WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


 

На правах рукописи

Глыбин Александр Анатольевич

ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ ПЕРЕДАТЧИКИ С- и Х-   ДИАПАЗОНОВ С ВЫСОКОЙ СТАБИЛЬНОСТЬЮ ЧАСТОТЫ И ФАЗЫ СИГНАЛОВ НА GaN

СВЧ ТРАНЗИСТОРАХ

Специальность:

05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы

на квантовых эффектах

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени

кандидата технических наук

Москва 2012

Работа выполнена в Федеральном государственном унитарном предприятии «Научно-производственное предприятие «Пульсар».

Научный руководитель:

доктор технических наук, старший научный сотрудник

Колковский Юрий Владимирович

Официальные оппоненты:

доктор технических наук Косов Александр Сергеевич,

Институт космических исследований РАН, заведующий

лабораторией

кандидат технических наук Рабинов Анатолий Алексеевич,

Федеральное государственное унитарное предприятие

«Научно-исследовательский институт микроэлектронной

аппаратуры «Прогресс», заместитель начальника НИО

Ведущая организация:

ОАО «КБ «Кунцево», г. Москва

Защита состоится «23» мая 2012 г. в 16 часов на заседании диссертационного совета Д 409.004.01 при Федеральном государственном унитарном предприятии «Научно-производственное предприятие «Пульсар» (конференц-зал) в г. Москва, 105187, Окружной поезд, д. 27

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Федерального государственного унитарного предприятия «Научно-производственное предприятие «Пульсар».

Автореферат разослан «  » апреля 2012 г.

Ученый секретарь диссертационного совета Д 409.004.01

кандидат технических наук                                А.Л. Филатов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ



Актуальность работы

Стабильность частоты и фазы генерируемых сигналов определяет основные характеристики радиолокационных  и связных систем, такие как:

- дальность обнаружения целей;

- разрешение целей по дальности;

- подавление мешающих отражений от местных предметов и медленно движущихся объектов;

- помехозащищенность и скрытность передачи сигналов радиолокации и связи.

Существенные сложности при формировании сигналов с высокой стабильностью частоты и фазы возникают не только при генерации этих сигналов, но и при их усилении до заданных значений мощности. Эта задача наиболее актуальна при создании мощных твердотельных СВЧ передатчиков, поскольку нелинейные искажения в твердотельных СВЧ приборах существенно больше, чем в электровакуумных СВЧ приборах. Задача построения мощных твердотельных СВЧ передатчиков с высокой стабильностью частоты и фазы должна решаться не только по критерию высокого качества формируемых сигналов, но и с учётом требований по минимизации массо-габаритных характеристик аппаратуры при обеспечении устойчивости к внешним дестабилизирующим факторам [Л1].

Решению актуальной задачи создания мощных твердотельных СВЧ передатчиков с высокой стабильностью частоты и фазы на основе совокупности новых научно-обоснованных технических и технологических решений посвящена настоящая диссертация.

Целью данной работы является разработка оптимизированных схем построения мощных твердотельных СВЧ передатчиков с высокой стабильностью частоты и фазы, а также – определение требований к их элементной базе для реализации минимальных массо-габаритных характеристик и повышения эффективности специальных радиоэлектронных систем.

Для достижения поставленной цели в работе:

1) проведен анализ состояния техники формирования СВЧ сигналов с высокой стабильностью частоты и фазы для современных радиоэлектронных систем;

2) проведены исследования и моделирование твердотельных СВЧ импульсных передатчиков на GaN СВЧ транзисторах при воздействии помех и шумов;

3) проведены моделирование и оптимизация мощных СВЧ генераторов, стабилизированных диэлектрическими  резонаторами, с фазовой автоподстройкой частоты (ФАПЧ) по критерию максимума стабильности частоты и фазы;

4) проведены экспериментальные исследования по практическому применению твердотельных СВЧ передатчиков с высокой стабильностью частоты и фазы на GaN СВЧ транзисторах.

Научная новизна

1. Установлено, что применение GaN СВЧ транзистора в мощном СВЧ генераторе, стабилизированном диэлектрическим резонатором, позволяет снизить уровень спектральной плотности фазового шума (СПФШ) на 10дБ, вследствие большей величины активной части импеданса GaN СВЧ транзистора по сравнению с GaAs СВЧ транзистором, что приводит к меньшей на порядок величине вносимого в контур диэлектрического резонатора сопротивления потерь и, соответственно, – большей величине нагруженной добротности при одинаковой величине связи резонатора с СВЧ транзистором.

