WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


На правах рукописи

БОРОДКИН Игорь Иванович

ВЛИЯНИЕ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРОВ

Специальность: 05.27.01 – Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Воронеж – 2012

Работа выполнена в ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет» Научный руководитель доктор технических наук, профессор Асессоров Валерий Викторович

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор Строгонов Андрей Владимирович, Воронежский государственный технический университет доктор физико-математических наук, профессор Безрядин Николай Николаевич, Воронежский государственный университет инженерных технологий Ведущая организация ОАО «Воронежский завод полупроводниковых приборов - сборка», г. Воронеж

Защита состоится 19 июня 2012 г. в 14.00 часов в конференц-зале на заседании диссертационного совета Д 212.037.06 ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет» по адресу: 394026, г. Воронеж, Московский просп., 14.

С диссертацией можно ознакомиться в научно-технической библиотеке ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет».

Автореферат разослан " 11 " мая 2012 г.

Ученый секретарь диссертационного совета Горлов М.И.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ



Актуальность темы. Среди многообразных направлений современной полупроводниковой электроники важное место занимает разработка и производство кремниевых мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов (DMOS и LDMOS). Область применения таких транзисторов весьма широка. Они используются в каскадах усилителей мощности систем радиосвязи и телерадиовещания, в базовых станциях сотовой связи, в РЛС различного назначения и других телекоммуникационных системах. Мощные ВЧ и СВЧ МОП транзисторы обладают рядом существенных преимуществ перед биполярными транзисторами аналогичного функционального назначения – отсутствие накопления и рассасывания избыточных зарядов неосновных носителей, возможность реализации более высоких значений коэффициента усиления по мощности, тепловая устойчивость во всем диапазоне рабочих температур.

Реализация на практике таких полупроводниковых приборов, а также их серийное производство стали возможны благодаря созданию современной кремниевой МОП-технологии с двойной диффузией. Использование данной технологии позволяет изготавливать мощные ВЧ и СВЧ МОП транзисторные структуры с тонким качественным подзатворным диэлектриком, субмикронными диффузионными областями, многослойной системой металлизации, что в последствии обеспечивает надежную работу мощных ВЧ и СВЧ полевых транзисторов в условиях больших плотностей токов (десятки ампер) и высоких температур переходов (до 200 0С).

Известно, что уровень надежности полупроводникового изделия закладывается на этапе его разработки и обеспечивается качеством всех критичных технологических процессов при его изготовлении. Однако каждая технологическая операция, которая реализует определенные функциональные свойства формируемой структуры, в то же самое время может вносить и специфические дефекты. Поэтому перед разработчиками и производителями приборов, и сегодня, стоят актуальные задачи получения надежных мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов, имеющих стабильные и воспроизводимые электрические параметры - пороговое напряжение, крутизну, минимальные токи утечки, как на этапе испытаний при разработке и производстве, так и в условиях длительной эксплуатации.

Данная работа проводилась в соответствии с планом ГБ НИР кафедры физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского госуниверситета, а также ФГУП «НИИЭТ» в рамках реализации программных мероприятий по ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы, Государственной программы вооружения до 2015 года, серийного производства полупроводниковых приборов гражданского и специального назначения.

Цель работы – разработка и усовершенствование технологических способов изготовления структурных составляющих мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур со стабильными и воспроизводимыми статическими параметрами, а также методов, направленных на устранение негативных производственных факторов при серийном производстве современных мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов. Для достижения поставленной цели в диссертации решались следующие задачи:

1. Разработка усовершенствований технологического способа подготовки поверхности кремниевых пластин перед процессом подзатворного окисления для получения качественного подзатворного оксида кремния SiO2 и устранения дрейфа пороговых напряжений полевых транзисторных структур в серийном производстве мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов.

2. Разработка усовершенствований метода автоматизированного экспрессконтроля зарядовых свойств подзатворного оксида кремния SiO2 для оптимизации и оценки технологических процессов подзатворного окисления в серийном производстве мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов.

3. Исследование влияния плазменных обработок при формировании современной многослойной системы металлизации на основе золота (PtSi-Ti-Pt-Au) на изменение значений пороговых напряжений мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур.

4. Разработка эффективного способа восстановления пороговых напряжений мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур после воздействия плазменных обработок на этапе формирования металлизации, имеющих различные конструктивно-технологические особенности.

5. Исследование влияния разброса пороговых напряжений ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур при нестабильности их зарядовых свойств на значения энергетических параметров мощных балансных ВЧ и СВЧ транзисторов, а также на качество их работы.

Научная новизна исследований.

1. Предложен усовершенствованный технологический способ подготовки поверхности кремниевых пластин перед процессом подзатворного окисления, применяемый в серийном производстве мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов для получения качественного подзатворного оксида кремния SiO2 и устранения дрейфа пороговых напряжений Vпор полевых приборов. Данный технологический способ представляет собой многоэтапную химическую отмывку, состоящую из стандартной отмывки в растворах (КАРО, ПАС) и отмывки в разбавленных растворах соляной и плавиковой кислот (HCl:HF:H2O).

