WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


На правах рукописи

Мухин Игорь Игоревич

ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФАЗОВРАЩАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ SIGE БИКМОП ТЕХНОЛОГИИ

Специальность 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Москва 2012

Работа выполнена на кафедре Интегральной электроники и микросистем Национального исследовательского университета «МИЭТ»

Научный консультант: доктор технических наук, профессор Крупкина Татьяна Юрьевна

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор, заместитель генерального директора по науке ОАО «НИИМЭ и Микрон» Шелепин Николай Алексеевич кандидат технических наук, доцент кафедры ТКС Национального исследовательского университета «МИЭТ» Тимошенко Александр Геннадиевич.

Ведущая организация: Федеральное государственное унитарное предприятие «Научно-производственное предприятие «Пульсар»

Защита диссертации состоится «25» декабря 2012г. в 1600 часов на заседании диссертационного совета Д 212.134.01 при Национальном исследовательском университете «МИЭТ» (аудитория 3103) по адресу:

124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, д.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МИЭТ.

Автореферат разослан «___» ноября 2012 года.

Ученый секретарь Крупкина Т.Ю.

диссертационного совета:

доктор технических наук, профессор

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ



Актуальность работы.

К современной электронной аппаратуре предъявляются все более жесткие требования по повышению быстродействия и надежности при снижении массо-габаритных размеров и энергопотребления. Удовлетворению этих требований способствует совершенствование элементной базы.

Современное развитие радиолокационных систем (РЛС) идет по пути повышения энергетического потенциала и увеличения функциональных возможностей. Такие тенденции хорошо видны на примере радиотехнических комплексов с электронным сканированием луча, которые предполагают широкое использование активных фазированных антенных решеток (АФАР). Поэтому создание микросхем приемного и передающего каналов является весьма перспективным.

Серийно выпускаемые в России приемо-передающие модули (ППМ) АФАР сантиметрового и миллиметрового диапазонов представляют собой гибридные модули на основе арсенида галлия (GaAs). Новым подходом к построению АФАР с более низкими стоимостными показателями и с малой удельной мощностью является разработка всего ППМ на одном кристалле путем использования перспективной для разработки аналого-цифровых БИС СВЧ диапазона кремний-германиевой (SiGe) БиКМОП технологии. В настоящее время разработка данной эффективной и недорогой технологии активно осуществляется в ОАО «НИИМЭ и Микрон» на основе базового кремниевого процесса HCMOS8D с нормами 0,18 мкм [1].

Ключевыми устройствами систем АФАР являются фазовращатели (ФВ), число которых в зависимости от назначения системы составляет от десятков до десятков тысяч штук в каждой решетке. Параметры и стоимость фазовращателей играют доминирующую роль, как в получении необходимых технических характеристик антенных систем, так и в их ценообразовании.

Многообразие требований к антенным системам не позволяет выделить какой-либо класс фазовращателей, как полностью удовлетворяющий этим требованиям. Как правило, выбор того или иного класса устройств определяется компромиссом ряда основных параметров (например, быстродействие, рабочая СВЧ мощность, потребляемая мощность управления, массогабаритные параметры, стоимость).

Решению актуальной задачи построения интегральных фазовращателей на основе совокупности новых научно-обоснованных структурных и схемотехнических решений посвящена настоящая диссертация.

Цель работы - решение актуальной научной задачи по исследованию и разработке методов построения ИС фазовращателей на основе SiGe БиКМОП технологии.

Для достижения поставленной цели решены следующие задачи:

1. проведен анализ основных методов построения интегральных фазовращателей;

2. разработана методика и спроектирована ИС пассивного проходного фазовращателя, построенного на ФВЧ и ФНЧ секциях;

3. спроектирована ИС векторного фазовращателя и предложены методы увеличения ее динамического диапазона;

4. для снижения требований, предъявляемых к характеристикам блока фазовращателя, разработана структура приемника, в которой фазовращатель расположен в цепи сигнала гетеродина.

