-1443.

3. Гуляев Ю.В., Морозов А.И., Ползикова Н.И. О сдвиговых поверхностных акустических волнах в полупроводниках.//ФТП – 1980 – Т.14, №.5 –С.882885.

4. Гуляев Ю.В., Мансфельд Г.Д., Ползикова Н.И. //Особенности усиления и генерации акустических волн в диске Корбино.//РЭ – 1980 – Т.25, №12 – С.1673-1676.

5. Гуляев Ю.В. Зильберман П.Е., Ползикова Н.И. “Неустойчивость стоячих спиновых волн в телах вращения.// Письма в ЖТФ – 1980 – Т.6, №.19 – С.1193-1196.

6. Ползикова Н.И., Зильберман П.Е., Гуляев Ю.В. Теория черенковского усиления бегущих спиновых волн в круговых цилиндрах.//РЭ – 1981 – Т.26, №2 – С.392-397.

7. Ползикова Н.И., Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е. Азимутальный эффект увлечения электронов магнитостатическими волнами в цилиндрических структурах феррит-полупроводник.//ФТТ – 1981– Т.23, №11 – С.3256-3261.

8. Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Ползикова Н.И., Раевский А.О. Влияние столкновений на обменное взаимодействие электронов проводимости со спиновыми волнами в ферромагнитных полупроводниках.//ФТТ – 1984 – Т.26, №9 – С.2689-2694.

9. Ползикова Н.И., Раевский А.О. Межподзонное s-d обменное поглощение спиновых волн в ферромагнитных полупроводниках//ФТТ – 1986 – Т. 28, №.– С.601-604.

10. Ползикова Н.И., Раевский А.О. Обменное усиление спиновых волн в магнитных полупроводниках. //Сб. Физические процессы в приборах электронной и лазерной техники. М.: МФТИ – 1987 – С.57-60.

11. Гуляев Ю.В., Ползикова Н.И., Раевский А.О. Обменный механизм наведения ЭДС спиновыми волнами в магнитных полупроводниках.//ФТТ – 1987 – Т.29, №11 – С.3405-3409.

12. Ползикова Н.И., Раевский А.О. К теории обменного поглощения и усиления спиновых волн электронами проводимости в антиферромагнитных полупроводниках.//ФТТ – 1988 – Т.29, №3 – С.701-706.

13. Зильберман П.Е., Ползикова Н.И., Раевский А.О. s-d обменный резистивный механизм усиления спиновых волн в ферромагнитных полупроводниках в высокочастотном электрическом поле.//Письма в ЖЭТФ – 1989 – Т.50, №6 – С.284-286.

14. Анфиногенов В.Б., Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Котелянский И.М., Ползикова Н.И., Суханов А.А.Наблюдение электронного поглощения магнитостатических волн в структуре феррит - высокотемпературный сверхпроводник.//Письма в ЖТФ – 1989 – Т.15, №14 – С.24-28.

15. Анфиногенов В.Б., Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Котелянский И.М., Ползикова Н.И., Суханов А.А. “Распространение поверхностной магнитостатической волны в структуре феррит - высокотемпературный сверхпроводник.// Сверхпроводимость: Физика, Химия, Техника – 1989 – Т.2, №12 – С.5-14.

16. Зильберман П.Е., Ползикова Н.И., Раевский А.О. Резонансная перестройка спектра и нерезонансное усиление спиновых волн в ферромагнитных полупроводниках в переменном электрическом поле.//ФТТ – 1990 – Т.32, №3 – С.756-761.

17. Ползикова Н.И., Раевский А.О. Эффект увлечения вихрей магнитостатической волной в структуре феррит - высокотемпературный сверхпроводник.// Письма в ЖТФ – 1990 – Т.16, №17 – С.73-77.

18. Ползикова Н.И., Раевский А.О. Неустойчивость спиновых волн в структуре феррит - высокотемпературный сверхпроводник с отрицательной дифференциальной проводимостью.//Письма в ЖТФ – 1990 – Т.16, №22 – С.59-63.

19. Polzikova N.I., Raevskii A.O. Nonlinear effects accompaning magnetostatic wave propagation in the ferrite - high temperature superconductor structure. // J.

Magn. Magn. Mater. – 1991 – V.101 – P.193-197.

20. Ползикова Н.И. Влияние сверхпроводника на доменную структуру ферромагнетика. // В сб. Тезисы докладов V Всесоюзной школы по спинволновой электронике СВЧ. Звенигород М.: ИРЭ РАН – 1991 – С.95-96.

21. Polzikova N.I., Raevskii A.O. Influence of vortex motion on magnetostatic wave propagation in the ferrite - high temperature superconductor structure. // J.

Advanced Sci. – 1992 –V.4, №3 – P.197-203.