2. Показано, что применение двухключевой схемы модулятора питания GaN СВЧ транзистора позволяет снизить уровень СПФШ СВЧ передатчика более чем на 10 дБ по сравнению с одноключевой схемой модулятора питания. Полученный результат достигается подавлением влияния шумов и помех вторичного источника питания, поскольку в течение длительности импульса GaN СВЧ транзистор подключен к блоку конденсаторов (через первый ключ), а блок конденсаторов отключен (через второй ключ) от вторичного источника питания; в течение паузы между импульсами GaN СВЧ транзистор отключен от блока конденсаторов (через первый ключ) и блок конденсаторов заряжается (через включенный второй ключ) от вторичного источника питания.

3. Установлено, что для снижения вероятности электрического пробоя GaN СВЧ транзистора, обусловленного короткими импульсными  выбросами напряжения помехи на стоке GaN СВЧ транзистора, возникающими при выключении СВЧ сигнала в режиме съема максимальной импульсной СВЧ мощности, модулятор питания стока GaN СВЧ транзистора должен выключаться не менее чем за 150 нс до начала заднего фронта СВЧ импульса. Это обеспечивает снижение  напряжения помехи на стоке GaN СВЧ транзистора до уровня 10% напряжения питания стока.

4. Показано, что применение теплопроводящих подложек из карбида кремния в GaN СВЧ транзисторах позволяет обеспечить уровень перегрева активной структуры за длительность импульса =200 мкс Т150С, что на 60% меньше чем в GaN СВЧ транзисторах на кремниевых подложках, и неравномерность вершины СВЧ импульса при этом менее 20% от амплитуды импульса.

Практическая значимость

1.Разработаны и внедрены методы проектирования твердотельных СВЧ передатчиков с высокой стабильностью частоты и фазы на GaN СВЧ транзисторах при воздействии шумов и помех при минимальных массо-габаритных характеристиках аппаратуры, заключающиеся:

- в оптимизации соотношения величины вносимых потерь к нагруженной добротности резонатора выбором, импеданса СВЧ транзистора и добротности согласующей цепи для реализации минимального уровня СПФШ сигнала СВЧ генератора, стабилизированного диэлектрическим резонатором;

- в выборе двухключевой схемы модулятора питания GaN СВЧ транзистора позволяющей снизить уровень СПФШ сигнала СВЧ передатчика более чем на 10 дБ, что достигается подавлением влияния шумов и помех вторичного источника питания;

- в применении быстродействующего модулятора питания стока GaN СВЧ транзистора, обеспечивающего снижение напряжения помехи на стоке GaN СВЧ транзистора до уровня 10% напряжения питания стока менее чем за 150 нс.

2.Разработаны конструктивные и схемотехнические методы обеспечения генерации СВЧ сигналов с высокой стабильностью частоты и фазы при воздействии внешних воздействующих факторов, состоящие:

- в реализации оптимальных механизмов отвода тепла от мощных GaN СВЧ транзисторов;

- в снижении влияния механических воздействий на устойчивость работы СВЧ твердотельных передатчиков;

- в фильтрации электромагнитных помех и выборе оптимальных типов вторичных источников питания для различных блоков СВЧ твердотельных передатчиков сигналов для обеспечения высокой стабильности частоты и фазы при минимальном размере аппаратуры.

Основные результаты исследований, проведенных в данной работе, использованы для:

- формирователя сигналов гетеродинов и передатчика БКВП.468173.006;

- устройства формирования сигналов радиолокационного модуля БКВП.468173.020;

- модуля выходного усилителя мощности радиолокационного модуля БКВП.468714.033 и модуля выходного усилителя мощности линии радиокоррекции БКВП.468714.037.

- твердотельного СВЧ передатчика Х-диапазона радиолокационного модуля БКВП.468714.030;

- твердотельного СВЧ модуля выходного усилителя мощности Х-диапазона  комплекса радиотехнической защиты  БКВП.468714.042

На защиту автором выносятся следующие научные положения

1. Применение теплопроводящих подложек из карбида кремния в GaN СВЧ транзисторах позволяет уменьшить температурную нестабильность фазы  сигнала СВЧ передатчика за длительность импульса =200 мкс до 20 и неравномерность вершины СВЧ импульса менее 20% от амплитуды импульса. Это обеспечивает отношение основного и бокового лепестков свертки ФКМ сигнала на уровне менее чем на 0.5 дБ, что близко к погрешности измерения. Этот результат достигается за счет обеспечения уровня перегрева активной области структуры Т150С, что на 60% меньше, чем уровень перегрева в GaN СВЧ транзисторах на кремниевых теплопроводящих подложках.