2. Предложен усовершенствованный метод автоматизированного экспрессконтроля зарядовых свойств подзатворного оксида кремния SiO2 для оценки и оптимизации технологического процесса подзатворного окисления в производстве мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов. Экспресс-контроль предложено проводить на автоматической установке с ртутным зондом, используя метод высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВЧ ВФХ).

3. Установлено негативное влияние плазменных обработок при формировании многослойной системы металлизации на основе золота (PtSi-Ti-Pt-Au) на изменение значений пороговых напряжений мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур (Vпор порядка 13 В) и показана неэффективность низкотемпературного термического отжига, как способа восстановления пороговых напряжений Vпор.

4. Разработан новый способ восстановления пороговых напряжений Vпор МОП транзисторных структур после воздействия плазменных обработок на этапе формирования металлизации с помощью ближнего ультрафиолетового облучения с энергией квантов 4,06,0 эВ (длина волны порядка 205315 нм).

5. Показано, что разброс значений пороговых напряжений Vпор порядка 11,5 В ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур при нестабильности их зарядовых свойств является фактором, влияющим на энергетические параметры мощных балансных ВЧ и СВЧ полевых транзисторов (к снижению коэффициента усиления по мощности Кур порядка 10 %).

Практическая значимость работы. Основные результаты диссертации использованы при разработке, создании мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов в ходе выполнения ряда НИР, ОКР и в последующем их серийном производстве, проводимых в ФГУП «НИИЭТ» (г. Воронеж). Использование результатов диссертации подтверждается Актом о внедрении результатов диссертации.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Усовершенствованный технологический способ подготовки поверхности кремниевых пластин перед процессом подзатворного окисления, состоящий из стандартной химической отмывки в растворах (КАРО, ПАС) и отмывки в разбавленных растворах соляной и плавиковой кислот (HCl:HF:H2O) для устранения дрейфа пороговых напряжений Vпор мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов.

2. Усовершенствованный метод автоматизированного экспресс-контроля зарядовых свойств подзатворного оксида кремния SiO2 на автоматической установке с ртутным зондом с использованием метода высокочастотных вольт-фарадных характеристик при серийном производстве мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов.

3. Изменение значений пороговых напряжений мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур (Vпор порядка 13 В) под воздействием плазменных обработок при ионно-лучевом травлении металлических слоев на этапе формирования многослойной металлизации на основе золота.

4. Новый способ восстановления пороговых напряжений Vпор МОП транзиторных структур после воздействия плазменных обработок на этапе формирования металлизации с помощью ближнего ультрафиолетового облучения с энергией квантов 4,06,0 эВ (длина волны порядка 205315 нм).

5. Разброс порогового напряжения Vпор порядка 11,5 В ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур при нестабильности их зарядовых свойств снижает коэффициент усиления по мощности Кур мощных балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов порядка 10 %.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях: Восьмой Международной научнотехнической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 2002); VII научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва, 2008);

XV, XVI Международных научно-технических конференциях «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2009, 2010).

Получен патент РФ на изобретение №2426192, 2010.

Публикации. По теме диссертационной работы опубликовано 10 научных работ, в том числе 2 – в изданиях, рекомендованных ВАК РФ [1, 2].

В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [5] – предложен усовершенствованный технологический способ подготовки поверхности кремниевых пластин перед процессом подзатворного окисления; [6] – предложен усовершенствованный метод автоматизированного экспресс-контроля зарядовых свойств подзатворного оксида кремния;





[1, 2, 8] – установлено негативное влияние плазменных обработок при формировании многослойной системы металлизации на основе золота на значения пороговых напряжений мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур; [2, 3, 9] – разработан новый способ восстановления пороговых напряжений Vпор МОП транзисторных структур после воздействия плазменных обработок на этапе формирования металлизации с помощью ближнего ультрафиолетового облучения; [4, 10] – показано, что разброс значений пороговых напряжений Vпор ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур является фактором, влияющим на энергетические параметры мощных балансных ВЧ и СВЧ полевых транзисторов и качество их работы.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 51 наименование. Объем диссертации составляет 101 страницы, включая 33 рисунка и 7 таблиц.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель работы и основные задачи исследований, приведены положения, выносимые на защиту, показана научная новизна полученных результатов и их практическая значимость, приведены сведения об апробации результатов работы, публикациях, структуре и объеме диссертации.

В первой главе представлен литературный обзор по вопросам особенностей конструкций и технологий мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов, проведен анализ современного состояния разработок и производства отечественных и зарубежных мощных ВЧ и СВЧ DMOS и LDMOS транзисторов.