5. изложены и проанализированы результаты экспериментальных исследований спроектированных микросхем фазовращателей.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Предложен новый принцип построения структуры пассивных фазовращателей, обеспечивающий минимальные вносимые потери.

2. Разработана методика проектирования пассивных фазовращателей, обеспечивающая минимальную амплитудную модуляцию и наилучший коэффициент согласования.

3. На основании проведенных исследований зависимости линейности передаточной характеристики и коэффициента шума от структурной организации схемы фазовращателя векторного типа предложен новый способ построения данных систем за счет переноса квадратурного фильтра в конец тракта и использования дискретных аттенюаторов для регулирования амплитуды векторов.

4. Предложен новый метод построения приемника с фазовращателем в цепи гетеродина, позволяющий использовать в качестве сигнала гетеродина входной сигнал и обеспечивающий расширение динамического и частотного диапазона приемника, а также снижение требований к характеристикам фазовращателя, без ухудшения точности задания фазы выходного сигнала.

Практическая значимость работы заключается в следующем:

1. На основе проведенных теоретических и экспериментальных исследований, с использованием SiGe БиКМОП технологии выполнена разработка ряда отечественных ИС фазовращателей (К1338ХК1У, К1338ХК2У, К1338ХК3У, 1338ХК6У, 1338ХК7У, К1338ХК9У). Данные ИС использованы при разработке ППМ АФАР S-диапазона БКВП.434856.029, ППМ АФАР C-диапазона БКВП.434857.004.

2. Разработан алгоритм и программное обеспечение для поиска оптимальных состояний векторного фазовращателя по заданным критериям.

3. Разработаны и внедрены методики проведения измерений ИС фазовращателей на предприятии ФГУП «НИИМА «Прогресс».

4. Исследована структура приемника с фазовращателем в цепи гетеродина, решение использовано при разработке ИС приемника Хдиапазона, позволяющего осуществлять фазовый сдвиг входного сигнала в диапазоне частот 8-12 ГГц и расширить динамический диапазон до 89 дБ.

5. Разработанные методики проектирования, структурные и схемотехнические решения внедрены при выполнении НИР («И2011-1.3.2-215-009-044» в рамках ФЦП «Научно-педагогические кадры 2009-2013) на кафедре ИЭМС в Национальном исследовательском университете МИЭТ.

На защиту выносятся следующие положения:





1. Принцип построения параллельно-последовательной структуры пассивных фазовращателей с использованием изолированных МОП транзисторов в качестве ключей, позволивший уменьшить величину вносимых потерь.

2. Методика проектирования пассивных фазовращателей, позволяющая получать минимальную амплитудную модуляцию выходного сигнала для всех состояний фазовращателя, а также наилучший коэффициент согласования схемы.

3. Структурная организация схемы векторного фазовращателя, обеспечивающая расширение динамического диапазона, которое достигается за счет уменьшения коэффициента шума путем переноса пассивных квадратурных фильтров в конец тракта и увеличения линейности благодаря использованию для регулировки амплитуды векторов дискретных аттенюаторов.

4. Метод построения приемника с фазовращателем в цепи гетеродина, позволяющий использовать в качестве сигнала гетеродина входной сигнал, а также снижающий требования к характеристикам фазовращателя, без ухудшения точности задания фазы выходного сигнала.

Апробация результатов работы.

Основные положения диссертационной работы были представлены на следующих научно-технических конференциях:

«Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов» (г. Зеленоград, Национальный исследовательский университет МИЭТ, 2010 г., 2011 г.); 52-ая научная конференция «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук» (г. Зеленоград, МФТИ, 2009 г); Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (г.

Севастополь, 2011 г., 2012 г.); Российская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (г. Суздаль, 2010 г., 2011 г., 2012 г.); Всероссийская конференция «Микроэлектроника СВЧ» (г. Санкт-Петербург, 2012 г.); V Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем» (Москва, 2012 г.), а также в следующих журналах: Известия высших учебных заведений «Электроника» (г. Москва, 2012 г., №4, №5), Вестник Московского Энергетического Института (г. Москва, 2012 г., №2).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 19 работ в материалах международных и всероссийских научно-технических конференций, включая 4 работы в изданиях, рецензируемых ВАК, получено свидетельство об официальной регистрации топологии ИМС.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и библиографического списка. Объем работы составляет 153 страницы, работа содержит 91 рисунок, 19 таблиц, список цитируемых источников из 113 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ Во введении обосновывается актуальность темы диссертации, формулируется цель и задачи работы, научная новизна, практическая значимость полученных результатов, а также положения, выносимые на защиту. Излагается краткое содержание работы.