2. Применение двухключевой схемы модулятора питания GaN СВЧ транзистора позволяет повысить стабильность частоты СВЧ передатчика и снизить уровень СПФШ сигнала более чем на 10 дБ, что достигается подавлением влияния шумов и помех вторичного источника питания во время передачи СВЧ сигнала.

3. Выключение модулятора питания стока мощного GaN СВЧ транзистора не менее чем за 150 нс до начала заднего фронта СВЧ импульса снижает уровень коротких импульсных помех напряжения на стоке GaN СВЧ транзистора, возникающих при выключении СВЧ сигнала в режиме съема максимальной импульсной СВЧ мощности, до уровня 10% напряжения питания стока.

4. Применение GaN СВЧ транзистора в мощном СВЧ генераторе, стабилизированном диэлектрическим резонатором, позволяет повысить стабильность частоты сигнала СВЧ передатчика, за счет снижения уровня спектральной плотности фазового шума (СПФШ) на 10 дБ, что обусловлено большей величиной активной части импеданса GaN СВЧ транзистора по сравнению с GaAs СВЧ транзистором.

Апробация работы

Содержание и результаты работы доложены и обсуждены:

- на научно-технической конференции «Твердотельная СВЧ электроника, приборы силовой электроники, микроэлектроника и изделия на основе ПЗС», Москва, 2003;

- на научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Комплексированные изделия. Экономика и управление научными разработками и производством ИЭТ», Москва, 2004;

- на научно-технической конференции, посвященой 60-летию МИРЭА,  Москва, МИРЭА, 2007;

- на VII научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА», Москва, 2008;

- на VIII-ой научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА», Дубна, 21-23 октября, 2009;

- на IX-ой научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА», Звенигород, 01-03 декабря 2010;

- на X-ой научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА», Дубна, 12-14 октября 2011.

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 10 печатных работ, в том числе 2 работы – в рецензируемых журналах, установленных ВАК по выбранной специальности. Получен 1 патент на изобретение. Список публикаций приведен в конце автореферата.

Вклад автора в результаты работы

Основные теоретические результаты получены автором самостоятельно и опубликованы в ряде работ в том числе – в рецензируемых журналах, установленных ВАК по выбранной специальности. Во всех экспериментальных исследованиях автор принимал непосредственное участие в части постановки и проведения экспериментов, а также их внедрения, являясь главным конструктором и заместителем главного конструктора 6-ти ОКР.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы и оглавления. Работа содержит 115  страниц текста, включая 76  рисунков и фотографий  и список литературы из 108 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность темы диссертации, формулируется цель работы и задачи исследования. Приводятся научная новизна, положения, выносимые на защиту, и практическая значимость работы.

В первой главе проведен анализ состояния и актуальных проблем обеспечения высокой стабильности частоты и фазы твердотельных мощных СВЧ передатчиков С- и Х- диапазонов для современных радиоэлектронных систем.

Проанализирована связь основных тактико-технических характеристик РЭС со стабильностью частоты и фазы формируемых сигналов.

Рассмотрены основные параметры, описывающие стабильность частоты и фазы сигналов, современные методы их измерения и физические механизмы, снижающие уровень стабильности частоты и фазы сигналов.

Проанализированы структура построения и основные узлы СВЧ передатчиков с высокой стабильностью частоты и фазы, а именно: СВЧ генераторы сигналов, стабилизированные резонаторами, СВЧ формирователи сигналов на основе преобразователей частоты и СВЧ диапазонные твердотельные устройства формирования модулированных сигналов, а также рассмотрен современный уровень активной элементной базы для мощных твердотельных СВЧ передатчиков.

На основании проведенного анализа сформулирована цель и задачи, решаемые в диссертационной работе.

Во второй главе приводятся результаты исследований твердотельных СВЧ импульсных передатчиков на GaN СВЧ транзисторах.

Проведено моделирование тепловых режимов и на их основе – разработки конструкции теплопроводящей системы твердотельных импульсных СВЧ передатчиков, которая включает конструирование кристалла многокристального СВЧ транзистора, СВЧ модуля с теплосъемом различными теплоносителями (воздух, жидкость и др.) и СВЧ передатчика в целом.

Проведенный расчет показал наличие неравномерного распределения температуры по транзисторной структуре для SiC подложки и наличие внутренних градиентов температуры для транзисторов.

На рис.1. приведено распределение температуры по поверхности кристалла СВЧ транзистора AlGaN/GaN/SiC с различной длиной затвора.