Рассмотрены современные технологические способы создания мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур, а также особенности исследований по контролю их качества. Проведен анализ влияния технологических процессов при создании основных структурных составляющих мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур, а именно тонкого качественного подзатворного оксида кремния и многослойной системы металлизации на основе золота на стабильность и воспроизводимость электрических параметров. Показана необходимость оценки надежности приборов на их основе. Отмечено отсутствие исследований влияния разброса пороговых напряжений ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур при нестабильности их зарядовых свойств на значения энергетических параметров мощных балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов, а также качество их работы.

По результатам анализа научно-технической и патентной литературы сформулированы задачи и определены направления исследований.

Во второй главе представлены методы создания основных структурных составляющих (тонкого качественного подзатворного оксида кремния, многослойной системы металлизации на основе золота) мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур, качество которых влияет на надежность приборов. Разработаны и усовершенствованы методики оценки их качества, а также способы по устранению деградации основных статических параметров после воздействия плазменных обработок на этапе формирования металлизации.

В качестве исходного материала для изготовления мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур использовались кремниевые пластины с эпитаксиальными структурами (ЭС) n- и p- типа проводимости с кристаллографической ориентацией (100): для DMOS транзисторных структур – ЭС n- типа проводимости с толщиной 12 мкм, удельным сопротивлением 1,5 Омсм и с толщиной 20 мкм, удельным сопротивлением 3,5 Омсм; для LDMOS транзисторных структур – ЭС p - типа проводимости с толщиной 8 мкм, удельным сопротивлением 20 Омсм, изготовленные ЗАО «Эпиэл» г. Зеленоград.

Качество тонкого подзатворного оксида кремния мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур оценивалось по термополевой стабильности зарядовых свойств тестовых МОП-структур (дрейф пороговых напряжений Vt) и по величине плотности поверхностных состояний (Nss) в SiO2 тестовых пластин с помощью метода высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВЧ ВФХ).

Термополевые испытания тестовых МОП-структур, представляющих собой МДП-конденсаторы, проводились на экспериментальном стенде при напряжении смещения (Vсм=+10 В) и повышенной температуре (T=+200 0C).

Для определения величины плотности поверхностных состояний подзатворного оксида кремния тестовых пластин применен усовершенствованный метод автоматизированного экспресс-контроля. Измерения проводились на автоматизированном комплексе “Тест” mod 4061A (фирмы HP, USA), представляющем собой многофункциональную, автоматическую установку, предназначенную для тестирования электрофизических параметров полупроводниковых приборов и структур на пластинах. В качестве контактирующего устройства использовался ртутный зонд, что позволяет проводить оперативный контроль качества диэлектриков в условиях серийного производства без создания металлического контакта.

После создания качественного подзатворного оксида кремния при изготовлении мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур кремниевые пластины далее последовательно проходили технологический цикл операций по созданию активных и пассивных областей МОП транзисторной структуры, в частности: поликремниевого затвора, легированного фосфором; областей истока и стока; многокомпонентного межслойного диэлектрика, а также вскрытия контактов к областям затвора, истока и стока.

Далее предложена методика формирования следующей исследуемой структурной составляющей мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур – многослойной системы металлизации на основе золота (PtSi-Ti-Pt-Au). Данная металлизация состоит из силицида платины в контактах (PtSi), адгезионного слоя титана (Ti) толщиной 0,2 мкм, барьерного слоя платины (Pt) толщиной 0,2 мкм и токопроводящего слоя золота (Au) толщиной 1,0 мкм. Металлические слои напыляют методом магнетронного распыления, рисунок металлизированной разводки формируют методом фотолитографии. Травление металлических слоев золота и платины осуществляют на установке ионно-лучевого травления (ИЛТ) УВН 71П-3 с щелевым источником при помощи плазменных обработок, слои титана травятся химически.

С целью определения степени негативного влияния плазменных обработок при создании многослойной системы металлизации на основе золота на деградацию статических параметров была сформирована экспериментальная партия пластин с мощными ВЧ и СВЧ МОП транзисторными структурами, имеющих различные конструктивно-технологические особенности, в частности, системы многокомпонентного межслойного диэлектрика (МСД), традиционно используемых в производстве мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов:

- МСД1 (пленка окисла SiO2, полученного пиролизом тетраэтоксисилана (ТЭОС), толщиной 0,3 мкм; “тонкая” пленка ФСС, полученная диффузией фосфора из газовой фазы, толщиной 0,045 мкм; пленка нитрида кремния Si3N4 толщиной 0,0мкм);

- МСД2 (пленка окисла SiO2, полученного пиролизом тетраэтоксисилана (ТЭОС), толщиной 0,25 мкм; пленка фосфоросиликатного стекла, полученная низкотемпературным пиролитическим осаждением (СТФСС), толщиной 0,75 мкм; пленка нитрида кремния Si3N4 толщиной 0,065 мкм).

Для этого в контактах мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур был создан силицид платины. Далее на пластины напылялся алюминий, затем химическим травлением получали топологический рисунок, производили измерения пороговых напряжений VпорAl и химически удаляли алюминиевую металлизацию (отсутствовали плазменные обработки). Затем на этих же пластинах формировалась многослойная система металлизации на основе золота с использованием плазменных обработок и измерялись пороговые напряжения VпорAu. Из сравнительного анализа VпорAu и VпорAl, а также расчета абсолютной величины изменения порогового напряжения Vпор, определена степень деградации.

