WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

2

На правах рукописи

Работа выполнена в ОАО «Концерн «Созвездие».

Научный консультант: Заслуженный деятель наук

и РФ, доктор физико-математических наук, профессор Нечаев Юрий Борисович

Официальные оппоненты:

Хохлов Николай Степанович доктор технических наук, профессор, ПОРТНЫХ СЕРГЕЙ ВИКТОРОВИЧ Воронежский институт МВД России, профессор кафедры инфокоммуникационных систем и технологий Бобрешов Анатолий Михайлович, доктор физико-математических наук, ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ТРАНЗИСТОРНЫХ КЛЮЧАХ профессор, Воронежский государственный университет, декан физического И СПОСОБЫ ПОВЫШЕНИЯ ИХ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ факультета, заведующий кафедрой электроники

Ведущая организация: ОАО Воронежский «НИИ Вега» (г. Воронеж) Специальность: 05.12.04 – Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения

Защита состоится «26»июня 2012 года в 15:00 часов, в ауд. № 215 / 1 корп.

на заседании диссертационного совета Д 203.004.01 в Воронежском институте МВД России по адресу: 394065, г. Воронеж, пр. Патриотов, 53.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского института МВД России.

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Автореферат разослан « 24»мая 2012 г.

Ученый секретарь Воронеж – 20диссертационного совета: Голубинский Андрей Николаевич 3

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Объектом исследования являются быстродействующие электронные ключевые устройства.

Актуальность темы. В настоящее время электроника всё больше Предметом исследования являются переходные процессы в переходит на цифровые методы обработки сигналов, в связи с чем, наблюдается быстродействующих электронных ключевых устройствах.

вполне закономерный интерес к разработке более быстродействующих АЦП и Методы исследования. В работе использованы методы электрических ЦАП. Электронные ключи являются их важнейшей составной частью, а также цепей и сигналов, методы математического анализа, методы численного огромного количества радиоэлектронных устройств. В качестве моделирования. Кроме того, при выполнении работы использованы методы конструктивных элементов ключевых схем применяются полевые и компьютерного моделирования и компьютерных расчетов, также проведены биполярные транзисторы. Но, наряду с этим, ни в отечественной, ни в экспериментальные исследования.

зарубежной литературе не приводится более или менее систематизированного Научная новизна и практическая ценность работы заключается в анализа переходных процессов в быстродействующих электронных ключах, следующем:

включающего в себя расчет временных параметров процессов включения и 1. Разработаны новые схемы быстродействующих электронных ключей:

выключения (кроме простейших схем, основанных на одном нелинейном - ключа с комбинированной связью, сочетающего в себе преимущества элементе), а также не приводится методика математических расчетов введения форсирующего конденсатора и отрицательной обратной связи в виде параметров элементов входящих в состав схем электронных ключей. диода Шоттки, что позволяет значительно уменьшить время формирования Электронные быстродействующие ключи занимают важное место в переднего фронта и сократить время рассасывания неосновных носителей в цифровой и импульсной технике, в том числе и силовых импульсных базе;

устройств. В связи с этим можно выделить основные параметры, требующие - ключа с биполярно-полевой структурой, сочетающей положительные улучшения: для цифровых устройств – увеличение быстродействия, для свойства работы в ключевом режиме полевого и биполярного транзисторов, что силовой электроники – это оптимизация переходных процессов, снижение позволяет увеличить быстродействие;

коммутационных потерь и уменьшение электромагнитных помех. Таким - ключа с активной обратной связью на основе классического ключа на образом, анализ переходных процессов и математическое описание уже полевом транзисторе, в который добавлена активная обратная связь, имеющихся схем ключей, а также, разработка и описание новых реализованная на биполярном транзисторе, что позволяет подать часть быстродействующих схем ключей на современной элементной базе, требуют выходного сигнала в управляющую цепь и значительно сократить время должного внимания и детальной проработки. формирования фронта и среза.