Рис.1. Распределение температуры вдоль поверхности кристалла по оси Х при значении длины затвора L:

а) – Lз = 0,35 мкм; б) – Lз = 0,5 мкм.

Установлено, что градиенты температуры при одинаковой мощности GaN СВЧ транзистора при изменении длины затвора в 1,4 раза изменяется на 30%.

Наряду со статическим разогревом важное значение для определения основных характеристик СВЧ транзистора имеет разогрев рабочей области СВЧ транзистора за время длительности СВЧ импульса.

Для минимизации перегрева рабочей области существенным является выбор размера и материала пьедестала, на который припаян кристалл СВЧ транзистора (рис.2).

Рис.2. Зависимость прироста температуры рабочей области СВЧ транзистора от толщины пьедестала L для различных материалов: 1 – медь; 2 – МД-40.

Расчет зависимости температуры рабочей области СВЧ транзистора от длительности импульса и скважности для различных подложек приведен на рис.3 и рис.4.

Рис. 3. Зависимость изменения температуры рабочей области СВЧ транзистора Т от длительности импульса для различных значений скважности Q СВЧ сигнала для мощного СВЧ транзистора на подложке SiC.

Если вместо подложки SiC использовать кремниевую подложку зависимости, аналогичные показанным на рис.3, будут иметь вид, представленный на рис.4.

Рис. 4. Зависимость изменения температуры рабочей области СВЧ транзистора Т от длительности импульса для различных значений скважности Q СВЧ сигнала для мощного СВЧ транзистора на подложке Si.

Проведенное моделирование показывает, что применение теплопроводящих подложек из карбида кремния в GaN СВЧ транзисторах позволяет обеспечить уровень перегрева активной структуры за длительность импульса = 200 мкс Т150С, что почти на 60% меньше, чем в GaN СВЧ транзисторах на кремниевых подложках.

Снижение внутренних перегревов с помощью принудительного охлаждения корпуса СВЧ модуля со скоростью потока воздуха 5 м/с и при температуре воздуха Т=20C повышает стабильность частоты СВЧ передатчика, снижая уровень СПФШ на 15 дБ.

Реализация конструктивных решений, обеспечивающих стабильность частоты СВЧ генераторов при разогреве активных областей мощных СВЧ транзисторов, зависит от типа теплоотводящего вещества (воздух или жидкость).

Сравнение конструкций воздушного и жидкостного охлаждения приведено на рисунках 5 и 6.

Рис.5. Блок с воздушным охлаждением – а) и распределение температур –б). Габариты блока: 450420104 мм; Рвых = 500 Вт.  Расход воздуха: 400 куб.м./час; Tвоздуха = 25C

Рис.6. Блок с водяным охлаждением – а) и распределение температур

– б. Габариты блока: 35030054 мм; Рвых = 500 Вт. Расход воды:

0,4 куб.м./в час, Tводы = 20C

Перегрев рабочей области СВЧ транзистора, изготовленного на подложке из кремния, при = 200мкс составляет Т250С, что приводит к падению выходной мощности Рвых (рис.7,а) и изменению фазы коэффициента усиления Кр (рис.7,б)

Рис.7. Зависимость  максимальной выходной мощности Рвых  – а) и фазового сдвига коэффициента передачи СВЧ транзисторов от температуры корпуса (имп =250мкс; Q=10) – б).

1– GaAs FLM0910-25; 2– GaN (4 кристалла 3ПШ987В).

Оптимизация отвода тепла при применении в GaN СВЧ транзисторе теплопроводящей подложки из карбида кремния позволяет уменьшить неравномерность вершины СВЧ импульса до 20% от амплитуды (рис.8).

Рис. 8. Зависимости от времени t: 1 – изменения напряжения на стоке СВЧ транзистора Uc; 2 – формы огибающей продетектированного

СВЧ импульса Uд.

Изменение формы огибающей СВЧ импульса (рис.8) определяется только разогревом активной области СВЧ транзистора, поскольку напряжение на стоке во время импульса остается постоянным.

Полученное значение нестабильности фазы сигнала СВЧ передатчика обеспечивает равенство отношения основного и бокового лепестков свертки ФКМ сигнала на входе и выходе выходного усилителя мощности (ВУМ) (рис.9) на уровне погрешности измерения.

Рис.9. Отношение основного и бокового лепестков свертки ФКМ сигнала:

а) – свертка сигнала на входе ВУМ; б) – свертка сигнала с выхода ВУМ.