Далее рассмотрен известный способ восстановления пороговых напряжений VпорAu мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур после воздействия плазменных обработок при формировании металлизации – термический отжиг при температуре 470 0С в диффузионной печи СДОМ 3/100 и разработан новый эффективный способ – с помощью ближнего ультрафиолетового облучения. В качестве источников данного излучения использовался УФ-излучатель типа УФ 00.0001 с люминесцентными лампами с потоком УФ (205-315) нм, мощностью 60 Вт.

В итоге работы по разработке и усовершенствованию технологических способов создания основных структурных составляющих МОП транзисторных структур проведены исследования надежности мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов на их основе. Надежность приборов оценивалась по результатам следующих видов испытаний: термополевое (при воздействии повышенной температуры и постоянного напряжения на затворе) и испытание на безотказность (при повышенной температуре корпуса и при максимально допустимой температуре перехода).

Данные испытания проведены на выборке из 10 балансных n-канальных мощных СВЧ DMOS экспериментальных транзисторов (20 транзисторных сборок) типа КП979В в корпусе КТ-44, собранных из исследуемой экспериментальной партии пластин с DMOS-транзисторными структурами. Транзисторы предназначены для работы на частотах до f=230 МГц с выходной мощностью P=150 Вт при напряжении питания Uпит=28В.

Для проведения испытаний приборов были использованы методики и оборудование ФГУП «НИИЭТ», применяемых при разработках и серийном производстве полупроводниковых приборов.

Качество исследуемых мощных СВЧ МОП транзисторов проанализировано на примере 10 балансных транзисторов типа КП979В в корпусе КТ-82, предназначенных для работы на частотах до f=230 МГц с выходной мощностью P=300 Вт при напряжении питания Uпит=50 В.

Для построения сравнительных термограмм кристаллов исследуемых мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов использован программно-аппаратный комплекс ThermaCAM SC 3000 с ИК-тепловизором (фирмы FLIR Systems, США-Швеция).

Для измерения коэффициента усиления по мощности данных приборов – стенд измерения энергетических параметров Pвых, Кур и с, применяемый в ФГУП «НИИЭТ».

В третьей главе представлены результаты экспериментальных исследований влияния конструктивно-технологических факторов на основные статические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур, в частности на пороговое напряжение Vпор. Исследование проведено на основе разработок и усовершенствований технологических способов создания структурных составляющих мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур (рис. 1, 2), методик оценки их качества и способов устранения негативных производственных факторов, рассмотренных во второй главе диссертации.

Исследования влияния конструктивно-технологических факторов при создании основной структурной составляющей мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур – подзатворного оксида кремния SiO2 разделены на два этапа. На первом этапе проведены исследования технологического способа подготовки поверхности кремниевых пластин перед процессом подзатворного окисления (ПЗО) и разработаны усовершенствования по улучшению качества границы раздела Si-SiO2, в большей степени определяющей качество затворов МОП транзисторных структур.

затвор исток исток ---канал n- эпитаксиальный слой n+ подложка сток Рис. 1. Схема конструкции структуры современного n-канального ВЧ и СВЧ DMOS транзистора с многослойной металлизацией на основе золота соединительный затвор затвор затвор металл истока сток -канал p- эпитаксиальный слой p+ подложка исток Рис. 2. Схема конструкции структуры современного n-канального ВЧ и СВЧ LDMOS транзистора с многослойной металлизацией на основе золота В работе показана перспективность применения в серийном производстве усовершенствованной многоэтапной химической обработки перед ПЗО, состоящей из стандартной отмывки в растворах КАРО (H2SO4+H2O2) и ПАС (NH4OH + H2O+H2O), позволяющей удалять с поверхности кремниевых пластин органические загрязнения, и дополнительной отмывки в разбавленных растворах соляной и плавиковой кислот HCl:HF:H2O, позволяющей удалять с поверхности кремниевых пластин адсорбированные ионы металлов с одновременным травлением “естественного” окисла. Для оценки эффективности предложенной обработки проведены термополевые тренировки тестовых МОП-структур с регистрацией вольт-фарадных характеристик: 1 - исходной (без обработок); 2 - после отжига при Т=200 0С, t=15 мин;

3 - после приложения Vсм=+10 В, при Т=200 0С, t=90 мин; 4 - после всех совокупных воздействий. Вольт-фарадные характеристики тестовых МОП-структур для I варианта химической обработки (стандартной – КАРО-ПАС) представлены на рис.3, для варианта II (усовершенствованной – КАРО-ПАС + HCl:HF:H2O) – на рис.4.