22. Ползикова Н.И. Резонансное взаимодействие магнитостатических волн с решеткой вихрей магнитного потока в сверхпроводниках.// Письма в ЖТФ – 1993 – Т.19, №22 – С.28-32.

23. Ползикова Н.И., Раевский А.О. Усиление спиновых волн в структуре магнетик - сверхпроводник с нелинейной вольт-амперной характеристикой.

//Письма в ЖТФ – 1994 –Т.29, №19 –С.24-29.

24. Polzikova N.I., Raevskii A.O.Amplification of spin waves by moving magnetic flux vortices in magnet - superconductor layred structure. // J. Magn. Magn.

Mater. – 1995 – V.146 – P.351-353.

25. Гуляев Ю.В., Огрин Ю.Ф., Ползикова Н.И. Спектр магнитоакустического эха в слоистых феррит-диэлектрических структурах. // ДАН – 1995 – T.345, №1 – C.46-49.

26. Ползикова Н.И., Раевский А.О. К теории конвольвера на магнитостатических волнах в структуре феррит - сверхпроводник II рода. // Письма в ЖТФ – 1996 – T.22, №19 – C. 56 -61.

27. Gulyaev Yu.V., Ogrin Yu.F., Polzikova N.I., Ogrin F.Yu., Haycock P.W..

"Magnetoacoustic echo spectrum in ferrite-dielectric layer structure. // J. Magn.

Magn.Mater. – 1996 – V. 157/158 – P.482-483.

28. Ползикова Н.И., Раевский А.О. Особенности законов дисперсии поверхностных спиновых волн в структурах, содержащих сверхпроводник.//ФТТ – 1996 –T.38, №10 – С.2937-2940.

29. Гуляев Ю.В., Огрин Ю.Ф., Ползикова Н.И., Раевский А.О.

Однонаправленное уменьшение поглощения спиновых волн в структуре магнетик - сверхпроводник под действием транспортного тока.//Письма в ЖЭТФ – 1997 – Т.66, №1 – С.50-53.

30. Гуляев Ю.В., Огрин Ю.Ф., Ползикова Н.И., Раевский А.О. Наблюдение эффекта поглощения спиновых волн в слоистой структуре магнетик – сверхпроводник. //ФТТ – 1997 – Т.39, №9 – С.1628-1630.

31. Бугаев А.С., Ползикова Н.И., Раевский А.О. Медленные поляритоны в слоистой структуре сверхпроводник - антиферромагнетик - сверхпроводник.

//РЭ – 1998 – Т.43, №.6 – С.729-733.

32. Polzikova N.I., Raevskii A.O., Mansfeld G.D. Frequency Dependence of Ultrasound Attenuation in II - type Superconductor. //In Proceedings of 1998 IEEE Ultrasonics Symposium. N.Y.: IEEE – 1998 –V.2 – P.1227-1230.

33. Polzikova N.I., Mansfeld G.D. Magnetoelastic Interaction in the Bulk Acoustic Wave Composite Resonator with Ferrite Layer. //In Proceedings of 1998 IEEE Ultrasonics Symposium, N.Y.: IEEE –1998 –V.2 – P. 967-970.

34. Ползикова Н.И., Раевский А.О., Мансфельд Г.Д. Особенности поглощения ультразвука в сверхпроводнике 2-го рода в условиях резонансного возбуждения. //РЭ – 1999 – Т.44, №8 – С. 997-1002.

35. Огрин Ю.Ф., Ползикова Н.И., Раевский А.О., Ли С.Л., Огрин Ф.Ю.

Исследование температурной зависимости поглощения магнитостатических спиновых волн в структуре феррит- BiSrCaCuO” // РЭ – 1999 – Т.44, №.11 – С.1314-1319.

36. Мансфельд Г.Д., Ползикова Н.И., Прохорова И.Г., Раевский А.О. Анализ параметрических эффектов в составных акустических резонаторах на объемных акустических волнах. //РЭ – 2003 – Т.48, №7 – С.866-873.

37.Мансфельд Г.Д., Ползикова Н.И., Раевский А.О., Прохорова И.Г.

Параметрические эффекты в составных акустических резонаторах с пьезоэлектрическим полупроводником. // РЭ – 2005 – Т.50, №.7 – С.886-891.

38. Гуляев Ю.В., Ползикова Н.И., Раевский А.О. Сдвиговые поверхностные волны в сверхпроводниках.// РЭ – 2005 – Т.50, №9 – С.1139-1143.

39. Polzikova N.I., Raevskii A.O. Slow magnetic polaritons in the superconductormagnet-superconductor structure.//In Abstr. International Conference “Functional Materials” ICFM – 2007. Ukraine, Crimea, Partenit. – 2007. – P.318.