В импульсных усилителях мощности на GaN СВЧ транзисторах для минимизации тепловыделения и увеличения коэффициента полезного действия для питания СВЧ транзисторов твердотельных СВЧ усилителей в составе модуляторов управления питанием (МУП) используются вторичные источники питания (ВИП) с широтно-импульсной модуляцией. Применение ВИП с широтно-импульсной модуляцией существенно ухудшает уровень амплитудных и фазовых шумов СВЧ передатчика.

Показателем стабильности частоты является дисперсия флуктуаций частоты ()2

где  S() – спектральная плотность частотного шума.

Флуктуации фазы (t) и частоты v(t) связаны между собой

S()=2S(), где S() – спектральная плотность фазового шума (СПФШ).

Для снижения уровня СПФШ СВЧ передатчика во время радиоимпульса импульсный вторичный источник питания должен быть отключен от СВЧ транзистора, что достигается применением двухключевой схемы питания GaN СВЧ транзистора (рис.10).

Рис. 10. Схема импульсного модулятора питания с двумя ключами

В схеме модулятора результат достигается подавлением влияния шумов и помех вторичного источника питания (ВИП), поскольку в течение длительности импульса GaN СВЧ транзистор подключен к блоку конденсаторов (через первый ключ), а блок конденсаторов отключен (через второй ключ) от вторичного источника питания; в течение паузы между импульсами GaN СВЧ транзистор отключен от блока конденсаторов (через первый ключ) и блок конденсаторов заряжается (через включенный второй ключ) от вторичного источника питания. Применение двухключевой схемы питания GaN СВЧ транзистора позволяет снизить уровень СПФШ сигнала СВЧ передатчика более чем на 20 дБ (рис.11).

Рис.11. СПФШ твердотельного импульсного передатчика с питанием от ВУМ: с одноключевым модулятором – а) и с двухключевым модулятором – б).

Установлено, что в режиме обеспечения максимальной СВЧ мощности выходного импульсного усилителя твердотельного передатчика при выключении GaN СВЧ транзистора возникает бросок напряжения на стоке, что может приводить к отказам СВЧ транзистора из-за электрического пробоя (рис.12). 

Рис.12. Зависимости напряжения Uc на стоке СВЧ транзистора – 1 во время прохождения СВЧ импульса с огибающей продетектированного сигнала Uд – 2.

а) СВЧ импульс внутри импульса модулятора питания;

б)  модулятор питания выключен раньше окончания СВЧ импульса.

Для устранения выброса на заднем фронте СВЧ импульса разработан быстродействующий модулятор, обеспечивающий снижение напряжения «помехи» на стоке GaN СВЧ транзистора до уровня 10% напряжения питания стока за время, менее чем 150 нс.

Разработаны методики конструирования СВЧ твердотельных передатчиков сигналов с высокой стабильностью частоты и фазы, устойчивых к внешним и внутренним климатическим, механическим и электромагнитным воздействиям. Проведенное моделирование тепловых режимов GaN СВЧ транзисторов в импульсных передатчиках показало, что оптимальным методом съема тепла, минимизирующим габаритные размеры СВЧ передатчика, как показано выше, является жидкостное охлаждение, а воздушное охлаждение позволяет снизить вес и удешевить конструкцию СВЧ передатчика.

В третьей главе приведены результаты теоретического анализа и моделирования мощных СВЧ генераторов, стабилизированных диэлектрическими  резонаторами, по критерию максимума стабильности частоты и фазы.

Оптимизация параметров СВЧ генераторов для минимизации уровня СПФШ сигнала СВЧ генератора S(fm) проводилось вариацией параметров, входящих в формулу (1)

,

где QН – величина нагруженной добротности резонатора, KР – коэффициент усиления СВЧ транзистора генератора, компенсирующий потери в резонаторе, STP(fm) – спектральная плотность низкочастотного шума активного элемента, fm – частота отстройки от рабочей частоты СВЧ генератора,  f0 – рабочая частота СВЧ генератора.

Моделирование параметров СВЧ транзистора в мощном СВЧ генераторе по критерию минимума спектральной плотности шума СВЧ генератора проведено вариацией параметров эквивалентной схемы нагруженного резонатора (рис.13) в виде последовательного контура с резонансной частотой fр, эквивалентной индуктивностью Lр, емкостью Ср и сопротивлением Rр. Кроме того эквивалентная схема учитывает статическую емкость резонатора С0, импеданс СВЧ транзистора Lтр, Стр и Rтр, и согласующее устройство, представляющее собой Г-образный трансформатор импедансов, состоящий из индуктивности L1 ,емкости С1 и активного сопротивления R1.