В первой главе обсуждаются предпосылки создания и преимущества применения АФАР в современных радиолокационных системах. Рассматриваются различные структурные варианты построения приемо-передающих модулей (ППМ) АФАР, отличающихся типом и расположением фазовращателя (ФВ).

Показано, что особенно привлекательной является реализация ФВ на базе интегральной технологии за счет увеличения надежности, снижения габаритов и стоимости тракта. Рассмотрены основные принципы построения полупроводниковых фазовращателей:

отражательные ФВ;

проходные ФВ на гибридных устройствах;

проходные шлейфные ФВ;

проходные коммутируемые ФВ;

на основе электрически управляемых конденсаторов;

метод векторного сложения ортогональных сигналов;

метод формирование сдвига фаз на кольцевом генераторе;

цифровые методы обработки сигналов.

Анализ литературных источников показал, что при построении ИС СВЧ ФВ применяются два основных направления:

использование ФВЧ и ФНЧ переключаемых секций;

применение принципа векторного сложения.

Рассмотрены основные преимущества SiGe технологии, заключающиеся в высоком быстродействии, хорошей однородности характеристик приборов на пластине, малом тепловыделении, низкой стоимости изготовления и высоком выходе годных, а также необходимостью проведения только 4 дополнительных операций по сравнению со стандартным процессом КМОП или 5 дополнительных операций по сравнению со стандартным биполярным процессом.

Вторая глава посвящена разработке пассивных ФВ с использованием ФНЧ и ФВЧ (рис. 1). Значения элементов фильтров для получения заданного фазового сдвига при согласовании звеньев с сопротивлением Z0 можно получить из следующих выражений:

Z0 ПФВЧ: L ; C ;

0 Z00 sin20tg Z0 ТФВЧ: L ; C ;

0 sin0 2Z00tg 2Z0tg sinТФНЧ: L ; C ;

0 Z02tg ZПФНЧ: L sin0 ; C .

0 Z0Результаты экспериментальных исследований вносимых потерь переключающих элементов на МОП транзисторах показали существенное расхождение с результатами моделирования в САПР Cadence с использованием библиотеки SGB25V фирмы IHP. Для уменьшения вносимых потерь использованы изолированные транзисторы с глубоким карманом, результаты экспериментальных исследований которых на частоте 3 ГГц показали, что вносимые потери составляют не более 1,0 дБ, подавление сигнала в закрытом состоянии 28,4 дБ, коэффициент согласования при открытом ключе не более 1,2.

Предложенная методика проектирования пассивных ФВ, позволяет получать минимальную амплитудную модуляцию выходного сигнала для всех состояний ФВ, а также наилучший коэффициент согласования схемы.

Рис.1. Секция пассивного фазовращателя Предложена параллельно-последовательная структура для построения пассивных ФВ, позволяющая уменьшить величину вносимых потерь за счет сокращения в два раза количества проходных МОП ключей (рис. 2).

На основе SiGe технологии рассчитана схема и разработана топология пассивного ФВ. Результаты моделирования схемы представлены в таблице 1 на странице 17.

ФВЧ ФВЧ ФВЧ ФВЧ ФВЧ ФВЧ ФНЧ ФНЧ ФНЧ ФНЧ ФНЧ ФНЧ Рис. 2. Параллельно-последовательная структура пассивного ФВ Третья глава содержит результаты проектирования полупроводниковых ФВ на основе метода векторного сложения ортогональных сигналов. Суть метода заключается в суммировании двух сдвинутых на 90 по фазе сигналов. Различные амплитудные весовые составляющие сигналов формируют различные значения фазы.