Всё выше изложенное подтверждает актуальность темы настоящей 2. Для исследования переходных процессов в электронных ключах диссертации. выбран метод эквивалентных схем, который позволяет транзисторный ключ Целью диссертационной работы является: исследование переходных представить эквивалентной схемой, способной отражать физику процессов в процессов в быстродействующих транзисторных ключах, создание новых схем транзисторном ключе в динамическом режиме. Такое представление имеет ряд электронных ключей и их математических моделей, экспериментальная преимуществ:

проверка адекватности полученных математических моделей. - введение в электронный ключ отрицательной обратной связи по току, Исследования в рамках диссертационной работы предусматривают например, диода Шоттки, будет формально соответствовать добавлению в решение следующих задач: эквивалентную схему дополнительного нелинейного элемента;

1. Выявить влияние параметров элементов схемы ключа на его - после составления эквивалентной схемы транзисторный ключ быстродействие, и на основе полученных данных предложить новые рассматривается абстрагировано от физических процессов в элементах, как схемотехнические способы повышения быстродействия транзисторных ключей. нелинейная электрическая цепь и можно проводить анализ этой цепи любым 2. С применением метода эквивалентных схем получить математические существующим методом, это преимущество особенно заметно при модели предложенных быстродействующих транзисторных ключей. рассмотрении схем, содержащих несколько нелинейных элементов.

3. Провести исследование переходных процессов в ключе с 3. Предложены новые физически обоснованные эквивалентные схемы комбинированной связью, с биполярно-полевой структурой, с активной представленных транзисторных ключей, на основе которых разработаны обратной связью с использованием полученных математических моделей. математические модели быстродействующих электронных ключей.

4. Экспериментальным путём подтвердить увеличение быстродействия Достоинством описанных моделей транзисторных ключей является предложенных схем транзисторных ключей и адекватность построенных возможность описания схемотехнических изменений в ключе на языке математических моделей. эквивалентных схем, а также быстрого и наглядного варьирования параметрами модели при численном моделировании.

5 4. Экспериментально подтверждено значительное повышение конференции «Неравновесные процессы в природе», 2009 год (г. Елец, Елецкий быстродействия предложенных схем, а также проверена адекватность государственный университет имени И. А. Бунина).

полученных математических моделей путём сопоставления экспериментальных Публикации. Основные результаты диссертационной работы данных и теоретических расчетов. опубликованы в 14 печатных работах, из них 5 в ведущих изданиях, входящих в Результаты и научные положения, выносимые на защиту: перечень рекомендованных Высшей аттестационной комиссией, 9 докладов на 1. Новые схемотехнические способы повышения быстродействия международных научно-технических конференциях.

электронных ключей: ключ с комбинированной связью, ключ с биполярно- Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, полевой структурой, ключ с активной обратной связью. четырёх глав, заключения, списка литературы, содержащего 162 наименования 2. Обоснование применения метода эквивалентных схем для и 2-х приложений. Работа изложена на 169 страницах машинного текста, исследования переходных процессов в быстродействующих транзисторных содержит 87 иллюстраций и 16 таблиц.

ключах.

3. Новые эквивалентные схемы и соответствующие математические ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

модели для ключей с комбинированной связью, с биполярно-полевой структурой, с активной обратной связью. Во введении обоснована актуальность темы диссертационной работы, 4. Экспериментальные данные, подтверждающие повышение сформулированы цель и задачи исследований, показана научная новизна и быстродействия предложенных транзисторных ключей. практическая значимость полученных результатов выносимых на защиту, Достоверность. Достоверность результатов, полученных в диссертации, представлены данные об апробации работы, публикациях по теме диссертации, определяется корректным применением математических методов, её структуре.

соответствием выводов известным фундаментальным теоретическим В первой главе проведён детальный анализ переходных процессов в представлениям, соответствием результатов моделирования полученным широко используемых транзисторных ключах позволяющий выявить причины экспериментальным данным. их инерционности, а также закономерности, значимые для повышения их Личный вклад. Личный вклад определяется проведением теоретических быстродействия. Также проведено ознакомление с электронными ключевыми и экспериментальных исследований, а также анализом полученных устройствами, рассмотрен принцип работы простейшего электронного ключа.

результатов. Описаны основные параметры переходных процессов. Приведены основные Реализация результатов. Полученные теоретические и соотношения в ключах на биполярных и полевых транзисторах, расписаны экспериментальные результаты использованы в ОАО «Концерн «Созвездие» основные этапы работы и выявлены основные преимущества и недостатки при выполнении плановых НИР и ОКР, а также ряда важнейших работ, ключей на биполярных и полевых транзисторах. Выявлены основные причины заданных Решениями Президента и Правительства РФ, в частности, работ по большой длительности переходных процессов.