3 С, пФ 323 24 11V, B U, B -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 Рис. 3. Вольт-фарадные характеристики тестовой МОП-структуры I варианта химической обработки (стандартной) перед ПЗО 3С, пФ 3221 1V, B U, B -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 Рис. 4. Вольт-фарадные характеристики тестовой МОП-структуры II варианта химической обработки (усовершенствованной) перед ПЗО Результаты проведенных исследований (рис. 4) показали, что применение в технологии формирования тонкого подзатворного оксида кремния мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур многоэтапной усовершенствованной химической отмывки (КАРО-ПАС +HCl:HF:H2O) с использованием разбавленных растворов соляной и плавиковой кислот перед процессом подзатворного окисления позволило снизить дрейф порогового напряжения Vпор во всем критичном диапазоне предельных значений параметров приборов.

После проведения оценки стабильности зарядовых свойств МОП-структур на втором этапе выполнены исследования по сравнительной оценке качества подзатворного оксида кремния, полученного различными технологическими способами.

Для этого был разработан усовершенствованный метод автоматизированного экспресс-контроля с использованием измерительного комплекса “Тест” mod 4061А (фирмы HP, USA) с ртутным зондом. Изначально данная установка комплектовалась программным обеспечением на базе операционной системы DOSXM, несовместимой с другими современными операционными системами, что принципиально затрудняло проведение обработки результатов измерений. В результате проведенной работы данный недостаток был устранен. Созданы необходимые средства компьютерного обеспечения (интерфейса) на платформах WINDOWS98/NT/2000/XP, которые состоят из адаптера приборного канала, драйвера адаптера и компьютерной программы, использующей метод высокочастотных вольт-фарадных характеристик.

С помощью разработанного усовершенствованного метода автоматизированного экспресс-контроля были исследованы наиболее перспективные варианты процесса подзатворного окисления. Графический интерфейс программы в режиме просмотра информации результатов автоматического экспресс-контроля зарядовых свойств оксида кремния, полученного V вариантом ПЗО (табл. 1), представлен на рис. 5.

Рис. 5. Вид графического интерфейса программы контроля качества V варианта ПЗО (ВЧ ВФХ и расчетные параметры) Результаты измерений зарядовых свойств подзатворного оксида кремния, полученного различными технологическими способами, тестовых пластин, приведены в табл.1 (S - площадь контакта ртутного зонда; Cox - удельная емкость; Cfb - удельная емкость, соответствующая напряжению плоских зон; Nsub - концентрация носителей в подложке; Vfb - напряжение плоских зон; Vth - пороговое напряжение;

Nss - плотность поверхностных состояний).

Таблица Параметры подзатворного оксида кремния, полученные при автоматическом экспресс-контроле на измерительном комплексе “Тест” Варианты ПЗО Cox,pF Cfb,pF Vfb, Vth, Nss, S,10-3, Nsub, 1015, (-V) (-V) cm-cm2 cm-2,23 94,3 72,4 3,04 0,62 1,86 1,9210I. Окисление О2сух 2,27 102,4 76,9 2,86 0,44 1,62 1,5410II. Окисление N2вл III. Пирогенное 2,41 108,6 79,2 2,28 0,42 1,53 1,4610окисление IV. Окисление 2,35 99,5 76,3 2,99 0,24 1,47 9,16105% HCl-H2O V. Окисление 5% HCl-H2O (с 2,61 117,6 83,7 1,91 0,13 1,18 6,2810предвар. продувкой HCl) Исследования вариантов процесса подзатворного окисления показали, что наименьшей плотностью поверхностных состояний обладает подзатворный оксид кремния, полученный термическим окислением с барботажной системой 5% HClH2O с предварительной продувкой кварцевого реактора парами HCl.

В ходе проведения исследований деградации электрических параметров мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур после плазменных обработок при формировании структурной составляющей (многослойной металлизации на основе золота) сделан сравнительный анализ значений пороговых напряжений МОП транзисторных структур экспериментальной партии пластин, имевших на одних и тех же структурах различные системы металлизации. Результаты представлены в табл. 2.

Таблица Пороговые напряжения мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур с Al- и Ti-Pt-Au-металлизациями Тип полевых Пороговое напряжение Пороговое напряжение транзисторных структур VпорAl, В VпорAu, В DMOS 3,0 LDMOS 3,0 2,Показано, что плазменная обработка при проведении процесса ионно-лучевого травления металлических слоев Au-Pt приводит к снижению порогового напряжения VпорAu на 3 В для DMOS и на 1 В для LDMOS транзисторных структур относительно VпорAl на тех же структурах с алюминиевой металлизацией (без плазменных обработок). Сдвиг пороговых напряжений VпорAu в область отрицательных потенциалов связан с тем, что при распылении металлических слоев Au-Pt положительными ионами с энергией до 5000 эВ в условиях сильных электрических и магнитных полей образуется пучковая плазма с потенциалом 1040 В относительно земли в зависимости от мощности. Воздействие плазмы приводит к деградации зарядовых свойств DMOS и LDMOS транзисторных структур.