Рис.13. Эквивалентная схема нагруженного резонатора – а)  и амплитудно-частотная характеристика диэлектрического резонатора в СВЧ генераторе с цепями согласования – б)

Проведенный анализ показал, что минимизация уровня СПФШ ограничена условием возникновения автоколебаний СВЧ генератора , где Kp – суммарный коэффициент передачи разомкнутой петли генератора, – суммарный фазовый сдвиг в разомкнутой петле генератора и – условием устойчивой работы в диапазоне рабочих температур Т, при выполнении соотношения , где Т – температурная нестабильность частоты, fa – частота антирезонанса.

Оба эти условия связывают достижимые значения нагруженной добротности резонатора Qн с импедансом СВЧ транзистора и параметрами эквивалентной схемы  диэлектрического резонатора и схем согласования.

Проведен расчет достижимых значений отношения нагруженной добротности диэлектрического резонатора к ненагруженной добротности Q в зависимости от отношения активных составляющих импеданса транзистора и резонатора для различных значений добротности цепей согласования (рис. 14).

Рис.14. Зависимости величины отношения нагруженной к ненагруженной добротности резонатора Qн/Q от отношения активных составляющих импеданса резонатора и транзистора Rр/Rтр при значениях добротности цепей согласования Qс:  Qс=3 (1); Qс=30 (2) и Qс=300 (3).

Полученные результаты показывают, что чем выше активное сопротивление СВЧ транзистора, тем меньше величина вносимого в контур диэлектрического резонатора сопротивления потерь и, соответственно, больше величина нагруженной добротности резонатора при одинаковой величине связи резонатора с СВЧ транзистором.

На основании проведенного анализа и моделирования был проведен выбор типа СВЧ транзистора по критерию минимума спектральной плотности шума СВЧ генератора, стабилизированного диэлектрическим резонатором.

Сравнение расчетных значений активной составляющей импеданса rтр, вносимого в контур  диэлектрического резонатора, для GaN и GaAs транзисторов (рис.15) показывает, что величина вносимого в контур диэлектрического резонатора сопротивления потерь GaN СВЧ транзистора почти на порядок меньше, чем у GaAs СВЧ транзистора.

Рис.15. Сравнение расчетных значений импеданса GaN – 1 и GaN – 2 СВЧ НЕМТ с одинаковой Рвых. в диапазоне частот 0.110 ГГц.

Это приводит к большей величине нагруженной добротности при одинаковой величине связи резонатора с СВЧ транзистором и, в соответствии с (1), – к меньшей величине СПФШ.

Большая величина нагруженной добротности в СВЧ генераторе на GaN транзисторе позволяет выбрать этот тип СВЧ транзистора по критерию минимума спектральной плотности шума СВЧ генератора, стабилизированного диэлектрическим резонатором, поскольку низкочастотные шумы GaN и GaAs транзисторов отличаются незначительно и находятся достаточно близко к среднеквадратическому отклонению результатов измерений (  3 дБ)

Экспериментальная проверка СПФШ мощных (Р=10Вт) СВЧ генераторов на GaN и GaAs транзисторах (рис.16) показала, что применение GaN СВЧ транзистора в мощном СВЧ генераторе, стабилизированном диэлектрическим резонатором, позволяет снизить уровень спектральной плотности фазового шума (СПФШ) более чем на 10дБ, что обусловлено большей величиной активной части импеданса GaN СВЧ транзистора по сравнению с импедансом GaAs СВЧ транзистора.

Рис.16. СПФШ мощных СВЧ генераторов (Р=1Вт)

на GaAs-транзисторе – а) и GaN-СВЧ транзисторе – б).

Разработаны конструктивные и схемотехнические методы обеспечения стабильности частоты и фазы сигнала СВЧ генераторов при воздействии внешних воздействующих факторов, состоящие в снижении влияния механических воздействий на устойчивость работы СВЧ твердотельных передатчиков.

В четвертой главе рассмотрены результаты экспериментальных исследований и практического использования оптимизированных твердотельных СВЧ передатчиков с высокой стабильностью частоты и фазы на GaN СВЧ транзисторах при воздействии шумов и помех.

Оптимизация схемных и конструктивных решений проводилась с учетом минимизации влияния внешних воздействий на стабильность частоты и фазы формируемых сигналов и обеспечения минимальных габаритных размеров аппаратуры.

Существенное влияние на стабильность частоты, как показано в главе 2, оказывает перегрев и наличие градиентов температуры (рис.17).