темам «Кассиопея», «Унификация», «Москва», «Созвездие-М», Проведён анализ методов повышения быстродействия путём введения в «Созвездие-М2», в ОАО Воронежский НИИ «Вега» при выполнении ОКР схему транзисторного ключа пассивных элементов, таких как форсирующая «Интеграция», «Пихта». Кроме того результаты работы внедрены в учебный ёмкость, диод Шоттки. Назначение форсирующей емкости заключается в том, процесс в Воронежском государственном университете и в Воронежском чтобы временно (на время переходных процессов) увеличить ток базы, институте ФСИН России, что подтверждено актами внедрения. определяемый сопротивлением RВХ, начальный базовый ток включения Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы становится больше, а коэффициент насыщения не увеличился. Форсирующая докладывались и обсуждались на следующих конференциях: международной емкость позволяет получить крутой положительный фронт при слабом научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь» 2007, последующем насыщении. При использовании диода Шоттки, когда ключ 2009, 2010, 2011 годах (г. Воронеж, ОАО «Концерн «Созвездие»); открывается, диод оказывается смещенным в прямом направлении, а международной научно-технической конференции «Информатика: проблемы, транзистор оказывается охваченный глубокой отрицательной обратной связью, методология, технологии», 2011 год (г. Воронеж, Воронежский что не дает ему входить в режим глубокого насыщения и приводит к государственный университет); всероссийской научно-практической уменьшению времени рассасывания заряда, при этом запертый диод не влияет конференции «Общественная безопасность, законность и правопорядок в III на работу схемы. Использование диода Шоттки обусловлено его уникальными тысячелетии», 2009 год (г. Воронеж, Воронежский институт МВД России); свойствами: протекание через него прямого тока не связано с инжекцией международной научно-технической конференции «Физика и технические неосновных носителей и эффектом их накопления, как это происходит в приложения волновых процессов», 2010 год (г. Челябинск, Челябинский обычном диоде.

государственный университет); всероссийской научно-практической 7 Во второй главе рассмотрено аналитическое описание ключевых схем, построены эквивалентные схемы и математические модели ключа с комбинированной связью, ключа с биполярно-полевой структурой и ключа с Cф Rн активной обратной связью.

Iос На основании законов Кирхгофа по эквивалентным схемам составлены Cк бар Rк IБК Cк диф системы дифференциальные уравнений, которые решаются численными методами с использованием программного пакета MathCAD, а также на основе Rвх R' Б полученных расчетных данных проводится сравнение теоретического увеличения быстродействия предложенных схем ключей.

Первым был рассмотрен ключ с комбинированной связью, который Cэ Rэ представляет собой одновременное применение обратной связи на диоде Uвх Шоттки и форсирующего конденсатора (рис.1), сочетая в себе их преимущества: уменьшение времени рассасывания в схеме ключа с диодом Шоттки и уменьшение времени формирования фронтов в схеме ключа с форсирующим конденсатором. Введение форсирующей емкости делает ток Рис.2. Эквивалентная схема ключа с комбинированной связью.

базы близким по форме к оптимальному (квазидифференцированному), но в то же время, она может привести к очень глубокому насыщению коллектора и тем На основании первого и второго законов Кирхгофа по полученной самым увеличить время рассасывания избыточного заряда. Применение диода эквивалентной схеме составлена система дифференциальных уравнений, и Шоттки способствует фиксации коллекторного напряжения и уменьшению после ряда математических преобразований получен окончательный вид времени рассасывания и времени формирования среза.

системы дифференциальных уравнений для ключа с комбинированной связью, которая является его математической моделью:

RЭ R'Б RК R'Б RK RH I Б ( RЭCЭ ) ( RКСК ) IH ( RKCK ) CЭ C R к dI 1 H dt RH CK CЭ 1 1 1 IOC U ( ) U ( ) I к CЭCK ВХ RК CК RЭCЭ AB RЭCЭ RКCК R б dI 1 RЭ R'Б I IOC dU U U dU dU Б H ВХ AB ВХ AB ВХ ( ) E I к dt R'Б Б RЭCЭ СЭ dt RЭСЭ dt dt .

dU 1 U AB AB IOC E б dt CF I Б RBX Рис.1. Ключ с комбинированной связью.