При определении эффективности использования способов восстановления пороговых напряжений VпорAu мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур с различными конструктивно-технологическими особенностями был выявлен ряд основных недостатков низкотемпературного термического отжига, традиционно применяемого при производстве полевых приборов (рис. 6).

3,3, 3,2,2,2,1 1 1 1,1,1,0,0, 0,0 1530450 1530450 153045Время отжига, мин Время отжига, мин Время отжига, мин Рис. 6. Зависимость восстановления порогового напряжения VпорAu DMOS транзисторных структур от времени отжига 470 0С:

кривая 1 – МСД1; кривая 2 – МСД2; штриховая линия соответствует VпорAl В частности, для полного восстановления пороговых напряжений VпорAu DMOS транзисторных структур с МСД2 требовалось увеличение длительности термического отжига, что приводило к ухудшению барьерных свойств платины и проплавлению многослойной системы металлизации, а в конечном итоге влияло на снижение процента выхода годных мощных ВЧ и СВЧ полевых транзисторов.

В результате дальнейших исследований был разработан новый эффективный способ восстановления пороговых напряжений VпорAu мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур, имеющих различные конструктивно-технологические особенности.

Сущность предлагаемого способа заключается в том, что после негативного воздействия плазменных обработок в процессе травления металлических слоев, приводящих к наведению дополнительного положительного заряда в подзатворном оксиде кремния с последующей деградацией электрических характеристик МОПтранзисторных структур и к сдвигу пороговых напряжений в область отрицательных потенциалов, восстановление порогового напряжения осуществляется облучением пластин с МОП-транзисторными структурами источником ближнего ультрафиолета с энергией квантов 4,06,0 эВ (длина волны порядка 205315 нм).

Время ультрафиолетового облучения, необходимое для восстановления VпорAu мощных ВЧ и СВЧ транзисторных структур, определено экспериментальным путем. Например, для DMOS-транзисторных структур с МСД2 оно составляет порядка 20 минут (рис. 7).

VпорAu, В VпорAu, В VпорAu, В Пороговое напряжение Пороговое напряжение Пороговое напряжение 3,3,2,2,1,1,0,0, 0 5 10 15 0 5 10 15 Длительность УФО, мин Длительность УФО, мин Рис.7. Зависимость восстановления порогового напряжения VпорAu DMOS транзисторных структур с МСД2 от длительности УФО;

штриховая линия соответствует VпорAl Малая эффективность стандартного способа восстановления VпорAu (термическим отжигом) связан с тем, что наведенный положительный заряд в процессе плазменной обработки при ИЛТ золота-платины имеет две составляющие. Первая – это нестабильная (отжигаемая) часть наведенного заряда подзатворного оксида кремния, обусловленного захватом дырок на напряженных Si-O и/или Si-Si связях.

Вторая – это стабильная (неотжигаемая) часть наведенного заряда, которая зависит от содержания примеси фосфора в слое подзатворного оксида кремния при использовании различных технологических способов создания фосфоросиликатного стекла (диффузия из газовой фазы, пиролитическое осаждение), входящего в состав МСД. Неотжигаемая часть наведенного заряда представляет собой заряд ионизированных атомов пятивалентной примеси (фосфора), замещающих атомы кремния в кислородных тетраэдрах стеклообразной окиси кремния. Заряженные примеснокислородные тетраэдры (PO4)+ встроены в сетку SiO2 и неподвижны, что обеспечивает высокую термостабильность этого заряда.

В случае использования ультрафиолетового облучения происходит захват инжектированных фотоэмиссией электронов на стабильных положительно заряженный центрах (PO4)+, что приводит к нейтрализации наведенного заряда и полному восстановлению VпорAu.

В четвертой главе представлены результаты исследований надежности мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов после применения усовершенствований технологических способов создания исследуемых структурных составляющих мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур и способов устранения деградации статических параметров. Показано влияние разброса пороговых напряжений ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур при нестабильности их зарядовых свойств на значения энергетических параметров мощных балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов, а также качество их работы.

Проведенные исследования показали, что деградационные эффекты в мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторах, собранных из МОП транзисторных структур, при изготовлении которых были применены технологические усовершенствования для создания качественного подзатворного оксида кремния, многослойной металлизации на основе золота, а также способ восстановления порогового напряжения - VпорAu, В VпорAu, В Пороговое напряжение Пороговое напряжение ультрафиолетовое облучение, практически отсутствуют. Статические параметры Iсост, Iзут, Rси, S, Vпор не изменяются, как в результате термополевого испытания, так и испытания на безотказность. Усредненные значения статических параметров выборки приборов после проведения цикла испытаний представлены в табл. 3.