40. Ползикова Н. И., Мансфельд Г.Д., Алексеев С.Г., Раевский А.О. К расчету захвата энергии колебаний в резонаторах на основе изотропных и нанокерамических материалов//Акуст. журн. 2009. Т.55. № 1. С. 121-128.

41.Ползикова Н.И., Раевский А.О.“Межподзонное s-d обменное поглощение спиновых волн в ферромагнитных полупроводниках”. Препринт ИРЭ АН СССР No.21 (439), Москва, 1985, 16 с.

42. Анфиногенов В.Б., Зильберман П.Е., Котелянский И.М., Ползикова Н.И., Суханов А.А. Магнитостатические волны в структурах феррит высокотемпературный сверхпроводник, тезисы докладов IV Всесоюзной школы-семинара «Спинволновая электроника СВЧ», Львов, окт. 16-23, 1989, сс.212-213.

43. Анфиногенов В.Б., Зильберман П.Е., Ползикова Н.И., Суханов «Исследование свойств высокотемпературного сверхпроводника с помощью магнитостатических волн» // тезисы докладов XII Всесоюзной школысеминара «Новые магнитные материалы для микроэлектроники», Новгород, 1990, ч.2, с.135-136.

44. Polzikova N.I. Vortices motion influence on the magnetostatic waves propagation in the ferrite-high temperature superconductor layered structure//Proceedings of 10 th Int.Conf. on Microwave Ferrites/. Poland, Szezyrk, 1990. Part 2. P.508-512.

45. Ползикова Н.И., Раевский А.О. Совместное влияние двух механизмов неустойчивости на усиление спиновых волн в слоистой структуре магнетик - сверхпроводник. В сб. Тезисы докладов V Всесоюзной школы по спинволновой электронике СВЧ. Звенигород М.: ИРЭ РАН – 1991 – С.35-36.

46. Гайворон В.Г., Огрин Ю.Ф., Ползикова Н.И., Тарасенко В.В.

Критический ток и температура тонкопленочной в тонкопленочной структуре ВТСП-ЖИГ// В сб. Тезисы докладов V Всесоюзной школы по спинволновой электронике СВЧ. Звенигород М.: ИРЭ РАН – 1991 – С.45-46.

47. Mansfeld G.D., Polzikova N.I., Kudryavtzeva O.N. “On the spectra of BAW resonator with ferrite layer”. International Symposium Acoustoelectronics, Frequency Control and Signal Generation. Proceedings, 1996, Moscow, p.52-56.

48. Polzikova N.I., Raevskii A.O., Mansfeld G.D. “Frequency Dependence of Ultrasound Attenuation in II - type Superconductor // Proceedings of 1998 IEEE Ultrasonics Symposium, pp.1227-1230.

49. Mansfeld G.D., Polzikova N.I., Prokhorova I.G. “Theory of Microwave Parametric Effects in Bulk Acoustic Wave Composite Resonators”, Proceedings of 14th European Frequency and Time Forum, 14-16 March 2000, Torino (Italy), pp 113-117.

50. G.D.Mansfeld, N.I.Polzikova, Raevskii A.O., I.G.Prokhorova” Spectrum of Parametrically Exited Bulk Acoustic Wave Composite Resonator”// Abstracts of 2003 IEEE Ultrasonics Symposium, October 5-8, 2003, Honolulu, Hawaii, pp.151-152. Proceedings of 2003 IEEE Ultrasonics Symposium, October 5-8, 2003, Honolulu, Hawaii, pp.1443-1445.

Цитируемая литература [1] Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е. Взаимодействие СВЧ- спиновых волн и электронов в слоистых структурах полупроводник – феррит (обзор). РЭ, 1978, т.23, № 5, 897-917.

[2] Кайно Г. Акустические волны: устройства, визуализация и аналоговая обработка сигналов. М.: Мир, 1990.

[3] Пустовойт В.И. Взаимодействие электронных потоков с упругими волнам решетки (обзор). УФН, 1969, т.97, №2, с. 257-306.

[4] Анфиногенов В.Б., Высоцкий С.Л., Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Казаков Г.Т., Луговской А.В., Маряхин А.В., Медников А.М., Нам Б.П., Никитов С.А., Огрин Ю.Ф., Ползикова Н.И., Раевский А.О., Сухарев А.Г., Темирязев А.Г., Тихомирова М.П., Тихонов В.В., Филимонов Ю.А., Хе А.С.

«Устройства на основе спиновых волн для обработки радиосигналов в диапазоне частот 50 МГц – 200 ГГц» //Радиотехника, 2000, № 8, С. 6-14.

[5] Устинов А.Б., Фетисов Ю.К., Srinivasan G. Планарный ферритпьезоэлектрический сверхвысокочастотный резонатор с электрической и магнитной перестройкой частоты. // Письма в ЖТФ, 2008, Т.34, № 14, С.1623.