Полученная система дифференциальных уравнений решена численными Для получения эквивалентной схемы этого ключа все элементы схемы методами в программном пакете MathCAD, и получены временные заменены их схемами замещения. На рисунке 2 приведена эквивалентная схема характеристики переходных процессов в ключе с комбинированной связью.

ключа с комбинированной связью. Аналогичным способом получены и ришены системы дифференциальных уравнений для классического ключа, ключа с биполярно-полевой структурой, ключа с активной обратной связью. Результатом решения являются временные характеристики переходных процессов, представленные в таблице 1.

9 Таблица 1. Временные характеристики переходных процессов. Таблица 2. Временные характеристики переходных процессов.

Тип ключа tф, нс tр, нс tс, нс Тип ключа tф, нс tр, нс tс, нс Аналитическое моделирование ключа с комбинированной обратной связью Компьютерное моделирование ключа с комбинированной обратной связью Классический ключ на 51 183 1биполярном транзисторе Классический ключ на 47 98 1Ключ с комбинированной биполярном транзисторе 2 3 связью Ключ с комбинированной 2 2 Аналитическое моделирование ключа с биполярно-полевой структурой связью Компьютерное моделирование ключа с биполярно-полевой структурой Классический ключ на 155 340 3полевом транзисторе Классический ключ на 120 330 3Ключ с биполярно- полевом транзисторе 28 18 полевой структурой Ключ с биполярно24 11 Аналитическое моделирование ключа с активной обратной связью полевой структурой Компьютерное моделирование ключа с активной обратной связью Ключ с резистивной 360 38 5Ключ с резистивной нагрузкой 367 47 5нагрузкой Ключ с активной обратной 75 3 1Ключ с активной обратной связью 90 2 связью Представлены новые физически обоснованные эквивалентные схемы На рисунке 3 приведены результаты моделирования переходных ключей, на основе предложенных эквивалентных схем получены процессов в ключе с комбинированной связью.

математические модели классического ключа, ключа с комбинированной связью, ключа с биполярно-полевой структурой и ключа с активной обратной связью. В ходе исследования было изучено влияние ряда параметров моделей 12.0на длительность переходных процессов включения и выключения 10.0транзисторных ключей.

В третьей главе рассмотрена возможность компьютерного 8.0моделирования переходных процессов в предложенных новых транзисторных ключах с помощью программного пакета схемотехнического моделирования 6.0MicroCap 9. Подтверждена работоспособность предложенных новых схем 4.0быстродействующих транзисторных ключей, исследовано влияние ряда параметров и номиналов элементов схем на длительности переходных 2.0процессов. Опытным путем выбраны значения элементов схем ключей, при которых достигается наибольшее быстродействие.

0.0Проведено исследование классического ключа на биполярном транзисторе, классического ключа на полевом транзисторе, ключа с 2.500u 0.000 1.500u 2.000u 3.000u 3.500u 0.500u 1.000u 4.500u 5.000u T(Secs) комбинированной связью, ключа с биполярно-полевой структурой и ключа с Рис.3. Переходные процессы в различных типах ключей: 1- классический ключ;

активной обратной связью. Данные временных характеристик переходных 2- ключ с форсирующим конденсатором; 3- ключ с диодом Шоттки;

процессов по этим схемам показали, что новые схемы обладают более высоким 4- ключ с комбинированной связью.

быстродействием по отношению к классическим. Полученные временные параметры быстродействия ключей представлены в таблице 2.

Рассмотрен метод компьютерного моделирования быстродействующих электронных ключей, который как показало проведенное исследование в полной мере подходит для проектирования электронных ключевых устройств 11 на биполярных и полевых транзисторах различной степени сложности. На рисунках 5, 6, 7 приведено наложение осциллограмм входных и Использующиеся модели транзисторов и других элементов в программном выходных сигналов исследуемых быстродействующих ключей. В таблице пакете Micro-Cap 9 адекватно описывают переходные процессы, как в приведены численные результаты длительностей переходных процессов, биполярных, так и в полевых транзисторах. полученные в результате проведения эксперимента. Как из рисунка, так и из В четвёртой главе проведено экспериментальное исследование способов таблицы видно, что новые схемы ключей обладают более высоким повышения быстродействия транзисторных ключей, и проведено сравнение быстродействием, чем их прототипы.