Таблица Среднестатистические значения статических параметров n-канальных мощных СВЧ DMOS экспериментальных транзисторов до и после испытаний на надежность Наименование Длитель- Ток Ток Сопротив- Крутизна Пороговое испытания ность стока утечки ление напряжение испытаний, остаточный затвора открытого канала,, IС ост IЗ ут,, Vпор Rси S, А/В ч мА мкА Ом В До испытаний - 0,190 55 0,345 4,32 2,Термополевое 12 0,193 58 0,351 4,27 3,100 0,200 60 0,363 4,22 3,Безотказность 1000 0,210 61 0,372 4,19 3,Наиболее критичным для надежности мощных СВЧ полевых транзисторов, как показателя стабильности, является относительное изменение порогового напряжения, которое в данном случае не превышает 3 % (табл. 4). Такой уровень Vпор/Vпор относительного изменения порогового напряжения является приемлемым и характеризует исследованные транзисторы как высоконадежные изделия.

Таблица Относительное изменение значений статических параметров n-канальных мощных СВЧ DMOS экспериментальных транзисторов после испытаний на надежность Наименование, %, % IСост/IСост IЗут/IЗут, % Vпор/Vпор Rси/Rси, % S/S, % испытания Термополевое 1,58 5,45 1,74 1,16 1,Безотказность 10,53 10,90 7,83 3,00 2,в течение 1000 ч Далее исследовано влияние разброса значений пороговых напряжений мощных балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов типа КП979В при нестабильности зарядовых свойств МОП транзисторных структур на токовое распределение при работе приборов, а также влияние Vпор на ухудшение энергетических параметров приборов, в частности коэффициента усиления по мощности Кур.

Температурное распределение на кристаллах при работе мощных балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов типа КП979В при Vпор наглядно продемонстрировано с помощью ИК-тепловизора ThermaCAM SC 3000 (рис. 8). Показано, что устранение разброса пороговых напряжений в плечах мощных балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов после УФО приводит к более равномерному распределению температуры по всей площади кристаллов. Максимальный температурный градиент T между кристаллами транзиторной сборки после УФО не превышает 5 0С, когда изначально до обработки градиент T составлял порядка 150 0С.

а) б) Рис. 8. Фотографии кристаллов мощного балансного СВЧ МОП транзистора типа КП979В в рабочем режиме, полученные с помощью ИК-тепловизора:

а) – с разбросом пороговых напряжений Vпор;

б) – без Vпор (после ультрафиолетового облучения) Установлено, что стабилизация зарядовых свойств МОП транзиторных структур при устранении Vпор позволяет улучшать энергетические параметры мощных балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов (разброс пороговых напряжений Vпор порядка 11,5 В приводит к снижению коэффициента усиления по мощности Кур порядка 10 %).

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 1. Предложен усовершенствованный технологический способ подготовки поверхности кремниевых пластин перед процессом подзатворного окисления, состоящий из стандартной химической отмывки в растворах КАРО (H2SO4+H2O2) и ПАС (NH4OH + H2O2 +H2O) и отмывки в разбавленных растворах соляной и плавиковой кислот (HCl:HF:H2O), для получения качественного подзатворного оксида кремния. Применение данного способа позволяет стабилизировать зарядовые свойства МОП транзисторных структур и устранить дрейф пороговых напряжений Vпор мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов, как во время испытаний, так и при длительной эксплуатации.

2. Предложен усовершенствованный метод автоматизированного экспрессконтроля зарядовых свойств подзатворного оксида кремния SiO2 на автоматической установке с ртутным зондом с использованием метода высокочастотных вольтфарадных характеристик (ВЧ ВФХ). Применение данного экспресс-контроля позволяет проводить оперативный контроль качества подзатворного оксида кремния, а также статистическую обработку результатов в условиях серийного производства мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов.

3. Установлено негативное влияние плазменных обработок при формировании многослойной системы металлизации на основе золота (PtSi-Ti-Pt-Au) на изменение значений пороговых напряжений мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур (Vпор порядка 13В) при их сдвиге в область отрицательных потенциалов.

4. Установлена неэффективность низкотемпературного термического отжига, как способа восстановления пороговых напряжений Vпор мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур, имеющих различные конструктивно-технологические особенности, на этапе формирования металлизации. Показано, что наведенный положительный заряд в подзатворном оксиде кремния в процессе плазменных обработок при формировании многослойной системы металлизации имеет две составляющие: первая нестабильная (отжигаемая) – наведенный заряд, обусловленный захватом дырок на напряженных Si-O и/или Si-Si связях; вторая стабильная (неотжигаемая) – заряд ионизированных атомов пятивалентной примеси (фосфора), замещающих атомы кремния в кислородных тетраэдрах стеклообразной окиси кремния (PO4)+.

5. Разработан новый эффективный способ восстановления пороговых напряжений Vпор мощных ВЧ и СВЧ МОП транзиторных структур после воздействия плазменных обработок на этапе формирования металлизации с помощью ближнего ультрафиолетового облучения с энергией квантов 4,06,0 эВ (длина волны порядка 205315 нм). Способ основан на том, что ультрафиолетовое облучение пластин с МОП транзисторными структурами приводит к фотоэмиссии электронов и захвату их на положительных центрах в подзатворном оксиде кремния.