Спроектирована ИС векторного ФВ на основе схемы четырехквадрантного сумматора, в которой изменение весовых коэффициентов основано на зависимости крутизны транзистора от тока эмиттера (рис. 3).

R1 RUOUT Q11 Q12 QQ21 Q22 Q31 Q32 QUQ UI IQp IQn IIp IIn Рис. 3 Схема сумматора ортогональных векторов Предложена и спроектирована ИС векторного ФВ на основе четырехквадрантного сумматора с расширенным динамическим диапазоном.

Установлено, что применение в SiGe СВЧ ФВ векторного типа СВЧ аттенюаторов с дискретным изменением величины коэффициента передачи для регулировки амплитуды векторов позволяет расширить динамический диапазон схемы, благодаря высокой линейности схемы дискретного аттенюатора.

По результатам исследования зависимости точки однодецибельной компрессии по входу и коэффициента шума от структурной организации схемы предложена структурная схема векторного ФВ с расширенным до 81 дБ динамическим диапазоном (рис. 4). На рис. 5 представлена АЧХ ФВ в опорном состоянии.

Результаты измерения схемы представлены в таблице 1 на странице 17.

Атт I/Q МШУ + Атт I/Q Управление Рис. 4. Структурная схема векторного ФВ с расширенным динамическим диапазоном Рис. 5. АЧХ векторного ФВ Количество возможных значений выходного сигнала для ФВ с данной структурой весьма избыточно и напрямую зависит от разрядности аттенюатора. Благодаря этому можно значительно минимизировать ошибки в точности задания фазы и амплитуды выходного сигнала.

В четвертой главе рассмотрена схема приемника с ФВ в цепи гетеродина, позволяющая расширить динамический и частотный диапазоны. Принцип работы данного приемника основан на том, что при перемножении в смесителе полезного сигнала и сигнала гетеродина, выходной сигнал имеет суммарную и разностную частоту и фазу, полученную в результате сложения или вычитания фаз входных сигналов, т. е.:

VOUT t V0t cosRF t RF cosLO t LO V0t cosRF LOt RF LO...

где RF – частота полезного сигнала, LO – частота сигнала гетеродина, RF – фаза полезного сигнала, LO – фаза сигнала гетеродина.

Установлено, что требования к ФВ, расположенному в канале гетеродина, существенно отличаются от требований к ФВ, расположенному в ВЧ тракте, благодаря работе с малыми сигналами.

Требуемая для работы смесителя амплитуда гетеродина получается применением после ФВ усилителя-ограничителя, а собственные шумы ФВ не оказывают существенного влияния на результирующий коэффициент шума смесителя.

На рис. 6 представлена предлагаемая структурная схема преобразователя частоты с ФВ в канале гетеродина, в которой в качестве сигнала гетеродина используется входной сигнал. В ее состав входят: смеситель (СМ1), смеситель в канале гетеродина (СМ2), усилитель-ограничитель сигнала гетеродина (УМ), векторный фазовращатель (ФВ), полифазный фильтр (ПФ), схема управления.

Применение структуры приемника с двойным преобразованием позволяет осуществлять фазовращение на частотах 8-12 ГГц, расширить динамический диапазон приемника до 89 дБ и упростить задачу разводки сигнала гетеродина.

СМВход Выход УМ ПФ ФВ СМУправление Рис. 6. Структурная схема приемника с ФВ в цепи гетеродина Разработаны методики измерения параметров ИС ФВ. На основе разработанных методик проведены измерения ИС ФВ.

Сравнительные результаты измерений представлены в таблице 1 для следующих ИС ФВ:

ФВ1 – ИС ФВ, спроектированная на основе ФНЧ/ФВЧ с использованием параллельно-последовательной структуры и изолированных МОП транзисторов в качестве переключателей;

ФВ2 – ИС векторного ФВ, спроектированная на основе ячейки четырехквадрантного сумматора;

ФВ3 – ИС векторного ФВ, спроектированная на основе ячейки четырехквадрантного сумматора с расширенным динамическим диапазоном;

ФВ4 – ИС векторного ФВ, спроектированная на основе четырех емкостных аттенюаторов;

ФВ5 – ИС векторного ФВ, спроектированная с использованием структуры с расширенным динамическим диапазоном на основе дискретных аттенюаторов;

ФВ6 – ИС приемника с ФВ, расположенным в цепи сигнала гетеродина.