полученных результатов при моделировании и на практике.

Экспериментальное исследование включало в себя анализ осциллограмм переходных процессов в транзисторных ключах с комбинированной связью, с биполярно-полевой структурой и с активной обратной связью.

На рисунке 4 приведена схема экспериментальной установки, включающей в себя следующие элементы:

А1 – Генератор прямоугольных импульсов GFG 8215A;

А2 – Источник стабилизированного напряжения;

А3 – Макет, представляющий собой 4 схемы: 1-классический ключ; 2ключ с форсирующим конденсатором; 3-ключ с диодом Шоттки; 4-ключ с комбинированной обратной связью;

А4 – Макет, представляющий собой 2 схемы: 1- ключ на полевом транзисторе; 2- ключ с биполярно-полевой структурой;

А5 – Макет, представляющий собой 2 схемы: 1- ключ с резистивной нагрузкой; 2- ключ с активной обратной связью;

А6 –Четырёхканальный осциллограф Tektronix TDS 3054.

Рис.5._Совмещенные осциллограммы входных и выходных импульсов различных ключевых схем: 1 – классический ключ, AA1 A2 – ключ с форсирующим конденсатором, 3 – ключ с диодом Выход Вход Кл. кл.

Шоттки, 4 – ключ с комбинированной связью.

TDS 30Кл. с ф. конд.

+ GFG-8215A Кл. с д. Шоттки.

Кл. с комб. обр. св.

Вх 1. Вх 2.

AAВход Выход + Кл. кл.

+ Кл. с б.-п.

структурой AВход Выход Кл. кл.

+ Кл. с акт.

обр. св.

Рис.4. Схема экспериментальной установки.

Рис.6._Совмещенные осциллограммы: 1– ключ с биполярно-полевой структурой; 2– классический ключ на полевом транзисторе.

13 Изготовлены и исследованы макеты предложенных схем быстродействующих транзисторных ключей. Получены осциллограммы выходных сигналов ключей, подтверждающие увеличение быстродействия новых схем. Для исключения возможности получения ошибочных данных исследования проведены на партиях транзисторов по 50 штук, таблицы с результатами представлены в приложении 1 диссертации. Также проведен сравнительный анализ теоретических расчетов, компьютерного моделирования и экспериментальных данных, подтверждающий адекватность построенных математических моделей и правильность компьютерного моделирования.

Проведено сопоставление теоретических и экспериментальных результатов и получено их соответствие, что говорит о правильности и физичности построенных математических моделей. Таким образом, подведена логическая черта диссертационного исследования, итогом которого является вполне обоснованный вывод о том, что приведенное аналитическое описание, численное и компьютерное моделирование могут быть использованы для расчета электронных ключей на биполярных и полевых транзисторах.

В заключении дана развёрнутая характеристика проведённой научной работы, сформулированы полученные результаты.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ Рис.7._Совмещенные осциллограммы: 1– ключ с активной обратной связью; 2– ключ с резистивной нагрузкой.

1. Разработаны новые схемы быстродействующих электронных ключей:

ключ с комбинированной связью, ключ с биполярно-полевой структурой, ключ Таблица 3. Временные характеристики переходных процессов.

с активной обратной связью.

Тип ключа tф, нс tр, нс tс, нс 2. Обоснована применимость предложенного метода исследования переходных процессов в быстродействующих транзисторных ключах путём Экспериментальное исследование ключа с комбинированной обратной связью составления эквивалентных схем.

3. Предложены эквивалентные схемы и соответствующие математические Классический ключ на 64-70 121-133 228-2модели для ключей: с комбинированной связью, с биполярно-полевой биполярном транзисторе структурой, с активной обратной связью.

Ключ с комбинированной 2-3 2-3 26-4. Сравнительным анализом результатов численных расчетов, связью компьютерного моделирования и экспериментальных данных подтверждено Экспериментальное исследование ключа с биполярно-полевой структурой повышение быстродействия предложенных схем электронных транзисторных Классический ключ на ключей и адекватность построенных метематических моделей.

152-168 334-367 376-4полевом транзисторе Ключ с биполярно29-31 19-21 48-ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ полевой структурой Экспериментальное исследование ключа с активной обратной связью В изданиях, рекомендованных ВАК Министерства образования и науки РФ:

Ключ с резистивной 387-427 41-45 375-41. Нечаев Ю.Б. Быстродействующий электронный ключ с активной нагрузкой обратной связью [Текст] / Ю.Б. Нечаев, В.П. Дудкин, Д.В. Портных, С.В.