6. Установлено влияние разброса значений пороговых напряжений Vпор МОП транзисторных структур при нестабильности их зарядовых свойств на энергетические параметры мощных балансных СВЧ полевых транзисторов. Показано, что при разбросе Vпор порядка 11,5 В МОП транзисторных структур значение коэффициента усиления по мощности Кур мощных балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов снижается порядка 10 %.

7. Основные результаты диссертации использованы при разработке, создании мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов в ходе выполнения ряда НИР, ОКР и в последующем их серийном производстве в ФГУП «НИИЭТ» (г. Воронеж). Разработаны и серийно производятся транзисторы в следующих параметрических рядах:

- f=500-860 МГц, Uпит=28-32 В, Pвых=6…150 Вт;

- f до 1000МГц, Uпит=12,5 В, Pвых=2…80 Вт;

- f=30-230 МГц, Uпит=50 В, Pвых=300…600 Вт;

- f=230 МГц, Uпит=28 В, Pвых=5…300 Вт;

- f=500 МГц, Uпит=28 В, Pвых=5…150 Вт.

Использование результатов диссертации подтверждается соответствующим Актом о внедрении результатов диссертации.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК РФ 1. Восстановление пороговых напряжений мощных СВЧ кремниевых полевых транзисторных структур с помощью ультрафиолетового облучения и оценка надежности приборов на их основе / И.И. Бородкин, В.В. Асессоров, В.А. Кожевников, Б.К. Петров // Вестник Воронежского государственного технического университета – 2011. – Т. 7. № 4. – С. 58-61.

2. Бородкин И.И. Способ восстановления пороговых напряжений СВЧ кремниевых полевых транзисторных структур после воздействия плазменных обработок / И.И. Бородкин, В.В. Асессоров, В.А. Кожевников // Электронная техника. Сер. 2.

Полупроводниковые приборы. – 2011. – № 2 (227). – С. 59-63.

Авторские свидетельства, патенты на изобретение 3. Патент РФ на изобретение №2426192, 2010. Способ восстановления порогового напряжения МДП-транзисторных структур после воздействия плазменных обработок / Бородкин И.И, Асессоров В.В., Кожевников В.А..

Статьи и материалы конференций 4. Исследование и разработка высокоэффективных структур МДП-транзисторов для генераторных усилителей мощности в диапазоне до 500 МГц / В.В. Асессоров, В.А. Кожевников, В.И. Дикарев, А.Н. Гашков, И.В. Семейкин, И.И. Бородкин // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: труды восьмой Mеждунар. науч.-техн. конф. – Таганрог, 2002. – С. 95-97.

5. Исследования стабильности зарядовых свойств подзатворного оксида кремния, полученного различными технологическими способами / В.В. Асессоров, В.А.

Кожевников, И.И. Бородкин, А.Н. Гашков А.Н. // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. – Воронеж: ВГТУ, 2003. – Вып. 2. – С. 104109.

6. Разработка автоматизированного экспресс-контроля зарядовых свойств подзатворного оксида кремния для оптимизации и оценки технологических процессов в производстве мощных СВЧ полевых транзисторов / И.И. Бородкин, В.В. Асессоров, В.А. Кожевников, Б.К. Петров, Е.В. Невежин // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. – Воронеж: ВГТУ, 2007. – Вып. 6. – С. 99105.

7. Влияние конструктивно-технологических факторов на стабильность и воспроизводимость электропараметров мощных СВЧ полевых транзистров / И.И. Бородкин, В.В. Асессоров, В.А. Кожевников, Б.К. Петров // Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: материалы VII науч.-техн. конф. – Москва, 2008. – С. 38-39.

8. Восстановление и корректировка пороговых напряжений мощных СВЧ кремниевых полевых транзисторных структур после воздействия плазменных обработок / И.И. Бородкин, В.В. Асессоров, В.А. Кожевников, Б.К. Петров // Радиолакации, навигация, связь: труды XV Mеждунар. науч.-техн. конф. – Воронеж, 2009. – С. 958964.

9. Оценка надежности мощных СВЧ кремниевых полевых транзисторов, подвергнутых ультрафиолетовому облучению для восстановления порогового напряжения / И.И. Бородкин, В.В. Асессоров, В.А. Кожевников, Б.К. Петров // Радиолакации, навигация, связь: труды XVI Mеждунар. науч.-техн. конф. – Воронеж, 2010.

– С. 563-566.

10. Влияние разброса пороговых напряжений мощных балансных СВЧ МОП транзисторов на их энергетические параметры / И.И. Бородкин, В.В. Асессоров, В.А. Кожевников, Б.К. Петров, В.А. Буслов // Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. – Воронеж: ВГТУ, 2011. – Вып. 10. – С. 38-44.

Подписано в печать 04.05.2012. Формат 60х84 1/16. Усл. печ. л.1,1.

Тираж 100 экз. Заказ 475.

Отпечатано с готового оригинала-макета в типографии Издательско-полиграфического центра Воронежского государственного университета.

394000, Воронеж, ул. Пушкинская, 3.






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.