[6] Филимонов Ю.А., Хивинцев Ю.В. Взаимодействие поверхностной магнитостаттической и объемных упругих волн в металлизированной структуре ферромагнетик- диэлектрик.//РЭ, 2002, Т.47, №8, С.1002-1007.

[7] Нагаев Э.Л. Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением// УФН, 1996, Т. 196, № 8, с.833-858.

[8] Zutic I., J. Fabian, S. D. Sarma, Spintronics: Fundamentals and applications// Rev. Mod. Phys. 76, n.2, 2004, p. 323 - 410.

[9] Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Панас А.И., Эпштейн Э.М. Спинтроника:

обменное переключение ферромагнитных металлических переходов при малой плотности тока. УФН. 2009. Т.179. №4. С.359-368.

[10] Нагаев Э.Л. Физика магнитных полупроводников. М.: Наука, 1979. 432 с.

[11] Белов К.П., Третьяков Ю.В., Гордеев И.В., Королева Л.И., Кесслер Я.А.

Магнитные полупроводники – халькогенидные шпинели. М.: МГУ, 1981, 279с.

[12] Попков А.Ф. Усиление магнитостатической волны потоком магнитных вихрей в структуре феррит – сверхпроводник.//Письма в ЖТФ. Т.15. №5. С.9.

[13] Чивилева О.А., Гуревич А.Г., Линейчук И.А., Шульман С.Г., Фрегатов С.О. Влияние сверхпроводника на ферромагнитный резонанс //Письма в ЖТФ. 2000. T.26. №21. C.31-35.

[14] Лебедь Б.М., Яковлев С.В. Дисперсия поверхностных спиновых волн в слоистой структуре сверхпроводник – феррит.//Письма в ЖТФ. 1989. Т.15.

№19.С.27-29.

[15] Вашковский А.В., Зубков В.И., Локк Э.Г. Распространение магнитостатических волн в структуре феррит – высокотемпературный сверхпрводник при наличии транспортного тока в сверхпроводнике//ФТТ.

1997. Т.39. №12. С.2195-2202.

[16] Бабушкин В.С., Морозова Н.А. Экспериментальное обнаружение увлечения вихрей магнитостатической волной в слоистой структуре феррит – сверхпроводник. // Письма в ЖТФ. 1991. Т.17. №19. С.1.

[17] Lutsev L.V., Yakovlev S.V. Spin wave scattering and intermode transitions induced by magnetic vortex lattice in the ferrite--high-temperature superconductor film structure.//J.Apl.Phys., 1998, V.83, № 11, Р.7330-7332.

[18] Sonin E.B. Interaction of ultrasound with vortices in type-II superconductors.

//Phys.Rev.Lett. 1996. V.76.N.15. P.2794-2797.

[19] Гутлянский Е.Д. Взаимодействие объемных и поверхностных волн с вихрями Абрикосова во внешнем магнитном поле. //ФНТ. 1992. Т.18. №4.

С.428-430.

[20] Калашников В.П., Золотовицкий А.Б., Кожевников Н.В. Электронные процессы спиновой релаксации в ферромагнитных металлах и полупроводниках.I-IV. //ФММ.1980. Т. 50. №1. С.7-20; №5. С.914-927;

№6. С.1127-1140; 1981. Т. 51. №2. С.246-254.

[21] Лахно В.Д. Гидродинамическая теория s-f обменного усиления спиновых волн электронным дрейфом в антиферромагнетиках.//ФТТ. 1987.

Т.29. №9. С.2781-2785.

[22] Гуляев Ю.В., Олейник И.Н., Шавров В.Г. Генерация магнонов носителями тока в магнитных полупроводниках. //ЖЭТФ. 1987. Т.92. №4.

С.1357-1365.

[23] Солин Н.И., Ауслендер М.И., Самохвалов А.А., Шумилов И.Ю. Новый механизм усиления спиновых волн дрейфующими носителями заряда в ферромагнитных полупроводниках // ФТТ. 1990. T. 32, B. 8, C. 2240-2246.

[24] Самохвалов А.А., Бабушкин В.С., Морозова Н.А., Золотовицкий А.Б.

Увлечение носителей тока магнитостатическими волнами в ферромагнитном полупроводнике HgCr2Se4. //ФТТ. 1986. Т.28. № 8.

С.2519-2520.

[25] Larkin A.I., Ovchinnikov Y.N. Vortex motion in superconductors./ Nonequilibrium Superconductivity. Eds. by D.G.Langenderg, A.I.Larkin.

Amsterdam: North Holland, 1986. P.493-542.

[26] Попков А.Ф. Распространение замедленной электромагнитной волны в ферритовой пленке со сверхпроводящим покрытием ЖТФ. 1989. Т.59. №9. С.

112-117.






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.