Ключ с активной обратной 77-85 2-3 99-1Портных // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2009. – связью Т.12. – №2. – С. 55 – 61.

15 2. Нечаев Ю.Б. Исследование переходных процессов в электронных 12. Портных С.В. Проблемы ЭМС и пути их решения для мощных ключах на биполярном транзисторе с комбинированной обратной связью ключей [Текст] / С.В. Портных// Материалы Международной научно[Текст] / Ю.Б. Нечаев, В.П. Дудкин, С.В. Портных // Вестник Воронежского технической конференции «Физика и технические приложения волновых государственного технического университета. – 2009. – Т.5. – №9. – С. 141 – процессов». – 2010. – С. 153.

144. 13. Портных С.В. Моделирование ключа с биполярно-полевой структурой 3. Нечаев Ю.Б. Мощные электронные ключи с активной обратной [Текст] / С.В. Портных// Материалы Международной научно-технической связью [Текст] / Ю.Б. Нечаев, С.В. Портных // Вестник Воронежского конференции «Информатика: проблемы, методология, технологии». – 2011. – С.

государственного технического университета. – 2011. – Т.7. – №1. – С. 4 – 6. 204 – 208.

4. Нечаев Ю.Б. Численное моделирование быстродействующих 14. Портных С.В. Компьютерное моделирование электронного ключа с электронных ключей с диодом Шоттки и комбинированной обратной связью активной обратной связью [Текст] / С.В. Портных, // Материалы XVII [Текст] / Ю.Б. Нечаев, С.В. Портных // Вестник Воронежского института МВД Международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, России. – 2011. – №1. С. 156 – 166. связь». – 2011. – Т.1. – С. 605 – 611.

5. Нечаев Ю.Б. Исследование переходных процессов в быстродействующих ключах с отрицательными обратными связями [Текст] / Ю.Б. Нечаев, С.В. Портных // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2011. – Т.14, – №1. – С. 38 – 44.

В иных изданиях:

6. Дудкин В.П. Быстродействующие электронные ключи на полевом транзисторе с активной обратной связью [Текст] / В.П. Дудкин, Д.В. Портных, С.В. Портных, С.А. Охремчик // Материалы XIII Международной научно- технической конференции «Радиолокация, навигация, связь». – 2007. – Т.2. – С.

1318 – 1327.

7. Дудкин В.П. Быстродействующие электронные ключи на комплементарных элементах [Текст] / В.П. Дудкин, С.В. Портных, Д.В.

Портных, С.А. Охремчик // Материалы XIII Международной научно- технической конференции «Радиолокация, навигация, связь». – 2007. – Т.2. – С.

1309 – 1317.

8. Нечаев Ю.Б. Исследование быстродействующих электронных ключей на МДП транзисторах [Текст] / Ю.Б. Нечаев, С.В. Портных В.П. Дудкин, // Материалы XV Международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь». – 2009. – Т.2. – С. 984 – 992.

9. Портных С.В. Математическое моделирование переходных процессов в ключе на биполярном транзисторе с форсирующим конденсатором [Текст] / С.В. Портных // Материалы Всероссийской научно-практической конференции Подписано в печать 23.05.2012. Формат 60«Неравновесные процессы в природе». – 2010. –С. 139 – 143.

Усл. печ. л.0,93. Уч.-изд. л. 1,0.

10. Нечаев Ю.Б. Моделирование переходных процессов в ключе с Тираж 100. Заказ № ___ биполярно-полевой структурой [Текст] / Ю.Б. Нечаев, С.В. Портных В.П.

Дудкин, // Материалы XVI Международной научно-технической конференции Типография Воронежского института МВД России 394065, г. Воронеж, пр. Патриотов, 53.

«Радиолокация, навигация, связь». – 2010. – Т.1. – С. 468 – 476.

11. Портных С.В. Моделирование ключей на мощных моп- транзисторах [Текст] / С.В. Портных // Материалы Международной научно-практической конференции «Общественная безопасность, законность и правопорядок в III тысячелетии». – 2010. – Ч3. – С. 129 – 134.




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.