Результаты экспериментального исследования микросхем ФВ показывают близкое соответствие с расчетными данными, что подтверждает корректность используемой методики проектирования полупроводниковых ФВ различных типов.

Выбор ИС ФВ с оптимальными параметрами проводился на основании расчета критерия качества с использованием выражения:

1 1 CK a DR b c d K, I S 1 Iгде, CK – критерий качества, DR - динамический диапазон, I - потребляемый ток, S - площадь кристалла, - СКО фазовой ошибки, K - коэффициент передачи, I0, a, b, c, d – нормирующие коэффициенты.

Значения нормирующих коэффициентов подбираются с учетом экспертной оценки в зависимости от области применения схемы ФВ и важности каждого из параметров в отдельности. Для сравнительного анализа ИС ФВ значения нормирующих коэффициентов выбраны: I0 = 100мА, a = 0,1 [1/дБ], b = 1 [мм2], c = 1 [град.], d = 1 [1/дБ].

В заключении диссертации сформулированы основные результаты и сделан общий вывод по работе.

Таблица 1. Параметры ИС ФВ разработанных на основе SiGe БиКМОП технологии Наименование параметра, единица измерения ФВ1* ФВ2 ФВ3 ФВ4 ФВ5 ФВДиапазон рабочих частота, ГГц 2,7-3,3 3 - 6 2 - 4 2 - 4 4-6 8-СКО фазовой ошибки, град. 6 1,2 3,3 2,0 2,3 3,Коэффициент передачи, дБ -11 3,8 2,1 1,5 2,4 -12,СКО амплитудной ошибки, дБ - 0,3 0,5 0,4 0,7 0,Коэффициент шума, дБ 12 25,3 10,9 12,5 10,4 13* Точка однодецибельной компрессии по входу, дБм +14 -14,0 -13,7 -8,0 -2,6 +Динамический диапазон (f=0,1 ГГц), дБ 96,0 54,7 69,4 73,5 81,0 89,КСВН по входу 1,9 1,6 1,5 1,8 1,6 3,КСВН по выходу 1,6 3,5 1,4 1,9 1,2 5,Ток потребления, мА 0,1 20 112 131 155 1Размер кристалла, мм2 3,92 0,9 2,2 6,72 4,0 3,Критерий качества 11,30 9,81 9,44 9,67 10,50 10,* - результаты моделирования в САПР Cadence.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ Основные итоги теоретических и экспериментальных исследований, проведенных в настоящей работе, заключаются в следующем:

1. Рассмотрены предпосылки создания и преимущества применения АФАР в современных РЛС. Детальный анализ состояния разработок современных гибридных и монолитных ИС показал, что для обеспечения высокого качества приема сигналов необходимо решить задачу создания СВЧ ППМ на SiGe ИС.

2. Показано, что перспективным является применение SiGe технологического процесса, позволяющего значительно увеличить степень интеграции микросхем, сохраняя при этом высокий процент выхода годных, а также низкую стоимость изготовления, особенно при использовании отечественной технологии.

3. Разработана методика проектирования пассивных фазовращателей, позволяющая получать минимальную амплитудную модуляцию выходного сигнала для всех состояний фазовращателя, а также наилучший коэффициент согласования схемы.

4. Установлено, что применение параллельно-последовательной структуры для построения пассивных фазовращателей, а также использование изолированных МОП транзисторов в качестве ключей, позволяет уменьшить величину вносимых потерь.

5. Установлено, что применение в SiGe СВЧ фазовращателе векторного типа СВЧ аттенюатора с дискретным изменением величины коэффициента передачи позволяет расширить динамический диапазон схемы, благодаря высокой линейности схемы дискретного аттенюатора.