Рис.17. Экспериментальные зависимости СПФШ СВЧ усилителя: а) –без принудительного охлаждения корпуса СВЧ модуля; б) – с принудительным охлаждением корпуса СВЧ модуля со скоростью потока воздуха 5 м/с и при температуре воздуха Т=20C.

Результаты проведенных исследований легли в основу разработки импульсного СВЧ передатчика Х-диапазона (рис.18).

Рис.18. Конструкция и внешний вид импульсного СВЧ передатчика Х-диапазона с выходной импульсной мощностью 8 кВт.

Показано, что основными преимуществами применения GaN СВЧ транзисторов в твердотельных СВЧ передатчиках с высокой стабильностью частоты и фазы, по сравнению с GaAs СВЧ транзисторами, являются большие значения импульсной мощности и большая линейность, обусловленные большими пробивными напряжениями и, как следствие, – большими рабочими напряжениями.

Проведенные исследования виброустойчивости СВЧ формирователя сигналов (рис.19,а), использующего СВЧ генераторы с диэлектрическими резонаторами, показали, что при механических воздействиях с ускорением до 10g уровень СПФШ СВЧ формирователя сигналов не изменяется (рис.19,б).

Полученные результаты достигаются за счёт применений методов конструктивной защиты опорного кварцевого генератора, СВЧ генераторов с диэлектрическими резонаторами и всей конструкции СВЧ формирователя сигналов.

Рис.19. СВЧ формирователь сигналов, обеспечивающий высокую стабильность частоты и фазы при воздействии шумов и помех – а), и результаты измерения СПФШ СВЧ генератора на GaN СВЧ транзисторе, стабилизированного диэлектрическим резонатором, с ФАПЧ при воздействии акустического гармонического воздействия с частотой 20Гц мощностью 120дБ – б):

1 – испытания СПФШ СВЧ генератора на GaAs СВЧ транзисторе;

2 – испытания СПФШ СВЧ генератора на GaN СВЧ транзисторе

в составе конструкции СВЧ формирователя сигналов.

СВЧ формирователь сигналов успешно прошел испытания на стойкость к внешним воздействующим факторам (механическим, климатическим, акустическим) Комплекса государственных военных стандартов (КГВС) «Мороз-6».

Заключение

Основные результаты теоретических и экспериментальных исследований, проведенных в настоящей работе, заключаются в следующем:

1.  Установлено, что применение GaN СВЧ транзистора в мощном СВЧ генераторе, стабилизированном диэлектрическим резонатором, позволяет снизить уровень спектральной плотности фазового шума (СПФШ) на 10дБ, что обусловлено большей величиной активной части импеданса GaN СВЧ транзистора по сравнению с GaAs СВЧ транзистором; это приводит к меньшей на порядок величине вносимого в контур диэлектрического резонатора сопротивления потерь и, соответственно, большей величине нагруженной добротности при одинаковой величине связи резонатора с СВЧ транзистором.

2. Показано, что применение двухключевой схемы модулятора питания GaN СВЧ транзистора позволяет снизить уровень СПФШ сигнала СВЧ передатчика более чем на 10 дБ по сравнению с одноключевой схемой модулятора питания. Полученный результат достигается за счёт подавления влияния шумов и помех вторичного источника питания, поскольку в течение длительности импульса GaN СВЧ транзистор подключен к блоку конденсаторов (через первый ключ), а блок конденсаторов отключен (через второй ключ) от вторичного источника питания, а в течение паузы между импульсами GaN СВЧ транзистор отключен от блока конденсаторов (через первый ключ) и блок конденсаторов заряжается (через включенный второй ключ) от вторичного источника питания.

3. Установлено, что для снижения вероятности электрического пробоя GaN СВЧ транзистора, обусловленного короткими импульсными выбросами напряжения «помехи» на стоке GaN СВЧ транзистора, возникающими при выключении СВЧ сигнала в режиме съема максимальной импульсной СВЧ мощности, модулятор питания стока GaN СВЧ транзистора должен выключаться не менее чем за 150 нс до начала заднего фронта СВЧ импульса. Это обеспечивает снижение  напряжения «помехи» на стоке GaN СВЧ транзистора до уровня 10% напряжения питания стока.

4. Показано, что применение теплопроводящих подложек из карбида кремния в GaN СВЧ транзисторах позволяет обеспечить уровень перегрева активной структуры за длительность  импульса =200 мкс Т150С, что почти в два раза меньше чем в GaN СВЧ транзисторах на кремниевых подложках; при этом неравномерность вершины СВЧ импульса составляет менее 20% от амплитуды импульса.