6. Исследование зависимости динамического диапазона векторного фазовращателя от структурной организации схемы позволило установить, что структурная схема, в которой пассивные элементы (квадратурные фильтры) расположены в конце тракта, позволяет расширить динамический диапазон схемы до 81 дБ, за счет снижения коэффициента шума.

7. Рассмотрена методика поиска оптимальных фазовых и амплитудных состояний выходного сигнала векторного фазовращателя с избыточным числом состояний. Данная методика позволяет проводить корректировку схемы после изготовления, что значительно уменьшает влияние разброса технологического процесса и неучтенных паразитных элементов.

8. Исследована структура приемника с фазовращателем в цепи гетеродина, решение использовано при разработке ИС приемника Хдиапазона позволяющего осуществлять фазовый сдвиг входного сигнала в диапазоне частот 8-12 ГГц и расширить динамический диапазон до 89 дБ.

9. Разработаны и внедрены методики проведения измерений ИС фазовращателей на предприятии ФГУП «НИИМА «Прогресс».

10. На основе проведенных теоретических и экспериментальных исследований, с использованием SiGe БиКМОП технологии выполнена разработка ряда отечественных ИС фазовращателей (К1338ХК1У, К1338ХК2У, К1338ХК3У, 1338ХК6У, 1338ХК7У, К1338ХК9У). Данные ИС использованы при разработке ППМ АФАР S-диапазона БКВП.434856.029, ППМ АФАР C-диапазона БКВП.434857.004.

11. Разработанные методики проектирования, структурные и схемотехнические решения внедрены при выполнении НИР («И2011-1.3.2-215-009-044» в рамках ФЦП «Научно-педагогические кадры 2009-2013) на кафедре ИЭМС в Национальном исследовательском университете МИЭТ.

Таким образом, основным научным результатом работы является создание ряда структурных схем СВЧ фазовращателей для приемо-передающих модулей АФАР на основе SiGe технологии, обеспечивающих хорошие точностные параметры и сравнительно большой динамический диапазон при работе на высоких частотах.

ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ Материалы диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Ионов Л.П., Колковский Ю.В., Малышев И.В., Миннебаев В.М., Мухин И.И., Репин В.В., Суслов А.А.. Разработка МИС с использованием SiGe БиКМОП технологии для построения трактов ППМ АФАР. // Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы научно-технической конференции. – М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2008. – С. 102.

2. Елесин В.В., Назарова Г.Н., Чуков Г.В., Громов Д.В., Репин В.В., Мухин И.И., Суслов А.А. Расчетно-экспериментальное моделирование СВЧ характеристик металлокерамических корпусов ИС. // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов / Под ред. В.Я. Стенина. – М.: МИФИ, 2008. – С. 102 – 109.

3. Елесин В.В., Назарова Г.Н., Усачев Н. А., Бычков М. С., Мухин И.И. Проектирование пассивных элементов для монолитных кремниевых СВЧ ИС. // Электроника, микро- и наноэлектроника.

Сборник научных трудов. – М.: МИФИ, 2009. – С. 45 – 56.

4. Мухин И.И. Методика проектирования интегральных фазовращателей для СВЧ диапазона. // Труды 52-ой научной конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук»: Часть V. Физическая и квантовая электроника.

Том 1. – М.: МФТИ, 2009. – С. 177 - 179.

5. Мухин И.И., Репин В.В. Разработка активного дискретного фазовращателя для C и S диапазонов с использованием SiGe технологии. // Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций «РТ-2010»: Материалы 6-ой международной молодежной научно-технической конференции, 19 - 24 апреля 20г. – Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2010. – С. 449.

6. Мухин И.И. Сравнительный анализ интегральных фазовращателей СВЧ диапазона, спроектированных по SiGe БиКМОП технологии. // Микроэлектроника и информатика – 2010.

17-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов: Тезисы докладов. – М.: МИЭТ, 2010. - С. 92.

7. Репин В.В., Мухин И.И., Малышев И.В., Ионов П.Л. Вопросы схемотехнического проектирования балунов для полупроводниковых малошумящих усилителей. // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов / Под ред. В.Я.