5. Разработаны методики конструирования СВЧ твердотельных передатчиков сигналов с высокой стабильностью частоты и фазы, устойчивых к внешним и внутренним климатическим, механическим и электромагнитным воздействиям при минимальных массо-габаритных характеристиках аппаратуры.

6. Результаты работы использованы при создании:

1) при разработке и организации выпуска формирователя сигналов гетеродинов и передатчика S-диапазона БКВП.468173.006;

2) при разработке устройства формирования сигналов Х-диапазона  БКВП.468173.020;

3) при разработке модуля выходного усилителя мощности Х диапазона с водяным охлаждением БКВП.468714.033.

4) при разработке твердотельного СВЧ передатчика Х-диапазона  БКВП.468714.030.

5) при разработке усилителя мощности Х-диапазона с воздушным охлаждением  БКВП.468714.042.

Публикации по теме диссертационной работы

1. Глыбин А.А., Фоканди Д.С., Титаев Л.В. Твердотельный СВЧ генератор, устойчивый к акустическому и вибрационному воздействию. // Труды научно-технической конференции «Твердотельная СВЧ электроника, приборы силовой электроники, микроэлектроника и изделия на основе ПЗС», Москва. 2003.  С.61-62.

2.  Глыбин А.А, Клушин И.Р. Минимизация АМ и ФМ шума твердотельных умножителей частоты // Труды научной конференции «Твердотельная электроника. Комплексированные изделия. Экономика и управление научными разработками и производством ИЭТ». Москва. 2004. С.33-34.

3. Глыбин А.А., Колковский Ю.В., Гришаков М.Н., Ивко А.М., Рогозинский А.М., Финкель И.В. Стабильные твердотельные СВЧ генераторы  устойчивые к воздействию акустического шума // «Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы» 2007. Вып. 1. С.103- 108.

4. Александров В.А., Глыбин А.А., Колковский Ю.В. Разработка твердотельного СВЧ синтезатора частоты // Труды 56 научно-технической конференции, посвящённой 60-летию МИРЭА. Москва. МИРЭА. 2007. С.35-36.

5. Аболдуев И.М., Васильев А.Г., Глыбин А.А., Колковский Ю.В., Зайцев А.М., Миннебаев В.М., Пырсиков Ю.В. 200-Ваттный импульсный усилитель мощности X-диапазона с активными элементами на основе широкозонных материалов // Труды VII научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА».  Москва. 2008. C. 78-79.

6. Борисов О.В., Глыбин А.А., Колковский Ю.В. Модулятор управления питанием усилителей мощности на GaAs и GaN ПТБШ Х-диапазона // Труды VIII -ой научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА». Дубна. 21-23 октября 2009. C.8.

7. Колковский Ю.В., Глыбин А.А., Борисов О.В., Ивко А.М. Модулятор питания для GaN СВЧ усилителя мощности // Труды IX-ой научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА». Звенигород. 01-03 декабря 2010. C.36-38.

8. Глыбин А.А., Миннебаев В.М., Перевезенцев А.В., Колковский Ю.В., Редька Ал. В., Редька Ан. В. 4-х канальный ППМ для АФАР С-диапазона // Труды IX-ой научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА». Звенигород. 01-03 декабря 2010. C.43.

9. Глыбин А.А., Колковский Ю.В., Миннебаев В.М., Иванов К.А., Мещерякова К.С. Твердотельный нитрид галлиевый 500-ватный импульсный усилитель мощности Х-диапазона // «Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы» 2011. Вып.1. С.83-88.

10. Борисов О.В., Глыбин А.А., Колковский Ю.В., Ивко А.М. Модулятор управления питанием усилителей мощности на GaN СВЧ транзисторах Х-диапазона // Труды X-ой научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА». Дубна. 12-14 октября 2011. C.61-64.

11. Васильев А.М., Глыбин А.А., Колковский Ю.В., Пашков С.С., Рогозинский А.В., Финкель И.В. Шумозащищенный кожух для электронных средств // Патент на изобретение №2338343. Приоритет 03.06.2007.

Цитируемая литература

Л1. Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. СВЧ приборы и устройства на широкозонных полупроводниках. М.: Техносфера. 2011. 416 с.

Заказ № 29. Тираж 100 экз. Уч -изд.л 1,75. Формат 60х48 1/16.

Отпечатано в типографии ФГУП «НПП «Пульсар»

105187, г. Москва, ул. Окружной проезд, д.27

Подписано в печать « 4» апрель 2012 г.






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.