Стенина. – М.: НИЯУ МИФИ, 2010. – С. 57-64.

8. Мухин И.И. Разработка активного фазовращателя СВЧ диапазона по принципу СнК // Проектирование систем на кристалле: тенденции развития и проблемы. Международная научно-техническая конференция с элементами научной школы для молодежи: Тезисы докладов. – М.: МИЭТ, 2010. – С. 64.

9. Мухин И.И. Исследование и пути улучшения параметров интегральных активных фазовращателей СВЧ диапазона // Микроэлектроника и информатика – 2010. 18-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов: Тезисы докладов. – М.: МИЭТ, 2011. - С.84.

10. Репин В.В., Мухин И.И. Методы построения МИС векторных фазовращателей // Актуальные вопросы создания информационноуправляющих систем воздушного и космического базирования.

Научно-техническая конференция. Тезисы докладов. – М.: ОАО «Концерн «Вега», 2011. – С. 15.

11. Ионов П.Л., Малышев И.В., Мухин И.И., Репин В.В. Методы построения МИС векторных фазовращателей // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов / Под ред. В.Я.

Стенина. – М.: НИЯУ МИФИ, 2011. – С. 117-122.

12. Малышев И. В., Мухин И. И., Репин В. В., Шнитников А. С.

Разработка БИС фазовращателя для модулей АФАР // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2011).

Севастополь: материалы конф. — Севастополь: Вебер,2011. – С.

149-150.

13. Мухин И.И., Репин В.В., Шнитников А.С., Арсеньев П.А.

Монолитный фазовращатель для систем с активной фазированной антенной решеткой, построенный по принципу сложения векторов // Вестник Московского Энергетического Института. – М.:

Издательский дом МЭИ, 2012, № 2. - С.125-127.

14. Мухин И.И., Репин В.В. Применение SiGe БиКМОП технологии для построения МИС дискретного фазовращателя, использующего принцип векторного сложения // Всероссийская конференция «Микроэлектроника СВЧ». Сборник трудов конференции, том 2.

Санкт-Петербург, 2012. – С. 120-122.

15. Репин В.В., Елесин В.В., Мухин И.И., Назарова Г.Н. Анализ схем построения интегральных активных балунов // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов / Под ред. В.Я.

Стенина. – М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – С. 256-262.

16. Мухин И.И., Репин В.В. Проектирование полупроводниковых БИС активных фазовращателей с использованием SiGe-БиКМОПтехнологии // Изв. вузов. Электроника. -2012. -№ 4. – С.54-59.

17. Мухин И. И., Репин В. В., Елесин В.В., Назарова Г.Н., Шнитников А.С. Вопросы схемотехнического проектирования интегральных балунов // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2011). Севастополь: материалы конф. — Севастополь:

Вебер, 2012. – С. 95-96.

18. Мухин И.И., Бычков М.С., Репин В.В. Разработка монолитной интегральной схемы приемника с фазовращателем в цепи гетеродина // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л.

Стемпковского. – М.: ИППМ РАН, 2012. – С. 320-323.

19. Елесин В.В., Назарова Г.Н., Усачев Н.А., Чуков Г.В., Сотсков Д.И., Репин В.В., Мухин И.И. Построение монолитных ИС многоразрядных фазовращателей СВЧ-диапазона с улучшенными точностными характеристиками // Изв. вузов. Электроника. -2012. № 5. – С.31-38.

ЦИТИРУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА 1. Шелепин Н.А., Селецкий В.К., Дмитриев В.А. Исследование параметров элементной базы 0,18 мкм радиочастотной БиКМОП технологии // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов / Под ред. В.Я. Стенина. – М.: НИЯУ МИФИ, 2012.

– С. 111-116.

Подписано в печать:

Заказ № 86 Тираж 100 экз. Уч.-изд. л. 1,3 Формат 60х84 1/16.

Отпечатано в типографии ИПК МИЭТ.

124498. Москва, Зеленоград, проезд 4806, д. 5, МИЭТ.






© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.